JP2016540372A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016540372A
JP2016540372A JP2016521662A JP2016521662A JP2016540372A JP 2016540372 A JP2016540372 A JP 2016540372A JP 2016521662 A JP2016521662 A JP 2016521662A JP 2016521662 A JP2016521662 A JP 2016521662A JP 2016540372 A JP2016540372 A JP 2016540372A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing apparatus
substrate processing
blocking plate
chamber body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016521662A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6158436B2 (ja
Inventor
ヒョン，ジュン−ジン
ソン，ビョン−ギュ
キム，キョン−フン
キム，ヨン−キ
シン，ヤン−シク
ドル キム，チャン
ドル キム，チャン
Original Assignee
ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド, ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド filed Critical ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド
Publication of JP2016540372A publication Critical patent/JP2016540372A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6158436B2 publication Critical patent/JP6158436B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B1/00—Shaft or like vertical or substantially vertical furnaces
    • F27B1/02—Shaft or like vertical or substantially vertical furnaces with two or more shafts or chambers, e.g. multi-storey
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B1/00—Shaft or like vertical or substantially vertical furnaces
    • F27B1/10—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B1/00—Shaft or like vertical or substantially vertical furnaces
    • F27B1/10—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B1/20—Arrangements of devices for charging
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B1/00—Shaft or like vertical or substantially vertical furnaces
    • F27B1/10—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B1/21—Arrangements of devices for discharging
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B3/00—Hearth-type furnaces, e.g. of reverberatory type; Tank furnaces
    • F27B3/02—Hearth-type furnaces, e.g. of reverberatory type; Tank furnaces of single-chamber fixed-hearth type
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/04—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B5/14—Arrangements of heating devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B5/16—Arrangements of air or gas supply devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B5/18—Arrangement of controlling, monitoring, alarm or like devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F27D3/0084—Charging; Manipulation of SC or SC wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0033—Chamber type furnaces the floor of the furnaces consisting of the support