KR20180029915A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 면간 균일성을 제어하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 일 실시 형태의 기판 처리 장치는, 복수매의 기판을 수용하는 내부관과, 상기 내부관을 둘러싸는 외부관과, 상기 내부관의 내부 또는 상기 내부관과 상기 외부관과의 사이에 이동 가능하게 설치된 가동 벽과, 상기 기판에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 기판에 공급되는 상기 처리 가스를 배기하는 배기 수단을 갖고, 상기 내부관의 측벽에는, 제1 개구부가 형성되어 있고, 상기 가동 벽에는, 제2 개구부가 형성되어 있고, 상기 배기 수단은, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해서 상기 기판에 공급되는 상기 처리 가스를 배기한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 유지구에 복수매의 기판을 다단으로 유지한 상태에서, 복수매의 기판에 대하여 성막 처리 등을 행하는 것이 가능한 뱃치식의 기판 처리 장치가 알려져 있다.
뱃치식의 기판 처리 장치로서는, 기판이 수용되는 내부관과, 내부관을 둘러싸는 외부관과, 내부관의 측벽에 형성된 가스 배기구와, 내부관과 외부관 사이에 형성되는 공간을 배기하는 배기 유닛을 갖는 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 장치에서는, 가스 배기구의 개구 폭이 배기 유닛에 근접해짐에 따라서 서서히 좁아지도록 함으로써, 배기의 밸런스를 조정하여, 기판의 표면에 공급되는 가스의 유속을 기판간에서 균일화시키고 있다.
일본 특허 제5284182호 공보
그러나, 상기 기술로는, 가스 배기구의 개구 형상은 기판 처리 장치마다 정해지는 것이기 때문에, 프로세스 조건이나 처리 매수의 변화에 따라서는, 원하는 면간 균일성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 이것은, 프로세스 조건이나 처리 매수마다 배기의 밸런스를 조정할 수 없기 때문이다.
그래서, 본 발명의 일 형태에서는, 면간 균일성을 제어하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 형태에 관한 기판 처리 장치는, 복수매의 기판을 수용하는 내부관과, 상기 내부관을 둘러싸는 외부관과, 상기 내부관의 내부 또는 상기 내부관과 상기 외부관과의 사이에 이동 가능하게 설치된 가동 벽과, 상기 기판에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 기판에 공급되는 상기 처리 가스를 배기하는 배기 수단을 갖고, 상기 내부관의 측벽에는, 제1 개구부가 형성되어 있고, 상기 가동 벽에는, 제2 개구부가 형성되어 있고, 상기 배기 수단은, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해서 상기 기판에 공급되는 상기 처리 가스를 배기한다.
개시한 기판 처리 장치에 의하면, 면간 균일성을 제어할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 처리 용기를 설명하기 위한 횡단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 내부관의 일례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 가동 벽의 일례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 공통 개구부를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 4의 가동 벽을 사용한 경우의 제1 개구부와 제2 개구부와의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 가동 벽의 회전 기구의 일례를 설명하기 위한 종단면도이다.
도 8은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 10은 도 9의 기판 처리 장치의 내부관의 일례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 11은 도 9의 기판 처리 장치의 가동 벽의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 11의 가동 벽을 사용한 경우의 제1 개구부와 제2 개구부와의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 가동 벽의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 13의 가동 벽을 사용한 경우의 제1 개구부와 제2 개구부와의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 면간 균일성을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다.
〔제1 실시 형태〕
(기판 처리 장치)
본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략도이다. 도 2는, 도 1의 기판 처리 장치의 처리 용기를 설명하기 위한 횡단면도이다. 도 3은, 도 1의 기판 처리 장치의 내부관의 일례를 설명하기 위한 사시도이다. 도 4는, 도 1의 기판 처리 장치의 가동 벽의 일례를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼(W)」라고 함)를 수용하는 처리 용기(34)와, 처리 용기(34)의 하단의 개구부측을 기밀하게 막는 덮개부(36)와, 복수매의 웨이퍼(W)를 소정의 간격으로 유지해서 처리 용기(34) 내에 삽입 분리되는 기판 유지구(38)와, 처리 용기(34) 내에 소정의 가스를 도입하는 가스 공급 수단(40)과, 처리 용기(34) 내의 가스를 배기하는 배기 수단(41)과, 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 수단(42)을 갖고 있다.
처리 용기(34)는, 하단부가 개방된 천장이 있는 원통 형상의 내부관(44)과, 하단부가 개방되고 내부관(44)의 외측을 덮는 천장이 있는 원통 형상의 외부관(46)을 갖는다. 내부관(44) 및 외부관(46)은, 석영 등의 내열성 재료에 의해 형성되어 있고, 동축 형상으로 배치되어 이중관 구조로 되어 있다.
내부관(44)의 천장부는, 예를 들어 평탄하게 되어 있다. 내부관(44)의 일측에는, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라 가스 노즐을 수용하는 노즐 수용부(48)가 형성되어 있다. 제1 실시 형태에서는, 도 2에 도시된 바와 같이, 내부관(44)의 측벽의 일부를 외측을 향해서 돌출시켜 볼록부(50)를 형성하고, 볼록부(50) 내를 노즐 수용부(48)로서 형성하고 있다.
또한, 노즐 수용부(48)에 대향시켜 내부관(44)의 반대측 측벽에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라 폭(L1)의 사각 형상의 제1 개구부(52)가 형성되어 있다.
