KR101573525B1 - 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드 - Google Patents

유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드 Download PDF

Info

Publication number
KR101573525B1
KR101573525B1 KR1020140052964A KR20140052964A KR101573525B1 KR 101573525 B1 KR101573525 B1 KR 101573525B1 KR 1020140052964 A KR1020140052964 A KR 1020140052964A KR 20140052964 A KR20140052964 A KR 20140052964A KR 101573525 B1 KR101573525 B1 KR 101573525B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
gas
process gas
nozzle
tube
Prior art date
Application number
KR1020140052964A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150125885A (ko
Inventor
박종신
Original Assignee
(주)피앤테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)피앤테크 filed Critical (주)피앤테크
Priority to KR1020140052964A priority Critical patent/KR101573525B1/ko
Publication of KR20150125885A publication Critical patent/KR20150125885A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101573525B1 publication Critical patent/KR101573525B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 관한 것으로, 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스의 공정튜브 중심에 설치되며 상기 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 공정가스를 공급하며, 공정가스 분사노즐들은 길이 방향으로서 방사상으로 구비되는 가스 노즐부, 상기 가스 노즐부 주위에서 상기 웨이퍼를 수용하는 보트부를 포함하는 유기 금속 화학기상 증착장치에 있어서, 상기 가스 노즐부에서 분사되며 공정튜브의 하부에서 상부 방향으로 발생되는 잔여 공정가스를 배출 유도하되, 길이 방향으로서 방사상으로 공정가스를 공급하는 가스 노즐부의 공정 가스 분사노즐로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 공정튜브 외부로 배출하도록 진공 상태의 압력을 제공하여 잔여 공정가스를 배출하도록 설치된 것이다.

