TWI731226B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI731226B
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福島講平
岡部庸之
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

提供一種可控制面間均勻性的基板處理裝置。
一實施形態的基板處理裝置係具備有：內管，係設置為可收納複數片基板，並具有第1開口部；外管，係圍繞該內管；可動壁，係設置為可在該內管內或該內管與該外管之間移動，並具有第2開口部；氣體供給機構，係將處理氣體供給至該內管內；排氣機構，係設置於較該可動壁要靠外側，且將供給至該內管內之該處理氣體透過該第1開口部及該第2開口部來加以排氣；以及壓力檢出機構，係檢出該內管內之壓力。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置。
已知一種可將多層地保持於基板保持具的複數片基板批次處理的批次式基板處理裝置。
作為批次式基板處理裝置，已知一種裝置，係具有：收納有基板的內管；圍繞內管的外管；設置於內管側壁的氣體排氣口；以及將內管與外管所夾置之空間排氣的排氣單元(參照例如專利文獻1)。此裝置會藉由隨著接近於排氣單元而使氣體排氣口之開口寬度漸漸地變窄，來調整排氣平衡，以在基板間使供給至基板表面之氣體流速均勻化。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特許第5284182號公報
然而，由於上述基板處理裝置中，氣體排氣口的開口形狀會依裝置來決定，故會有因程序條件或處理片數的改變而無法得到所欲的面間均勻性之情況。這是因為無法依每個程序條件或處理片數來調整排氣平衡之故。
於是本發明一態樣的目的在於可控制面間均勻性的基板處理裝置。
為達上述目的，本發明一態樣相關的基板處理裝置，係具備有：內管，係設置為可收納複數片的基板，並具有第1開口部；外管，係圍繞該內管；可動壁，係設置為可在該內管內或該內管與該外管之間移動，並具有第2開 口部；氣體供給機構，係將處理氣體供給至該內管內；排氣機構，係設置於較該可動壁要靠外側，且將供給至該內管內之該處理氣體透過該第1開口部及該第2開口部來加以排氣；以及壓力檢出機構，係檢出該內管內之壓力。
根據揭露之基板處理裝置，便可控制面間均勻性。
1‧‧‧基板處理裝置
34‧‧‧處理容器
41‧‧‧排氣機構
44‧‧‧內管
46‧‧‧外管
52‧‧‧第1開口部
76‧‧‧氣體噴嘴
78‧‧‧氣體噴嘴
80‧‧‧氣體噴嘴
88‧‧‧壓力調整閥
100‧‧‧可動壁
102‧‧‧第2開口部
104‧‧‧旋轉軸
110‧‧‧壓力檢出機構
112‧‧‧感應管
114‧‧‧第2真空計
120‧‧‧控制機構
122‧‧‧記憶媒體
W‧‧‧晶圓
圖1係第1實施形態相關之基板處理裝置的概略圖。
圖2係用以說明圖1之基板處理裝置的處理容器的橫剖面圖。
圖3係用以說明圖1之基板處理裝置的內管一範例的立體圖。
圖4係用以說明圖1之基板處理裝置的可動壁一範例的立體圖。
圖5係用以說明共通開口部的圖式。
圖6係用以說明第1開口部與第2開口部的位置關係之圖式。
圖7係顯示第1實施形態相關之壓力調整方法的流程圖。
圖8係第1實施形態相關之壓力調整方法的各步驟說明圖(1)。
圖9係第1實施形態相關之壓力調整方法的各步驟說明圖(2)。
圖10係第1實施形態相關之壓力調整方法的各步驟說明圖(3)。
圖11係第1實施形態相關之壓力調整方法的各步驟說明圖(4)。
