KR20130074415A - 박막 제조방법 및 그 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막을 증착하는 과정에서 기판의 온도를 자유롭게 조절하여 박막 특성을 향상시킬 수 있는 박막 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것으로서, 복수 개의 기판 상에 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 복수 개의 기판을 챔버 내부의 기판지지부 상에 장착하는 과정; 상기 챔버 내부의 분위기를 제어하고, 상기 기판지지부의 하부에 구비되는 가열부를 동작시켜 상기 기판의 온도를 제어하는 과정; 및 상기 기판지지부를 회전시키면서 상기 복수 개의 기판 상부에 박막을 증착하는 과정;을 포함하며, 상기 복수 개의 기판을 기판지지부에 장착하는 과정 이후에 상기 기판지지부를 상승 또는 하강시키는 과정을 적어도 한 번 이상 수행하여 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리를 조절함으로써 상기 기판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 제조방법 및 그 제조장치{Method for manufacturing thin film and apparatus for thereof}
본 발명은 박막 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막을 증착하는 과정에서 기판의 온도를 자유롭게 조절하여 박막 특성을 향상시킬 수 있는 박막 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 단위 면적당 보다 많은 소자들을 집적시키기 위하여 디자인 룰(design rule)이 감소되고 있다. 이에 따라 보다 얇은 박막의 증착과 우수한 단차피복성(step coverage)을 구현할 수 있는 증착 방법이 요구되고 있다. 이에 부합되는 증착 방법으로는 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)방법이 있다.
원자층 증착 방법은 자기 표면 반응 제한 메카니즘(Self-surface reaction limited mechanism)을 이용한다.
원자층 박막증착방법의 원리를 간단하게 설명하면 다음과 같다. 기판이 챔버 내로 공급된 제1원료가스에 노출되면 기판 표면과의 반응을 통해 제1원료가스가 기판 표면에 화학 흡착되어 단원자층을 형성한다. 그러나 기판 표면이 제1원료가스로 포화되면 단원자층 이상의 제1원료가스는 동일한 리간드 간의 비반응성으로 인해 화학 흡착 상태를 형성하지 못하고 물리 흡착 상태에 있게 된다. 이후, 기판이 퍼지(purge)가스에 노출이 되면 기판 상에 존재하던 물리 흡착 상태의 제1원료가스는 퍼지가스에 의해서 제거된다. 이어서 기판이 제2원료가스에 노출되면, 제2원료가스가 기판 표면에 화학 흡착되어 있는 제1원료가스와 리간드 상호간 치환반응을 하면서 두 번째 층이 형성되고, 첫 번째 층과 반응하지 못한 제2원료가스는 물리 흡착 상태에 있다가, 다시 기판이 퍼지가스에 노출되면 퍼지가스에 의해 제거된다. 그리고 이 두 번째 층의 표면은 제1원료가스와 반응할 수 있는 상태에 있게 된다. 상기한 과정이 하나의 사이클을 이루고 기판에 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 여러 사이클을 반복한다. .
한편, 원자층 박막을 형성하기 위한 기판처리장치는 반응 공간을 형성하는 챔버와, 기판을 지지하는 기판지지부 및 공정가스를 공급하는 가스분사체를 포함하여 구성된다. 또한, 챔버에는 챔버 내부에 진공을 형성하고, 잔류가스 및 반응 부산물 등을 배출하기 위해 상부면에 복수 개의 배기홀이 형성되어 있는 배기유로가 구비된다. 배기유로는 챔버에 형성된 배기구를 통해 챔버 외부의 펌프에 연결되는 배기관과 연결된다.
또한, 챔버 내부에는 기판지지부 상에 장착된 기판의 온도를 조절하기 위하여 가열부가 설치되는데, 가열부는 통상 기판지지부의 하부에 설치된다. 가열부는 기판을 박막 증착에 적합한 공정 온도로 가열하여 박막의 증착을 용이하게 함은 물론, 형성되는 박막의 특성도 향상시킬 수 있다.
종래에는 박막을 증착하는 동안 기판지지부와 가열부가 일정한 거리를 유지하기 때문에 박막이 증착되는 동안 기판의 온도는 가열부의 온도에 따라 변화하게 된다. 그러나 가열부의 온도를 조절하여 기판의 온도를 제어하는 경우, 기판 온도가 변화하는 속도가 느려 박막의 품질이 저하될 수 있다는 문제점이 있다.
