KR101088679B1 - 기판 처리장치 및 기판 처리방법 - Google Patents

기판 처리장치 및 기판 처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 기판 처리장치는 내부에 반응공간을 구비하는 챔버; 챔버 일측에 연결되어 챔버 내의 반응 가스를 배기시키는 배기관과, 배기관과 연결되어 반응 가스를 흡입시키는 배기 펌프를 구비하는 배기장치; 배기관에 연결되어 배기되는 가스량을 조절하는 배기조절부;를 포함하며, 배기 조절부는 내부 공간, 상부 및 하부에 배기관과 연결되는 관통공이 형성되는 하우징과, 하우징 내부에서 슬라이딩 이동하며 그 이동에 따라 배기관의 유량을 조절하는 슬라이딩 게이트를 구비한다.
본 발명에 따른 기판 처리장치에 있어서, 슬라이딩 게이트는 수평이동하는 복수개의 플레이트로 형성된다. 또한 슬라이딩 게이트는 상하방향으로 형성되는 연결공을 구비하는 플레이트로 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면 반응 가스의 유속 및 챔버 압력을 용이하게 제어할 수 있다. 또한 챔버 내에 압력구배를 발생시키거나 반응 가스의 체류시간을 증가시켜 증착효율을 향상시킬 수 있다. 체류 시간을 증가시킴으로써 반응 가스가 증착되는 시간보다 빠르게 배기되는 문제점을 해결할 수 있어 박막의 막질 및 균일성을 향상시킬 수 있다. 그리고 챔버 내에 압력구배를 발생시킴으로써, 배기관을 통해 배기되는 반응 가스가 챔버쪽으로 역류하는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리장치 및 기판 처리방법{APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리장치 및 기판 처리방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 챔버 내의 압력을 조절함으로써 챔버 내에 압력 구배를 생성하거나 반응가스의 체류시간을 증가시켜 공정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리장치 및 기판 처리방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서 플라즈마를 이용하는 공정이 많이 개발되고 있다. 예를 들어 플라즈마를 이용하는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정은 플라즈마에 의해 반응 가스가 활성화되어 기판상에 증착되기 때문에 일반 증착 공정보다 낮은 온도에서 빠른 속도로 증착할 수 있는 장점이 있다.
이러한 플라즈마 CVD 공정은 챔버 내의 기판 지지대에 기판이 안착된 후 반응 가스가 샤워헤드를 통해 분사되고 RF 전력이 인가되어 반응 가스가 활성화되어 기판 상에 소정의 막이 증착된다. 챔버 내에 반응 가스를 배출하는 경우 챔버에 배기관을 통해 연결된 배기펌프를 이용하여 반응 가스를 배출한다.
이 때 공정 종류에 따라 반응 가스의 배출속도 및 챔버 내의 압력을 조절할 필요가 있는데, 종래에는 스로틀 밸브를 이용하여 챔버 내의 압력을 조절하였다. 그러나 일반적으로 배기관 유로 내에 형성된 회전체에 의해 유량을 제어하는 스로틀 밸브는 밸브 구조상 챔버 내의 압력을 정밀하게 제어하기 어려우며, 배기되던 반응 가스가 다시 챔배 내로 역류되는 문제점이 발생하였다. 또한 반응 가스의 배출속도를 감소시켜 챔버 내에 반응가스의 체류시간을 충분히 확보하기 어렵다는 문제점이 있었다.
본 발명은 챔버에서 배출되는 반응 가스의 유속 및 챔버 압력을 용이하게 제어할 수 있는 기판 처리장치를 제공한다.
본 발명은 챔버 내에 압력구배를 발생시킴으로써 기판의 증착효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리장치를 제공한다.
또한 본 발명은 챔버 내에 반응 가스의 체류시간을 증가시켜 기판의 증착효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리장치를 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리장치는 내부에 반응공간을 구비하는 챔버; 챔버 일측에 연결되어 챔버 내의 반응 가스를 배기시키는 배기관과, 배기관과 연결되어 반응 가스를 흡입시키는 배기 펌프를 구비하는 배기장치; 배기관에 연결되어 배기되는 가스량을 조절하는 배기조절부;를 포함하며, 배기 조절부는 내부 공간, 상부 및 하부에 배기관과 연결되는 관통공이 형성되는 하우징과, 하우징 내부에서 슬라이딩 이동하며 그 이동에 따라 배기관의 유량을 조절하는 슬라이딩 게이트를 구비한다.