圖12係第1實施形態相關之壓力調整方法的各步驟說明圖(5)。
圖13係第1實施形態相關之壓力調整方法的各步驟說明圖(6)。
圖14係第2實施形態相關之基板處理裝置的概略圖。
以下，便參照圖式就用以實施本發明之形態來加以說明。另外，本說明書及圖式中係就實質上相同的構成附加相同符號並省略重複說明。
[第1實施形態]
(基板處理裝置)
就本發明第1實施形態相關之基板處理裝置來加以說明。圖1係第1實施形態相關之基板處理裝置的概略圖。圖2係用以說明圖1之基板處理裝置的 處理容器的橫剖面圖。圖3係用以說明圖1之基板處理裝置的內管一範例的立體圖。圖4係用以說明圖1之基板處理裝置的可動壁一範例的立體圖。
如圖1所示，基板處理裝置1係具有可收納為基板之半導體晶圓(以下稱為「晶圓W」)的處理容器34。
處理容器34係具有：下端部呈開放的有頂圓筒形狀的內管44；以及下端部呈開放且會覆蓋內管44外側之有頂圓筒形狀的外管46。內管44及外管46會藉由石英等的耐熱性材料所形成，且會配置為同軸狀而成為雙重管構造。處理容器34內係搬出入有以既定間隔來保持複數片晶圓W的基板保持具38。
內管44之頂部44A會成為例如平坦。內管44一側係沿著其長邊方向(上下方向)來形成有收納氣體噴嘴之噴嘴收納部48。第1實施形態中，如圖2所示，係使內管44側壁一部分朝向外側突出而形成凸部50，並將凸部50內形成為噴嘴收納部48。
又，對向於噴嘴收納部48的內管44相反側的側壁如圖3所示，係沿著其長邊方向(上下方向)來形成有寬度L1的矩形狀第1開口部52。
第1開口部52係形成為可將內管44內之氣體排氣的氣體排氣口。第1開口部52之長度係以與基板保持具38之長度相同，或是較基板保持具38之長度要長而分別朝上下方向延伸的方式來加以形成。亦即，第1開口部52上端會延伸位在對應於基板保持具38上端的位置以上之高度，第1開口部52下端會延伸位在對應於基板保持具38下端的位置以下之高度。具體而言，如圖1所示，基板保持具38上端與第1開口部52上端之間的高度方向之距離L2會在0mm~5mm左右的範圍內。又，基板保持具38下端與第1開口部52下端之間的高度方向之距離L3會在0mm~350mm左右的範圍內。又，第1開口部52之寬度L1係在10mm~400mm左右的範圍內，較佳地係在40mm~200mm左右的範圍內。又，第1開口部52之4個角部中2個角部會被削圓。
處理容器34下端會藉由例如由不鏽鋼所形成之圓筒形狀的分歧管54來被加以支撐。分歧管54上端部係形成有凸緣部56，將外管46下端部設置在凸緣部56上來加以支撐。凸緣部56與外管46之下端部之間係介設O型環等的密封構件58來使外管46內成為氣密狀態。
分歧管54上部之內壁係設置有圓環狀支撐部60，而會將內管44下端部設置於支撐部60上以將其支撐。分歧管54下端之開口部係透過O型環等的密封構件62來氣密地安裝有蓋部36，以氣密地阻塞處理容器34下端的開口部側，亦即分歧管54之開口部。蓋部36會藉由例如不鏽鋼來加以形成。
蓋部36中央部係透過磁性流體密封部64來貫穿設置有旋轉軸66。旋轉軸66下部會旋轉自如地被支撐於由晶舟升降機所構成之升降機構68的臂部68A，而會藉由馬達來加以旋轉。
旋轉軸66上端係設置有旋轉板70，而會在旋轉板70上透過石英製之保溫台72來載置有保持晶圓W的基板保持具38。從而，藉由讓升降機構68升降來使蓋部36與基板保持具38整體上下移動，而可相對於處理容器34內來搬出入基板保持具38。