제1 개구부(52)는, 내부관(44) 내의 가스를 배기할 수 있도록 형성된 가스 배기구이다. 제1 개구부(52)의 길이는, 기판 유지구(38)의 길이와 동일하거나, 또는 기판 유지구(38)의 길이보다도 길게 상하 방향으로 각각 연장되도록 해서 형성되어 있다. 즉, 제1 개구부(52)의 상단은, 기판 유지구(38)의 상단에 대응하는 위치 이상의 높이로 연장되어 위치하고, 제1 개구부(52)의 하단은, 기판 유지구(38)의 하단에 대응하는 위치 이하의 높이로 연장되어 위치하고 있다. 구체적으로는, 도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 유지구(38)의 상단과 제1 개구부(52)의 상단과의 사이의 높이 방향의 거리(L2)는, 0mm 내지 5mm 정도의 범위 내이다. 또한, 기판 유지구(38)의 하단과 제1 개구부(52)의 하단과의 사이의 높이 방향의 거리(L3)는, 0mm 내지 350mm 정도의 범위 내이다. 또한, 제1 개구부(52)의 폭(L1)은, 10mm 내지 400mm 정도의 범위 내, 바람직하게는 40mm 내지 200mm 정도의 범위 내이다. 또한, 제1 개구부(52)의 4개의 코너부 중 2개의 코너부가 모따기되어 있다.
처리 용기(34)의 하단은, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성되는 원통 형상의 매니폴드(54)에 의해 지지되어 있다. 매니폴드(54)의 상단부에는 플랜지부(56)가 형성되어 있고, 플랜지부(56) 상에 외부관(46)의 하단부를 설치해서 지지하도록 되어 있다. 플랜지부(56)와 외부관(46)과의 하단부와의 사이에는 O링 등의 시일 부재(58)를 개재시켜 외부관(46) 내를 기밀 상태로 하고 있다.
매니폴드(54)의 상부의 내벽에는, 링 형상의 지지부(60)가 설치되어 있고, 지지부(60) 상에 내부관(44)의 하단부를 설치해서 이것을 지지하도록 되어 있다. 매니폴드(54)의 하단의 개구부에는, 덮개부(36)가 O링 등의 시일 부재(62)를 개재해서 기밀하게 설치되어 있고, 처리 용기(34)의 하단의 개구부측, 즉, 매니폴드(54)의 개구부를 기밀하게 막도록 되어 있다. 덮개부(36)는, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성된다.
덮개부(36)의 중앙부에는, 자성 유체 시일부(64)를 개재해서 회전축(66)이 관통되어 설치되어 있다. 회전축(66)의 하부는, 보트 엘리베이터로 이루어지는 승강 수단(68)의 아암(68A)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 모터(69)(도 7 참조)에 의해 회전되도록 되어 있다.
회전축(66)의 상단에는 회전 플레이트(70)가 설치되어 있고, 회전 플레이트(70) 상에 석영제의 보온 대(72)를 개재해서 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지구(38)가 적재되도록 되어 있다. 따라서, 승강 수단(68)을 승강시킴으로써 덮개부(36)와 기판 유지구(38)는 일체적으로 상하 이동하여, 기판 유지구(38)를 처리 용기(34) 내에 대하여 삽입 분리할 수 있도록 되어 있다.
가스 공급 수단(40)은, 매니폴드(54)에 설치되어 있고, 내부관(44) 내에 처리 가스, 퍼지 가스 등의 가스를 도입한다. 가스 공급 수단(40)은, 복수개(예를 들어 3개)의 석영제의 가스 노즐(76, 78, 80)을 갖고 있다. 각 가스 노즐(76, 78, 80)은, 내부관(44) 내에 그 길이 방향을 따라서 설치됨과 함께, 그 기단부가 L자 형상으로 굴곡되어 매니폴드(54)를 관통하도록 해서 지지되어 있다.
가스 노즐(76, 78, 80)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 내부관(44)의 노즐 수용부(48) 내에 둘레 방향을 따라 일렬로 되도록 설치되어 있다. 각 가스 노즐(76, 78, 80)에는, 그 길이 방향을 따라서 소정의 간격으로 복수의 가스 구멍(76A, 78A, 80A)이 형성되어 있고, 각 가스 구멍(76A, 78A, 80A)으로부터 수평 방향을 향해서 각 가스를 방출할 수 있도록 되어 있다. 소정의 간격은, 예를 들어 기판 유지구(38)에 지지되는 웨이퍼(W)의 간격과 동일해지도록 설정된다. 또한, 높이 방향의 위치는, 각 가스 구멍(76A, 78A, 80A)이 상하 방향에 인접하는 웨이퍼(W)간의 중간에 위치하도록 설정되어 있어, 각 가스를 웨이퍼(W)간의 공간부에 효율적으로 공급할 수 있게 되어 있다.
가스의 종류로서는, 원료 가스, 산화 가스 및 퍼지 가스가 사용되고, 각 가스를 유량 제어하면서 필요에 따라 각 가스 노즐(76, 78, 80)을 통해서 공급할 수 있도록 되어 있다. 원료 가스로서 실리콘 함유 가스를 사용하고, 산화 가스로서 오존(O3) 가스를 사용하고, 퍼지 가스로서 질소(N2) 가스를 사용하여, 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition)법에 의해 실리콘 산화막을 형성할 수 있도록 되어 있다. 또한, 사용하는 가스의 종류는 성막하는 막의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다.
