KR101557016B1 - 기판 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리장치는, 일측에 형성된 통로를 통해 기판이 이송되며, 상부 및 하부가 개방된 챔버본체; 상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정공간을 제공하며, 하부가 개방된 형상을 가지는 내부반응튜브; 상기 챔버의 개방된 하부에 배치되어 상기 통로를 통해 이송된 상기 기판을 상하방향을 따라 적재하는 적재위치 및 상기 공정공간을 향해 상승하여 적재된 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정위치로 전환가능한 기판홀더; 상기 기판홀더의 하부에 연결되어 상기 기판홀더와 함께 승강하며, 상기 공정위치에서 상기 내부반응튜브의 개방된 하부를 폐쇄하는 차단플레이트; 상기 차단플레이트의 하부에 기립설치되어 상기 차단플레이트와 함께 승강하는 연결실린더; 상기 챔버본체의 개방된 하부면과 상기 연결실린더 사이에 연결되며, 개방된 상기 챔버본체의 하부를 외부로부터 격리하는 차단부재를 포함한다.

Description

기판 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 배치식 기판처리장치에 있어서 신축가능한 차단부재를 이용하여 기판에 대한 공정 수행 시, 적재공간의 부피를 제어하여 기판에 대한 오염을 최소화함으로써 품질 및 생산성을 향상시키는 기판 처리장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 기판 처리장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 단계를 포함하는 장치이다.
대표적으로, 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우, 글래스 기판상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다. 이와 같은 결정화 공정을 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능하여야 하며, 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위한 공정온도는 최소한 550 내지 600도의 온도가 필요하다.
이러한 기판 처리장치에는 하나의 기판에 대하여 기판에 대한 공정을 수행할 수 있는 매엽식(single wafer type)과 복수개의 기판에 대하여 기판처리를 수행할 수 있는 배치식(batch type)이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나, 생산성이 떨어지는 단점으로 인해 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.
한국공개특허공보 10-2013-0054706호. 2013.05.27.
본 발명의 목적은 공정공간과 적재공간을 차단한 상태에서 기판에 대한 공정을 진행하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판홀더의 공정위치에서 적재공간의 부피를 최소화시키는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리장치는, 일측에 형성된 통로를 통해 기판이 이송되며, 상부 및 하부가 개방된 챔버본체; 상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정공간을 제공하며, 하부가 개방된 형상을 가지는 내부반응튜브; 상기 챔버의 개방된 하부에 배치되어 상기 통로를 통해 이송된 상기 기판을 상하방향을 따라 적재하는 적재위치 및 상기 공정공간을 향해 상승하여 적재된 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정위치로 전환가능한 기판홀더; 상기 기판홀더의 하부에 연결되어 상기 기판홀더와 함께 승강하며, 상기 공정위치에서 상기 내부반응튜브의 개방된 하부를 폐쇄하는 차단플레이트; 상기 차단플레이트의 하부에 기립설치되어 상기 차단플레이트와 함께 승강하는 연결실린더; 상기 챔버본체의 개방된 하부면과 상기 연결실린더 사이에 연결되며, 개방된 상기 챔버본체의 하부를 외부로부터 격리하는 차단부재를 포함한다.
상기 차단부재는, 상기 기판홀더의 적재위치에서 상기 공정공간과 연통되는 적재공간을 제공하며, 상기 기판홀더의 공정위치에서 상기 적재공간을 감소시킬 수 있다.
상기 차단부재는 상기 차단플레이트가 승강함에 따라 신축가능할 수 있다.
상기 연결실린더의 하부는 외측을 향해 돌출된 돌출부를 가지며, 상기 차단부재는 상기 챔버본체의 개방된 하부면과 상기 돌출부 사이에 연결될 수 있다.
상기 연결실린더는, 상기 기판홀더의 적재위치에서 상기 챔버본체의 하부에 위치하며, 상기 기판홀더의 공정위치에서 상기 챔버본체의 내부에 위치할 수 있다.
상기 기판 처리장치는 상기 챔버본체의 상부에 설치되는 매니폴드를 더 포함하되, 상기 내부반응튜브는 상기 매니폴드에 지지될 수 있다.
상기 차단플레이트는 상기 공정위치에서 상기 매니폴드와 맞닿아 배치되어 상기 공정공간을 형성할 수 있다.