carrying the charge, e.g. car type furnaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本発明の一実施形態による基板処理装置は，一側に形成された通路を介して基板が移送され，上部及び下部の開放されたチャンバ本体と，前記チャンバ本体の上部に設置されて，前記基板に対する工程が行われる工程空間を提供し，下部の開放された形状を有する内部反応チューブと，前記チャンバの開放された下部に配置されて，前記通路を介して移送された前記基板を上下方向に沿って積載する積載位置及び前記工程空間に向かって上昇して積載された前記基板に対する工程が行われる工程位置に転換可能である基板ホルダーと，前記基板ホルダーの下部に連結されて，前記基板ホルダーと共に昇降し，前記工程位置で前記内部反応チューブの開放された下部を閉鎖する遮断プレートと，前記遮断プレートの下部に起立設置されて，前記遮断プレートと共に昇降する連結シリンダーと，前記チャンバ本体の開放された下部面と前記連結シリンダーとの間に連結され，開放された前記チャンバ本体の下部を外部から隔離する遮断部材とを含む。

Description

本発明は，基板処理装置に関するものであり，より詳しくは，バッチ式基板処理装置において伸縮可能な遮断部材を利用して基板に対する工程を行う際，積載空間の体積を制御して基板に対する汚染を最小化することによって，品質及び生産性を向上させる基板処理装置に関するものである。
半導体，平板ディスプレイ及び太陽電池の製造に使用される基板処理装置は，シリコンウエハ又はガラスのような基板上に蒸着されている所定の薄膜に対して結晶化，相変化などの工程のために必須な熱処理段階を含む装置である。
代表的に，液晶ディスプレイ又は薄膜型結晶質シリコン太陽電池を製造する場合，ガラス基板上に蒸着された非晶質シリコンをポーリシリコンに結晶化させるシリコン結晶化装置がある。このような結晶化工程を行うためには，所定の薄膜が形成されている基板のヒーティングが可能でなければならず，例えば，非晶質シリコンの結晶化のための工程温度は，最小限５５０℃乃至６００℃の温度が必要である。
このような基板処理装置には，一つの基板に対して基板に対する工程を行うことができる枚葉式（single wafer type）と複数個の基板に対して基板処理を行うことができるバッチ式（batch type）がある。枚葉式は，装置の構成が簡単だという利点があるが，生産性が低下するという短所のため，最近の大量生産用としては，バッチ式が脚光を浴びている。
本発明の目的は，工程空間と積載空間とを遮断した状態で基板に対する工程を行うことにある。
本発明の他の目的は，基板ホルダーの工程位置で積載空間の体積を最小化させることにある。
本発明のさらに別の目的は，次の詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
本発明の一実施形態によると，基板処理装置は，一側に形成された通路を介して基板が移送され，上部及び下部の開放されたチャンバ本体と，前記チャンバ本体の上部に設置されて，前記基板に対する工程が行われる工程空間を提供し，下部の開放された形状を有する内部反応チューブと，前記チャンバの開放された下部に配置されて，前記通路を介して移送された前記基板を上下方向に沿って積載する積載位置及び前記工程空間に向かって上昇して積載された前記基板に対する工程が行われる工程位置に転換可能な基板ホルダーと，前記基板ホルダーの下部に連結されて，前記基板ホルダーと共に昇降し，前記工程位置で前記内部反応チューブの開放された下部を閉鎖する遮断プレートと，
前記遮断プレートの下部に起立設置されて，前記遮断プレートと共に昇降する連結シリンダーと，前記チャンバ本体の開放された下部面と前記連結シリンダーとの間に連結され，開放された前記チャンバ本体の下部を外部から隔離する遮断部材とを含む。
前記遮断部材は，前記基板ホルダーの積載位置で前記工程空間と連通する積載空間を提供し，前記基板ホルダーの工程位置で前記積載空間を減少することができる。
前記遮断部材は，前記遮断プレートが昇降することによって伸縮できる。
前記連結シリンダーの下部は，外側に向かって突出した突出部を有し，前記遮断部材は，前記チャンバ本体の開放された下部面と前記突出部との間に連結することができる。
前記連結シリンダーは，前記基板ホルダーの積載位置で前記チャンバ本体の下部に位置し，前記基板ホルダーの工程位置で前記チャンバ本体の内部に位置することができる。
前記基板処理装置は，前記チャンバ本体の上部に設置されるマニホールドをさらに含み，前記内部反応チューブは，前記マニホールドに支持されることができる。
前記遮断プレートは，前記工程位置で前記マニホールドと当接して配置されて前記工程空間を形成することができる。
前記マニホールドは，前記工程空間に向かって工程ガスを供給する第１供給口と，前記工程ガス供給口の反対側に形成されて，前記工程空間に供給された前記工程ガスを排気する排気口と，前記第１供給口の下部に形成されて，前記チャンバ本体の内部に向かってパージガスを供給する第２供給口とを形成し，前記第２供給口は，前記基板ホルダーの工程位置で前記遮断プレートと互い平行に配置されることができる。
前記基板処理装置は，前記遮断プレートの上部面に沿って形成された設置溝に挿入されるシーリング部材をさらに含むことができる。
前記基板処理装置は，前記遮断プレートの内部に形成されて外部から供給された冷媒が流れる冷却流路をさらに含むことができる。
前記基板処理装置は，前記遮断プレートの上部面に沿って形成された設置溝に挿入されるシーリング部材をさらに含み，前記冷却流路は，前記シーリング部材に沿って近接配置されることができる。
前記基板処理装置は，前記遮断部材の外側に起立設置される昇降軸と，前記昇降軸に連結されて，前記昇降軸を回転する昇降モータと，前記連結シリンダーの下部に連結する支持リングと，前記支持リングと前記昇降軸にそれぞれ連結されて，前記昇降軸の回転により前記支持リングと共に昇降するブラケットとをさらに備えることができる。