또한, 매니폴드(54)의 상부의 측벽이며, 지지부(60)의 상방에는, 가스 출구(82)가 형성되어 있고, 내부관(44)과 외부관(46)과의 사이의 공간부(84)를 통해서 제1 개구부(52)로부터 배출되는 내부관(44) 내의 가스를 배기할 수 있게 되어 있다. 가스 출구(82)에는, 배기 수단(41)이 설치된다. 배기 수단(41)은, 가스 출구(82)에 접속된 배기 통로(86)를 갖고 있으며, 배기 통로(86)에는, 압력 조정 밸브(88) 및 진공 펌프(90)가 순차적으로 설치되어, 처리 용기(34) 내를 진공화할 수 있도록 되어 있다. 제1 개구부(52)의 폭(L1)은 10mm 내지 400mm의 범위 내의 크기로 설정되어 있어, 효율적으로 내부관(44) 내의 가스를 배기할 수 있게 되어 있다.
외부관(46)의 외주측에는, 외부관(46)을 덮도록 원통 형상의 가열 수단(42)이 설치되어 있어, 웨이퍼(W)를 가열하도록 되어 있다.
또한, 내부관(44)의 내부에는, 내부관(44)의 내측벽을 따라 가동 벽(100)이 설치되어 있다. 가동 벽(100)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 반원통 형상을 갖고, 그 측벽에는 제2 개구부(102)가 형성되어 있다.
제2 개구부(102)는, 내부관(44) 내의 가스를 배기할 수 있도록 형성된 가스 배기구이다. 제2 개구부(102)는, 예를 들어 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(52)와 상이한 형상이며, 평행사변 형상으로 형성되어 있다. 제2 개구부(102)의 상단은, 예를 들어 도 1에 도시되는 바와 같이, 제1 개구부(52)의 상단에 대응하는 위치의 높이로 신장되어 위치되어 있다. 제2 개구부(102)의 하단은, 예를 들어 도 1에 도시되는 바와 같이, 제1 개구부(52)의 하단에 대응하는 위치의 높이로 신장되어 위치되어 있다.
가동 벽(100)에는, 자성 유체 시일부(64)를 개재해서 회전축(104)이 관통되어 설치되어 있다. 회전축(104)은, 모터(106)(도 7 참조)에 의해 회전축(66)으로부터 독립적으로 이동 가능(회전 가능)하게 구성되어 있다. 회전축(104)을 회전시켜 가동 벽(100)을 회전시킴으로써, 제1 개구부(52)에 대한 제2 개구부(102)의 위치를 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹치는 영역(이하, 「공통 개구부(CA)」라고 함)의 형상을 변화시킬 수 있다. 그 결과, 내부관(44) 내의 가스의 배기의 밸런스를 조정하여, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 가스의 유속을 제어할 수 있다.
도 1로 돌아가서, 이렇게 형성된 기판 처리 장치(1)의 전체 동작은, 예를 들어 컴퓨터 등으로 이루어지는 제어 수단(110)에 의해 제어되도록 되어 있고, 이 동작을 행하는 컴퓨터의 프로그램은, 기억 매체(112)에 기억되어 있다. 기억 매체(112)는, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 플래시 메모리, DVD 등으로 이루어진다.
도 5는, 공통 개구부를 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (a)는 제2 개구부의 일부가 제1 개구부와 겹쳐 있는 경우의 공통 개구부를 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (b)는, 도 5의 (a)에서의 「TOP」로 나타내는 위치에서의 처리 용기의 횡단면도이다. 도 5의 (c)는, 도 5의 (a)에서의 「CTR」로 나타내는 위치에서의 처리 용기의 횡단면도이다. 도 5의 (d)는, 도 5의 (a)에서의 「BTM」으로 나타내는 위치에서의 처리 용기의 횡단면도이다. 또한, 「TOP」는 처리 용기의 상방측의 위치를 나타내고, 「CTR」은 처리 용기의 중앙부의 위치를 나타내고, 「BTM」은 처리 용기의 하방측의 위치를 나타내고 있다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 제2 개구부(102)의 일부가 제1 개구부(52)에 겹치도록 가동 벽(100)이 위치하고 있는 경우, 공통 개구부(CA)의 개구 폭은, TOP측으로부터 BTM측을 향해서 좁아진다.
구체적으로는, 「TOP」의 위치에서는, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 개구부(102)가 제1 개구부(52)와 완전히 겹쳐 있다. 이 때문에, 공통 개구부(CA)의 개구 폭은, 제1 개구부(52)의 폭이 된다. 또한, 「CTR」의 위치에서는, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 개구부(102)의 일부가 제1 개구부(52)와 겹쳐 있다. 이 때문에, 공통 개구부(CA)의 개구 폭은, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있는 부분의 폭이 되고, 「TOP」의 위치에서의 공통 개구부(CA)의 개구 폭보다도 좁게 되어 있다. 또한, 「BTM」의 위치에서는, 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 제2 개구부(102)의 극히 일부가 제1 개구부(52)와 겹쳐 있다. 이 때문에, 공통 개구부(CA)의 개구 폭은, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있는 부분의 폭이 되고, 「CTR」의 위치에서의 공통 개구부(CA)의 개구 폭보다도 좁게 되어 있다. 이와 같이, 공통 개구부(CA)의 개구 폭은, TOP측으로부터 BTM측을 향해서 좁아지고 있다.