본 발명에 따른 기판 처리장치에 있어서, 슬라이딩 게이트는 수평이동하는 복수개의 플레이트로 형성된다.
또한 슬라이딩 게이트는 상하방향으로 형성되는 연결공을 구비하는 플레이트로 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면 반응 가스의 유속 및 챔버 압력을 용이하게 제어할 수 있다.
또한 챔버 내에 압력구배를 발생시키거나 반응 가스의 체류시간을 증가시켜 증착효율을 향상시킬 수 있다. 체류 시간을 증가시킴으로써 반응 가스가 증착되는 시간보다 빠르게 배기되는 문제점을 해결할 수 있어 박막의 막질 및 균일성을 향상시킬 수 있다.
그리고 챔버 내에 압력구배를 발생시킴으로써, 배기관을 통해 배기되는 반응 가스가 챔버쪽으로 역류하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 나타내는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예의 따른 배기 조절부의 작동 상태를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 작동 상태를 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 작동상태를 나타내는 평면도이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 압력구배를 나타내는 개념도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리방법의 순서도이다.
이하에서는 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 기판 처리장치에 관하여 구체적으로 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 나타내는 개념도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리장치는 챔버(100), 배기장치(160) 및 배기 조절부(10)를 포함하여 구성된다.
챔버(100)는 기판(w)에 증착, 식각 등의 공정을 처리하기 위한 공간을 제공하는 수단으로서, 내부에 소정의 반응 영역을 마련하고 이를 기밀하게 유지시킨다. 챔버(100)는 대략 원형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 공간을 가지는 반응부와, 대략 원형으로 반응부 상에 위치하여 챔버(100)를 기밀하게 유지하는 덮개를 포함할 수 있다. 반응부 및 덮개는 원형 이외에 다양한 형상으로 제작될 수 있는데, 예를 들어 기판(w) 형상에 대응하는 형상으로 제작될 수 있다.
기판 지지대(110)는 처리하기 위한 기판을 거치하기 위한 수단으로서, 챔버(100)의 하부에 마련되며 후술할 샤워 헤드(120)와 대향하는 위치에 설치된다. 또한, 기판 지지대(110)는 대략 원형으로 마련될 수 있으나, 기판(w) 형상과 대응되는 형상으로 마련될 수 있으며, 기판(w)보다 크게 제작될 수 있다. 기판 지지대(110) 하부에는 기판 지지대(110)를 승하강 이동시키는 기판 승강기(미도시)가 마련될 수 있다. 기판 승강기는 기판 지지대(110) 상에 기판(w)이 안착되면 기판 지지대(110)를 샤워헤드(120)와 근접하도록 이동시킨다. 또한, 기판 지지대(110) 내부에는 히터(미도시)가 장착된다. 히터는 소정 온도로 발열하여 기판(w)을 가열함으로써 반응 가스를 이용하는 공정, 예를 들어 식각 정지막 증착 공정이 기판(w) 상에 용이하게 실시되도록 한다. 한편, 기판 지지대(110) 내부에는 히터 이외에 냉각관(미도시)이 더 마련될 수 있다. 냉각관은 기판 지지대(110) 내부에 냉매가 순환되도록 함으로써 냉열이 기판 지지대(110)를 통해 기판(w)에 전달되어 기판(w)의 온도를 원하는 온도로 제어할 수 있다.
샤워헤드(120)는 기판(w)에 반응 가스를 분사하기 위한 수단으로서, 챔버(100) 내의 상부에 기판 지지대(110)와 대향하는 위치에 설치되며 반응 가스를 챔버(100)의 하측으로 분사한다. 샤워헤드(120)는 반응 가스 공급부(140)와 연결되고, 기판 지지대(110)에 대향하는 하부에는 기판(w)에 반응 가스를 분사하기 위한 복수의 분사홀(122)이 형성된다. 샤워헤드(120)는 대략 원형으로 제작되지만, 기판(w) 형상으로 제작될 수도 있다. 또한, 샤워헤드(120)는 기판 지지대(110)와 동일한 크기로 형성될 수 있다.