本発明の一実施形態によれば，バッチ式基板処理装置において積載空間と工程空間とを容易に遮断した状態で基板に対する工程を行うことができる。また，積載空間の体積を最小化した状態で基板に対する工程を行うことができることによって，基板に対する汚染を最小化して品質及び生産性を向上させることができる。
本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。 図１に示す基板処理装置の作動過程を示す図である。 図１に示す基板処理装置の作動過程を示す図である。 図３のＡ部拡大図である。 図３に示す基板処理装置のパージガス流動状態を示す図である。
以下，本発明の好ましい実施形態を，添付した図１乃至図５を参照して，より詳細に説明する。本発明の実施形態は，様々な形態に変形されてもよく，本発明の範囲が後述する実施形態に限定されると解釈してはならない。本実施形態は当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に，本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状はより明確に発明を強調するために誇張されている可能性がある。
また，実施形態において説明する基板Ｗの他に多様な被処理体にも応用できることは当業者にとって当然である。例えば，本発明において処理されることができる基板の種類は，特に制限されない。したがって，半導体工程の全般において一般に利用されるガラス，プラスチック，ポリマー，シリコンウエハ，ステンレススチール，サファイアなど，多様な材質の基板が本発明の基板処理装置で処理されることができる。また，本発明において基板を処理するということは，基板それ自体だけではなく，基板上に形成された所定の膜又はパターンなどを処理する場合を含むと理解されることができる。
それだけではなく，本発明の基板処理装置の用途もまた特に制限されない。よって，本発明の基板処理装置を利用して全般的な半導体工程，例えば，蒸着工程，蝕刻工程，表面改質工程などが行われることができる。それだけではなく，以下では，発明の主要な構成要素についてだけ説明し，利用される目的に応じて多様な構成要素を本発明の基板処理装置に追加的に含むことができることは明らかである。
図１は，本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。図１に示すように，基板処理装置１００は，上部及び下部の開放された形状のチャンバ本体３０と開放されたチャンバ本体３０の上部を閉鎖するチャンバキャップ５，及び開放されたチャンバ本体３０の下部を外部から隔離可能な遮断部材７０を含む。チャンバ本体３０の一側に形成された通路３２を介して基板Ｗがチャンバ本体３０の内部に移送され，ゲートバルブ（図示せず）は，通路３２の外側に設置されて，通路３２は，ゲートバルブにより開放及び閉鎖することができる。また，排気ポート３４は，通路の反対側に形成され，後述するパージガスを排気ポート３４を介して外部に排気することができる。
マニホールド４０は，チャンバ本体３０の上部に設置され，内部反応チューブ１０は，マニホールド４０により支持されることができる。内部反応チューブ１０は，チャンバ本体３０の開放された上部を閉鎖して基板Ｗに対した工程が行われる工程空間（図３の２）を提供し，下部の開放された形状を有することができる。マニホールド４０の内面には，それぞれ第１供給口１３，第２供給口１４及び排気口１９が形成され，第１供給口１３は，第２供給口１４の上部に形成される。噴射ノズル１５は，第１供給口１３に連結され，外部から供給された工程ガスは，第１供給口１３を介して噴射ノズル１５に供給されて，噴射ノズル１５を介して基板に工程ガスを供給することができる。
噴射ノズル１５は，内部反応チューブ１０の内壁に沿って挿入設置され，円周方向に沿って互い異なる高さに配置されることができる。噴射ノズル１５から供給された工程ガスは，反対側に形成された排気ホール１７に向かって流れ，これにより工程ガスと基板Ｗの表面が反応できる十分な時間を確保することができる。このとき，工程中に発生した未反応ガス及び反応副産物は，排気ホール１７を介して排気口１９に吸入されて外部に排出され，パージガスは，第２供給口１４を介して基板処理装置１００の内部に供給されて排気ポート３４を介して排気されることができる。また，基板処理装置１００は，未反応ガス及び反応副産物が容易に排気ホール１７を介して排気口１９に流動するように，補助チューブ１８が設置されることができる。
また，基板処理装置１００は，内部反応チューブ１０の外側には，外部反応チューブ２０を設置することができ，外部反応チューブ２０は，噴射ノズル１５及び排気ホール１７の外側に配置される。外部反応チューブ２０の外側には，チャンバキャップ５を設置することができ，チャンバキャップ５は，基板Ｗを加熱するヒータ７を備えることができる。内部反応チューブ１０及び外部反応チューブ２０は，セラミック又はクォーツ（quartz），又はメタルにセラミックをコーティングした材質であってもよい。
基板処理装置１００は，複数の基板が積載される基板ホルダー５０をさらに備え，通路３２を介して移送された基板Ｗは，基板ホルダー５０上に上下方向に順次に装填される。基板ホルダー５０は，基板Ｗを容易に積載可能であるように上下方向に複数の支持チップ５３（又はスロット）を形成することができ，支持チップ５３と支持チップ５３との間には，ガイドプレート５５を備えることができる。ガイドプレート５５は，基板Ｗの断面積より大きく，ガイドプレート５５を介して上下方向に積載された基板Ｗと基板Ｗとの間に均一なガスの供給が可能である。
基板ホルダー５０は，チャンバ本体３０の下部に配置されて予め設定された間隔で上昇することによって，通路３２を介して移送される基板Ｗを上下方向に積載可能であり（「積載位置」），積載の完了した基板ホルダー５０は，基板Ｗに対した工程を遂行可能に上昇して，工程位置に転換されることができる。基板ホルダー５０が工程位置に転換された場合，工程空間（図３の２）内部の熱損失を最小化するために，基板ホルダー５０の下部には，多数の断熱プレート５８を備えることができる。
