KR101092852B1 - 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 이의 배기 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101092852B1
KR101092852B1 KR1020090063631A KR20090063631A KR101092852B1 KR 101092852 B1 KR101092852 B1 KR 101092852B1 KR 1020090063631 A KR1020090063631 A KR 1020090063631A KR 20090063631 A KR20090063631 A KR 20090063631A KR 101092852 B1 KR101092852 B1 KR 101092852B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
chamber
substrate
gas
substrate support
Prior art date
Application number
KR1020090063631A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110006136A (ko
Inventor
지윤구
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020090063631A priority Critical patent/KR101092852B1/ko
Publication of KR20110006136A publication Critical patent/KR20110006136A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101092852B1 publication Critical patent/KR101092852B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내의 하부에 설치되고 기판이 안착되는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부에 대향하여 설치되고 상기 챔버 내부로 처리 가스를 분사하는 가스 분사부 및 상기 챔버의 내부 배기를 위한 가스 배기부를 포함하고, 상기 가스 배기부는 상기 기판 지지부의 측방에 마련되어 측방으로의 가스 배기를 유도하는 측방 배기 유로와, 상기 기판 지지부의 하방에 마련되어 하방으로의 가스 흐름을 배기하는 하방 배기 유로 및 상기 측방 배기 유로 및 상기 하방 배기 유로에 연결되어 배기 압력을 제공하는 배기 펌프를 포함하는 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법을 제공한다.
이와 같은 본 발명은, 챔버에 측방 배기 유로 및 하방 배기 유로가 구비되어, 박막 증착시에는 측방 배기를 실시하여 우수한 증착 균일도를 실현할 수 있으며, 세정 공정시에는 하방 배기를 실시하여 높은 세정 효율을 달성할 수 있다.
배기, Pumping, 균일도, Uniformity, 챔버, Chamber

Description

기판 처리 장치 및 이의 배기 방법{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND VENTING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막 균일도 및 세정 효율이 우수한 배기 수단을 구비하는 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 및 평판 표시 장치는 복수 회의 박막 증착과 식각 공정을 실시하여 제작된다. 즉, 증착 공정을 실시하여 기판의 소정 영역에 박막을 형성하고, 식각 마스크를 이용한 식각 공정을 실시하여 불필요한 박막의 일부를 제거하여 기판 상에 원하는 소정의 회로 패턴(pattern) 또는 회로 소자를 형성함으로써 제작된다.
여기서, 박막 공정은 공정 효율의 향상을 위해, 또는 공정 자체를 가능하게 하기 위해 대기압보다 낮은 진공 분위기에서 이루어지므로, 기밀한 공간을 제공하는 공정 챔버 내에 기판을 반입시켜 실시하는 것이 보통이다. 상기 공정 챔버 내부에는 기판 지지대 및 가스 분사부가 상호 대향하여 설치되어 있으므로, 공정 챔버 내부로 반입된 기판을 기판 지지대에 안착시켜 고정한 상태에서 가스 분사부를 통 해 원료 가스를 기판에 분사시켜 원하는 박막을 형성한다.
한편, 상기의 박막 공정에서는 원료 가스의 분사 흐름 및 분사 압력을 일정하게 유지하기 위하여 내부 배기를 실시하고, 박막 공중 중에 기판 지지대 및 챔버 내벽에 형성된 퇴적물을 제거하기 위하여 내부 세정을 실시한다. 따라서, 공정 챔버의 측벽에 배기 수단을 설치하여 측방 배기(Side Pumping)를 실시하거나, 또는 바닥에 배기 수단을 설치하여 하방 배기(Bottom Pumping)를 실시하다.
그러나, 측방 배기 방식은 기판 전체에 균일한 배기 흐름을 형성함으로써 증착 균일도(Uniformity)는 우수하지만 기판 지지대의 저면에 형성된 퇴적물을 용이하게 세정할 수 없는 문제점이 있었다. 반대로, 하방 배기 방식은 기판 지지대의 하부까지 배기 흐름을 형성함으로써 세정 효율은 우수하지만 증착 균일도가 낮은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 측방 배기 및 하방 배기의 장점을 조합하여 증착 균일도가 우수하면서도 세정 효율도 우수한 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내의 하부에 설치되고 기판이 안착되는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하여 설치되고 상기 챔버 내부로 처리 가스를 분사하는 가스 분사부; 및 상기 챔버의 내부 배기를 위한 가스 배기부; 를 포함하고, 상기 가스 배기부는, 상기 기판 지지부의 측방에 마련되어 측방으로의 가스 배기를 유도하는 측방 배기 유로; 상기 기판 지지부의 하방에 마련되어 하방으로의 가스 흐름을 배기하는 하방 배기 유로; 및 상기 측방 배기 유로 및 상기 하방 배기 유로에 연결되어 배기 압력을 제공하는 배기 펌프를 포함한다.