상기 매니폴드는, 상기 공정공간을 향해 공정가스를 공급하는 제1 공급구; 상기 제1 공급구의 반대편에 형성되어 상기 공정공간에 공급된 상기 공정가스를 배기하는 배기구; 및 상기 제1 공급구의 하부에 형성되어 상기 챔버본체의 내부를 향해 퍼지가스를 공급하는 제2 공급구를 형성하되, 상기 제2 공급구는 상기 기판홀더의 공정위치에서 상기 차단플레이트와 서로 나란하게 배치될 수 있다.
상기 기판 처리장치는, 상기 차단플레이트의 상부면을 따라 형성된 설치홈에 삽입되는 실링부재를 더 포함할 수 있다.
상기 기판 처리장치는, 상기 차단플레이트의 내부에 형성되어 외부로부터 공급된 냉매가 흐르는 냉각유로를 더 포함할 수 있다.
상기 기판 처리장치는, 상기 차단플레이트의 상부면을 따라 형성된 설치홈에 삽입되는 실링부재를 더 포함하되, 상기 냉각유로는 상기 실링부재를 따라 근접배치될 수 있다.
상기 기판 처리장치는, 상기 차단부재의 외측에 기립설치되는 승강축; 상기 승강축에 연결되어 상기 승강축을 회전하는 승강모터; 상기 연결실린더의 하부에 연결되는 지지링; 및 상기 지지링과 상기 승강축에 각각 연결되어 상기 승강축의 회전에 의해 상기 지지링과 함께 승강하는 브래킷을 더 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 배치식 기판처리장치에 있어서 적재공간과 공정공간을 용이하게 차단한 상태에서 기판에 대한 공정 수행할 수 있다. 또한, 적재공간의 부피를 최소화한 상태에서 기판에 대한 공정을 수행가능함으로써 기판에 대한 오염을 최소화하여 품질 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시한 기판 처리장치의 작동과정을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 A를 확대한 도면이다.
도 5는 도 3에 도시한 기판 처리장치의 퍼지가스 유동상태를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
또한, 실시예에서 설명하는 기판(W) 외에 다양한 피처리체에도 응용될 수 있음은 당업자로서 당연하다. 예를 들어, 본 발명에서 처리될 수 있는 기판의 종류는 특별하게 제한되지 아니한다. 따라서, 반도체 공정 전반에서 일반적으로 이용되는 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸, 사파이어 등 다양한 재질의 기판이 본 발명의 기판처리장치에서 처리될 수 있다. 또한, 본 발명에서 기판을 처리한다 함은 기판 그 자체뿐만 아니라 기판 상에 형성된 소정의 막 또는 패턴 등을 처리하는 경우를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명의 기판 처리장치의 용도 또한 특별히 제한되지 아니한다. 따라서 본 발명의 기판 처리장치를 이용하여 전반적인 반도체공정, 예를 들어, 증착공정, 식각공정, 표면개질공정 등이 수행될 수 있다. 뿐만 아니라, 이하에서는 발명의 주요한 구성요소에 대해서만 설명하며, 이용되는 목적에 따라 다양한 구성요소들이 본 발명의 기판 처리장치에 추가적으로 포함할 수 있음은 자명하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리장치(100)는 상부 및 하부가 개방된 형상의 챔버본체(30)와 개방된 챔버본체(30)의 상부를 폐쇄하는 챔버덮개(5), 그리고 개방된 챔버본체(30)의 하부를 외부로부터 격리가능한 차단부재(70)를 포함한다. 챔버본체(30)의 일측에 형성된 통로(32)를 통해 기판(W)이 챔버본체(30)의 내부로 이송되며, 게이트 밸브(도시안함)는 통로(32)의 외측에 설치되어 통로(32)는 게이트 밸브에 의해 개방 및 폐쇄될 수 있다. 또한, 배기포트(34)는 통로의 반대편에 형성되며, 후술하는 퍼지가스를 배기포트(34)를 통해 외부로 배기할 수 있다.
매니폴드(40)는 챔버본체(30)의 상부에 설치되며, 내부반응튜브(10)는 매니폴드(40)에 의해 지지될 수 있다. 내부반응튜브(10)는 챔버본체(30)의 개방된 상부를 폐쇄하여 기판(W)에 대한 공정이 이루어지는 공정공간(도 3의 2)을 제공하며, 하부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 매니폴드(40)의 내면에는 각각 제1 공급구(13)와 제2 공급구(14) 및 배기구(19)가 형성될 수 있으며, 제1 공급구(13)는 제2 공급구(14)의 상부에 형성된다. 분사노즐(15)은 제1 공급구(13)와 연결되며, 외부로부터 공급된 공정가스는 제1 공급구(13)를 통해 분사노즐(15)에 공급되어 분사노즐(15)을 통해 기판에 공정가스를 공급할 수 있다.