KR 0402332 B1
본 발명은 기판의 온도를 용이하게 조절할 수 있는 박막 제조방법 및 그 제조장치를 제공한다.
본 발명은 우수한 품질의 박막을 증착할 수 있는 박막 제조방법 및 그 제조장치를 제공한다.
본 발명은 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 박막 제조방법 및 그 제조장치를 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 제조방법은, 복수 개의 기판 상에 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 복수 개의 기판을 챔버 내부의 기판지지부 상에 장착하는 과정; 상기 챔버 내부의 분위기를 제어하고, 상기 기판지지부의 하부에 구비되는 가열부를 동작시켜 상기 기판의 온도를 제어하는 과정; 및 상기 기판지지부를 회전시키면서 상기 기판지지부 상에 가스를 분사하여 상기 복수 개의 기판 상에 박막을 증착하는 과정;을 포함하며, 상기 박막 증착 과정 중에 상기 기판지지부를 상승 또는 하강시켜 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리를 조절하여 상기 기판의 온도를 제어하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리는 상기 기판의 온도와 반비례한다.
상기 박막을 증착하는 중에 상기 기판지지부를 하강시켜 상기 기판의 온도를 상승시키는 과정을 적어도 한번 포함할 수도 있고, 상기 박막을 증착하는 중에 상기 기판지지부를 상승시켜 상기 기판의 온도를 낮추는 과정을 적어도 한번 포함할 수도 있다.
그리고 상기 기판지지부를 상승 또는 하강시키는 과정 이후에 상기 기판의 온도를 측정하고, 상기 측정된 기판의 온도와 미리 설정된 기판의 온도를 비교한 후, 온도 비교 결과에 따라 상기 기판지지부를 다시 상승 또는 하강시켜 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리를 재조정하는 과정을 포함할 수도 있다.
상기 박막을 증착하는 과정에서 상기 복수개의 기판들 중 적어도 일부는 서로 다른 가스에 노출될 수도 있다.
그리고 상기 기판지지부를 상승 또는 하강시키는 과정은 상기 기판지지부의 회전 및 가스 분사와 동시에 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 제조장치는, 내부에 공간부가 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 승강 및 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부와; 상기 기판지지부의 하부에 구비되는 가열부와; 상기 기판지지부의 상부에 구비되어 상기 기판지지부 측으로 가스를 분사하는 가스분사체; 및 상기 기판 상에 증착되는 박막의 두께에 따라 기판의 온도가 기 설정된 범위에 도달하도록 상기 기판지지부의 승강 구동을 제어하여 상기 기판지지부와 상기 가열부 사이의 거리를 조절하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서 상기 가스분사체에는 상기 기판의 온도를 측정하는 센서를 포함하고, 상기 제어부는 상기 센서에서 측정된 상기 기판들의 평균 온도와 미리 설정된 기판 온도를 비교하여 온도 비교 결과에 따라 상기 기판지지부를 상승 또는 하강시켜 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리를 조절할 수도 있다.
그리고 상기 가스분사체는 서로 다른 종류의 가스를 분사하도록 형성될 수 있으며, 상기 기판지지부는 승강과 회전을 동시에 수행할 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시 형태에 따른 박막 제조방법 및 그 제조장치는, 박막을 증착하는 과정에서 기판의 온도를 신속하고 용이하게 조절할 수 있다. 즉, 기판이 장착되는 기판지지부를 상승 또는 하강시킴으로써 기판지지대의 하부에 구비되는 가열부와, 기판지지부 간의 거리를 조절하여 기판의 온도를 조절한다. 특히, 기판지지부를 상승시키는 경우, 기판지지부와 가열부 사이의 거리가 멀어져 기판이 냉각되는 동시에, 기판으로 공급되는 가스에 의해서도 기판이 냉각되기 때문에 기판의 온도를 신속하게 변화시킬 수 있다. 이를 통해 우수한 품질의 박막을 증착할 수 있음은 물론 공정 효율도 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막을 제조하기 위한 기판처리장치의 개략적 단면도.
도 2는 기판지지부와 가열부 간 거리에 따른 기판의 온도 변화를 보여주는 그래프.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 제조과정을 보여주는 순서도.
도 4는 기판지지부의 높이를 조절하는 상태를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따라 박막을 제조하는 과정에서 기판지지부와 가열부 사이의 거리 변화를 보여주는 그래프.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 박막을 제조하기 위한 기판처리장치의 개략적 단면도이고, 도 2는 기판지지부와 가열부 간 거리에 따른 기판의 온도 변화를 보여주는 그래프다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치는 챔버(100), 기판지지부(120), 가스분사체(130), 가열부(140) 및 제어부(미도시)를 포함한다.