基板ホルダー５０の下部には，遮断プレート６０が設置され，遮断プレート６０は，基板ホルダー５０と同心を基準に基板ホルダー５０の外径より大きな形状を有する。基板ホルダー５０が工程位置に転換される場合，遮断プレート６０は，マニホールド２４と当接して内部反応チューブ１０の開放された下部を閉鎖して工程空間（図３の２）を提供する。設置溝６３は，遮断プレート６０の上部面に沿って形成されることができ，シーリング部材６５は，設置溝６３に挿入設置される。シーリング部材６５は，遮断プレート６０とマニホールド４０との間の隙間を最小化して，工程空間（図３の２）を積載空間（図３の３）から綿密に遮断できる。シーリング部材６５は，シリコン素材のＯリング（O-ring）であってもよい。
また，遮断プレート６０の内面には，冷却流路６８が形成され，冷却流路６８に沿って外部から供給された冷媒は，冷却流路６８に沿って流れることができる。
好ましくは，冷却流路６８は，設置溝６３と予め設定された間隔に離隔されて形成されることができ，設置溝６３と対応する形状を有することができる。したがって，基板ホルダー５０の工程位置で基板Ｗに対した工程を行う場合，工程空間（図３の２）は，高温雰囲気下で行われることによるシーリング部材６５の破損を未然に防止できる。
遮断プレート６０の下部中央部には，モータハウジング８５が設置されることができる。回転軸８３の一方は，遮断プレート６０の下部に連結され，回転軸８３を回転する回転モータ（図示せず）は，モータハウジング８５の内部に固定設置されることができる。回転モータは，基板ホルダー５０が工程位置に転換されて基板Ｗに対した工程が行われる場合，回転軸８３を駆動して基板ホルダー５０を回転できる。
また，遮断プレート６０の下部側面には，連結シリンダー８０が設置される。連結シリンダー８０は，遮断プレート６０の下部に向かって起立設置され，連結シリンダー８０の下部は，外側に向かって突出する突出部８１を有することができる。遮断部材７０は，開放されたチャンバ本体３０の下部と連結シリンダー８０の突出部８１との間に連結され，開放されたチャンバ本体３０の下部を外部から隔離して，積載空間（図３の３）を提供できる。積載空間（図３の３）は，基板ホルダー５０の積載位置で工程空間（図３の２）と連通され，基板ホルダー５０が工程位置に転換される場合，積載空間（図３の３）は，工程空間（図３の２）と遮断される。
遮断部材７０は，伸縮可能な素材であり，連結シリンダー８０と共に上昇することによって，積載空間（図３の３）の体積は，弾力的に変化されることができる。遮断部材７０は，ベローズ（bellows）であってもよく，フランジ（flange）７２を介してチャンバ本体３０と連結シリンダー８０との間に連結され得る。支持リング９５は，連結シリンダー８０の突出部８１の下部に連結されて，連結シリンダー８０を支持する。ブラケット９７の一側は，支持リング９５に連結され，ブラケット９７の他方は，遮断部材７０の外側に起立設置される昇降軸９０に連結される。昇降モータ９８は，昇降軸９０に連結されて昇降軸９０を駆動することができ，ブラケット９７は，昇降軸９０の回転により支持リング９５と共に昇降できる。
図２及び図３は，図１に示す基板処理装置の作動過程を示す図であり，図４は，図３のＡ部拡大図である。図２は，図１に示す基板ホルダーの積載位置を示す図であり，図３は，図１に示した基板ホルダーの工程位置に転換された状態を示す図である。図２に示すように，通路３２を介して移送された基板Ｗは，基板ホルダー５０に積載される。基板ホルダー５０は，上述のように，昇降可能であり，通路３２を介して移送された基板Ｗは，基板ホルダー５０の上部から下部方向へ支持チップ５３に順次に載置される。
基板ホルダー５０に基板５３の積載がすべて完了する場合，図３に示すように，基板ホルダー５０は，工程位置に転換される。基板ホルダー５０が工程位置に転換された場合，基板ホルダー５０の下部に連結した遮断プレート６０は，マニホールド４０と当接し，内部反応チューブ１０の開放された下部を閉鎖できる。また，遮断プレート６０の下部に連結した連結シリンダー８０は，基板ホルダー５０と共に昇降することによって共に昇降し，チャンバ本体３０の下部と連結シリンダー８０との間に連結した遮断部材７０は，伸縮可能なので，連結シリンダー８０の上昇によって積載空間３の体積を減少させることができる。
図４に示すように，遮断プレート６０は，設置溝６３が形成されてシーリング部材６５が設置溝６３に設置されることによって，マニホールド４０と遮断プレート６０との間を密封することによって，工程空間２を外部から緊密に維持できる。冷却流路６８は，遮断プレート６０の設置溝６３と対応するように形成されて，シーリング部材６５が破損及び遮断プレート６０の熱損上を防止できる。また，シーリング部材６５は，マニホールド４０と内部反応チューブ１０，フランジ７２とチャンバ本体３０，チャンバ本体３０とマニホールド４０との間にそれぞれ設置されることができ，冷却流路６８もまた対応する位置に形成されることができる。
図５は，図３に示す基板処理装置のパージガスの流動状態を示す図である。図５に示すように，基板ホルダー５０の工程位置において第２供給口１４は，遮断プレート６０と平行に形成される。チャンバ本体３０の内部には，第２供給口１４に沿ってノズルリング３８が設置されることができ，パージガスは，第２供給口１４に沿ってノズルリング３８に形成された供給ホール３９を介して積載空間３に供給される。チャンバ本体３０の通路反対側には，排気ポート３４が形成され，積載空間３に供給されたパージガスは，排気ポート３４を介して排気することができる。
すなわち，基板ホルダー５０が工程位置に転換される場合，遮断部材７０は，上下に伸縮可能であるので積載空間３が最小になる。基板ホルダー５０の工程位置において遮断プレート６０は，工程空間２と積載空間３とを区画し，シーリング部材６５を介して工程空間２と積載空間３との間の空白を最小化できる。したがって，積載空間３のパージを容易に制御でき，積載空間３を最小化させることによって，基板Ｗに対した工程を終えた後に基板ホルダー５０を下降する場合，基板Ｗの汚染及びパーティクル（particle）による不良を減少して，基板Ｗに対した歩留まりを向上し，かつ生産性を増大することができる。