氣體供給機構40會設置於分歧管54，而將處理氣體、沖淨氣體等的氣體朝內管44內導入。氣體供給機構40係具有複數(例如3根)石英製的氣體噴嘴76、78、80。各氣體噴嘴76、78、80會在內管44內沿著其長邊方向來設置，並以使其基端部會彎曲為L字狀而貫穿分歧管54的方式來被加以支撐。
氣體噴嘴76、78、80如圖2所示，係設置為在內管44之噴嘴收納部48內沿著周圍方向來成為一列。各氣體噴嘴76、78、80係沿著其長邊方向以既定間隔來形成有複數氣體孔76A、78A、80A，而可從各氣體孔76A、78A、80A朝水平方向來噴出各氣體。既定間隔係設定為與被例如基板保持具38所支撐的晶圓W間隔相同。又，高度方向之位置係設定為各氣體孔76A、78A、80A會位在相鄰於上下方向的晶圓W間的中間，而可有效率地將各氣體供給至晶圓W間的空間部分。
氣體種類可使用原料氣體、氧化氣體及沖淨氣體，而將各氣體一邊流量控制，一邊依需要而透過各氣體噴嘴76、78、80來加以供給。例如，藉由使用含矽氣體來作為原料氣體，使用臭氧氣體來作為氧化氣體，使用氮氣來作為沖淨氣體，便可以原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法來形成矽氧化膜。另外，氣體種類可對應於所成膜出之膜的種類來適當選擇。
又，為分歧管54上部的側壁之支撐部60上方係形成有氣體出口82，而可透過內管44與外管46之間的空間部分84來將從第1開口部52所排出之內管44內的氣體排氣。氣體出口82係設置有排氣機構41。排氣機構41係具有連接於氣體出口82之排氣通道86，排氣通道86係依序介設有為壓力調整機構之壓力調整閥88及真空泵90，而可將處理容器34內真空排氣。又，排氣通道86係設置有真空感應器(Baratron)等的第1真空計92，而可檢出排氣通道86內之壓力。
外管46外周側係以覆蓋外管46的方式來設置有圓筒形狀的加熱機構42，以加熱晶圓W。
又，內管44內係沿著內管44之內側壁來設置有可動壁100。可動壁100如圖4所示，係具有半圓筒形狀，其側壁係形成有第2開口部102。
第2開口部102係形成為可將內管44內之氣體排氣的氣體排氣口。第2開口部102如圖4所示，係與第1開口部52為不同的形狀，而形成為平行四邊形狀。第2開口部102上端如圖1所示，係延伸位在對應於第1開口部52上端的位置之高度。第2開口部102下端如圖1所示，係延伸位在對應於第1開口部52下端的位置之高度。
可動壁100係透過磁性流體密封部64來貫穿設置有旋轉軸104。旋轉軸104會構成為可藉由馬達來從旋轉軸66獨立移動(可旋轉)。藉由旋轉旋轉軸104來使可動壁100旋轉，便可改變第2開口部102相對於第1開口部52的位置。藉此，便可改變第1開口部52與第2開口部102所重疊之區域(以下稱為「共通開口部CA」。)的形狀。其結果，便可調整內管44內之氣體的排氣平衡，而控制供給至晶圓W表面的氣體流速。
壓力檢出機構110會設置於分歧管54。壓力檢出機構110係具有石英製感應管112。感應管112係一端會與內管44內連通，而沿著其長邊方向來設置於內管44內，且會以其基端部會彎曲為L字狀而貫穿分歧管54之方式來被加以支撐。感應管112係安裝有會檢出感應管112內之壓力的真空感應器(Baratron)等的第2真空計114，而可檢出感應管112內之壓力。圖示範例中，由於感應管112之前端會位於內管44內下部，故可檢出內管44內之下部的壓力。又，感應管112前端可位於內管44內之中央部，亦可位於上部。
較佳地，感應管112係可於其內部流通沖淨氣體等的氣體。藉由讓沖淨 氣體等的氣體流通於感應管112內，便可抑制沉積物附著在感應管112內。又，流通於感應管112內之沖淨氣體等的氣體較佳地係固定流量。由於藉由為固定流量，便可使內管44內之壓力與感應管112內之壓力的比為固定，故藉由預先測量內管44內之壓力與感應管112內之壓力的關係，便可以高精度來檢出內管44內之壓力。