상기 측방 배기 유로 및 상기 하방 배기 유로에 연결된 단일의 배기 펌프와, 상기 배기 펌프를 통해 상기 측방 배기 유로 및 상기 하방 배기 유로 중 어느 하나를 선택적으로 배기시키도록 제어하는 제어부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 측방 배기 유로 및 상기 하방 배기 유로는 상기 챔버 내벽에 형성된 배기공과, 상기 배기공에 연결되어 처리 가스를 챔버 외부로 유도하는 배기관 및 상기 배기관에 설치되어 배기 흐름을 단속하는 밸브를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측면에 따른 기판 처리 장치의 배기 방법은, 내부 공간에 기판 지지부가 마련된 챔버를 마련하는 단계; 박막 공정시에는 상기 기판 지지부의 측방에 설치된 측방 배기 유로를 통해 내부 배기를 실시하는 단계; 및 세정 공정시에는 상기 기판 지지부의 하방에 설치된 하방 배기 유로를 통해 내부 배기를 실시하는 단계; 를 포함한다.
상기 박막 공정은 상기 기판 지지부의 상면으로 처리 가스를 분사하는 단계 및 상기 측방 배기 유로를 통해 챔버 내부를 목표 압력으로 유지하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 측방 배기 유로 및 상기 하방 배기 유로를 단일의 배기 펌프에 연결하여 내부 배기를 실시하는 것이 바람직하다.
상기 측방 배기 유로에 제 1 밸브를 연결하고, 상기 하방 배기 유로에 제 2 밸브를 연결하여, 상기 제 1, 제 2 밸브 중 하나를 선택적으로 개방시켜 상기 박막 공정 또는 세정 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브는 솔레노이드 밸브를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명은 공정 챔버에 측방 배기 유로 및 하방 배기 유로가 구비되어, 박막 증착시에는 측방 배기를 실시하여 우수한 증착 균일도를 실현할 수 있으며, 세정 공정시에는 하방 배기를 실시하여 높은 세정 효율을 달성할 수 있다.
또한, 본 발명은 측방 배기 유로 및 하방 배기 유로 각각에 밸브가 마련되어 배기 방식을 용이하게 선택할 수 있고, 측방 배기 유로 및 하방 배기 유로가 하나의 배기 펌프에 연결됨으로써 비용 증감을 최소화할 수 있다.
이후, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 더욱 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면 모식도이고,도 2는 본 발명의 변형예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면 모식도이다.
도 1을 참조하면, 상기의 기판 처리 장치는, 소정의 처리 공간을 형성하는 챔버(110)와, 상기 챔버(110) 내의 하부에 설치되고 기판(G)이 안착(loading)되는 기판 지지부(200)와, 상기 기판 지지부(200)에 대향하여 설치되고 상기 챔버(110) 내부로 처리 가스를 분사하는 가스 분사부(300) 및 상기 챔버(110)의 내부 배기를 위한 가스 배기부(410,420;400)을 포함한다.
챔버(110)는 상부가 개방되고 내부가 비어있는 챔버 몸체(111)와, 상기 챔버 몸체(111)의 상부를 덮어주는 챔버 리드(lid)(112)를 포함하는 분리형으로 제작된다. 물론, 상기 챔버 몸체(111)의 내부 형상은 처리할 기판(G) 즉, 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판의 형상에 대응하여 박스형, 원통형, 다각형 등 다양하게 변경될 수 있으며, 상기 챔버 몸체(111) 및 상기 챔버 리드(112)는 일체형으로 제작될 수도 있다. 이러한 챔버(110)의 일측 측벽에는 기판(G)이 챔버(110) 내부로 인입될 수 있도록 게이트(120)가 마련되며, 상기 게이트(120)는 처리할 기판(G)이 인입되거나 또는 처리된 기판(G)이 인출되도록 개방 및 폐쇄된다.