도 6은, 도 4의 가동 벽을 사용한 경우의 제1 개구부와 제2 개구부와의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 6의 (a) 내지 도 6의 (f)는, 가동 벽(100)을 이동(회전)시킴으로써, 제1 개구부(52)에 대한 제2 개구부(102)의 위치를 변화시켰을 때의 공통 개구부(CA)의 형상의 변화를 나타내고 있다.
도 6의 (a) 내지 도 6의 (f)에 도시된 바와 같이, 가동 벽(100)을 회전시킴으로써, 공통 개구부(CA)의 형상을 변화시킬 수 있다.
도 6의 (a)에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 전혀 겹쳐 있지 않아, 공통 개구부(CA)의 개구 면적은 0이다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는 배기되지 않거나, 또는 거의 배기되지 않는다.
도 6의 (b)에서는, 제1 개구부(52)의 상방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있다. 이에 반해, 제1 개구부(52)의 하방측에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있지 않다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 하방측으로부터 배기되지 않고, 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 선택적으로 배기된다.
도 6의 (c)에서는, 제1 개구부(52)의 상방측 및 하방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있고, 그 겹쳐 있는 폭은, 제1 개구부(52)의 하방측보다도 상방측이 더 넓다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 하방측보다도 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 배기되기 쉬워진다.
도 6의 (d)에서는, 제2 개구부(102)가 제1 개구부(52)에 완전히 겹쳐 있다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 전체로부터 배기된다.
도 6의 (e)에서는, 제1 개구부(52)의 상방측 및 하방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있고, 그 겹쳐 있는 폭은, 제1 개구부(52)의 상방측보다도 하방측이 더 넓다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 상방측보다도 제1 개구부(52)의 하방측으로부터 배기되기 쉬워진다.
도 6의 (f)에서는, 제1 개구부(52)의 하방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있다. 이에 반해, 제1 개구부(52)의 상방측에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있지 않다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 배기되지 않고, 제1 개구부(52)의 하방측으로부터 선택적으로 배기된다.
이와 같이, 가동 벽(100)을 회전시킴으로써, 공통 개구부(CA)의 형상을 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 프로세스 조건이나 처리 매수의 변화에 따라서 가동 벽(100)의 위치를 이동시킴으로써, 프로세스 조건이나 처리 매수에 따라서 배기의 밸런스를 조정할 수 있다. 그 결과, 원하는 면간 균일성을 얻을 수 있다.
도 7은, 가동 벽의 회전 기구의 일례를 설명하기 위한 종단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 회전 플레이트(70) 및 가동 벽(100)은, 덮개부(36)에 설치된 이중 축의 자성 유체 시일부(64)에 의해 독립해서 회전 가능하게 구성되어 있다. 구체적으로는, 회전 플레이트(70)는, 회전축(66)을 통해서 모터(69)와 접속되어 있고, 모터(69)에 의해 회전축(66)의 회전 속도 및 회전 각도가 조정됨으로써, 소정의 회전 속도로 소정의 회전 각도만큼 회전한다. 가동 벽(100)은, 회전축(104)을 통해서 모터(106)와 접속되어 있고, 모터(106)에 의해 회전축(104)의 회전 각도 및 회전 속도가 조정됨으로써, 소정의 회전 속도로 소정의 회전 각도만큼 회전한다.
또한, 회전축(66)과 회전축(104)과의 간극, 및 회전축(66)과 덮개부(36)와의 간극에는, 퍼지 가스 노즐(108)이 설치되어 있어, N2 가스 등의 퍼지 가스가 공급 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 처리 용기(34) 내에서 기판 처리를 행함으로써 생성되는 물질이 자성 유체 시일에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
(기판 처리 방법)
상술한 기판 처리 장치(1)를 사용한 기판 처리 방법의 일례에 대해서, 도 8에 기초하여 설명한다. 도 8은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
제1 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1)를 사용해서 ALD법에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 실리콘 산화막을 성막하는 경우를 예로 들어 설명한다. 이 경우, 원료 가스인 실리콘 함유 가스와, 산화 가스인 O3 가스를 교대로 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 실리콘 산화막을 형성한다. 또한, 실리콘 함유 가스와 O3 가스를 절환할 때, 퍼지 가스인 N2 가스를 공급하여, 처리 용기(34) 내를 퍼지한다.
먼저, 예를 들어 50매 내지 150매의 웨이퍼(W)가 적재된 상태의 기판 유지구(38)를, 미리 소정의 온도로 설정된 처리 용기(34) 내에, 그 하방으로부터 상승시켜서 로드한다. 계속해서, 덮개부(36)에 의해 매니폴드(54)의 하단의 개구부를 폐쇄함으로써, 처리 용기(34) 내를 밀폐한다.
이어서, 처리 용기(34) 내를 진공화해서 소정의 프로세스 압력으로 유지함과 함께, 가열 수단(42)에의 공급 전력을 증대시킴으로써, 웨이퍼(W)의 온도를 상승시켜 프로세스 온도로 유지한다.