好ましい実施形態を介して本発明を詳細に説明したが，それとは異なる実施形態ないし実施例も可能である。よって，後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施形態に限定されない。
本発明は多様な形態の半導体製造設備及び製造方法に応用される。

Claims (12)

  1. 一側に形成された通路を介して基板が移送され，上部及び下部の開放されたチャンバ本体と，
    前記チャンバ本体の上部に設置されて，前記基板に対する工程が行われる工程空間を提供し，下部の開放された形状を有する内部反応チューブと，
    前記チャンバの開放された下部に配置されて，前記通路を介して移送された前記基板を上下方向に沿って積載する積載位置及び前記工程空間に向かって上昇して積載された前記基板に対する工程が行われる工程位置に転換可能である基板ホルダーと，
    前記基板ホルダーの下部に連結されて，前記基板ホルダーと共に昇降し，前記工程位置で前記内部反応チューブの開放された下部を閉鎖する遮断プレートと，
    前記遮断プレートの下部に起立設置されて，前記遮断プレートと共に昇降する連結シリンダーと，
    前記チャンバ本体の開放された下部面と前記連結シリンダーとの間に連結され，開放された前記チャンバ本体の下部を外部から隔離する遮断部材とを含む，基板処理装置。
  2. 前記遮断部材は，
    前記基板ホルダーの積載位置で前記工程空間と連通する積載空間を提供し，
    前記基板ホルダーの工程位置で前記積載空間を減少することができることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記遮断部材は，前記遮断プレートが昇降することによって伸縮可能であることを特徴とする，請求項１又は２記載の基板処理装置。
  4. 前記連結シリンダーの下部は，外側に向かって突出した突出部を有し，前記遮断部材は，前記チャンバ本体の開放された下部面と前記突出部との間に連結することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  5. 前記連結シリンダーは，
    前記基板ホルダーの積載位置で前記チャンバ本体の下部に位置し，前記基板ホルダーの工程位置で前記チャンバ本体の内部に位置することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  6. 前記基板処理装置は，前記チャンバ本体の上部に設置されるマニホールドをさらに含み，
    前記内部反応チューブは，前記マニホールドに支持されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  7. 前記遮断プレートは，前記工程位置で前記マニホールドと当接して配置されて前記工程空間を形成することを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
  8. 前記マニホールドは，
    前記工程空間に向かって工程ガスを供給する第１供給口と，
    前記工程ガス供給口の反対側に形成されて，前記工程空間に供給された前記工程ガスを排気する排気口と，
    前記第１供給口の下部に形成されて，前記チャンバ本体の内部に向かってパージガスを供給する第２供給口とを形成し，
    前記第２供給口は，前記基板ホルダーの工程位置で前記遮断プレートと互い平行に配置されることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
  9. 前記基板処理装置は，
    前記遮断プレートの上部面に沿って形成された設置溝に挿入されるシーリング部材をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  10. 前記基板処理装置は，
    前記遮断プレートの内部に形成されて外部から供給された冷媒が流れる冷却流路をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  11. 前記基板処理装置は，
    前記遮断プレートの上部面に沿って形成された設置溝に挿入されるシーリング部材をさらに含み，
    前記冷却流路は，前記シーリング部材に沿って近接配置されることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
  12. 前記基板処理装置は，
    前記遮断部材の外側に起立設置される昇降軸と，
    前記昇降軸に連結されて，前記昇降軸を回転する昇降モータと，
    前記連結シリンダーの下部に連結する支持リングと，
    前記支持リングと前記昇降軸にそれぞれ連結されて，前記昇降軸の回転により前記支持リングと共に昇降するブラケットとをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
JP2016521662A 2013-10-17 2014-10-17 基板処理装置 Active JP6158436B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0123761 2013-10-17
KR1020130123761A KR101557016B1 (ko) 2013-10-17 2013-10-17 기판 처리장치
PCT/KR2014/009807 WO2015057023A1 (ko) 2013-10-17 2014-10-17 기판 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016540372A true JP2016540372A (ja) 2016-12-22
JP6158436B2 JP6158436B2 (ja) 2017-07-05

Family