기판 지지부(200)는 기판(G)이 로딩되는 안착대(210) 및 상기 안착대(210)를 지지하는 지지대(220)를 구비한다. 상기 안착대(210)의 몸체에는 공정 온도의 제어를 위해 가열 수단(211)이 마련된다. 물론, 공정 조건에 따라 상기의 가열 수단(211) 대신에 냉각 수단이 마련될 수도 있음은 물론이다. 한편, 도시되지는 않았지만, 상기 안착대(210)의 내에는 기판(G)의 로딩 또는 언로딩을 위한 별도의 리프트 핀(Lift Pin)이 형성되는 것이 바람직하다. 상기 지지대(220)는 구동 수단(230)에 의해 상하 이동이 가능하다. 상기의 구동 수단(230)은 지지대(220)를 상하로 이동시키는 어떠한 부재라도 구성 가능하다. 즉, 유압 또는 공압을 이용한 실린더를 사용할 수 있으며, LM 가이드(Linear Motor Guide)를 사용하여도 무방하다. 또한, 이들을 조합하여 사용할 수 있음은 물론이다.
가스 분사부(300)는 처리 가스가 도입되는 공급구(311)가 형성된 상부판(310)과, 상기 상부판(310)에 결합되어 내부 공간을 형성하고 상기 내부 공간으로 도입된 처리 가스를 분사하는 다수의 분사구(321)가 형성된 하부판(320) 및 상기 내부 공간을 상하로 구획하도록 설치되어 가스 흐름을 균일하게 배분하는 배플판(330)을 포함한다. 이때, 상기 배플판(330)의 수평부에는 다수의 확산홀(331)이 형성되어 있다. 따라서, 챔버(110) 외측에서 공급된 처리 가스는 상부판(310)의 공급구(311)를 통해 상부 영역으로 이동하면서 확산되고, 상부 영역에서 확산된 처리 가스는 배플판(330)의 확산홀(331)을 통해 하부 영역으로 이동하면서 더욱 확산된다. 이렇게 배플판(330)에 의해 확산된 처리 가스가 하부판(320)의 분사구(321)을 통해 기판(G) 방향으로 균일하게 분사된다.
한편, 상기 상부판(310)에는 냉각 유로(312)가 마련될 수 있다. 상기 냉각 유로(312)는 냉각수 공급부(미도시)에 연결된다. 이에 따라, 냉각수 공급부로부터 제공된 냉각수가 냉각 유로(312)를 순환하면서 열팽창으로 인한 몸체 파손을 방지하고, 열팽창으로 인해 처리 가스가 이동하는 경로 즉, 공급구(311), 확산홀(331) 및 분사구(321)가 막히는 것을 방지할 수 있다. 이때, 가스 분사부(300)를 통해 분사되는 처리 가스는 증착 공정 시에는 증착 가스(또는 반응 가스)가 될 수 있고, 세정 공정 시에는 세정 가스가 될 수 있다.
가스 배기부(400)는 기판 지지부(200)의 측방에 마련되어 측방으로의 가스 배기를 유도하는 측방 배기 유로(410)와, 기판 지지부(200)의 하방에 마련되어 하방으로의 가스 흐름을 배기하는 하방 배기 유로(420)와, 상기 측방 배기 유로(410) 및 상기 하방 배기 유로(420)에 연결되어 배기 압력을 제공하는 배기 펌프(430)를 포함한다. 이때, 상기 측방 배기 유로(410) 및 상기 하방 배기 유로(420)를 하나의 배기 펌프(430)에 연결하여 비용을 절감할 수 있으며, 배기 펌프(430)는 상기 측방 배기 유로(410) 및 상기 하방 배기 유로(420) 중 어느 하나를 통해 선택적으로 배기 동작을 하도록 구성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 박막 공정시에는 측방 배 기 유로(410)를 통해 측방 배기를 실시하고, 세정 공정시에는 하방 배기 유로(420)를 통해 하방 배기를 실시한다.
상기 측방 배기 유로(410)는 기판(G)이 안착되는 기판 지지부(200)의 측방, 예를 들어 챔버(110)의 내부 측벽에 형성되는 배기공(411) 및 상기 배기공(411)에 연결되어 처리 가스를 챔버(110) 외부로 유도하는 배기관(412)을 포함한다.