반응 가스 공급부(140)는 공정에 사용되는 반응 가스를 공급하는 수단으로서, 샤워헤드(120)의 상부와 연결되어 가스를 샤워헤드(120)에 공급하는 가스 공급관(142)과, 반응 가스를 저장하는 반응 가스 저장부(144)를 포함하여 구성한다. 가스 저장부(144)에 저장된 반응 가스는 반응 가스 공급관(142)을 통해 샤워헤드(120)에 공급된다. 복수개의 반응 가스가 공급되는 경우에는 각각 복수개의 공급관과 반응가스 저장부를 구비할 수 있다. 또한, 반응 가스 저장부(144)와 가스 공급관(142) 사이에는 소오스의 공급 및 공급량을 제어할 수 있도록 밸브(미도시) 등이 설치될 수 있다.
플라즈마 발생부(150)는 샤워헤드(120)를 통해 공급된 반응 가스를 플라즈마 상태로 활성화시키기 위해 마련된다. 플라즈마 발생부(150)는 챔버(100)의 상부 및 측부의 적어도 어느 하나에 마련되는 플라즈마 발생 코일(152)과, 플라즈마 발생 코일(152)에 소정의 전원을 공급하는 전원 공급부(154)를 포함한다. 여기서, 플라즈마 발생 코일(152)이 챔버(100)의 상부 및 측부에 동시에 설치되는 경우 이들 플라즈마 발생 코일(152)은 병렬 연결될 수 있다. 또한, 챔버(100)의 상부에 설치된 플라즈마 발생 코일(152)은 샤워헤드(120)로부터 분사되는 반응 가스를 완전하게 이온화하기 위해 외경이 샤워헤드(120)보다 크게 설치되는 것이 바람직하다. 따라서, 전원 공급부(154)로부터 소정 전원이 플라즈마 발생 코일(152)에 인가되면, 플라즈마 발생 코일(152)로부터 자기장이 발생되어 반응 가스를 플라즈마 상태로 활성화시키게 된다.
배기 장치(160)는 챔버(100) 내의 반응 가스를 배출하기 위한 수단으로서, 챔버 일측에 마련된다. 배기 장치(160)는 챔버(100)의 하측에 마련되어 반응 가스가 배기되는 배기관(162)과, 배기관(162)과 연결되어 챔버(100) 내의 반응 가스를 흡입하는 배기 펌프(164)를 포함한다. 따라서 배기 펌프(164)가 작동하여 챔버(100) 내의 반응 가스는 배기관(164)을 통해 배기된다. 배기 장치(160)은 예를 들어 챔버(100)의 하부에 마련되나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 측벽 등에 마련될 수도 있다. 한편, 배기 펌프(164)는 반응 가스 또는 챔버(100) 내를 배기함으로써 챔버(100)를 원하는 진공도로 유지할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예의 따른 배기 조절부의 작동 상태를 나타내는 평면도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 작동 상태를 나타내는 평면도이다. 또한 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 사시도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기 조절부의 작동상태를 나타내는 평면도이다.
배기 조절부(10)는 배기관(162)을 통해 배기되는 반응 가스의 유량을 조절하기 위한 수단으로서, 하우징(11)과 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 포함하여 구성된다.
하우징(11)은 내부에 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)가 활주하는 공간이 마련되며, 배기관(162)이 연결될 수 있도록 상부와 하부에 각각 관통공(12)이 형성된다. 관통공(12)은 배기관(162)이 연결되는 부분으로서, 배기관(162)의 직경과 동일하게 형성된다. 하우징(11)은 그 형상이 제한되지 않으나, 도 2에서와 같이 내부공간이 마련된 직육면체 형태로 구비되는 것이 바람직하다.
슬라이딩 게이트(13, 23, 33)는 하우징(11) 내부에서 슬라이딩 이동하며 그 이동에 따라 배기관(162)의 유량을 조절하기 위해 마련된다. 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)는 하우징(11) 내부에 배치되며, 플레이트 형상으로 형성될 수 있다.