回到圖1，此般形成的基板處理裝置1之整體動作會藉由例如由電腦等所構成之控制機構120來加以控制。進行此動作之電腦的程式會被記憶於例如記憶媒體122。記憶媒體122可為例如軟碟、光碟、硬碟、快閃記憶體、DVD等。
控制機構120會基於壓力檢出機構110所檢出之內管44內的壓力來控制壓力調整閥88及可動壁100。
又，控制機構120係在可動壁100之旋轉角度與內管44內之壓力的關係會與預定之可動壁100之旋轉角度與內管44內之壓力的關係有所不同的情況下，將可動壁100之旋轉角度與內管44內之壓力的關係朝靠近於預定關係的方向修正。
預定之可動壁100之旋轉角度與內管44內之壓力的關係可為在與基板處理裝置1不同之基板處理裝置(以下亦稱為「基準裝置」)中所取得的可動壁之旋轉角度與內管內之壓力的關係。藉此，控制機構120便可使基板處理裝置1之可動壁100的旋轉角度與內管44內之壓力一致於基準裝置的可動壁100之旋轉角度與內管44內之壓力的關係。其結果，便可減少機體差異(裝置間之不一致)。另外，預定的可動壁100之旋轉角度與內管44內之壓力的關係可被記憶於例如記憶媒體122。又，在控制機構120連接於通訊網絡的情況下，預定的可動壁100之旋轉角度與內管44內之壓力的關係便可被記憶於透過通訊網絡來連接之其他基板處理裝置、網路主機等。
具體而言，控制機構120係在例如藉由壓力檢出機構110所檢出之內管44內的壓力從略固定值轉變為減少或增加時之可動壁100的位置是與預定的第1位置不同的情況，會將內管44內之壓力從略固定值轉變為減少或增加時之可動壁100的位置朝靠近於第1位置的方向修正。第1位置可為例如在基準裝置中，內管44內之壓力從略固定值轉變為減少或增加時之可動壁100的位置。
又，控制機構120係在例如可動壁100位於第2位置的情況下之內管44內的壓力是與預定的第2壓力不同的情況，會將可動壁100位於第2位置的情況下之內管44內的壓力朝靠近於第2壓力的方向修正。第2壓力可為在例如基準裝置中，可動壁位於第2位置之情況下的內管內之壓力。第2位置可為例如共通開口部CA為最大的位置或最小的位置。
圖5係用以說明共通開口部CA的圖式。圖5(a)係用以說明第2開口部102一部分會與第1開口部52重疊之情況的共通開口部之圖式。圖5(b)係圖5(a)中之「TOP」所表示的位置之處理容器34的橫剖面圖。圖5(c)係圖5(a)中之「CTR」所表示的位置之處理容器34的橫剖面圖。圖5(d)係圖5(a)中之「BTM」所表示的位置之處理容器34的橫剖面圖。另外，「TOP」係表示處理容器34上方側的位置，「CTR」係表示處理容器34中央部的位置，「BTM」係表示處理容器34下方側的位置。
如圖5(a)所示，在以第2開口部102一部分會重疊於第1開口部52的方式來設置可動壁100的情況，共通開口部CA的開口寬度會從TOP側朝向BTM側變窄。
具體而言，「TOP」的位置如圖5(b)所示，係第2開口部102會與第1開口部52完全重疊。因此，共通開口部CA的開口寬度便會為第1開口部52之寬度。又，「CTR」的位置中，如圖5(c)所示，第2開口部102一部分會與第1開口部52重疊。因此，共通開口部CA之開口寬度便會為第1開口部52與第2開口部102所重疊的部分之寬度，而會較「TOP」的位置中之共通開口部CA之開口寬度要窄。「BTM」的位置如圖5(d)所示，係第2開口部102的極少部分會與第1開口部52重疊。因此，共通開口部CA的開口寬度便會為第1開口部52與第2開口部102所重疊的部分之寬度，而會較「CTR」的位置中之共通開口部CA之開口寬度要窄。如此般，共通開口部CA的開口寬度便會從TOP側朝BTM側變窄。