챔버(100)는 상부가 개방된 본체(102)와, 본체(102)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(132)를 구비한다. 탑리드(132)가 본체(102)의 상부에 결합되어 본체(102) 내부를 폐쇄하면, 챔버(100)의 내부에는 예컨대, 증착 공정 등 기판(W)에 대한 처리가 행해지는 공간부(103)가 형성된다.
공간부(103)는 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 챔버(100)의 소정 위치에는 공간부(103)에 존재하는 가스의 배출을 위한 배기구(106)가 마련되어 있고, 배기구(106)는 외부의 배기관(170)과 연결된다.
한편, 챔버(100)에는 배기구(106)와 연통하는 배기유로(미도시)가 형성될 수도 있으며, 배기유로는 챔버(100)의 하부 내벽 또는 상부 내벽을 따라 형성될 수 있다. 또한, 배기유로에는 챔버(100) 내의 공기와, 박막 형성 후 잔류하는 공정가스, 불순물 등을 흡입하여 배출하기 위한 복수 개의 배기홀(미도시)이 형성될 수 있다.
또한, 본체(102)의 바닥면에는 후술할 기판지지부(120)의 회전축(126)이 삽입되는 관통공(104)이 형성되어 있다. 본체(102)의 측벽에는 기판(W)을 챔버(100) 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 게이트벨브(미도시)가 형성되어 있다.
기판지지부(120)는 기판(W)을 지지하기 위한 구성으로서, 지지플레이트(122)와 회전축(126)을 구비한다. 지지플레이트(122)는 원판 형상으로 챔버(100) 내부에 수평방향으로 구비되고, 회전축(126)은 지지플레이트(122)의 저면에 수직으로 연결된다. 회전축(126)은 관통공(104) 외부의 모터 등의 구동수단(미도시)에 연결되어 지지플레이트(122)를 승강 및 회전시킨다. 이때, 회전축(126)과 관통공(104) 사이는 벨로우즈(미도시) 등을 이용하여 밀폐시킴으로써 박막을 증착하는 과정에서 챔버(100) 내부의 진공이 해제되는 것을 방지한다.
또한, 지지플레이트(122)의 상부에는 복수의 기판안착부(124)가 일정 간격을 가지며 형성된다. 기판안착부(124)는 박막증착을 위한 지지플레이트(122)의 회전 시 장착된 기판(W)의 이탈을 방지할 수 있도록 함몰된 형태로 형성되는 것이 좋다. 또한 지지플레이트(122)의 하측에는 가열부(140)가 구비되어 기판(W)을 일정한 공정 온도로 가열할 수도 있다.
상기 가열부(140)는 지지플레이트(122)의 전 영역을 균일하게 가열할 수 있도록 지지플레이트(122)에 대응하는 형상, 예컨대 링 형태로 형성되는 것이 좋으며, 본체(102) 하부면에 고정되어 형성될 수 있다.
따라서 가열부(140)의 온도가 일정한 경우, 가열부(140)와 지지플레이트(122) 간의 거리(D)가 가까울수록 지지플레이트(122)의 온도는 상승하게 되고, 가열부(140)와 지지플레이트(122) 간의 거리(D)가 멀어질수록 지지플레이트(122)의 온도는 하강하게 된다. 이에 지지플레이트(122)의 기판안착부(124)에 장착되는 기판(W)의 온도 또한 지지플레이트(122)의 온도와 같이 변화하게 된다.
즉, 도 2에 도시된 바와 같이 기판지지부(120)와 가열부(140) 간의 거리(D)와 기판(W)의 온도는 반비례 관계를 갖게 된다. 이러한 점을 이용하여 본 발명의 실시 예에서는 기판지지부(120)를 박막의 증착 주기 또는 구간에 따라 상승 또는 하강시킴으로써 기판(W)의 온도를 신속하게 조절하여 기판(W)의 손상을 방지함과 동시에, 형성되는 박막의 특성도 향상시킨다. 예컨대 챔버(100) 내의 증착 분위기 및 온도를 제어하는 과정에서 기판(W)이 과열되어 열손상되는 것을 방지하기 위하여 기판지지부(120)를 상승시켜 기판(W)의 온도를 낮춘다거나, 기판(W) 상부에 원료가스의 흡착을 원활하게 하기 위해 기판지지부(120)를 하강시켜 기판(W)의 온도를 상승시킬 수도 있다.