ID=52828391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016521662A Active JP6158436B2 (ja) 2013-10-17 2014-10-17 基板処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10229845B2 (ja)
JP (1) JP6158436B2 (ja)
KR (1) KR101557016B1 (ja)
CN (1) CN105580126B (ja)
TW (1) TWI559362B (ja)
WO (1) WO2015057023A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020528496A (ja) * 2017-07-26 2020-09-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 化学的堆積、処理および／または浸透装置およびその使用方法
WO2020188743A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体

Families Citing this family (239)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
KR101715193B1 (ko) 2015-07-20 2017-03-10 주식회사 유진테크 기판 처리장치
JP6564642B2 (ja) 2015-07-23 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送室、基板処理システム、及び基板搬送室内のガス置換方法
KR101760316B1 (ko) 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11361981B2 (en) 2018-05-02 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Batch substrate support with warped substrate capability
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11375371B1 (en) * 2019-12-31 2022-06-28 Mcafee, Llc Methods, systems, and media for protected near-field communications
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11862490B2 (en) * 2021-07-28 2024-01-02 Changxin Memory Technologies, Inc. Diffusion furnace
US20230038785A1 (en) * 2021-08-05 2023-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor apparatus and method of collecting residues
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06151559A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Nippon Ee S M Kk 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
US20040154537A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-12 Choung-Ku Chon Diffusion furnace used for manufacturing integrated circuits and method for cooling the diffusion furnace
JP2008177524A (ja) * 2006-10-13 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2009021611A (ja) * 2003-02-21 2009-01-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
KR101215511B1 (ko) * 2012-06-27 2012-12-26 (주)이노시티 프로세스 챔버 및 기판 처리 장치
WO2013103194A1 (ko) * 2012-01-04 2013-07-11 주식회사 유진테크 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
DE102007063363B4 (de) * 2007-05-21 2016-05-12 Centrotherm Photovoltaics Ag Vorrichtung zur Dotierung und Beschichtung von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck
JP2010171388A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理用反応管
KR101364701B1 (ko) 2011-11-17 2014-02-20 주식회사 유진테크 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치
KR101312592B1 (ko) * 2012-04-10 2013-09-30 주식회사 유진테크 히터 승강형 기판 처리 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06151559A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Nippon Ee S M Kk 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
