JPH062951B2 - 気相反応装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は気相反応装置に関する。更に詳細には、本発明
は正方形状の反応室を有し、各コーナーにウエハハンド
リング機構が配設されたプラズマＣＶＤまたはプラズマ
エッチング処理を行うための気相反応装置に関する。

［従来技術］ 薄膜の形成方法として、半導体工業において一般に広く
用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応で固体
物質にし、基板上に堆積することをいう。

ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高く、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッシベーション膜として利用されてい
る。

ＣＶＤ法は大別すると、(1)常圧，(2)減圧および(3)プ
ラズマの３種類がある。

最近の超ＬＳＩ技術の急速な進歩により“超々ＬＳＩ”
という言葉も聞かれはじめた。これに伴い、Ｓｉデバイ
スはますます高集積化，高速度化が進み、６インチから
８インチ、更には１２インチ大口径基板が使用されるよ
うになった。

半導体デバイスの高集積化が進み伴い、高品質、高精度
な絶縁膜が求められ、常圧ＣＶＤ法では対応が困難にな
ってきた。そこで、プラズマ化学を利用したプラズマＣ
ＶＤ法が注目を浴びている。

プラズマＣＶＤは生成膜（例えば、ＳｉＯ_x膜の構成原
子を含む化合物気体（例えばＳｉＨ₄およびＮ₂Ｏ）をプ
ラズマ状態にし、化学的に活性なイオンやラジカル（化
学的に活性な中性原子または分子種のこと）に分解させ
ことによって、低温（例えば、約３００℃前後）で薄膜
を成長させる方法である。

従来のＣＶＤ法は気体分子の分解や反応を高い基板温度
で純粋に熱的に行うのに対して、プラズマＣＶＤ法は放
電による電気的エネルギーの助けによって、基板温度を
低く抑えることに特徴がある。

この方法はステップカバレージ（まわりこみ、またはパ
ターン段差部被覆性）が良く、膜の強度が強く、更に耐
湿性に優れているといった特長を有する。また、プラズ
マＣＶＤ法による成膜生成速度（デポレート）は、減圧
ＣＶＤ法に比べて極めて速い。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来のプラズマＣＶＤ装置には平行平板電極を使用す
る、いわゆる、容量結合方式のものがある。これには、
上側の電極と接地基板電極との間で放電が行われ、反応
ガスの流れが基板電極下部より放射状に入って中心から
出るラインバーグ形と、反応ガスが基板電極下部中心か
ら入り周囲へ排出され、基板電極が磁気回転機構により
回転されるＡＭＴ形がある。

これらの装置はいずれも反応室内におけるガスのフロー
パターンが不均一になりやすく、プラズマ放電密度も一
定になりにくいので、大口径ウエハの成膜には適さな
い。また、基板電極の回転により、反応室内に異物が発
生しやすい。

更に、これらの装置では、カセットからウエハを自動的
に供給し、完成品を再びカセットに収納する、いわゆ
る、カセットツーカセット方式は不可能である。従っ
て、スループットを向上させることは困難である。

プラズマＣＶＤ法とプラズマエッチング法とは使用する
反応ガスが異なるだけであり、実施するための装置自体
の構成および／または構造は原則的に大体同じである。

［発明の目的］ 従って、本発明の目的は、反応室内における反応ガスの
フローパターンが均一になり、プラズマの放電密度を常
に一定に保つことができる。大口径ウエハに刷れた膜質
の膜を成膜することのできる、スループットの高い気相
反応装置を提供することである。

［問題点を解決するための手段］ 前記の問題点を解決し、本発明の目的を達成する為の手
段として、この発明は、横断面がほぼ正方形状の反応室
を有し、該反応室のほぼ中央部に円形のウエハ載置台が
配置され、先端部がウエハ載置台の上面に延びる昇降可
能なウエハハンドリング機構が前記反応室の各コーナー
に配設されていることを特徴とする気相反応装置を提供
する。