이와 같이 기판지지부(120)를 상승 또는 하강시키는 경우 가열부(140)의 온도를 조절하는 경우에 비해 빠른 속도로 기판(W)의 온도를 변화시킬 수 있다. 즉, 기판지지부(120)를 상승시키는 경우 기판지지부(120)가 가열부(140)로부터 멀어져 기판(W)의 온도가 낮아지게 되고, 이와 더불어 가스분사체(130)로부터 분사되는 가스에 의해서도 기판(W)의 온도가 낮아지게 된다. 따라서 기판지지부(120)의 높이를 그대로 유지한 채로 가열부(140)의 온도를 조절하는 경우에 비하여, 기판지지부(120)와 가열부(140) 간의 거리를 조절하는 경우, 기판(W)의 온도를 신속하고 효율적으로 변화시킬 수 있다. 이때, 기판지지부(120)의 상승 또는 하강 거리는 박막 증착에 영향을 미치지 않은 정도인 것이 좋다.
가스분사체(130)는 기판지지부(120) 상부에 이격되어 구비되며, 기판지지부(120) 측으로 원료가스(S), 반응가스(R), 퍼지가스(P) 등 공정가스를 분사한다. 가스분사체(130)는 서로 다른 종류의 가스를 분사하는 복수의 가스분사유닛을 포함하며, 각각의 가스분사유닛은 부채꼴과 유사한 형태를 이루며 지지플레이트(122)의 중심을 기준으로 배열된다. 그리고 가스분사유닛들의 중앙에는 퍼지가스를 분사하는 중앙 가스분사유닛(137)을 더 구비함으로써 원료가스와 반응가스가 기판지지부(120)의 중앙에서 상호 혼합되는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 각각의 가스분사유닛은 탑리드(132)의 일부분씩을 점유하는 형태로 탑리드(132)를 공유하며, 탑리드(132) 하부에 복수의 가스분사공(136)이 형성된 분사플레이트(134)가 결합되어 형성된다. 이렇게 형성된 가스분사유닛에는 분사플레이트(134)와 탑리드(132) 사이에 가스확산공간이 형성된다.
그리고 탑리드(132)에는 중앙 가스분사유닛(137)을 포함한 가스분사유닛의 가스도입구(138)가 형성되어 탑리드(132)와 분사플레이트(134) 사이의 가스확산공간과 연통된다. 각각의 가스도입구(138)는 외부의 다양한 가스공급원(미도시)과 선택적으로 연결된다.
또한, 탑리드(132)와 분사플레이트(134) 사이에 분사공(미도시)이 형성된 중간플레이트(미도시)가 개재될 수도 있다. 이 경우 가스도입구(138)를 통해 가스분사유닛으로 유입된 가스는 탑리드(132)와 중간플레이트 사이 그리고 중간플레이트와 분사플레이트(134) 사이에 형성되는 가스확산공간 내에서 고르게 확산될 수 있다.
제어부는 전술한 기판지지부(120), 가스분사체(130) 및 가열부(140) 등 장치의 전반적인 동작을 제어한다. 특히, 제어부에는 박막을 증착하는 과정에서 요구되는 기판(W)의 온도 등이 미리 설정되어 있어, 설정된 기판(W)의 온도에 따라 기판지지부(120)를 상승 또는 하강시킨다. 이때, 제어부에는 박막의 종류에 따른 박막 증착 주기, 구간 등을 기준으로 하여 가열부(140)의 온도와, 가열부(140)와 기판지지부(120) 간의 거리에 따른 기판(W)의 온도 변화가 데이터로 저장되어 있어, 설정된 기판(W)의 온도에 따라 기판지지부(120)의 이동 거리를 조절할 수 있다.
또한, 기판지지부(120)의 상승 또는 하강에 따라 기판(W)에 공급되는 가스의 밀도, 분사속도 등이 변화할 수 있으므로, 제어부는 기판지지부(120)의 상승 또는 하강에 관계없이 기판(W)에 가스가 일정하게 공급될 수 있도록 가스분사체(130)를 제어할 수도 있다. 그리고 제어부는 기판지지부(120)의 상승 또는 하강 이후 미리 설정된 기판(W)의 온도와 측정된 기판(W)의 온도를 비교하여 기판지지부(120)를 다시 상승 또는 하강시킴으로써 기판(W)의 온도를 재조정할 수도 있다.