슬라이딩 게이트는 수평이동하는 복수개의 플레이트로 형성될 수 있다. 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따르면, 슬라이딩 게이트(13)는 두 개의 플레이트(13a, 13b)로 형성될 수 있다. 슬라이딩 게이트가 배기관(162)을 폐쇄하는 경우에는 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 하우징(11) 내의 두 개의 플레이트(13a, 13b)가 맞닿아 배치되어 배기관(162)과 연결된 관통공(12)을 가로막음으로써 반응 가스가 배기되는 것을 방지할 수 있다. 두 개의 플레이트(13a, 13b)가 하우징(11) 내부에서 바깥 방향으로 슬라이딩 이동을 하면, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 관통공(12)의 일부분이 개방되어 반응 가스가 통과될 수 있다. 두 개의 플레이트(13a, 13b)가 좀 더 슬라이딩 이동을 하게 되면, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 관통공(12)이 완전히 개방될 수 있다. 이와 같이 배기관(162)과 연결되어 반응 가스가 통과하는 관통공(12)의 단면의 크기를 조절함으로써, 배기되는 반응가스의 유량, 속도 및 챔버 내의 압력을 조절할 수 있다.
도 4에 도시된 본 발명의 실시예에 따르면, 슬라이딩 게이트(13)는 4개의 플레이트(23a, 23b, 23c, 23d)로 형성될 수 있다. 이와 같은 경우에서도 슬라이딩 게이트가 배기관(162)을 폐쇄할 때에는 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 4개의 플레이트(23a, 23b, 23c, 23d)가 맞닿아 배치되어 배기관(162)과 연결된 관통공(12)을 가로막는다. 4개의 플레이트(23a, 23b, 23c, 23d)가 하우징(11) 내부에서 바깥 방향으로 슬라이딩 이동을 하면 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 관통공(12)의 일부분이 개방되며, 좀 더 슬라이딩 이동을 하게 되면 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이 관통공(12)이 완전히 개방된다.
슬라이딩 게이트(13)를 구성하는 플레이트는 실시예들과 같이 2개 또는 4개로 이루어진 직육면체 형상을 갖는 것에 한정되지 않고, 관통공(12)을 폐쇄하고 개방하도록 배치될 수 있는 개수와 형상의 플레이트라면 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
도 5에 도시된 본 발명의 실시예에 따르면, 슬라이딩 게이트(33)는 상하방향으로 형성된 연결공(34)을 구비하는 플레이트 형상으로 마련될 수 있다. 연결공(34)은 하우징 상부에 형성된 관통공과 하부에 형성된 관통공을 연결하는 수단으로서, 관통공과 동일 또는 다소 크거나 작은 크기로 형성될 수 있다. 연결공(24)은 슬라이딩 게이트(33)의 슬라이딩 이동에 의해 관통공의 개구되는 크기를 조절한다. 즉 슬라이딩 게이트로 배기관(162)을 폐쇄할 때에는 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 연결공(34)이 관통공(12)들과 연결되지 않도록 슬라이딩 게이트(33)를 위치시킨다. 슬라이딩 게이트(33)가 슬라이딩 이동을 하면 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 연결공(34)의 일부분이 관통공(12)과 연결되어 반응 가스가 통과할 수 있다. 슬라이딩 게이트(33)가 좀 더 슬라이딩 이동을 하면 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이 연결공(34)이 관통공(12)과 완전히 일치하여 보다 많은 양의 반응 가스가 통과할 수 있도록 한다.
이와 같이 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)들은 평면상에서 수평으로 이동하기 때문에 개구되는 배기관(162) 단면의 크기를 용이하고 정밀하게 조절할 수 있기 때문에 미세한 압력 제어, 예를 들어 0.01 torr 단위의 압력을 제어할 수 있다.
슬라이딩 게이트(13, 23, 33)는 유압 또는 공압 실린더와 같은 구동장치(미도시)에 의해 구동될 수 있으며, 이에 한정되지 않고 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 슬라이딩 이동시킬 수 있는 다양한 장치 중에서 선택될 수 있다.
배기 조절부(10)는 배기관(162)에 연결되어 설치되는데, 그 설치 위치에 한정되지 않는다. 예를 들어 챔버(100)와 인접하여 설치될 수도 있고, 배기 펌프(164)와 인접하여 설치될 수도 있다.
한편, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리방법의 순서도이다. 본 발명에 따른 기판 처리방법은 기판을 챔버 내로 로딩하고, 슬라이딩 게이트를 개방하여 챔버 내의 가스를 배기하고 진공을 형성하는 단계; 슬라이딩 게이트를 슬라이딩 이동시켜 배기 가스의 유량을 조절하고, 제1 반응 가스를 분사하여 기판에 제1 공정을 실시하는 단계; 슬라이딩 게이트를 슬라이딩 이동시켜 배기 가스의 유량을 조절하여 제1 반응 가스를 배기하는 단계; 슬라이딩 게이트를 슬라이딩 이동시켜 배기 가스의 유량을 조절하고, 제2 반응 가스를 분사하여 기판에 제2 공정을 실시하는 단계;를 포함하여 구성된다.