［作用］ 前記のように、本発明の気相反応装置における反応室
は、横断面が正方形状である。すなわち、対称形の反応
室である。そして、対称形反応室のほぼ中央部に円形の
ウエハ載置台が配置されている。

その結果、反応室上部より送入された反応ガスのフロー
パターンは均一となり、反応ガスはウエハ載置台上のウ
エハに均等に接触する。また、プラズマ放電させた場
合、ウエハ面上における放電密度が常に一定になり、例
えば、８インチ以上の大口径ウエハであっても膜質的に
非常に優れた膜が得られる。

この発明の気相反応装置における反応室は正方形なの
で、ウエハをウエハ載置台上に乗せたり、退けたりする
ための、昇降可能なウエハハンドリング機構を前記反応
室の各コーナーに配設することができ、反応室内の空間
が有効に活用されるので、気相反応装置全体が極めてコ
ンパクトになり、フロアスペースの節約に寄与する。

本発明の気相反応装置が枚葉式である場合、スループッ
トを向上させるためにウエハハンドリング機構は必要不
可欠である。このウエハハンドリング機構の存在によ
り、カセットからウエハを自動的に供給し、完成品に再
びカセットに自動的に収納する、いわゆる、カセットツ
ーカセット方式が可能となり、スループットを著しく向
上させることができる。

［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について更
に詳細に説明する。

第１図は本発明の気相反応装置の反応室の部分の一部切
欠き概略的斜視図，第２図は第１図におけるII−II線に
沿った概略的断面図，第３図はウエハ載置台とウエハハ
ンドリング機構の展開斜視図，第４図は反応室の一実施
例を示す概略的断面図，第５図は本発明の気相反応装置
の一実施例を示す概略的斜視図である。

第１図は、反応室内部を十分に俯瞰できるようにするた
め、トップカバーを外した状態で作図されている。

第１図に示されるように、本発明の気相反応装置におけ
る反応室１００は横断面が正方形状である。反応室１０
０のほぼ中央部にウエハ載置台１１０が配置されてい
る。反応室の各コーナーにウエハハンドリング機構１２
０が配設されている。また、ウエハ載置台１１０の外周
部に隣接してシャッターリング１３０が配設されてい
る。

ウエハハンドリング機構１２０はローダウエハキャリア
からのウエハの受け取り、およびアンローダウエハキャ
リアへのウエハの受け渡しを自動的に行うためのもので
ある。ウエハハンドリング機構１２０はウエハ受け爪１
２２，該受け爪を支持するアーム１２４および該アーム
を支持する水平バー１２６からなる。

ウエハ載置台１１０の上面には前記ウエハ受け爪１２２
が嵌入でき、ウエハ載置台上面より突出しないだけの、
十分な幅と深さ及び長さを有する溝１１２が配設されて
いる。

シャッターリング１３０はウエハ載置台内周囲の反応空
間を円形に画成するためのものである。シャッターリン
グ１３０は保持部１３２により保持されている。この保
持部１３２は水平バー１３４により支持されている。シ
ャッターリング１３０の側壁面にはウエハ受け爪１２２
が嵌入することのできる溝穴１３６が切設されている。

ウエハハンドリング機構１２０およびシャッターリング
１３０は昇降可能に構成されている。

前記水平バー１２６および１３４を、例えば、エアシリ
ンダーなどに接続する。水平バー１２６を昇降させるた
めのエアシリンダー駆動用のエアはバルブ３００ａか
ら、また、水平バー１３４についてはバルブ３００ｂか
ら供給される。

水平バー１２６用シリンダーの昇降レベルはアクチュエ
ータ３０２ａで規制され、水平バー１３４の昇降レベル
はアクチュエータ３０２ｂで規制される。アクチュエー
タ３０２ａには、ウエハ受け爪の昇降の上限を検出する
ためのホトセンサ３０４ａおよび下限を検出するための
ホトセンサ３０６ａが配設されている。同様に、アクチ
ュエータ３０２ｂには、シャッターリング１３０の昇降
の上限と下限を検出するためのホトセンサ３０４ｂおよ
びホトセンサ３０６ｂが配設されている。