분사노즐(15)은 내부반응튜브(10)의 내벽을 따라 삽입설치되며, 원주방향을 따라 서로 다른 높이에 배치될 수 있다. 분사노즐(15)로부터 공급된 공정가스는 반대편에 형성된 배기홀(17)들을 향해 흐르며, 이를 통해 공정가스와 기판(W)의 표면이 반응할 수 있는 충분한 시간을 확보할 수 있다. 이때, 공정 중 발생한 미반응가스 및 반응부산물들은 배기홀(17)을 통해 배기구(19)로 흡입되어 외부로 배출되며, 퍼지가스는 제2 공급구(14)를 통해 기판 처리장치(100)의 내부로 공급되어 배기포트(34)를 통해 배기될 수 있다. 또한, 기판 처리장치(100)는 미반응가스 및 반응부산물들이 용이하게 배기홀(17)을 통해 배기구(19)로 유동하도록 보조튜브(18)가 설치될 수 있다.
또한, 기판 처리장치(100)는 내부반응튜브(10)의 외측에는 외부반응튜브(20)가 설치될 수 있으며, 외부반응튜브(20)는 분사노즐(15) 및 배기홀(17)의 외측에 배치된다. 외부반응튜브(20)의 외측에는 챔버덮개(5)가 설치될 수 있으며, 챔버덮개(5)는 기판(W)을 가열하는 히터(7)를 구비할 수 있다. 내부반응튜브(10) 및 외부반응튜브(20)는 세라믹이나 쿼츠(quartz), 또는 메탈에 세라믹을 코팅한 재질일 수 있다.
기판 처리장치(100)는 복수의 기판들이 적재되는 기판홀더(50)를 더 포함하며, 통로(32)를 통해 이송된 기판(W)들은 기판홀더(50) 상에 상하방향으로 순차적으로 로딩된다. 기판홀더(50)는 기판(W)을 용이하게 적재가능하도록 상하방향으로 복수의 지지팁(53)(또는 슬롯)들이 형성될 수 있으며, 지지팁(53)과 지지팁(53) 사이에는 가이드 플레이트(55)를 구비할 수 있다. 가이드 플레이트(55)는 기판(W)의 단면적보다 크며, 가이드 플레이트(55)를 통해 상하방향으로 적재된 기판(W)과 기판(W) 사이에 균일한 가스의 공급이 가능하다.
기판홀더(50)는 챔버본체(30)의 하부에 배치되어 기설정된 간격으로 상승함으로써 통로(32)를 통해 이송되는 기판(W)을 상하방향으로 적재가능하며('적재위치'), 적재가 완료된 기판홀더(50)는 기판(W)에 대한 공정을 수행가능하도록 상승하여 공정위치로 전환될 수 있다. 기판홀더(50)가 공정위치로 전환된 경우, 공정공간(도 3의 2) 내부의 열손실을 최소화하기 위해 기판홀더(50)의 하부에는 다수의 단열플레이트가 구비될 수 있다.
기판홀더(50)의 하부에는 차단플레이트(60)가 설치되며, 차단플레이트(60)는 기판홀더(50)와 동심을 기준으로 기판홀더(50)의 외경보다 큰 형상을 가진다. 기판홀더(50)가 공정위치로 전환될 경우, 차단플레이트(60)는 매니폴드(40)와 맞닿아 내부반응튜브(10)의 개방된 하부를 폐쇄하여 공정공간(도 3의 2)을 제공한다. 설치홈(63)은 차단플레이트(60)의 상부면을 따라 형성될 수 있으며, 실링부재(65)는 설치홈(63)에 삽입설치된다. 실링부재(65)는 차단플레이트(60)와 매니폴드(40) 사이의 틈을 최소화하여 공정공간(도 3의 2)을 적재공간(도 3의 3)으로부터 면밀히 차단할 수 있다. 실링부재(65)는 실리콘 소재의 오링(0-ring)일 수 있다.