우선 챔버(100)에 기판(w)을 챔버 내로 로딩시켜 기판 지지대(110) 위에 안착시킨다. 기판 승강기를 상부로 승가시켜 기판 지지대(110)와 샤워헤드(120) 사이에 소정 간격을 유지하도록 한다. 배기 펌프(164)를 이용하여 챔버(100) 내의 가스를 배기시켜 챔버(100) 내의 압력이 진공 상태, 예를 들어 2.5 torr를 유지하도록 한다(S 10). 이 때 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 슬라이딩 이동시켜 배기관(162)를 완전히 개방시키고(도 3, 도 4 및 도 6의 (c) 참조) 배기 가스가 원활히 배출되도록 한다.
제1 공정을 실시하기에 앞서 공정 종류에 따라 압력을 조절할 필요가 있는지 판단하고, 압력을 조절할 필요가 있는 경우에는 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 도 3, 도 4 및 도 6의 (a), (b)와 같이 슬라이딩 이동시켜 공정에 필요한 압력이 유지되도록 적절한 위치에 배치시킨다(S 20).
그리고 제1 공정, 예를 들면 박막 증착 공정을 실시하며, 증착되는 박막을 형성하기 위한 제1 반응가스를 샤워헤드(120)로부터 분사시킨다(S 30). 이 때에는 도 3, 도 4 및 도 6의 (a)와 같이 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 이용하여 배기관(162)을 폐쇄하여, 챔버(100) 내의 압력을 높이고 제1 반응가스가 챔버(100) 내에 증착에 필요한 시간만큼 체류할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
이와 동시에 플라즈마 발생부(150)에 의해 고주파를 발생시키고, 이를 인가하여 제1 반응 가스가 샤워헤드(120)와 기판 지지대(110) 사이의 반응 공간에서 플라즈마 상태로 활성화되도록 한다. 활성화된 제1 반응 가스는 기판 위에 증착된다. 원하는 최종 두께로 박막이 형성된 후 제1 반응가스의 공급을 중단한다.
제1 공정이 완료된 후, 필요에 따라 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 슬라이딩 이동시켜 배기관(162)를 개방하고(도 3, 도 4 및 도 6의 (b),(c)) 배기 가스의 유량을 조절하여 제1 반응 가스를 배기시킨다.
제2 공정을 실시하기에 앞서 공정 종류에 따라 압력을 조절할 필요가 있는지 판단하고, 압력을 조절할 필요가 있는 경우에는 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 도 3, 도 4 및 도 6와 같이 슬라이딩 이동시켜 공정에 필요한 압력이 유지되도록 적절한 위치에 배치시킨다(S 40).
그리고 제2 공정, 예를 들면 세정 공정을 실시하며, 세정하기 위한 제2 반응가스를 샤워헤드(120)로부터 분사시킨다(S 50). 이 때에는 도 3, 도 4 및 도 6의 (a)와 같이 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 이용하여 배기관(162)의 개방 정도를 조절하여 세정 공정시에 필요한 압력을 유지시킨다. 소정 시간 경과 후 제2 공정을 완료하고, 슬라이딩 이동시켜 배기관(162)을 개방하여 제2 반응 가스를 배기시킨다.
이하, 보다 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 작용효과에 대해 살펴본다.
박막 증착공정 동안 배기 조절부(10)의 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 조절하면서 챔버 내부의 압력 분포를 측정하였다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치의 압력구배를 나타내는 개념도이다. 보다 구체적으로는 도 7은 배기 조절부(10)의 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 슬라이딩 이동시켜 배기관(162)을 완전히 개방한 상태의 챔버 내 압력분포를 나타내는 시뮬레이션 결과이고, 도 8 내지 도 10은 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 슬라이딩 이동시켜 배기관(162)을 각각 33%, 67%, 100% 폐쇄한 상태 상태의 챔버 내 압력분포를 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
노란 색부분을 기준으로 색상이 붉은 색이 진해질수록 챔버 내의 압력이 높고, 푸른 색이 진해질수록 챔버 내의 압력이 낮은 것을 의미한다.