第２図および後記の第３図に示されるように、ウエハ受
け爪はアームに螺着することができる。その結果、使用
されるウエハの口径に応じて、ウエハ受け爪を交換でき
る。例えば、６インチウエハの場合は最も長いウエハ受
け爪１２２ａを使用し、８インチウエハの場合は中間の
長さの受け爪１２２ｂを使用し、１２インチウエハの場
合は最も短い受け爪１２２ｃを使用する。

反応室内にウエハを搬入するためのローダ部２２（第５
図参照）を収容する第１予備室１２および反応室から成
膜処理済ウエハを搬出するためのアンローダ部４６（第
５図参照）を収容する第２予備室１４が反応室１００に
接続されている。

プラズマＣＶＤ法は１−０．４Ｔｏｒｒ前後の真空条件
下で実施される。従って、ウエハの搬入および搬出操作
は、反応室とゲートバルブで隔てられた予備室内に収容
されているローダ部およびアンローダ部により行わなけ
ればならない。すなわち、反応室内の圧力と予備室内の
ローダ部またはアンローダ部の圧力を等圧にしてからゲ
ートバルブを開き、ウエハを搬入または搬出する。

第１予備室はゲートバルブ１５ａで反応室と隔てられ、
第２予備室はゲートバルブ１５ｂで反応室と隔てられて
いる。第１予備室１２および第２予備室１４の接続構成
は図示されたほぼ直角なＬ字配列に限らず、１８０゜の
直線状配列も可能である。図示されたＬ字配列方式は装
置設計の坪効率極めて高く、装置全体をコンパクトな形
状にまとめ上げることができる。

反応室の側壁部には、室内の状況を目視するための窓部
１４０を配設することができる。窓部１４０は例えば、
石英ガラス１４１を、気密保持用のＯリング１４２を介
在させて、固定部１４３により反応室側壁面に螺着す
る。

ゲートバルブおよび窓部の配設箇所に対応する位置のシ
ャッターリング１３０の側壁部には、必要に応じて切欠
き部分を設けることもできる。

第３図はウエハ載置台１１０およびウエハハンドリング
機構１２０の展開斜視図である。

ウエハ載置台１１０はサセプタテーブル１１４を有す
る。テーブルの上面のほぼ中央部にはアルミニウ製の均
熱盤１１６がアルミニウム製ネジ１１９ａ（計４本）で
螺着される。均熱盤１１６にはウエハ受け爪用の溝１１
２が切設されている。均熱盤１１６の中央突出円形台の
高さと同じ高さの扇状絶縁カバー１１８（計４枚）が、
該中央突出円形台の外周縁に接して、均熱盤１１６にマ
イカレックス製ネジ１１９ｂ（計８本）で螺着される。
扇状絶縁カバー１１８の直線縁は均熱盤１１６の溝１１
２の直線縁と一致する。扇状絶縁カバー１１８は例えば
マイカレックスのような材料から製造できる。

ウエハハンドリング機構のウエハ受け爪１２２は例え
ば、ハステロイのような材料から製造されている。ウエ
ハ受け爪１２２は、使用されるウエハの口径にあわせて
交換できるようにするため、例えばステンレス製の六角
穴付きボルト１２８でアーム１２４に螺着される。

第４図はトップカバー４００が施蓋された状態の反応室
１００の一実施例を示す概略的断面図である。

トップカバー４００は例えば、ヒンジ部材４０２により
反応室１００に取り付けられる。一方を例えば、ネジ締
め機構４０４で締め付ける。トップカバー４００の下面
と反応室上面との接触部にはＯリング４０６を介在させ
ることにより気密性を高める。