또한, 차단플레이트(60)의 내면에는 냉각유로(68)가 형성되며, 냉각유로(68)를 따라 외부로부터 공급된 냉매는 냉각유로(68)를 따라 흐를 수 있다. 바람직하게는 냉각유로(68)는 설치홈(63)과 기설정된 간격으로 이격되어 형성될 수 있으며, 설치홈(63)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 기판홀더(50)의 공정위치에서 기판(W)에 대한 공정을 진행할 경우, 공정공간(도 3의 2)은 고온 분위기로 진행됨에 따른 실링부재(65)의 파손을 미연에 방지할 수 있다.
차단플레이트(60)의 하부 중앙부에는 모터하우징(85)이 설치될 수 있다. 회전축(83)의 일측은 차단플레이트(60)의 하부와 연결되며, 회전축(83)을 회전하는 회전모터(도시안함)는 모터하우징(85)의 내부에 고정설치될 수 있다. 회전모터는 기판홀더(50)가 공정위치로 전환되어 기판(W)에 대한 공정이 이루어질 경우, 회전축(83)을 구동하여 기판홀더(50)를 회전할 수 있다.
또한, 차단플레이트(60)의 하부 측면에는 연결실린더(80)가 설치된다. 연결실린더(80)는 차단플레이트(60)의 하부를 향해 기립설치되며, 연결실린더(80)의 하부는 외측을 향해 돌출되는 돌출부(81)를 가질 수 있다. 차단부재(70)는 개방된 챔버본체(30)의 하부와 연결실린더(80)의 돌출부(81) 사이에 연결되며, 개방된 챔버본체(30)의 하부를 외부로부터 격리하여 적재공간(도 3의 3)을 제공할 수 있다. 적재공간(도 3의 3)은 기판홀더(50)의 적재위치에서 공정공간(도 3의 2)과 연통되며, 기판홀더(50)가 공정위치로 전환될 경우, 적재공간(도 3의 3)은 공정공간(도 3의 2)과 차단된다.
차단부재(70)는 신축가능한 소재이며, 연결실린더(80)와 함께 상승함에 따라 적재공간(도 3의 3)의 부피는 탄력적으로 변화될 수 있다. 차단부재(70)는 벨로우즈(bellows)일 수 있으며, 플렌지(flange)(72)를 통해 챔버본체(30)와 연결실린더(80) 사이에 연결될 수 있다. 지지링(95)은 연결실린더(80)의 돌출부(81) 하부에 연결되어 연결실린더(80)를 지지한다. 브래킷(97)의 일측은 지지링(95)과 연결되며, 브래킷(97)의 타측은 차단부재(70)의 외측에 기립설치되는 승강축(90)과 연결된다. 승강모터(98)는 승강축(90)에 연결되어 승강축(90)을 구동가능하며, 브래킷(97)은 승강축(90)의 회전에 의해 지지링(95)과 함께 승강할 수 있다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시한 기판 처리장치의 작동과정을 나타내는 도면이며, 도 4는 도 3의 A를 확대한 도면이다. 도 2는 도 1에 도시한 기판홀더의 적재위치를 나타내는 도면이며, 도 3은 도 1에 도시한 기판홀더의 공정위치로 전환된 상태를 나타내는 도면이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 통로(32)를 통해 이송된 기판(W)은 기판홀더(50)에 적재된다. 기판홀더(50)는 앞서 설명한 바와 같이, 승강 가능하며, 통로(32)를 통해 이송된 기판(W)은 기판홀더(50)의 상부에서 하부방향으로 순차적으로 지지팁(53)에 놓여진다.
기판홀더(50)에 기판(53)들의 적재가 모두 완료될 경우, 도 3에 도시한 바와 같이 기판홀더(50)는 공정위치로 전환된다. 기판홀더(50)가 공정위치로 전환된 경우, 기판홀더(50)의 하부에 연결된 차단플레이트(60)는 매니폴드(40)와 맞닿으며, 내부반응튜브(10)의 개방된 하부를 폐쇄할 수 있다. 또한, 차단플레이트(60)의 하부에 연결된 연결실린더(80)는 기판홀더(50)와 함께 승강함에 따라 함께 승강하며, 챔버본체(30)의 하부와 연결실린더(80) 사이에 연결된 차단부재(70)는 신축가능하므로 연결실린더(80)의 상승에 따라 적재공간(3)의 부피를 감소시킬 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 차단플레이트(60)는 설치홈(63)이 형성되어 실링부재(65)가 설치홈(63)에 설치됨으로써 매니폴드(40)와 차단플레이트(60) 사이를 밀봉함으로써 공정공간(2)을 외부로부터 긴밀하게 유지할 수 있다. 냉각유로(68)는 차단플레이트(60)의 설치홈(63)과 대응되도록 형성되어 실링부재(65)가 파손 및 차단플레이트(60)의 열손상을 방지할 수 있다. 또한, 실링부재(65)는 매니폴드(40)와 내부반응튜브(10), 플랜지(72)와 챔버본체(30), 챔버본체(30)와 매니폴드(40) 사이에 각각 설치될 수 있으며, 냉각유로(68) 또한 대응되는 위치에 형성될 수 있다.