Description

유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드{Vacuum guide of MOCVD apparatus}
본 발명은 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LED 반도체를 생산하기 위한 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스에서 다수의 웨이퍼에 공정가스가 공급되면서 웨이퍼에 성막 공정이 이루어질 때 진공 가이드를 구비하여 가스의 흐름에 따라 쏠림 현상이 일어나는 것을 방지함으로써 웨이퍼에 균일한 두께로 성막이 유지되도록 하는 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 관한 것이다.
최근 다양한 산업분야에서 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발등의 요구가 점차 많아짐에 따라서 품질이나 성능의 저하 없이 대량으로 생산할 수 있는 유기금속 화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 장치가 요구되고 있는 실정이다.
일반적인 MOCVD 장치는 소정 크기의 내부공간을 갖는 반응 챔버와, 그 내부공간에 설치되어 증착 대상물인 웨이퍼를 탑재하는 서셉터와, 상기 서셉터와 인접하도록 구비되어 소정의 열을 가하는 가열수단 등을 포함하며, 상기 챔버의 내부로 반응가스를 공급하는 가스유입구가 마련된다.
일반적으로 반도체 장치의 제조 과정에서, 저압 화학 기상 증착 공정 및 확산 공정은 통상적으로 종형의 퍼니스 내에서 이루어진다.
구체적으로, 퍼니스형 반도체 설비는 히터 블록이 구비되고 히터 블록 내부에 석영으로 이루어지는 아우트 튜브 및 이너 튜브로 구성된다.
또한, 이너 튜브 내에는 웨이퍼들을 적재하기 위한 보트가 구비되며, 상기 보트에 적재된 다수매의 웨이퍼는 한꺼번에 공정 공간, 즉 공정 챔버에 투입되어 증착 또는 확산 공정이 수행된다.
도 1은 종래의 퍼니스형 반도체 설비의 개략적인 구성을 보여주는 측단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 퍼니스형 반도체 설비(1)는 공정 튜브(100), 웨이퍼가 적재된 보우트(200a, 200c)들, 히터 어셈블리(300), 노즐 유닛(400)을 포함한다.
공정 튜브(100)는 하단부 일측에 공정 튜브(100) 내부를 감압시키기 위해 내부 공기를 강제 흡입하여 배기하기 위한 배기 포트(120)가 마련된다.
보우트(200a, 200c)들 각각은 25장 내지 150장의 웨이퍼들이 삽입되는 슬롯(202)들이 형성된 지지기둥(204)들을 포함하고, 보우트(200a, 200c)는 시일캡(210) 상에 장착된다.
시일캡(210)은 엘리베이터 장치인 구동부(230)에 의해 공정 튜브(100) 안으로 로딩되거나 또는 공정 튜브(100)밖으로 언로딩된다. 보우트가 공정 튜브(100)에 로딩되면, 시일캡(210)은 공정 튜브(100)의 플랜지(130)와 결합된다. 한편, 공정 튜브(100)의 플랜지(130)와 시일 캡(210)이 접촉하는 부분에는 실링(sealing)을 위한 오-링(O-ring)과 같은 밀폐부재가 제공되어 공정가스가 공정 튜브(100)와 시일 캡(210)사이에서 새어나가지 않도록 한다.
보우트(200a, 200c) 각각은 회전가능하게 시일캡(210)상에 설치되며, 회전부재(290)가 설치되어 공정 진행시 보우트를 회전시킨다.
노즐 유닛(400)은 공정 튜브(100) 내부의 중앙부에 수직하게 위치되어 공정가스를 분사하게 되고, 공정 튜브(100) 하부로 흘러내려 배기포트(120)를 통해 배기된다.
이때, 퍼니스 챔버내에 공정 진행후 잔여가스들은 공정 튜브 하부의 배기포트를 통해 배기되도록 하기 위해서 진공 배관의 구성은 하부 쪽에 구성되는 것이 보통인데, 이러한 구성 위치에 의하여 가스 유동(gas flow)시 쏠림 현상이 발생하게 되고, 이러한 가스 유동의 쏠림 현상으로 웨이퍼에 공정가스가 균일한 두께로 증착되기 어려운 문제점이 나타난다.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 그의 목적은 LED 반도체를 생산하기 위한 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스에서 다수의 웨이퍼에 공정가스가 공급되면서 웨이퍼에 성막 공정이 이루어질 때 진공 가이드를 구비하여 가스의 흐름에 따라 쏠림 현상이 일어나는 것을 방지함으로써 웨이퍼에 균일한 두께로 성막이 유지되도록 하는 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드는, 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스의 공정튜브 중심에 설치되며 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 공정가스를 공급하는 관상의 가스 노즐부, 상기 가스 노즐부의 길이방향을 따라서 방사상으로 구비되어 공정가스를 분사하는 공정가스 분사노즐, 상기 가스 노즐부 주위에서 상기 웨이퍼를 수용하는 보트부를 포함하는 유기 금속 화학기상 증착장치에 있어서, 상기 공정 튜브 중심에 설치된 관상의 가스 노즐부와 평행하게 위치하되, 상기 공정 튜브의 내부 튜브의 내주면을 따라 상기 보트부에 대향하게 설치된 원통형상 관으로 공정튜브 하부에 구비된 진공가이드 포트에 연결되어, 상기 가스 노즐부의 공정가스 분사 노즐로부터 분사되어 공정튜브의 하부에서 상부 방향으로 발생되는 잔여 공정가스를 배출 유도하되, 상기 가스 노즐부의 