トップカバー４００のほぼ中央部に電極支持機構４１０
が絶縁部材４１２に包囲されて取り付けられている。電
極支持機構４１０の上部にはコンデンサ４１４および高
周波電源４１６が接続されている。電極支持機構４１０
の内部には反応ガス供給手段４２０が配設され、反応室
内に例えば、ＳｉＨ₄，Ｎ₂ＯおよびＮ₂またはＣＦ₄など
のガスを送入する。

反応室内の電極４３０の外周縁は絶縁リング４１４で覆
われている。電極４３０は電極支持機構４１０により支
持されている。電極４３０には微小孔が多数穿設されて
おり、反応ガス供給手段４２０から送入された反応ガス
を、シャワーのように均熱盤１１６上のウエハ２４に均
一に降り注ぎながらプラズマ放電を行い、ＣＶＤ膜を成
膜させる。電極４３０はウエハ載置台上面の形状と同じ
く、円形の形状をしており、１２インチウエハの成膜に
も対応できるような直径を有する。

プラズマＣＶＤ法は１−０．４Ｔｏｒｒ前後の真空条件
下で実施される。そのため、反応室下部には真空排気手
段４４０を少なくとも１個、好ましくは、各側壁面に計
４個配設する。排気のためのポンプ系は共用できる。

サセプタテーブル１１４の均熱盤１１６との接触面には
ヒータ４５０が配設されており、ウエハを約３００℃程
度に加熱する。

水平バー１２６および１３４はエアシリンダー４６０ａ
および４６０ｂにそれぞれ接続されており、ウエハ受け
爪およびシャッターリングを昇降可能にする。

均熱盤１１６上にウエハ２４を載置し、成膜処理後に均
熱盤からウエハを除去する動作を説明する。

ウエハを載置する場合、ローダ部の収容された第１予備
室と反応室を隔てるゲートバルブ１５ａが開いてウエハ
キャリアアーム２２ａが反応室内に進入する。キャリア
プレート２２ｂが均熱盤１１６上に達したらウエハキャ
リアアームは前進を止める。均熱盤の溝内に嵌入してい
たウエハ受け爪１２２が上昇しキャリアプレート２２ｂ
に保持されていたウエハ２４を電極面付近まで持ち上げ
る。ウエハを取り払われたウエハキャリアアームはゲー
トバルブから反応室外に退去する。その後、ゲートバル
ブ１５ａが閉止され、ウエハ受け爪１２２が下降を開始
する。溝１１２内まで完全に嵌入する位置まで下降する
と、ウエハは均熱盤１１６上に載置される。

ウエハの搬入を妨げないようにするため、ウエハ搬入作
業中はシャッターリング１３０はトップカバーの下面付
近まで上昇されている。搬入作業が終了し、ウエハが均
熱盤上に載置されたら、シャッターリングは下降し、電
極とウエハ載置台との間の反応空間を円形に画成する。

成膜処理済ウエハを反応室から搬出する場合、まずシャ
ッターリングがトップカバーの下面付近まで上昇し、次
いでウエハ受け爪がウエハを電極面付近まで持ち上げ
る。第２ゲートバルブ１５ｂが開き、アンローダ部のキ
ャリアアームが反応室内に進入し、キャリアプレートが
均熱盤上に達したらウエハ受け爪は下降する。成膜済ウ
エハがキャリアプレートに渡されたらキャリアアームは
後退して反応室外に退去し、第２ゲートバルブが閉止さ
れる。

第５図は本発明の気相反応装置の一実施例を示す概略的
斜視図である。第５図においても反応室はトップカバー
が外された状態で図示されている。

第５図に示されるように、本発明の気相反応装置は反応
室１００に対して第１予備室１２および第２予備室１４
がほぼ直交するようにＬ字形に配列されている。

反応室に関する説明は既に十分になされたので、ここで
は省略する。

第１予備室１２の内部には、反応室内にウエハを搬入す
るためのローダ部２２が収容されている。ローダ部２２
は予備室内に配設されている駆動機構（図示されていな
い）により進退可能である。ローダ部２２はウエハキャ
リアアーム２２ａおよびウエハキャリアプレート２２ｂ
を有する。キャリアプレート２２ｂはキャリアアーム２
２ａに螺着されている。