상기 배기공(411)은 박막 공정시 기판(G)이 위치되는 높이 즉, 기판(G)이 기판 지지부(200) 상에 로딩된 후 기판 지지부(200)가 상승하여 기판(G)이 박막 공정에 적합한 위치로 이동된 높이에 형성되는 것이 바람직하다. 이로 인해, 박막 공정시에 기판(G) 상부로 분사된 처리 가스는 기판(G) 측부로 이동되어 상기 배기공(411)을 통해 챔버(110) 외부로 배기됨으로써, 전체적인 배기 흐름이 기판(110)의 측방으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 배기관(412)은 일측 단부가 배기공(411)과 연결되고 타측 단부가 배기 펌프(430)와 연결되어 배기공(411)과 배기 펌프(430) 사이를 상호 연통시킨다.
특히, 상기 배기공(411)은 보다 균일한 배기 흐름을 형성하도록 다수로 형성될 수 있고, 이에 따라 상기 배기관(412)은 다수의 배기공(411) 각각을 연결하여 처리 가스를 모아주는 집속 배기관(412a) 및 상기 집속 배기관(412a)을 통해 모아진 처리 가스를 챔버(110) 외부로 유도하는 인출 배기관(412b)으로 구성될 수 있다. 이때, 배기되는 반응 가스가 한 방향으로 집중되지 않고 모든 방향으로 균등하게 배기되게 하기 위하여 상기 다수의 배기공(411)은 챔버(110)의 내벽 둘레를 딸 상호 등간격을 유지하도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 하방 배기 유로(420)는 기판(G)이 안착되는 기판 지지부(200)의 하방, 예를 들어 챔버(110)의 내부 바닥에 형성되는 배기공(421) 및 상기 배기공(421)에 연결되어 처리 가스를 챔버(110) 외부로 유도하는 배기관(422)을 포함한다.
상기 배기공(421)은 챔버(110)의 내부 바닥에 형성되는 것이 바람직하지만, 기판 지지부(200) 보다 아래에 위치된다면 그 형성 위치는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 챔버(110)의 하부 측벽에 형성될 수도 있다. 이로 인해, 공정 준비시에 또는 세정 공정시에 기판(G) 상부로 분사된 처리 가스는 기판(G)의 측면 및 하부로 이동되어 상기 배기공(420)을 통해 챔버(110) 외부로 배기됨으로써, 전체적인 배기 흐름이 기판(G)의 하방으로 형성될 수 있다. 한편, 상기 배기관(422)은 일측 단부가 배기공(421)과 연결되고 타측 단부가 배기 펌프(430)와 연결되어 배기공(421)과 배기 펌프(430) 사이를 상호 연통시킨다.
한편, 도 2와 같이, 상기 배기공(421)은 보다 균일한 배기 흐름을 형성하도록 다수로 형성될 수 있고, 이에 따라 상기 배기관(422)은 다수의 배기공(421) 각각을 연결하여 처리 가스를 모아주는 집속 배기관(422a) 및 상기 집속 배기관(422a)을 통해 모아진 처리 가스를 챔버(110) 외부로 유도하는 인출 배기관(422b)으로 구성될 수 있다. 이때, 배기되는 반응 가스가 한 방향으로 집중되지 않고 모든 방향으로 균등하게 배기되게 하기 위하여 상기 다수의 배기공(421)은 챔버(110)의 바닥 둘레를 따라 상호 등간격을 유지하도록 형성되는 것이 바람직하다.
제어부(440)는 측방 배기 유로(410)에 연결된 제 1 밸브(442b)와, 하방 배기 유로(420)에 연결된 제 2 밸브(442a)와, 상기 제 1 밸브(442b)와 상기 제 2 밸 브(442b)를 선택적으로 개방시키는 제어기(441)를 포함한다. 상기 제어기(441)는 제 1 밸브(442b), 제 2 밸브(442a) 및 배기 펌프(430)의 동작을 제어함으로써, 측방 배기 및 하방 배기 중에서 공정에 적합한 배기 방식을 선택한다. 또한, 상기 제 1 밸브(442b)와 상기 제 2 밸브(442a)는 솔레노이드 밸브를 사용하여, 전자적으로 제어되는 것이 바람직하다.