공정 가스 분사노즐로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 공정튜브 외부로 배출하도록 진공 상태의 압력을 제공하여 잔여 공정가스를 배출하도록 설치된 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 있어서, 상기 가스 노즐부에서 길이 방향으로서 방사상으로 형성되어 있는 상기 공정 가스 분사노즐에 대응하는 높이에서 상기 공정 가스 분사노즐로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 흡수하도록 진공가이드 홀들이 상기 진공 가이드의 길이 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 있어서, 상기 진공 가이드는 공정튜브의 내부 튜브의 내주면을 따라 설치되는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 있어서, 상기 진공 가이드는 개폐 가능한 노즐 진공 밸브를 거쳐서 진공펌프와 연결되는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 있어서, 상기 진공 가이드는 진공의 정도를 조절하기 위한 노즐 유량 컨트롤을 거쳐서 진공펌프와 연결되는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드는 LED 반도체를 생산하기 위한 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스에서 다수의 웨이퍼에 공정가스가 공급되면서 웨이퍼에 성막 공정이 이루어질 때 가스의 흐름에 따라 쏠림 현상이 일어나는 것을 방지함으로써 웨이퍼에 균일한 두께로 성막이 유지되도록 할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 퍼니스형 반도체 설비의 개략적인 구성을 보여주는 측단면도이다.
도2는 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드가 장착된 퍼니스 구조의 개략도이다.
도3은 본 발명에 따른 진공 가이드가 구비된 유기금속 화학기상 증착장치의 공정튜브의 부분 사시도이다.
도4는 도3에 도시된 진공 가이드가 구비된 유기금속 화학기상 증착장치의 평면도이다.
도5는 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치에서 진공 라인의 계통도이다.
도6은 본 발명에 따른 진공 가이드가 구비된 유기금속 화학기상 증착장치의 공정튜브의 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도2는 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드가 장착된 퍼니스 구조의 개략도이고, 도3은 본 발명에 따른 진공 가이드가 구비된 유기금속 화학기상 증착장치의 공정튜브의 부분 사시도이고, 도4는 도3에 도시된 진공 가이드가 구비된 유기금속 화학기상 증착장치의 평면도이다.
도2, 도3을 참조하면, 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드는 수직형 퍼니스(1) 구조에서 내부 튜브의 안쪽에 설치되어 있다.
본 발명에 따른 진공 가이드가 설치되는 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스 구조는 반도체 화학기상 증착 공정이 수행되는 공정 튜브(100) 내부의 중앙부에 수직하게 위치되는 노즐 유닛(400) 주위에 웨이퍼가 도1에 도시된 바와 같은 수직형 퍼니스(1)의 가운데에 위치한 공정가스를 공급하기 위한 노즐 유닛으로부터 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스에서 다수의 웨이퍼 상에 질화갈륨(GaN) 막을 형성하는 공정을 진행하기 위한 공정가스가 공급된다.
상기 노즐 유닛(400)은 중앙의 가스노즐부(410)로서 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스에서 다수의 웨이퍼 상에 질화갈륨(GaN) 막을 형성하는 공정에 있어서, 상기 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스 중심에 설치되며 상기 질화갈륨막을 형성하기 위한 공정가스로서 트리메칠갈륨(TMGA) 가스를 공급하게 된다.
도3, 도4에서, 상기 가스 노즐부(410)는 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스의 공정튜브(100) 중심에 공정 가스 공급관으로서 설치되며, 상기 가스 노즐부(410) 주위에는 웨이퍼를 수용하는 3개의 보트부(200)가 위치한다. 여기에서, 상기 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 공정가스를 분출하는 공정가스 분사노즐들이 상기 관상의 가스노즐부(410)의 길이 방향을 따라 상기 3개의 보트부(200)를 향하여 방사상으로 구비되어 있다.
도4에 도시된 바와 같이, 상기 공정튜브(100)는 실제 가스 공급이 이루어지고 반도체 공정이 진행되는 내부튜브(110)와 그 외곽에 히터(300)가 장착된 외부튜브(115)를 포함한다.