第２予備室１４の内部には、反応室内から成膜処理済ウ
エハを搬出するためのアンローダ部４６が収容されてい
る。アンローダ部４６は予備室内に配設されている駆動
機構（図示されていない）により進退可能である。アン
ローダ部４６はウエハキャリアアーム４６ａおよびウエ
ハキャリアプレート４６ｂを有する。キャリアプレート
４６ｂはキャリアアーム４６ａに螺着されている。

本発明の装置において、カセットからウエハを供給し、
カセットにウエハを収納するまでの動作を第５図を参照
しながら説明する。

ウエハカートリッジ（図示されていない）から供給され
たウエハ２４は第１ウエハ搬送機構２５のホッパーテー
ブル２６上に置かれ、ベルト駆動またはエアベアにより
前進されウエハ搬送フォーク２８のウエハトラック３０
に達する。第１ウエハ検出器がウエハを検出すると、第
１ウエハ移送アーム３２がウエハを下側から真空吸着
し、その状態のまま回転して、第１蓋部３４の下部に配
設されたウエハ受け渡し爪３６にウエハを移送し、該爪
上にウエハを載置する。第１蓋部３４は覗き窓３８を有
する。第１蓋部３４は第１蓋開閉機構４０の昇降可能な
アーム４２に螺着または固設されている。ウエハ受け渡
し爪３６にウエハ２４が載置されると、昇降可能アーム
４２は下降し、第１予備室１２の上部に開けられた第１
開口部４４を経て予備室内に進入し、キャリアプレート
２２ｂにウエハを載置する。昇降可能アーム４２は更に
下降し、第１蓋部３４が第１開口部４４を覆い、第１予
備室１２を密閉する。

第１予備室が密閉された後、第１予備室を排気して反応
室と等圧にする。等圧になったら、第１予備室と反応室
を隔てる第１ゲートバルブ１５ａを開き、ウエハキャリ
アプレート２２ｂを反応室内のウエハ載置台１６のとこ
ろまで前進させる。キャリアプレート２２ｂが所定位置
に達したら、ウエハ受け爪１２２が上昇してキャリアプ
レート２２ｂからウエハを受け取る。その後、キャリア
アーム２２ａは反応室外に退去し、第１ゲートバルブが
閉じられ、成膜反応処理が開始される。

成膜反応処理が終了し、第２予備室１４内の圧力を反応
室１００の圧力と等圧にしてから、反応室と第２予備室
を隔てる第２ゲートバルブ１５ｂを開く。ウエハ受け爪
１２２が成膜処理の済んだウエハをウエハ載置台から持
ち上げる。アンローダ部４６のキャリアアーム４６ａが
前進し、ウエハ受け爪１８により持ち上げられているウ
エハの下側に入る。ウエハ受け爪１２２が下降し、ウエ
ハをキャリアプレート４６ｂ上に載置する。

その後、キャリアアーム４６ａは反応室を退去し、キャ
リアプレート４６ｂが第２蓋部４８の下部に配設された
ウエハ受け渡し爪（図示されていない）の位置に達した
ら後退を停止する。キャリアプレート４６ｂが反応室か
ら完全に退去した時点で、第２ゲートバルブが閉じられ
る。第２蓋部４８も覗き窓５４を有する。第２蓋部４８
は第２蓋開閉機構５０の昇降可能アーム５２に螺着また
は固設されている。

第２予備室１４の圧力を大気圧にもどしてから、第２蓋
開閉機構５０の昇降可能アーム５２を上昇させる。第２
予備室の上部で第２蓋部が施蓋される位置に第２開口部
５８が配設されている。ウエハ受け渡し爪に保持された
ウエハは、この第２開口部５８を通り第２予備室の外に
出る。