한편, 도시되지는 않았지만, 본 실시예는 처리 가스를 활성화시켜 처리 효율을 더욱 증대하기 위한 플라즈마 수단을 더 구비할 수 있다. 이를 위해 다양한 형태의 플라즈마 발생 수단이 사용될 수 있는데, 상기 기판 지지부(200)와 가스 분사부(300)를 두 전극으로 사용하여 플라즈마를 발생시키는 용량성 결합 플라즈마 방식이 효과적이다. 이를 위해, 플라즈마 발생 수단은 기판 지지부(200)에 고주파의 전압을 제공하는 플라즈마 전원 공급부 및 가스 분사부(300)에 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 전압 공급부를 더 구비할 수 있다. 이때, 상기 기판 지지부(200)의 안착대(210) 몸체가 전극으로 사용될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 상기 안착대(210) 내부에 플라즈마 전극판이 별도로 매설될 수도 있다. 또한, 본 발명의 플라즈마 발생 수단은 이에 한정되지 않고, 안테나를 이용한 유도 결합 플라즈마 방식을 통해 플라즈마를 발생시킬 수도 있다.
또한, 본 실시예는 챔버(110)의 내벽 또는 바닥에 배기공(411 또는 421)이 직접 형성되나, 플라즈마로부터 챔버 내벽을 보호하기 위하여 챔버(110) 내측에 라이너(Liner)가 추가로 설치되어, 상기 라이너에 전술한 배기공(411 또는 421)이 형성될 수도 있다.
하기에서는, 이와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치의 배기 방법에 대하여 도 3 및 도 4를 참조하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 배기 방법을 설명하기 위한 기판 처리 장치의 모식도이다.
먼저, 챔버(110) 내부로 기판(G)을 반입하여, 반입된 기판(G)을 기판 지지부(200)의 상면에 로딩한다. 이때, 기판(G)은 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 웨이퍼 등 반도체 박막 공정에 적합하다면 어떠한 기판이라도 무방하다.
이어, 도 3과 같이, 제어부(440)를 통해 제 1 밸브(442b)를 개방하여 측방 배기 유로(410)를 통한 측방 배기를 실시함으로써, 챔버(110)의 내부 압력을 목표 압력으로 조절한다. 이와 동시에 또는 그 이후에 가스 분사부(300)를 통해 기판(G)의 상면으로 증착 가스를 분사하여 박막 공정을 실시한다. 상기 목표 압력은 원활한 박막 공정을 위해 미리 설정된 압력으로써, 구체적으로는 수행하고자 하는 박막 공정의 특성에 따라 결정된다.
이후, 소정의 박막 공정이 끝나면 기판 지지부(200) 상에서 기판(G)을 언로딩하여 챔버(110) 외부로 반출시킨다. 한편, 도 4와 같이, 기판(G) 반출 후 필요한 경우에는 상기 가스 분사부(300)를 통해 세정 가스를 분사하여 챔버(110) 내부를 세정한다. 이때, 제어부(440)를 통해 제 2 밸브(442a)를 개방하여 하방 배기 유로(420)를 통한 하방 배기를 실시하는 것이 바람직하다.
이처럼, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 측방 배기 또는 하방 배기를 위한 배기 수단을 구비하여, 제어부(440)를 통해 공정에 적합한 배기 방식을 선택할 수 있기 때문에 공정 효율이 증대될 수 있다. 즉, 박막 공정시에는 측방 배기를 통해 기판(G) 전체에 균일한 배기 흐름을 형성함으로써 하방 배기를 통해서는 달성하기 어려웠던 증착 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 챔버(110) 내의 세정 공정시에는 하방 배기를 통해 측방 배기를 통해서는 도달시키기 어려웠던 영역 예를 들어, 기판 지지부(200)의 안착부(220) 저면까지 세정 가스를 도달시켜 세정 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명에 대하여 전술한 실시예 및 첨부된 도면을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명이 다양하게 변형 및 수정될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면 모식도.