도3, 도4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드(500)는 상기 공정 튜브(100) 중심에 설치된 관상의 가스 노즐부(410)와 평행하게 위치하고, 상기 공정 튜브(100)의 내부 튜브(110)의 내주면을 따라 상기 보트부(200)에 대향하게 설치된 원통형상 관으로, 상기 가스 노즐부(410)에서 분사되며 공정튜브(100)의 하부에서 상부 방향으로 발생되는 잔여 공정가스를 배출 유도하되, 길이 방향으로서 방사상으로 공정가스를 공급하는 가스 노즐부(410)의 공정 가스 분사노즐(412)로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 공정튜브 외부로 배출하도록 진공 상태의 압력을 제공하여 잔여 공정가스를 배출하도록 설치된 것이다.
보통 상기 공정가스가 웨이퍼들로 공급되어 웨이퍼들 상에 막을 형성하고 난 후, 막 형성에 기여하지 못한 잔여 가스는 배기 포트(120)로 안내한다.
그런데, 퍼니스 챔버내에 공정 진행후 잔여가스들은 공정 튜브 하부의 배기포트를 통해 배기되도록 하기 위해서 진공 배관의 구성은 하부 쪽에 구성되는 것인데, 이러한 구성 위치에 의하여 가스 유동(gas flow)시 쏠림 현상이 발생하게 된다.
그리고, 이러한 가스의 쏠림 현상으로 웨이퍼에 공정가스가 균일한 두께로 증착되기 어렵기 때문에 이를 개선하기 위해서 공정튜브(100)의 내부 튜브(110) 안쪽으로 진공가이드(500)를 구비함으로써, 방사상으로 공정가스를 공급하는 가스 노즐부(410)의 공정 가스 분사노즐로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 공정튜브 외부로 배출하도록 진공 상태의 압력을 제공하여 잔여 공정가스를 배출하도록 하는 것이다.
상기 진공 가이드(500)는 내부 튜브(110)를 따라 다수개 설치되어 있으며, 상기 진공 가이드(500)들은 공정튜브(100)의 하부에 구비되어 연결되는 진공가이드 포트(150)에 각각 연결되어 잔여 공정가스를 배출한다.
도3을 참조하면, 상기 진공 가이드(500)는 공정튜브(100)의 내부 튜브(110)의 내주면을 따라 설치되어 있다.
또한, 상기 가스 노즐부(410)에서 길이 방향으로서 방사상으로 형성되어 있는 상기 공정 가스 분사노즐(412)에 대응하는 높이에서 상기 공정 가스 분사노즐(412)로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 흡수하도록 상기 진공가이드(500)에는 진공가이드 홀(512)들이 상기 진공 가이드의 길이 방향으로 형성되어 있다.
도5는 본 발명에 따른 유기금속 화학기상 증착장치에서 진공 라인의 계통도이다.
또한, 도6은 본 발명에 따른 진공 가이드가 구비된 유기금속 화학기상 증착장치의 공정튜브의 사시도이다.
도5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상 증착장치의 퍼니스 구조에는 미반응된 잔여 공정가스를 배출하기 위한 진공 라인의 계통도에서 메인 진공 라인(600)과 노즐 진공 라인(700)으로 구분되어 잔여 공정가스 배출을 위한 진공을 제공한다.
보통 상기 공정가스가 웨이퍼들로 공급되어 웨이퍼들 상에 막을 형성하고 난 후, 막 형성에 기여하지 못한 잔여 가스는 공정 튜브(100) 하부로 흘러내려 배기포트(120)를 통해 배기된다.
여기에서, 잔여 가스는 내부 튜브(110)와 외부 튜브(115) 사이의 공간을 따라서 하부로 흘러 내려오고 공정튜브(100) 하측부에 배기포트(120)에 의해서 외부와 연통되게 형성되어 있다.
이에 따라, 잔여 가스는 내부 튜브(110)와 외부 튜브(115) 사이의 공간으로 안내된 후, 배기 포트(120)를 통해 외부로 배출될 수 있다.
여기에서, 메인 진공 라인(600)은 메인 진공 밸브(610)와 메인 유량 밸브(620)를 경유하여 진공 펌프(800)와 이어지는 부분이 된다.
한편, 진공 가이드(500)는 공정튜브(100)의 내부 튜브(110)의 내주면을 따라 설치되어 공정튜브(100)의 하부에서 상부 방향으로 진공을 제공하고, 가스 분사 노즐 위치(412)와 동일 선상에서 진공을 제공함으로써 배출 포트를 구성할 수 있게 된다.
여기에서, 상기 노즐 진공 라인(700)은 노즐 유량 컨트롤(720)과 노즐 진공 밸브(710)를 경유하여 진공 펌프(800)와 이어지는 부분이 된다.
상기 노즐 유량 컨트롤(720)은 진공 가이드(500)에 의한 노즐 진공 라인(700)에서 제공되는 진공의 정도를 조절하기 위한 것이다.
또한, 상기 노즐 진공 밸브(710)는 개폐 가능한 노즐 진공 밸브(710)로서 배출되는 공정 가스의 양에 따라 메인 진공 라인(600)만을 사용하는 경우에는 상기 노즐 진공 밸브(710)를 폐쇄하여 메인 진공 라인(600)에 의한 진공을 제공하여 진공펌프(800)와 연결되도록 할 수 있다.
도6을 참조하면, 공정 진행 후 잔여 가스는 내부 튜브(110)와 외부 튜브(115) 사이의 공간으로 안내된 후, 외부로 배출되는 배출 포트(120)와, 상기 진공 가이드(500)들이 각각 연결되어 잔여 공정가스를 배출되도록 하는 다수의 진공가이드 포트(150)가 공정튜브(100)의 하부에 구비되어 있다.
상기 배출 포트(120)는 메인 진공 라인(600)을 통하여 진공 펌프(800)로 연결되고, 상기 다수의 진공 가이드 포트(150)는 각각 다수의 노즐 유량 컨트롤(710)을 통하여 노즐 진공 라인(700)에 의하여 진공 펌프(800)에 연결되어 진공을 제공하게 된다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
1 : 퍼니스 100 : 공정튜브
110 : 내부튜브 115 : 외부튜브
120 : 배기포트 150 : 진공가이드 포트
200 : 보우트 410 : 가스노즐부
412 : 분사노즐 500 : 진공가이드
512 : 진공가이드홀 600 : 메인진공라인
610 : 메인라인밸브 620 : 유량컨트롤
700 : 노즐진공라인 710 : 노즐유량컨트롤
720 : 노즐진공밸브 800 : 진공펌프