이어서, 가스 노즐(76)로부터 처리 용기(34) 내에 실리콘 함유 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 실리콘 함유 가스를 흡착시킨다(스텝 S1). 이때, 예를 들어 공통 개구부(CA)의 개구 면적이 0으로 되도록, 즉, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹치지 않도록, 가동 벽(100)을 이동시킨다. 이 때문에, 내부관(44) 내의 가스는 배기되지 않거나, 또는 거의 배기되지 않는다. 이에 의해, 가스 노즐(76)로부터 공급되는 실리콘 함유 가스의 유속이 작아져, 실리콘 함유 가스의 활성도를 높일 수 있다.
이어서, 가스 노즐(76)로부터의 실리콘 함유 가스의 공급을 정지하고, 가스 노즐(80)로부터 처리 용기(34) 내에 N2 가스를 공급하여, 처리 용기(34)를 퍼지한다(스텝 S2). 이때, 예를 들어 공통 개구부(CA)의 개구 면적이 최대가 되도록, 즉, 제1 개구부(52) 및 제2 개구부(102)가 겹치는 영역이 최대가 되도록, 가동 벽(100)을 이동시킨다. 이에 의해, 퍼지 효율을 높일 수 있어, 처리 용기(34) 내를 퍼지하는데 필요한 시간을 단축할 수 있다.
이어서, 가스 노즐(80)로부터의 N2 가스의 공급을 정지하고, 가스 노즐(78)로부터 처리 용기(34) 내에 O3 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된 실리콘 함유 가스를 산화시킨다(스텝 S3). 이때, 예를 들어 제1 개구부(52)의 하방측보다도 제1 개구부(52)의 상방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102)가 겹쳐 있는 영역이 커지도록, 가동 벽(100)을 이동시킨다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 가스 출구(82)로부터 가까운 위치인 제1 개구부(52)의 하방측보다도 가스 출구(82)로부터 먼 위치인 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 배기되기 쉬워진다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 가스의 유속을 웨이퍼(W)간에서 균일화시킬 수 있다.
이어서, 가스 노즐(78)로부터의 O3 가스의 공급을 정지하고, 가스 노즐(80)로부터 처리 용기(34) 내에 N2 가스를 공급하여, 처리 용기(34)를 퍼지한다(스텝 S4). 이때, 예를 들어 공통 개구부(CA)의 개구 면적이 최대가 되도록, 즉, 제1 개구부(52) 및 제2 개구부(102)가 겹치는 영역이 최대가 되도록, 가동 벽(100)을 이동시킨다. 이에 의해, 퍼지 효율을 높일 수 있어, 처리 용기(34) 내를 퍼지하는데 필요한 시간을 단축할 수 있다.
이상의 스텝 S1 내지 스텝 S4를 소정의 횟수 반복함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 원하는 막 두께를 갖는 실리콘 산화막을 형성할 수 있다.
제1 실시 형태에 관한 기판 처리 방법에서는, 프로세스 조건에 따라서 가동 벽(100)을 이동시킴으로써, 내부관(44) 내의 가스의 배기의 밸런스를 조정하여, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 가스의 유속을 제어할 수 있다. 그 결과, 원하는 면간 균일성을 얻을 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 방법에서는, 처리 용기(34)에 공급하는 가스를 절환할 때마다 가동 벽(100)을 이동시키는 경우를 예로 들어 설명했지만, 가동 벽(100)을 이동시키는 타이밍은 이것에 한정되는 것은 아니다.
〔제2 실시 형태〕
본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 9는, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다. 도 10은, 도 9의 기판 처리 장치의 내부관의 일례를 설명하기 위한 사시도이다. 도 11은, 도 9의 기판 처리 장치의 가동 벽의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1A)는, 상술한 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)와는 상이한 내부관(44A)과, 가동 벽(100A)을 갖는다. 또한, 그 밖의 점에 대해서는, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)와 마찬가지의 구성을 갖고 있으므로, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)와 마찬가지의 구성에 대해서는 설명을 생략하고, 상이한 구성에 대해서 설명한다.
도 10에 도시되는 바와 같이, 내부관(44A)에는, 폭(L11), 길이(L12)를 갖는 사각 형상의 개구부가, 내부관(44A)의 길이 방향(상하 방향)을 따라 제1 간격(L13)을 두고 복수 형성됨으로써, 제1 개구부(52A)가 형성되어 있다.
제1 개구부(52A)는, 내부관(44) 내의 가스를 배기할 수 있도록 형성된 가스 배기구이다. 제1 개구부(52A) 중 가장 상방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 상단은, 기판 유지구(38)의 상단에 대응하는 위치 이상의 높이로 연장되어 위치되어 있다. 또한, 제1 개구부(52A) 중 가장 하방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 하단은, 기판 유지구(38)의 하단에 대응하는 위치 이하의 높이로 연장되어 위치되어 있다. 구체적으로는, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판 유지구(38)의 상단과 제1 개구부(52A) 중 가장 상방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 상단과의 사이의 높이 방향의 거리(L2)는, 0mm 내지 5mm 정도의 범위 내이다. 또한, 기판 유지구(38)의 하단과 제1 개구부(52A) 중 가장 하방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 하단과의 사이의 높이 방향의 거리(L3)는, 0mm 내지 350mm 정도의 범위 내이다.
또한, 내부관(44A)의 내부에는, 내부관(44A)의 내측벽을 따라 가동 벽(100A)이 설치되어 있다. 가동 벽(100A)은, 도 11에 도시되는 바와 같이, 원통 형상을 갖고, 그 측벽에는 제2 개구부(102A)가 형성되어 있다.