圖6係用以說明第1開口部52與第2開口部102之位置關係的圖式。圖6(a)到圖6(f)係顯示藉由讓可動壁100移動(旋轉)來改變第2開口部102相對於第1開口部52的位置時之共通開口部CA的形狀改變。
如圖6(a)到圖6(f)所示，可藉由讓可動壁100旋轉來改變共通開口部CA的形狀。
圖6(a)中，第1開口部52與第2開口部102完全不重疊，共通開口部CA之開口面積為0。藉此，內管44內之氣體便不會被排氣，或是幾乎不會被排氣。
圖6(b)中，第1開口部52與第2開口部102會在第1開口部52上方側重疊。相對於此，第1開口部52與第2開口部102並不會在第1開口部52下方側重疊。藉此，內管44內之氣體便不會從第1開口部52下方側被排氣，而會選擇性地從第1開口部52上方側被排氣。
圖6(c)中，第1開口部52與第2開口部102會在第1開口部52上方側及下方側重疊。其重疊之寬度係相較於第1開口部52的下方側，上方側會要寬。藉此，內管44內之氣體相較於第1開口部52下方側，會較容易從第1開口部52的上方側被排氣。
圖6(d)中，第2開口部102會完全重疊於第1開口部52。藉此，內管44內之氣體便會從整體第1開口部52被排氣。
圖6(e)中，第1開口部52與第2開口部會在第1開口部52上方側及下方側重疊，其重疊的寬度係相較於第1開口部52上方側，下方側會要寬。藉此，內管44內之氣體係相較於第1開口部52上方側，會較容易從第1開口部52下方側被排氣。
圖6(f)中，第1開口部52與第2開口部102會在第1開口部52下方側重疊。相對於此，第1開口部52與第2開口部102並不會在第1開口部52上方側重疊。藉此，內管44內之氣體便不會從第1開口部52上方側被排氣，而會選擇性地從第1開口部52下方側被排氣。
如此般，藉由旋轉可動壁100，便可改變共通開口部CA的形狀。藉此，藉由對應於程序條件或處理片數的改變來移動可動壁100之位置，便可對應於程序條件或處理片數來調整排氣平衡。其結果，便可得到所欲的面間均勻性。
另外，雖第1實施形態之基板處理裝置1除了檢出排氣通道86內之壓力的第1真空計92以外，還具有檢出內管44內之壓力的壓力檢出機構110，其理由如下。
在從內管44到排氣通道86內的流道之導通率未有改變的情況，內管44內之壓力與排氣通道86內之壓力的比會為固定值。因此，若是能預先測量內管44內之壓力與排氣通道86內之壓力的比的話，便可藉由測量排氣通道86內之壓力，來求得內管44內之壓力。
然而，在沿著內管44之內側壁來設置有可動壁100的情況，會對應於可動壁100之旋轉角度來改變共通開口部CA的形狀，而改變從內管44內透過共通開口部CA到排氣通道86內的流道之導通率。因此，內管44內之壓力與排氣通道86內之壓力的比會改變，即便測量排氣通道86內之壓力，仍無法正確地求得內管44內之壓力。
於是，第1實施形態相關之基板處理裝置1便設置有可檢出內管44內之壓力的壓力檢出機構110。由於藉此，便可直接檢出內管44內之壓力改變，故即便在內管44內之壓力與排氣通道86內之比有改變的情況，仍可以高精度來檢出內管44內之壓力。
(壓力調整方法)
就使用上述基板處理裝置1之壓力調整方法一範例來加以說明。以下，便舉使基板處理裝置1(以下亦稱為「修正對象裝置1」)的可動壁100的旋轉角度與內管44內之壓力的關係一致於在其他基板處理裝置(以下稱為「基準裝置1R」)的可動壁100R的旋轉角度與內管44R內之壓力的關係之情況為範例來加以說明。