도 5는 도 3에 도시한 기판 처리장치의 퍼지가스 유동상태를 나타내는 도면이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 기판홀더(50)의 공정위치에서 제2 공급구(14)는 차단플레이트(60)와 나란하게 동일한 높이로 배치된다. 챔버본체(30)의 내부에는 제2 공급구(14)를 따라 노즐링(38)이 설치될 수 있으며, 퍼지가스는 제2 공급구(14)를 따라 노즐링(38)에 형성된 공급홀(39)들을 통해 적재공간(3)으로 공급될 수 있다. 챔버본체(30)의 통로 반대편에는 배기포트(34)가 형성되며, 적재공간(3)으로 공급된 퍼지가스는 배기포트(34)를 통해 배기될 수 있다.
즉, 기판홀더(50)가 공정위치로 전환될 경우, 차단부재(70)는 상하로 신축가능하므로 적재공간(3)이 최소화된다. 기판홀더(50)의 공정위치에서 차단플레이트(60)는 공정공간(2)과 적재공간(3)을 구획하며, 실링부재(65)를 통해 공정공간(2)과 적재공간(3) 사이의 공백을 최소화할 수 있다. 따라서, 적재공간(3)의 퍼지를 용이하게 제어가능하며, 적재공간(3)을 최소화시킴으로써 기판(W)에 대한 공정을 마친 후 기판홀더(50)를 하강할 경우, 기판(W)의 오염 및 파티클(particle)에 의한 불량을 줄여 기판(W)에 대한 수율을 향상 및 생산성을 증대할 수 있다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
5 : 챔버덮개 7 : 히터
10 : 내부반응튜브 13 : 제1 공급구
14 : 제2 공급구 15 : 분사노즐
17 : 배기홀 19 : 배기구
20 : 외부반응튜브 30 : 챔버본체
32 : 통로 34 : 배기포트
38 : 노즐링 40 : 매니폴드
50 : 기판홀더 55 : 가이드플레이트
60 : 차단플레이트
63 : 설치홈 65 : 실링부재
68 : 냉각유로 70 : 차단부재
80 : 연결실린더 81 : 돌출부
83 : 회전축 85 : 모터하우징
90 : 회전축 95 : 지지링
97 : 브래킷 98 : 승강모터
100 : 기판 처리장치

Claims (12)

  1. 일측에 형성된 통로를 통해 기판이 이송되며, 상부 및 하부가 개방된 챔버본체;
    상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정공간을 제공하며, 하부가 개방된 형상을 가지는 내부반응튜브;
    상기 챔버의 개방된 하부에 배치되어 상기 통로를 통해 이송된 상기 기판을 상하방향을 따라 적재하는 적재위치 및 상기 공정공간을 향해 상승하여 적재된 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정위치로 전환가능한 기판홀더;
    상기 기판홀더의 하부에 연결되어 상기 기판홀더와 함께 승강하며, 상기 공정위치에서 상기 내부반응튜브의 개방된 하부를 폐쇄하는 차단플레이트;
    상기 차단플레이트의 하부에 기립설치되어 상기 차단플레이트와 함께 승강하는 연결실린더;
    상기 챔버본체의 개방된 하부면과 상기 연결실린더 사이에 연결되어, 상기 기판홀더의 적재위치에서 상기 공정공간과 연통되는 적재공간을 외부로부터 격리하는 차단부재; 및
    상기 챔버본체의 상부에 설치되며, 상부에 놓여진 상기 내부반응튜브를 지지하는 매니폴드를 포함하되,
    상기 매니폴드는,
    상기 공정공간을 향해 공정가스를 공급하는 제1 공급구;
    상기 제1 공급구의 반대편에 형성되어 상기 공정공간에 공급된 상기 공정가스를 배기하는 배기구; 및
    상기 제1 공급구의 하부에 형성되어 상기 적재공간에 퍼지가스를 공급하며, 상기 기판홀더의 상기 공정위치에서 상기 차단플레이트와 동일한 높이로 배치되는 제2 공급구를 가지며,
    상기 챔버본체는 배기포트를 더 포함하는, 기판 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차단부재는 상기 기판홀더의 상기 공정위치에서 상기 적재공간을 감소시킬 수 있는, 기판 처리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 차단부재는 상기 차단플레이트가 승강함에 따라 신축가능한, 기판 처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 연결실린더의 하부는 외측을 향해 돌출된 돌출부를 가지며, 상기 차단부재는 상기 챔버본체의 개방된 하부면과 상기 돌출부 사이에 연결되는, 기판 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 연결실린더는,
    상기 기판홀더의 상기 적재위치에서 상기 챔버본체의 하부에 위치하며, 상기 기판홀더의 상기 공정위치에서 상기 챔버본체의 내부에 위치하는, 기판 처리장치.