제2 개구부(102A)는, 내부관(44A) 내의 가스를 배기할 수 있도록 형성된 가스 배기구이다. 제2 개구부(102A)는, 예를 들어 도 11에 도시되는 바와 같이, 폭(L21), 길이(L22)를 갖는 사각 형상 개구부가, 내부관(44A)의 길이 방향(상하 방향)을 따라 제2 간격(L23)을 두고 복수 형성됨으로써 형성되어 있다. 제2 개구부(102A)는, 제2 간격(L23)이, 제1 간격(L13)보다도 작아지도록 형성되어 있다.
가동 벽(100A)에는, 도시하지 않은 승강 기구가 접속되어 있고, 가동 벽(100A)은, 승강 기구에 의해 승강 가능(이동 가능)하게 구성되어 있다. 승강 기구를 동작시켜 가동 벽(100A)을 승강시킴으로써, 제1 개구부(52A)에 대한 제2 개구부(102A)의 위치를 변화시킬 수 있다. 즉, 공통 개구부(CA)의 위치를 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스의 배기의 밸런스를 조정하여, 웨이퍼(W)의 표면에 공급되는 가스의 유속을 제어할 수 있다.
도 12는, 도 11의 가동 벽을 사용한 경우의 제1 개구부와 제2 개구부와의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)는, 가동 벽(100A)을 이동(승강)시킴으로써, 제1 개구부(52A)에 대한 제2 개구부(102A)의 위치를 변화시켰을 때의 공통 개구부(CA)의 위치의 변화를 나타내고 있다.
도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 가동 벽(100A)을 승강시킴으로써 공통 개구부(CA)의 위치를 변화시킬 수 있다.
도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(52A) 중 가장 상방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 상단과 제2 개구부(102A) 중 가장 상방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 상단이 일치하도록 가동 벽(100A)을 상측 방향으로 이동시키면, 제2 간격(L23)이 제1 간격(L13)보다도 작으므로, 제1 개구부(52A)의 상방측에서는, 제1 개구부(52A)와 제2 개구부(102A)가 겹치는 면적이 크고, 제1 개구부(52A)의 하방측에서는, 제1 개구부(52A)와 제2 개구부(102A)가 겹치는 면적이 작아진다. 이에 의해, 내부관(44A) 내의 가스는, 제1 개구부(52A)의 하방측보다도 제1 개구부(52A)의 상방측으로부터 배기되기 쉬워진다.
도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(52A) 중 가장 하방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 하단과 제2 개구부(102A) 중 가장 하방에 위치하는 사각 형상의 개구부의 하단이 일치하도록 가동 벽(100A)을 하측 방향으로 이동시키면, 제2 간격(L23)이 제1 간격(L13)보다도 작으므로, 제1 개구부(52A)의 하방측에서는, 제1 개구부(52A)와 제2 개구부(102A)가 겹치는 면적이 크고, 제1 개구부(52A)의 상방측에서는, 제1 개구부(52A)와 제2 개구부(102A)가 겹치는 면적이 작아진다. 이에 의해, 내부관(44A) 내의 가스는, 제1 개구부(52A)의 상방측보다도 제1 개구부(52A)의 하방측으로부터 배기되기 쉬워진다.
이와 같이, 가동 벽(100A)을 승강시킴으로써 공통 개구부(CA)의 위치를 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 프로세스 조건이나 처리 매수의 변화에 따라서 가동 벽(100A)의 위치를 이동시킴으로써, 프로세스 조건이나 처리 매수에 따라서 배기의 밸런스를 조정할 수 있다. 그 결과, 원하는 면간 균일성을 얻을 수 있다.
〔제3 실시 형태〕
본 발명의 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 13은, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 가동 벽의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 상술한 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)와는 상이한 가동 벽(100B)을 갖는다. 또한, 그 밖의 점에 대해서는, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)와 마찬가지의 구성을 갖고 있으므로, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(1)와 마찬가지의 구성에 대해서는 설명을 생략하고, 상이한 구성에 대해서 설명한다.
가동 벽(100B)은, 도 13에 도시된 바와 같이, 반원통 형상을 갖고, 제2 개구부(102B1, 102B2)가 형성되어 있다.
제2 개구부(102B1, 102B2)는, 내부관(44) 내의 가스를 배기할 수 있도록 형성된 가스 배기구이다. 제2 개구부(102B1, 102B2)는, 제1 개구부(52)와 상이한 형상으로 형성되어 있다. 또한, 제2 개구부(102B1, 102B2)는, 서로 다른 형상을 갖고, 예를 들어 평행하지 않은 두 변이 이루는 각도가 상이한 평행사변형 형상으로 형성되어 있다. 도 13에서는, 제2 개구부(102B1)의 형상이 상술한 제2 개구부(102)와 마찬가지의 형상인 경우를 나타내고 있다. 또한, 제2 개구부(102B1, 102B2)의 형상은, 이것에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상으로 할 수 있다.
제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B1, 102B2)와의 위치 관계에 대해서 설명한다.