도 7에서 도 10으로 갈수록, 즉 배기관(162)을 폐쇄하는 비율이 증가할수록 붉은 색 부분, 압력이 높은 부분이 증가하는 것을 알 수 있다. 즉 배기 조절부(10)의 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 조절하여 반응 공간에서 반응 가스의 체류 시간을 증가시킬 수 있고, 반응 가스가 원하는 두께의 박막이 증착되기 이전에 배기장치(160)를 통해 배출되는 것을 방지하여 박막의 균일성, 막질 등을 향상시켜 증착 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 도 8 내지 도 9에 도시된 바와 같이 슬라이딩 게이트(13, 23, 33)를 조절하여 챔버 내에 압력구배가 뚜렷이 발생될 수 있다. 즉, 반응 가스가 기판에 증착되는 기판지지대(110) 부분의 반응 가스 압력이 높고, 반응가스가 배기되는 배기장치(160) 부분의 압력이 낮다. 따라서 반응 가스는 기판지지대(110)가 구비된 상부에서 배기장치(160)가 구비된 하부로 반응 가스의 흐름이 발생한다. 이로 인해 배기관(152)을 따라 배기되는 반응 가스가 다시 챔버 내부로 역류하는 현상을 방지할 수 있다.
본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.
10 : 배기 조절부 11 : 하우징
12 : 관통공 13, 23, 33 : 슬라이딩 게이트
34 : 연결공
100 : 챔버 110 : 기판 지지대
120 : 샤워헤드 140 : 가스 공급부
150 : 플라즈마 발생부 160 : 배기 장치
162 : 배기관 164 : 배기 펌프

Claims (4)

  1. 내부에 반응공간을 구비하는 챔버;
    상기 챔버 일측에 연결되어 챔버 내의 반응 가스를 배기시키는 배기관과, 상기 배기관과 연결되어 반응 가스를 흡입시키는 배기 펌프를 구비하는 배기장치;
    상기 배기관에 연결되어 배기되는 가스량을 조절하는 배기조절부;를 포함하며,
    상기 배기 조절부는 내부 공간, 상부 및 하부에 배기관과 연결되는 관통공이 형성되는 하우징과, 상기 하우징 내부에서 복수개의 플레이트가 슬라이딩 이동함에 따라 상기 관통공의 관통 크기를 조절하여 배기관의 유량을 조절하는 슬라이딩 게이트를 구비하는 기판 처리장치.
  2. 내부에 반응공간을 구비하는 챔버;
    상기 챔버 일측에 연결되어 챔버 내의 반응 가스를 배기시키는 배기관과, 상기 배기관과 연결되어 반응 가스를 흡입시키는 배기 펌프를 구비하는 배기장치;
    상기 배기관에 연결되어 배기되는 가스량을 조절하는 배기조절부;를 포함하며,
    상기 배기 조절부는 내부 공간, 상부 및 하부에 배기관과 연결되는 관통공이 형성되는 하우징과, 상하방향으로 형성되는 연결공을 구비한 플레이트가 상기 하우징 내부에서 슬라이딩 이동하며 연결공과 관통공 간의 관통 크기를 조절하여 배기관의 유량을 조절하는 슬라이딩 게이트를 구비하는 기판 처리장치.
  3. 삭제
  4. 청구항 1 내지 청구항 2 중 어느 한 항에 따른 기판 처리장치를 이용한 기판 처리방법에 있어서,
    기판을 챔버 내로 로딩하고, 슬라이딩 게이트를 개방하여 챔버 내의 가스를 배기하고 진공을 형성하는 단계;
    상기 슬라이딩 게이트를 슬라이딩 이동시켜 배기 가스의 유량을 조절하고, 제1 반응 가스를 분사하여 기판에 제1 공정을 실시하는 단계;
    상기 슬라이딩 게이트를 슬라이딩 이동시켜 배기 가스의 유량을 조절하여 제1 반응 가스를 배기하는 단계;
    상기 슬라이딩 게이트를 슬라이딩 이동시켜 배기 가스의 유량을 조절하고, 제2 반응 가스를 분사하여 기판에 제2 공정을 실시하는 단계;
    를 포함하는 기판 처리 방법.
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