  6. 일측에 형성된 통로를 통해 기판이 이송되며, 상부 및 하부가 개방된 챔버본체;
    상기 챔버본체의 상부에 설치되어 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정공간을 제공하며, 하부가 개방된 형상을 가지는 내부반응튜브;
    상기 챔버의 개방된 하부에 배치되어 상기 통로를 통해 이송된 상기 기판을 상하방향을 따라 적재하는 적재위치 및 상기 공정공간을 향해 상승하여 적재된 상기 기판에 대한 공정이 이루어지는 공정위치로 전환가능한 기판홀더;
    상기 기판홀더의 하부에 연결되어 상기 기판홀더와 함께 승강하며, 상기 공정위치에서 상기 내부반응튜브의 개방된 하부를 폐쇄하는 차단플레이트;
    상기 차단플레이트의 하부에 기립설치되어 상기 차단플레이트와 함께 승강하는 연결실린더;
    상기 챔버본체의 개방된 하부면과 상기 연결실린더 사이에 연결되어, 상기 기판홀더의 적재위치에서 상기 공정공간과 연통되는 적재공간을 외부로부터 격리하는 차단부재;
    상기 챔버본체의 상부에 설치되며, 상부에 놓여진 상기 내부반응튜브를 지지하는, 그리고 상기 공정공간을 향해 공정가스를 공급하는 제1 공급구와, 상기 제1 공급구의 반대편에 형성되어 상기 공정공간에 공급된 상기 공정가스를 배기하는 배기구와, 상기 제1 공급구의 하부에 형성되어 상기 적재공간에 퍼지가스를 공급하는 제2 공급구를 가지는 매니폴드;
    상기 챔버본체의 내벽에 설치되며 상기 제2 공급구와 연통되어 상기 제2 공급구를 통해 공급된 상기 퍼지가스를 상기 적재공간으로 공급하는 노즐링; 및
    상기 내부반응튜브의 외측에 설치되어, 상기 내부반응튜브에 형성된 배기홀 및 상기 배기구와 연통되는 배기공간을 형성하는 보조튜브를 포함하는, 기판 처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 차단플레이트는 상기 공정위치에서 상기 매니폴드와 맞닿아 배치되어 상기 공정공간을 형성하는, 기판 처리장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 배기포트는 상기 통로의 반대편에 위치하는, 기판 처리장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리장치는,
    상기 차단플레이트의 상부면을 따라 형성된 설치홈에 삽입되는 실링부재를 더 포함하는, 기판 처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리장치는,
    상기 차단플레이트의 내부에 형성되어 외부로부터 공급된 냉매가 흐르는 냉각유로를 더 포함하는, 기판 처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판 처리장치는,
    상기 차단플레이트의 상부면을 따라 형성된 설치홈에 삽입되는 실링부재를 더 포함하되,
    상기 냉각유로는 상기 실링부재를 따라 근접배치되는, 기판 처리장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리장치는,
    상기 차단부재의 외측에 기립설치되는 승강축;
    상기 승강축에 연결되어 상기 승강축을 회전하는 승강모터;
    상기 연결실린더의 하부에 연결되는 지지링; 및
    상기 지지링과 상기 승강축에 각각 연결되어 상기 승강축의 회전에 의해 상기 지지링과 함께 승강하는 브래킷을 더 구비하는, 기판 처리장치.
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