US20040154537A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-12 Choung-Ku Chon Diffusion furnace used for manufacturing integrated circuits and method for cooling the diffusion furnace
JP2009021611A (ja) * 2003-02-21 2009-01-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2008177524A (ja) * 2006-10-13 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
WO2013103194A1 (ko) * 2012-01-04 2013-07-11 주식회사 유진테크 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치
KR101215511B1 (ko) * 2012-06-27 2012-12-26 (주)이노시티 프로세스 챔버 및 기판 처리 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020528496A (ja) * 2017-07-26 2020-09-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 化学的堆積、処理および／または浸透装置およびその使用方法
WO2020188743A1 (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
JPWO2020188743A1 (ja) * 2019-03-19 2021-12-09 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
JP7214834B2 (ja) 2019-03-19 2023-01-30 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US11990359B2 (en) 2019-03-19 2024-05-21 Kokusai Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
CN105580126B (zh) 2018-10-09
TWI559362B (zh) 2016-11-21
TW201530609A (zh) 2015-08-01
US20160195331A1 (en) 2016-07-07
KR101557016B1 (ko) 2015-10-05
US10229845B2 (en) 2019-03-12
WO2015057023A1 (ko) 2015-04-23
JP6158436B2 (ja) 2017-07-05
KR20150045012A (ko) 2015-04-28
CN105580126A (zh) 2016-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6158436B2 (ja) 基板処理装置
KR101390474B1 (ko) 기판처리장치
US9922819B2 (en) Wafer rotation in a semiconductor chamber
KR20180029915A (ko) 기판 처리 장치
JPWO2007018139A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
CN102108502A (zh) 成膜装置及成膜方法
KR100902330B1 (ko) 반도체공정장치
KR102125512B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201334067A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP5964107B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
US20140087567A1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR20080110482A (ko) 기상 성장 장치와 기상 성장 방법
TW201835968A (zh) 基底處理裝置
JP2015511399A (ja) 基板処理モジュール及びそれを含む基板処理装置
JP2016516292A (ja) 基板処理装置
JP2016516291A (ja) 基板処理装置
KR100919661B1 (ko) 반도체 제조 장치
JP4954678B2 (ja) 半導体製造装置
JP4115331B2 (ja) 基板処理装置
WO2010013333A1 (ja) 真空装置及び真空処理方法
KR20170030728A (ko) 기판 처리 장치
JP2006093585A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170502

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170516

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170607

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6158436

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250