이와 같이 구성된 기판처리장치를 이용하여 기판(W) 상부에 박막을 증착하는 과정에서, 가스분사체(130)는 원료가스(S), 반응가스(R) 및 퍼지가스(P)를 기판지지부(120) 측으로 지속적으로 분사하고, 가스배출장치는 챔버(100) 내부의 잔류가스 및 부산물 등을 지속적으로 배출한다.
이하에서는 상기 기판처리장치를 이용하여 기판에 원자층 박막을 증착하는 방법에 대해서 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 제조과정을 보여주는 순서도이고, 도 4는 기판지지부의 높이를 조절하는 상태를 보여주는 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따라 박막을 제조하는 과정에서 기판지지부와 가열부 사이의 거리 변화를 보여주는 그래프다.
먼저, 기판(W)을 챔버(100) 내의 기판지지부(120)에 장착한다(S110). 기판(W)은 지지플레이트(122)의 기판안착부(124)에 장착되며, 복수 개의 기판(W)이 장착될 수 있다.
기판(W)이 기판지지부(120)에 장착되면, 챔버(100) 내부를 진공으로 형성하여 챔버(100) 내의 공기를 제거한다. 그리고 가열부(140)를 동작시켜 기판지지부(120)를 가열하여 기판(W)의 온도를 제어한다(S112). 이때, 기판지지부(120)를 상승 또는 하강시켜 형성하고자 하는 박막의 종류에 따라 기판(W)의 온도를 적절하게 조절할 수 있으며, 박막이 증착되는 주기 또는 구간 별로 기판(W)의 온도를 조절할 수도 있다.
일 예를 들면, 박막이 증착되는 1주기 또는 초기에는 기판(W)으로 공급되는 원료가스가 제대로 흡착되지 않는 경우가 있다. 이와 같은 경우에는 도 4의 (a)에 도시된 것처럼 기판지지부(120)를 가열부(140) 측으로 하강시켜 기판 온도를 상승시킴으로써 원료가스의 흡착을 원활하게 한 다음, 기판지지부(120)를 다시 상승시켜 박막을 형성할 수도 있다.또 다른 예를 들면, 박막이 증착되기 전에는 가열부(140)를 통해 기판 온도를 조절하는 과정에서 기판(W)이 고온에 의해 손상될 수 있으므로, 도 4의 (b)에 기판지지부(120)를 가스분사체(130) 측으로 상승시켜 기판(W)이 과도하게 가열되는 것을 방지한 이후, 기판지지부(120)를 하강시켜 박막을 형성할 수도 있다. 본 실시 예에서는 후자의 경우를 예를 들어 설명한다. 이에 기판지지부(120)는 박막이 본격적으로 증착되는 초기 이후의 기판지지부(120) 높이보다 상승시킨 위치에서 기판(W)의 온도를 제어한다.
이후, 기판지지부(120)를 회전시키고, 가스분사체(130)를 통해 기판(W)에 원료가스, 반응가스 등의 공정가스와, 퍼지가스를 분사하면서 박막을 증착한다(S114).
이와 같이 박막을 증착하는 과정에서 일정 시간이 경과한 이후, 또는 박막이 일정 두께 증착된 이후 기판 온도 조절 여부를 결정한다(S116). 기판 온도 조절 여부가 결정되면, 다시 기판의 냉각 여부를 결정(S1118)하여 기판지지부(120)의 상승 또는 하강을 결정한다. 이에 본 실시 예에서는 기판지지부(120)를 하강(S120)시켜 기판(W)을 가열한다.
이렇게 기판 온도가 조절된 이후, 기판(W)의 온도를 측정하고 측정된 온도와 미리 설정된 기판 온도를 상호 비교(S124)하여, 기판 온도가 적절하게 조절되지 않은 경우에는 전술한 S118, S120 S122 및 S124 과정을 반복해서 수행하여 기판 온도를 재조정할 수도 있다. 이와 같이 기판지지부(120)를 상승 또는 하강시켜 기판 온도를 조절하는 과정들은 기판지지부(120)를 회전시키면서 박막을 증착하는 공정과 동시에 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고 상기 S124 과정에서 기판 온도가 적절하게 조절된 것으로 판단된 경우에는 박막의 증착 완료 여부를 판단(S126)하여, 박막이 원하는 두께로 증착되지 않은 경우에는 계속해서 박막을 증착(S114)하고, S116 내지 S124 과정을 반복해서 수행할 수도 있다. 예컨대, 기판지지부(120)를 상승시켜 기판 온도를 낮출 수도 있다. 이 경우 박막이 증착되는 동안 기판지지부(120)와 가열부(140) 간의 거리(D) 변화는 도 5와 같이 나타날 수 있다.