圖7係顯示第1實施形態相關之壓力調整方法的流程圖。圖8至圖13係顯示第1實施形態相關之壓力調整方法的各步驟之說明圖。圖8係顯示基準裝置1R中之第1開口部52R與第2開口部102R的位置關係。圖9至圖13係顯示可動壁100、100R的旋轉角度與內管44、44R內之壓力的關係。圖9至圖13中，橫軸係表示可動壁100、100R的旋轉角度，縱軸係表示內管44、44R內之壓力。
首先，便進行基準裝置1R的壓力測量(步驟S1)。具體而言，係讓基準裝置1R的可動壁100R旋轉，並藉由壓力檢出機構來檢出內管44R內部之壓力。藉此，便可取得基準裝置1R中之可動壁100R的旋轉角度與內管44R內之壓力的關係。可動壁100R的旋轉角度與內管44R內的關係可被記憶於例如 記憶媒體。
圖8係顯示可動壁100R位在第1關閉位置、靠上排氣位置、最大開口位置、靠下排氣位置以及第2關閉位置的情況之第1開口部52R與第2開口部102R的位置關係。圖9係顯示依序使可動壁100R旋轉至第1關閉位置、靠上排氣位置、最大開口位置、靠下排氣位置以及第2關閉位置，並藉由壓力檢出機構來測量內管44R內之壓力時的可動壁100R的旋轉角度與內管44R內之壓力的關係。
如圖8所示，第1關閉位置係第1開口部52R與第2開口部102R未重疊時之位置。因此，由於第1關閉位置中，內管44R內之氣體幾乎不會被排氣，故如圖9所示，內管44內之壓力為最高。
又，如圖8所示，靠上排氣位置係第1開口部52R與第2開口部102R的重疊會在上方側較大而在下方側較小的位置。因此，靠上排氣位置中，如圖9所示，內管44R內的壓力會較第1關閉位置要小，而內管44R內之壓力會較最大開口位置要大。
又，如圖8所示，最大開口位置係第2開口部102R會完全重疊於第1開口部52R時的位置。因此，最大開口位置中，由於內管44R內之氣體會最容易被排氣，故如圖9所示，內管44R內之壓力為最低。
又，如圖8所示，靠下排氣位置係第1開口部52R與第2開口部102R的重疊會在下方側較大而在上方側較小的位置。因此，靠下排氣位置中，如圖9所示，內管44R內的壓力會較第1關閉位置要小，而內管44R內之壓力會較最大開口位置要大。
又，如圖8所示，第2關閉位置係第1開口部52R與第2開口部102R未重疊時之位置。因此，由於第2關閉位置中，係與第1關閉位置同樣，內管44R內之氣體幾乎不會被排氣，故如圖9所示，內管44內之壓力為最高。
接著，便進行修正對象裝置1之壓力測量(步驟S2)。具體而言，係與基準裝置1R的情況同樣，讓修正對象裝置1之可動壁100旋轉，並藉由壓力檢出機構110來檢出內管44內之壓力。藉此，便可取得修正對象裝置1中之可動壁100的旋轉角度與內管44內之壓力的關係。可動壁100的旋轉角度與內管44內之壓力的關係可被記憶於例如記憶媒體。
圖10係顯示使可動壁100依序旋轉至第1關閉位置、靠上排氣位置、最大開口位置、靠下排氣位置以及第2關閉位置，並藉由壓力檢出機構110來測量內管44內之壓力時的可動壁100的旋轉角度與內管44內之壓力的關係。圖10中，粗實線係修正對象裝置1中之可動壁100的旋轉角度與內管44內的壓力之關係，細實線係基準裝置1R中之可動壁100R的旋轉角度與內管44R內的壓力之關係。如圖10所示，修正對象裝置1中之可動壁100的旋轉角度與內管44內之壓力的關係並不一致於基準裝置1R中之可動壁100R的旋轉角度與內管44內之壓力的關係。