その後、第２ウエハ移送機構６０がウエハ受け渡し爪に
より保持されているウエハを真空吸着して第２ウエハ搬
送機構６２に移送する。第２ウエハ搬送機構６２のウエ
ハトラック６４にウエハが載置されたことを第２ウエハ
検出器６６が検出するとコンベヤまたはエアベアなどに
よりウエハはマガジンスタッカテーブル６８に送られ
る。そして、カセット（図示されていない）に収納さ
れ、ウエハ一枚についての一連の作業が終了する。

前記のように、本発明の装置は、いわゆる、カセットツ
ウカセットの形式に構成できる。

本発明の装置は反応室のウエハ載置台上にウエハを一枚
毎に搬入／搬出する、いわゆる“枚葉式”である。枚葉
式は８インチ以上の大口径ウエハの表面に均一な膜厚の
ＣＶＤ膜を成膜するのに特に適している。しかし、従来
のようなバッチ式反応室についても適用できる。ただ
し、バッチ式反応室は小口径ウエハにはよいが、大口径
ウエハに対しては膜厚の粗密の差が大きくなりすぎて製
品品質にバラツキが出やすい。特に、プラズマＣＶＤ法
の場合は、バッチ式だと放電密度が一定にならず歩留り
が低下するので、好ましくない。

ウエハハンドリング機構，シャッターリング，ふた開閉
機構，およびローダ／アンローダ部などの駆動にはエア
シリンダーを使用できる。従って、本発明の装置の駆動
に必要な排気系やエアコンプレッサーなどの周辺駆動系
は第１予備室と第２予備室により囲まれる空間に配置す
ることができる。かくして、高いスループットを維持し
ながら、高品質の半導体素子を製造することができ、し
かも装置設計の点から坪効率に優れた、極めてコンパク
トなＣＶＤ薄膜形成装置が得られる。

本発明の装置は常圧，減圧およびプラズマのいずれのタ
イプのＣＶＤ法にも使用できるが、特にプラズマＣＶＤ
法に使用することが好ましい。反応ガスを変えることに
よりプラズマエッチング法に使用することもできる。更
に、最近の技術として、光ＣＶＤ法が活発に研究され、
一部には実用機に近い形の装置も試作されつつある。本
発明のＬ字配列方式は当然、この光ＣＶＤ装置について
も適用できる。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明の気相反応装置
にあっては、反応室の横断面が正方形状である。すなわ
ち、対称形の反応室である。そして、対称形反応室のほ
ぼ中央部に円形のウエハ載置台が配置されている。

その結果、反応室上部より送入された反応ガスのフロー
パターンは均一となり、反応ガスはウエハ載置台上のウ
エハに均等に接触する。また、プラズマ放電させた場
合、ウエハ面上における放電密度が常に一定になり、例
えば、８インチ以上の大口径ウエハであっても膜質的に
非常に優れた膜が得られる。

この発明の気相反応装置における反応室は正方形なの
で、ウエハをウエハ載置台上に乗せたり、退けたりする
ための、昇降可能なウエハハンドリング機構を前記反応
室の各コーナーに配設することができ、反応室内の空間
が有効に活用されるので、気相反応装置全体が極めてコ
ンパクトになり、フロアスペースの節約に寄与する。

対称形という点だけからみれば、円形の反応室の方が好
ましい。しし、気相反応装置をカセットツーカセット方
式のものに構成するために、反応室内にウエハハンドリ
ング機構を配設する場合、円形の反応室では室内にウエ
ハハンドリング機構を収容するのに、ウエハハンドリン
グ機構の最外部に接する外接円の直径を必要とする。そ
の結果、本発明のような正方形反応室に比べて室内に無
駄な空間が増大する。

正方形状反応室を円形状反応室に近づけるため、本発明
ではウエハ載置台の外周部に隣接して昇降可能なシャッ
ターリングを配設している。従って、成膜反応を行う場
合にシャッターリングを動かして電極とウエハ載置台と
の間に円形反応空間を画成させることができる。かくし
て、本発明の反応室は円形反応室と同等の成膜効果を発
揮すると共に、スペースの節約効果をもたらす。

