KR20070060252A - 고온공정용 반도체 제조장치 - Google Patents
고온공정용 반도체 제조장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070060252A KR20070060252A KR1020050119393A KR20050119393A KR20070060252A KR 20070060252 A KR20070060252 A KR 20070060252A KR 1020050119393 A KR1020050119393 A KR 1020050119393A KR 20050119393 A KR20050119393 A KR 20050119393A KR 20070060252 A KR20070060252 A KR 20070060252A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- high temperature
- boat
- holder
- gas
- manufacturing apparatus
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
Claims (6)
- 반도체 기판(100)의 저부를 원형의 테두리 면상으로 지지함과 동시에 탑-에지-그립방식인 엔드이펙터(2)의 승강과 그립 작업공간을 내부에서 수용하는 홀더(30)와:이 홀더(30)에 의해 상기 엔드이펙터(2)의 그립을 위한 작업공간으로서 측면상 홀더와의 간섭을 회피하는 높이가 배제된 피치간격을 갖는 배치식 보트(32)와:실링의 설치를 위한 열완충구역이 제외되도록 매니폴드몸체(34)와 고온가열된 반응튜브(36)사이를 불활성가스로서 실링시키는 가스실링부(38)가 포함되어 이루어진 고온공정용 반도체 제조장치.
- 제 1 항에 있어서, 홀더(30)는 반도체 기판(100) 저부를 원형의 테두리 면상으로 지지하기 위한 필요접촉높이를 갖는 링형상으로 돌출된 지지링면(40)이 형성되고, 이 지지링면(40)을 보트프레임(42)에 보유지지하기 위해 보트프레임(42)의 슬릿(42)에 결합되는 지지패널(44)이 형성되어지되, 상기 지지패널(44)에는 상기 지지링면(40)에서 반도체 기판(100)을 로딩/언로딩 시키기 위해 탑-에지-그립방식의 엔드이펙터(2)와 간섭을 회피시키는 절개부(48)가 형성된 것을 특징으로 하는 고온공정용 반도체 제조장치.
- 제 1 항에 있어서, 가스실링부(38)는 반응튜브(36)의 플랜지(19)와 매니폴드 몸체(34)의 플랜지(19)사이에서 그 내부구역으로 위치되는 원형테두리의 경계구역을 갖는 가스배출슬릿(50)이 매니폴드 몸체(34) 상부의 플랜지(19)에 형성되고, 상기 가스배출슬릿(50)은 매니폴드 몸체(34)외부로 가스공급장치(52)와 연결된 것을 특징으로 하는 고온공정용 반도체 제조장치.
- 제 1 항에 있어서, 가스실링부(38)는 가스공급장치(52)를 통해 불활성가스로서, 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 중 적어도 어느 하나가 공급되는 것을 특징으로 하는 고온공정용 반도체 제조장치.
- 제 1 항에 있어서, 보트(1)에는 여기에 장착되는 단열블록몸체(54)에 고온팽창시 내부 가스를 배출시키기 위한 배기구(56)가 형성된 것을 특징으로 하는 고온공정용 반도체 제조장치.
- 제 1 항에 있어서, 보트(1)에는 도어플레이트(58)를 공정공간 외부로서 차단 시키고 매니폴드 몸체(34)와 접촉되어 공정공간의 하부공간을 이루도록 쿼츠커버(60)가 상기 도어플레이트(58) 상부전면에 걸쳐 설치되며, 쿼츠커버(60)의 외주에는 매니폴드몸체와 하단과 접촉되기 위한 플랜지(62)가 형성되어 이 플랜지(62)의 외주를 둘러싸게 도어플레이트(58)가 마련되며, 이 플랜지(62)와 도어플레이트(58) 및 매니폴드 몸체(34)경계 사이에 실링(64)이 설치된 것을 특징으로 하는 고온공정용 반도체 제조장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050119393A KR100741859B1 (ko) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 고온공정용 반도체 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050119393A KR100741859B1 (ko) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 고온공정용 반도체 제조장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070060252A true KR20070060252A (ko) | 2007-06-13 |
KR100741859B1 KR100741859B1 (ko) | 2007-07-24 |
Family
ID=38356287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050119393A KR100741859B1 (ko) | 2005-12-08 | 2005-12-08 | 고온공정용 반도체 제조장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100741859B1 (ko) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100906291B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2009-07-07 | 주식회사 실트론 | 열 응력 방지구조를 구비한 고온 열처리 노와 이를 위한배플 및 페데스탈 구조 |
KR100942067B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2010-02-11 | 주식회사 테라세미콘 | 고온 퍼니스 |
CN111621411A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-04 | 上海仁度生物科技有限公司 | 用于核酸提取自动化仪器的辅助装置 |
CN113053785A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-06-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
KR102466019B1 (ko) | 2022-06-17 | 2022-11-10 | 주식회사 기남테크 | 반도체 제조 장비의 진공 챔버 매니폴드 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3270730B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4633269B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2011-02-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2003031647A (ja) | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-12-08 KR KR1020050119393A patent/KR100741859B1/ko active IP Right Grant
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100906291B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2009-07-07 | 주식회사 실트론 | 열 응력 방지구조를 구비한 고온 열처리 노와 이를 위한배플 및 페데스탈 구조 |
KR100942067B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2010-02-11 | 주식회사 테라세미콘 | 고온 퍼니스 |
CN111621411A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-09-04 | 上海仁度生物科技有限公司 | 用于核酸提取自动化仪器的辅助装置 |
CN113053785A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-06-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
KR102466019B1 (ko) | 2022-06-17 | 2022-11-10 | 주식회사 기남테크 | 반도체 제조 장비의 진공 챔버 매니폴드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100741859B1 (ko) | 2007-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI559362B (zh) | 基板處理裝置 | |
KR940009995B1 (ko) | 반도체의 기상 성장방법및 그 장치 | |
JP5188326B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 | |
KR100280692B1 (ko) | 열처리장치 및 열처리방법 | |
TWI462185B (zh) | 基板處理裝置,基板支持具及半導體裝置之製造方法 | |
JP2010153467A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JPH11204442A (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
JP2009224765A (ja) | 基板処理装置 | |
JPWO2007018139A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
KR100375100B1 (ko) | 열처리장치 | |
KR100741859B1 (ko) | 고온공정용 반도체 제조장치 | |
JP5032982B2 (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
JP4794360B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012023073A (ja) | 基板処理装置および基板の製造方法 | |
JP2014060327A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH10242067A (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
JP2011003689A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11204443A (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
JP2010086985A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100890921B1 (ko) | 반도체 제조 장치 | |
JP2005056908A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4115331B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4399279B2 (ja) | 基板処理装置およびicの製造方法 | |
KR20160095698A (ko) | 발열체 및 히터 어셈블리 그리고 그것을 갖는 클러스터 설비 | |
JP2011204735A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130708 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140707 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150706 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160705 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170718 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180717 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190128 Year of fee payment: 13 |