이후 박막이 원하는 두께로 증착되면 되면 기판지지부(120), 가스분사체(130) 및 가열부(140) 등의 동작을 정지시키고 기판(W)을 챔버(100) 외부로 반출(S128)한다.
여기에서는 기판지지부(120)를 상승시킨 후 다시 하강시켜 기판지지부(120) 와 가열부(140) 간의 거리를 조절함으로써 기판(W)의 온도를 조절하는 과정을 기판(W)의 온도를 제어하는 S112 과정에서 수행하고, 박막을 증착(S114)하는 과정에서 1회 수행한 것으로 설명하고 있으나, S112과 S114 과정 중 어느 한 과정에서만 수행될 수도 있다. 또한 박막을 증착하는 과정에서도 형성하고자 하는 박막의 증착 패턴에 따라 복수 회 수행될 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : 챔버 120 : 공간부
102 : 본체 104 : 관통공
106 : 배기구 120 : 기판지지부
122 : 지지플레이트 124 : 기판안착부
126 : 회전축 130 : 가스분사체
132 : 탑리드 134 : 분사플레이트
136 : 가스분사공 140 : 가열부
170 : 배기관

Claims (11)

  1. 복수 개의 기판 상에 박막을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 복수 개의 기판을 챔버 내부의 기판지지부 상에 장착하는 과정;
    상기 챔버 내부의 분위기를 제어하고, 상기 기판지지부의 하부에 구비되는 가열부를 동작시켜 상기 기판의 온도를 제어하는 과정; 및
    상기 기판지지부를 회전시키면서 상기 기판지지부 상에 가스를 분사하여 상기 복수 개의 기판 상에 박막을 증착하는 과정;을 포함하며,
    상기 박막 증착 과정 중에 상기 기판지지부를 상승 또는 하강시켜 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리를 조절하여 상기 기판의 온도를 제어하는 박막 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리는 상기 기판의 온도와 반비례하는 박막 제조방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 박막을 증착하는 중에 상기 기판지지부를 하강시켜 상기 기판의 온도를 상승시키는 과정을 적어도 한번 포함하는 박막 제조방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 박막을 증착하는 중에 상기 기판지지부를 상승시켜 상기 기판의 온도를 낮추는 과정을 적어도 한번 포함하는 박막 제조방법.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판지지부를 상승 또는 하강시키는 과정 이후에 상기 기판의 온도를 측정하고, 상기 측정된 기판의 온도와 미리 설정된 기판의 온도를 비교한 후, 온도 비교 결과에 따라 상기 기판지지부를 다시 상승 또는 하강시켜 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리를 재조정하는 과정을 포함하는 박막 제조방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 박막을 증착하는 과정에서 상기 복수개의 기판들 중 적어도 일부는 서로 다른 가스에 노출되는 박막 제조방법.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 기판지지부를 상승 또는 하강시키는 과정은 상기 기판지지부의 회전 및 가스 분사와 동시에 수행되는 박막 제조방법.
  8. 내부에 공간부가 형성되는 챔버와;
    상기 챔버 내부에 승강 및 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부와;
    상기 기판지지부의 하부에 구비되는 가열부와;
    상기 기판지지부의 상부에 구비되어 상기 기판지지부 측으로 가스를 분사하는 가스분사체; 및
    상기 기판 상에 증착되는 박막의 두께에 따라 기판의 온도가 기 설정된 범위에 도달하도록 상기 기판지지부의 승강 구동을 제어하여 상기 기판지지부와 상기 가열부 사이의 거리를 조절하는 제어부;
    를 포함하는 박막 제조장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 가스분사체에는 상기 기판의 온도를 측정하는 센서를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 센서에서 측정된 상기 기판들의 평균 온도와 미리 설정된 기판 온도를 비교하여 온도 비교 결과에 따라 상기 기판지지부를 상승 또는 하강시켜 상기 기판지지부와 상기 가열부 간의 거리를 조절하는 박막 제조장치.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 가스분사체는 서로 다른 종류의 가스를 분사하도록 형성된 박막 제조장치.
  11. 청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판지지부는 승강과 회전을 동시에 수행할 수 있도록 형성된 박막 제조장치.
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