ローダ部を納めた第１予備室およびアンローダ部を納め
た第２予備室を、反応室に対してほぼ直交するようにＬ
字形に配列して該反応室に接続すると、このＬ字の空
間、に排気系や駆動系のための様々な周辺支援装置類を
収容することができる。その結果、気相反応装置全体が
正方形状にまとめあげられ、坪効率の高い極めてコンパ
クトな装置となる。従って、スペースの限られた半導体
製造工場のフロアに多数台設置することが可能になる。
ウエハ受け爪およびウエハ載置台はウエハ口径の変化に
対応可能に構成されているので、例えば、６インチウエ
ハから１２インチウエハに移行する場合でも、半導体製
造工場のライン構成自体は変化させる必要が無い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の気相反応装置の反応室の部分の一部切
欠き概略的斜視図，第２図は第１図におけるII−II線に
沿った概略的断面図，第３図はウエハ載置台とウエハハ
ンドリング機構の展開斜視図，第４図は反応室の一実施
例を示す概略的断面図，第５図は本発明の気相反応装置
の一実施例を示す概略的斜視図である。 １２…第１予備室 １４…第２予備室 １５ａおよび１
５ｂ…ゲートバルブ ２２…ローダ部 ２２ａおよび４
６ａ…ウエハキャリアアーム ２２ｂおよび４６ｂ…ウ
エハキャリアプレート ２４…ウエハ ２５…第１ウエ
ハ搬送機構 ２６…ホツパーテーブル ２８…ウエハ搬
送フォーク ３０および６４…ウエハトラック ３２…
第１ウエハ移送アーム ３４…第１蓋部 ３６…ウエハ
受け渡し爪 ３８および５４…覗き窓 ４０…第１蓋開
閉機構 ４２および５２…昇降可能アーム ４４…第１
開口部 ４６…アンローダ部 ４８…第２蓋部 ５０…
第２蓋開閉機構５８…第２開口部 ６０…第２ウエハ移
送機構 ６２…第２ウエハ搬送機構 ６６…第２ウエハ
検出器 ６８…マガジンスタッカテーブル １００…反
応室 １１０…ウエハ載置台 １１２…溝１１４…サセ
プタテーブル １１６…均熱盤 １１８…扇状絶縁カバ
ー １２０…ウエハハンドリング機構 １２２…ウエハ
受け爪 １２４…ウエハ受け爪支持アーム １２６およ
び１３４…水平バー １３０…シャッターリング １３
２…保持部 １４０…窓部 ３００ａおよび３００ｂ…
バルブ ３０２ａおよび３０２ｂ…アクチュエータ ３
０４ａ，３０４ｂ，３０６ａおよび３０６ｂ…ホトセン
サ ４００…トップカバー ４１０…電極支持機構 ４
１２…絶縁部材 ４１４…コンデンサ ４１６…高周波
電源 ４１８…絶縁リング ４２０…反応ガス供給手段
４３０…電極 ４４０…真空排気手段 ４５０…ヒー
タ ４６０ａおよび４６０ｂ…エアシリンダー

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】プラズマＣＶＤまたはプラズマエッチング
   処理を行うための枚葉式反応室と、円形の平行平板電極
   を有する気相反応装置において、 前記反応室の横断面はほぼ正方形状をしており、その略
   中央部に略円形のウエハが一枚だけ載置される円形のウ
   エハ載置台が前記反応室のほぼ中央部に配置されてお
   り、 前記ウエハ載置台の外周部に隣接して、昇降可能なシャ
   ッターリングが配置されており、 ４分割されたアーム部を有し、各アームの先端部が前記
   シャッターリングを貫通してウエハ載置台の外周から半
   径方向内方に向かってウエハ載置台の上面に延びる昇降
   可能なウエハハンドリング機構であって、前記各アーム
   部が前記反応室の各コーナーに配置されている、 ことを特徴とする気相反応装置。