도 2는 본 발명의 변형예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면 모식도.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 배기 방법을 설명하기 위한 기판 처리 장치의 모식도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 챔버 200: 기판 지지부
210: 안착대 220: 지지대
300: 가스 분사부 400: 가스 배기부
410: 측방 배기 유로 420: 하방 배기 유로
430: 배기 펌프 440: 제어부

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 내부 공간에 기판 지지부가 마련된 챔버를 마련하는 단계;
    박막 공정시에는 상기 기판 지지부를 상승시킨 후, 상승된 기판 지지부의 측방에 설치된 측방 배기 유로를 통해 내부 배기를 실시하는 단계; 및
    세정 공정시에는 상기 기판 지지부를 하강시킨 후, 하강된 기판 지지부의 하방에 설치된 하방 배기 유로를 통해 내부 배기를 실시하는 단계; 를 포함하는 기판 처리 장치의 배기 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 박막 공정은,
    상기 기판 지지부의 상면으로 처리 가스를 분사하는 단계; 및
    상기 측방 배기 유로를 통해 챔버 내부를 목표 압력으로 유지하는 단계; 를 포함하는 기판 처리 장치의 배기 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 측방 배기 유로 및 상기 하방 배기 유로를 단일의 배기 펌프에 연결하여 내부 배기를 실시하는 기판 처리 장치의 배기 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 측방 배기 유로에 제 1 밸브를 연결하고,
    상기 하방 배기 유로에 제 2 밸브를 연결하여,
    상기 제 1, 제 2 밸브 중 하나를 선택적으로 개방시켜 상기 박막 공정 또는 세정 공정을 실시하는 기판 처리 장치의 배기 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브는 솔레노이드 밸브를 사용하는 기판 처리 장치의 배기 방법.
KR1020090063631A 2009-07-13 2009-07-13 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법 KR101092852B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090063631A KR101092852B1 (ko) 2009-07-13 2009-07-13 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090063631A KR101092852B1 (ko) 2009-07-13 2009-07-13 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110006136A KR20110006136A (ko) 2011-01-20
KR101092852B1 true KR101092852B1 (ko) 2011-12-14

Family

ID=43613010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090063631A KR101092852B1 (ko) 2009-07-13 2009-07-13 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101092852B1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9234278B2 (en) * 2012-01-20 2016-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CVD conformal vacuum/pumping guiding design
KR102334757B1 (ko) 2014-09-11 2021-12-07 코웨이 주식회사 커피 추출 정수기 및 이의 유로 세척 방법
KR102292859B1 (ko) 2014-09-12 2021-08-25 코웨이 주식회사 캡슐 홀더 감지 센서를 구비한 커피 추출 정수기 및 이의 동작 방법
KR102280967B1 (ko) 2014-09-30 2021-07-27 코웨이 주식회사 커피 추출 정수기 및 이의 유로 압력 제거 방법
KR102292860B1 (ko) 2014-09-30 2021-08-25 코웨이 주식회사 커피 추출 정수기 및 이의 잔수 제거 방법
KR101939481B1 (ko) * 2017-07-27 2019-01-16 성균관대학교산학협력단 이온빔 식각 장치
KR101962030B1 (ko) 2017-09-20 2019-07-17 성균관대학교산학협력단 단백질 기반의 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110006136A (ko) 2011-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101092852B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법
KR101390474B1 (ko) 기판처리장치
JP6002312B2 (ja) 選択的エピタキシャル成長のための装置およびクラスター設備
KR20150101785A (ko) 기판 처리 장치
KR20160026572A (ko) 기판 처리 장치
KR101117188B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101068384B1 (ko) 글라스 지지시스템 및 지지핀 구조
KR101027325B1 (ko) 기판처리장치
KR101083234B1 (ko) 박막 증착 방법
KR20090051984A (ko) 기판 처리 장치
KR100916931B1 (ko) 기판 처리 장치
KR200452532Y1 (ko) 가스 분사 유닛
KR20200053347A (ko) 공정 온도 조절이 가능한 기판 처리 장치
KR101150722B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101255763B1 (ko) 기판 처리 방법
KR101062682B1 (ko) 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는 플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법
KR101030926B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101088679B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR100873150B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR101362813B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR20130085637A (ko) 기판처리장치
JP2013105948A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101081742B1 (ko) 공정챔버의 측벽을 통하여 공정가스를 분사하고 배출하는플라즈마 공정장비 및 이를 이용한 기판의 처리방법
KR100839188B1 (ko) 기판을 처리하는 방법 및 장치
KR20100064638A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140917

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150909

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190909

Year of fee payment: 9