Claims (5)

  1. 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스의 공정튜브 중심에 설치되며 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 공정가스를 공급하는 관상의 가스 노즐부, 상기 가스 노즐부의 길이방향을 따라서 방사상으로 구비되어 공정가스를 분사하는 공정가스 분사노즐, 상기 가스 노즐부 주위에서 상기 웨이퍼를 수용하는 보트부를 포함하는 유기 금속 화학기상 증착장치에 있어서,
    상기 공정 튜브 중심에 설치된 관상의 가스 노즐부와 평행하게 위치하되, 상기 공정 튜브의 내부 튜브의 내주면을 따라 상기 보트부에 대향하게 설치된 원통형상 관으로 공정튜브 하부에 구비된 진공가이드 포트에 연결되어,
    상기 가스 노즐부의 공정가스 분사 노즐로부터 분사되어 공정튜브의 하부에서 상부 방향으로 발생되는 잔여 공정가스를 배출 유도하되, 상기 가스 노즐부의 공정 가스 분사노즐로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 공정튜브 외부로 배출하도록 진공 상태의 압력을 제공하여 잔여 공정가스를 배출하도록 설치된 것을 특징으로 하는 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 노즐부에서 길이 방향으로서 방사상으로 형성되어 있는 상기 공정 가스 분사노즐에 대응하는 높이에서 상기 공정 가스 분사노즐로부터 웨이퍼에 분사된 잔여 공정 가스를 흡수하도록 진공가이드 홀들이 상기 진공 가이드의 길이 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 가이드는 개폐 가능한 노즐 진공 밸브를 거쳐서 진공펌프와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 가이드는 진공의 정도를 조절하기 위한 노즐 유량 컨트롤을 거쳐서 진공펌프와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드.
KR1020140052964A 2014-04-30 2014-04-30 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드 KR101573525B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140052964A KR101573525B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140052964A KR101573525B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150125885A KR20150125885A (ko) 2015-11-10
KR101573525B1 true KR101573525B1 (ko) 2015-12-02

Family

ID=54605316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140052964A KR101573525B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101573525B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101055064B1 (ko) 2011-07-08 2011-08-05 송기훈 엘이디 제조 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101055064B1 (ko) 2011-07-08 2011-08-05 송기훈 엘이디 제조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150125885A (ko) 2015-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI806986B (zh) 基材製程裝置及方法
JP5912140B2 (ja) 多レベルシャワーヘッド設計
JP2012533876A (ja) 半導体製造装置
EP3174089B1 (en) Semiconductor manufacturing device, and method of manufacturing semiconductor
KR20160026572A (ko) 기판 처리 장치
KR101518398B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101205436B1 (ko) 화학 기상 증착 장치
TW201408813A (zh) 基板處理裝置
KR20110133169A (ko) 원료 물질 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101155291B1 (ko) 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템
KR20110006136A (ko) 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법
KR101027325B1 (ko) 기판처리장치
KR101573525B1 (ko) 유기금속 화학기상 증착장치의 진공 가이드
KR101573526B1 (ko) 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스
KR101302157B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101232904B1 (ko) 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법
KR100697267B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR20150077107A (ko) 화학기상증착장치
KR101088679B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR20090009572A (ko) 퍼니스형 반도체 설비
KR101281124B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR200452532Y1 (ko) 가스 분사 유닛
KR101139696B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101573522B1 (ko) 유기금속 화학기상 증착장치의 노즐 유닛
KR100253271B1 (ko) 수직형 반도체 저압화학기상증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180820

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190907

Year of fee payment: 5