제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B1)와의 위치 관계에 대해서는, 제1 실시 형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
도 14는, 도 13의 가동 벽(100B)을 사용한 경우의 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)와의 위치 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 14의 (a) 내지 도 14의 (f)는, 가동 벽(100B)을 이동(회전)시킴으로써 제1 개구부(52)에 대한 제2 개구부(102B2)의 위치를 변화시켰을 때의 공통 개구부(CA)의 형상의 변화를 나타내고 있다.
도 14의 (a) 내지 도 14의 (f)에 도시된 바와 같이, 가동 벽(100B)을 회전시킴으로써, 공통 개구부(CA)의 형상을 변화시킬 수 있다.
도 14의 (a)에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 전혀 겹쳐 있지 않아, 공통 개구부(CA)의 개구 면적은 0이다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는 배기되지 않거나, 또는 거의 배기되지 않는다.
도 14의 (b)에서는, 제1 개구부(52)의 상방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 겹쳐 있다. 이에 반해, 제1 개구부(52)의 하방측에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 겹쳐 있지 않다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 하방측으로부터 배기되지 않고, 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 선택적으로 배기된다.
도 14의 (c)에서는, 제1 개구부(52)의 상방측 및 하방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 겹쳐 있고, 그 겹쳐 있는 폭은, 제1 개구부(52)의 하방측보다도 상방측이 더 넓다. 또한, 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 중앙부까지의 높이에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 완전히 겹쳐 있다. 즉, 제1 개구부(52)의 중앙부보다도 상방측에서는 공통 개구부(CA)가 I형의 형상으로 되어 있고, 제1 개구부(52)의 중앙부보다도 하방측에서는 공통 개구부(CA)가 V형의 형상으로 되어 있다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 하방측보다도 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 배기되기 쉬워진다.
도 14의 (d)에서는, 제2 개구부(102B2)가 제1 개구부(52)에 거의 완전히 겹쳐 있다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 전체로부터 배기된다.
도 14의 (e)에서는, 제1 개구부(52)의 상방측 및 하방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 겹쳐 있고, 그 겹쳐 있는 폭은, 제1 개구부(52)의 상방측보다도 하방측이 더 넓다. 또한, 제1 개구부(52)의 하방측으로부터 중앙부까지의 높이에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 완전히 겹쳐 있다. 즉, 제1 개구부(52)의 중앙부보다도 상방측에서는 공통 개구부(CA)가 V형의 형상으로 되어 있고, 제1 개구부(52)의 중앙부보다도 하방측에서는 공통 개구부(CA)가 I형의 형상으로 되어 있다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 상방측보다도 제1 개구부(52)의 하방측으로부터 배기되기 쉬워진다.
도 14의 (f)에서는, 제1 개구부(52)의 하방측에 있어서, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 겹쳐 있다. 이에 반해, 제1 개구부(52)의 상방측에서는, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B2)가 겹쳐 있지 않다. 이에 의해, 내부관(44) 내의 가스는, 제1 개구부(52)의 상방측으로부터 배기되지 않고, 제1 개구부(52)의 하방측으로부터 선택적으로 배기된다.
이와 같이, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서는, 가동 벽(100B)을 회전시킴으로써, 제2 개구부(102B1) 또는 제2 개구부(102B2)의 한쪽이 제1 개구부(52)와 겹치도록 할 수 있다. 이에 의해, 공통 개구부(CA)의 형상의 베리에이션을 증가시킬 수 있다. 이 때문에, 제1 실시 형태보다도 배기의 밸런스를 보다 미세하게 조정할 수 있다. 그 결과, 면간 균일성을 더욱 높은 정밀도로 제어할 수 있다.
또한, 제3 실시 형태에서는, 내부관(44)에 제1 개구부(52)가 1개 형성되어 있는 경우를 예로 들어 설명했지만, 제1 개구부(52)가 복수 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 복수의 제1 개구부(52)의 각각의 형상은, 서로 다른 것인 것이 바람직하다. 이에 의해, 제1 개구부(52)와 제2 개구부(102B1, 102B2)와의 중첩에 의해 형성되는 공통 개구부(CA)의 형상의 베리에이션을 더욱 증가시킬 수 있다. 이 경우, 제2 개구부는 1개이어도 되고, 복수이어도 된다.
(실시예)
공통 개구부(CA)의 형상을 변화시켰을 때의, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 막의 막 두께의 면간 균일성에 대해서 설명한다. 도 15는, 면간 균일성을 설명하기 위한 도면이다. 도 15의 (a)는 제1 개구부의 형상을 설명하기 위한 도면이다. 도 15의 (b)는 웨이퍼(W)의 위치와 웨이퍼(W)에 형성된 실리콘 산화막의 막 두께와의 관계를 나타내고 있다. 도 15의 (b)에서, 횡축은 웨이퍼(W)의 위치를 나타내고, 종축은 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 실리콘 산화막의 막 두께(nm)를 나타내고 있다. 또한, 도 15의 (b) 중, 「TOP」는 처리 용기의 상방측의 위치를 나타내고, 「CTR」은 처리 용기의 중앙부의 위치를 나타내고, 「BTM」은 처리 용기의 하방측의 위치를 나타내고 있다. 또한, 도 15 중, 「T-C」는 「TOP」와 「CTR」과의 사이의 위치를 나타내고, 「C-B」는 「CTR」과 「BTM」과의 사이의 위치를 나타내고 있다.
도 15에서는, 일례로서, 원료 가스로서 헥사디클로로실란(HCD) 가스, 산화 가스로서 O3 가스를 사용해서 실리콘 산화막을 형성한 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 실시예에서는, 제1 개구부(52)의 형상을 변경함으로써, 공통 개구부(CA)의 형상을 변화시켰을 때의 상태를 의사적으로 형성하였다. 구체적으로는, 제1 개구부(52)의 형상을 V형(도 15의 (a) 중의 좌측에 나타냄), 또는 I형(도 15의 (a) 중의 우측에 나타냄)으로 변경하였다.
도 15의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(52)의 형상이 V형인 경우와 I형인 경우는, 웨이퍼(W)에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께의 면간 균일성이 크게 상이한 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 제1 개구부(52)의 형상이 V형인 경우, 「BTM」의 위치에서의 웨이퍼(W)에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께가 얇게 되어 있다. 이것은, BTM측에 공급되는 HCD 가스가 내부관(44) 내에서 제1 개구부(52)의 개구 면적이 큰 TOP측으로 흐르기 때문이라고 생각된다. 이에 반해, 제1 개구부(52)의 형상이 I형인 경우, 「BTM」의 위치에서의 웨이퍼(W)에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께가, 제1 개구부(52)의 형상이 V형인 경우보다도 두꺼워져, 면간 균일성이 향상되어 있다. 이것은, 제1 개구부(52)의 형상이 V형인 경우와 비교하여, 「TOP」의 위치에서의 개구 폭이 좁으므로, BTM측에 공급되는 HCD 가스가 내부관(44) 내에서 TOP측으로 흐르지 않게 되기 때문이라고 생각된다.
이와 같이, 제1 개구부(52)의 형상을 변화시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 막의 막 두께의 면간 균일성을 제어할 수 있으므로, 공통 개구부(CA)의 형상을 변화시킴으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 막의 막 두께의 면간 균일성을 제어할 수 있다고 생각된다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명했지만, 상기 내용은, 발명의 내용을 한정하는 것이 아니라, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다.
상기 실시 형태에서는, 가동 벽(100)이 내부관(44)의 내 측벽을 따라 설치되어 있는 형태에 대해서 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 내부관(44)과 외부관(46)과의 사이에 설치되어 있어도 된다. 이 경우에는, 내부관(44)의 외측벽을 따라 가동 벽(100)을 설치하도록 한다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 실리콘 산화막을 성막하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 성막해야 할 막종에 관계없이 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에서는, ALD법을 사용하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 CVD법을 사용하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 플라스마를 사용하지 않는 성막 처리에 대해서 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 플라스마를 사용한 성막 처리를 행하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우에는, 예를 들어 노즐 수용부(48)를 구획하는 볼록부(50)의 구획벽의 외측에, 그 길이 방향을 따라서 플라스마 발생용의 고주파 전력을 인가하는 전력판을 설치해서 플라스마를 발생시키도록 한다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명했지만, 반도체 웨이퍼에는 실리콘 기판이나 GaAs, SiC, GaN 등의 화합물 반도체 기판도 포함된다. 또한, 이들 기판에 한정되지 않고, 액정 표시 장치에 사용하는 유리 기판이나 세라믹 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
1 : 기판 처리 장치 41 : 배기 수단
44 : 내부관 46 : 외부관
52 : 제1 개구부 76 : 가스 노즐
78 : 가스 노즐 80 : 가스 노즐
100 : 가동 벽 102 : 제2 개구부
104 : 회전축 106 : 모터
110 : 제어 수단 W : 웨이퍼

Claims (11)

  1. 복수매의 기판이 수용 가능하게 설치되고, 제1 개구부를 포함하는 내부관과,
    상기 내부관을 둘러싸는 외부관과,
    상기 내부관의 내부 또는 상기 내부관과 상기 외부관과의 사이에 이동 가능하게 설치되고, 제2 개구부를 포함하는 가동 벽과,
    상기 기판에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단과,
    상기 가동 벽보다도 외측의 위치에 설치되고, 상기 기판에 공급되는 상기 처리 가스를 배기하는 배기 수단,
    을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기 수단은, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해서 상기 기판에 공급되는 상기 처리 가스를 배기하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가동 벽은, 상기 내부관의 측벽을 따라 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가동 벽은, 반원통 형상을 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 가동 벽은, 원통 형상을 갖는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 개구부는, 상기 제1 개구부와는 상이한 형상을 갖는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가동 벽을 이동시키는 구동 기구와,
    상기 구동 기구의 동작을 제어하는 제어 수단,
    을 더 포함하고,
    상기 제어 수단은, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부가 겹침으로써 형성되는 개구부의 형상을 변화시키도록 상기 구동 기구의 동작을 제어하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 구동 기구는, 상기 가동 벽을 상기 내부관의 둘레 방향을 따라 이동시키는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 개구부는, 사각 형상을 갖고,
    상기 제2 개구부는, 평행사변형 형상을 갖는, 기판 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 구동 기구는, 상기 가동 벽을 상기 내부관의 상하 방향을 따라서 이동시키는, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 개구부는, 상기 내부관의 길이 방향을 따라서 제1 간격을 두고 형성되는 복수의 개구부를 포함하고,
    상기 제2 개구부는, 상기 내부관의 길이 방향을 따라서 제2 간격을 두고 형성되는 복수의 개구부를 포함하고,
    상기 제1 간격과 상기 제2 간격이 상이한, 기판 처리 장치.
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