接著，便進行修正對象裝置1的旋轉角度修正(步驟S3)。具體而言，如圖11所示，控制機構120係在修正對象裝置1的內管44內之壓力從略固定值轉變為減少時之可動壁100的旋轉角度θ 1是與基準裝置1R之內管44R內之壓力從略固定值轉變為減少時之可動壁100R的旋轉角度θ 1R不同的情況，會將旋轉角度θ 1朝靠近於旋轉角度θ 1R的方向修正。又，控制機構120係在修正對象裝置1的內管44內之壓力從減少轉變為略固定值時之可動壁100的旋轉角度θ 2是與基準裝置1R之內管44R內之壓力從減少轉變為略固定值時之可動壁100R的旋轉角度θ 2R不同的情況，會將旋轉角度θ 2朝靠近於旋轉角度θ 2R的方向修正。藉此，便可使修正對象裝置1中在內管44內之壓力改變時的可動壁100的旋轉角度一致於基準裝置1R中在內管44R內之壓力改變時的可動壁100R的旋轉角度。
接著，便進行修正對象裝置1的壓力修正(步驟4)。具體而言，控制機構120係將修正對象裝置1之內管44內的壓力朝靠近於基準裝置1R之內管44R內的壓力之方向修正。例如圖12所示，控制機構120係在修正對象裝置1之可動壁100位在最大開口位置的情況之內管44內之壓力P1是與基準裝置1R之可動壁100R位在最大開口位置的情況之內管44R內之壓力P1R不同的情況，會將壓力P1朝靠近於壓力P1R的方向修正。又，控制機構120係在修正對象裝置1之可動壁100位在關閉位置的情況之內管44內的壓力P2是與基準裝置1R之可動壁100R位在關閉位置的情況之內管44R內之壓力P2R不同的情況，會將壓力P2朝靠近於壓力P2R的方向修正。具體而言，係可藉由減少修正對象裝置1之壓力調整閥88的開合程度，來將P1(P2)靠近於P1R(P2R)。 又，亦可藉由減少修正對象裝置1之真空泵90的旋轉次數，來將P1(P2)靠近於P1R(P2R)。進一步地，控制機構120會藉由基於壓力P1與壓力P1R的差距及壓力P2與壓力P2R的差距的線性內插法來修正修正對象裝置1之可動壁100位在靠上排氣位置及靠下排氣位置的情況之內管44內的壓力。
藉由如此般進行步驟S1到步驟S4，便可如圖13所示，使修正對象裝置1之可動壁100的旋轉角度與內管44內之壓力的關係一致於基準裝置1R的可動壁100R的旋轉角度與內管44R內之壓力的關係。其結果，便可減少機體差異(裝置間之不一致)。
[第2實施形態]
就本發明第2實施形態相關之基板處理裝置來加以說明。圖14係第2實施形態相關之基板處理裝置的概略圖。
第2實施形態相關之基板處理裝置1A係在具有3個壓力檢出機構110a、110b、110c的點上來與圖1所示之第1實施形態相關的基板處理裝置1有所不同。另外，關於其他點，係具有與第1實施形態相關之基板處理裝置1相同的構成，故關於與第1實施形態相關之基板處理裝置1相同的構成便省略說明，而就不同的構成來加以說明。
第2實施形態中，係於分歧管54設置有3個壓力檢出機構110a、110b、110c。壓力檢出機構110a、110b、110c係分別具有石英製之感應管112a、112b、112c。感應管112a、112b、112c係在內管44內沿著其長邊方向來設置，且會以其基端部會彎曲為L字狀而貫穿分歧管54的方式來被加以支撐。感應管112a、112b、112c係安裝有會檢出感應管內之壓力的真空感應器等的第2真空計114a、114b、114c，而可檢出感應管112a、112b、112c內部的壓力。
感應管112a、112b、112c前端會分別位在內管44下部、中央部及上部。藉此，藉由以第2真空計114a、114b、114c來檢出感應管112a、112b、112c內部的壓力，便可檢出內管44內之下部、中央部以及上部中之壓力。亦即，由於可直接檢出內管44內之壓力改變，故即便在內管44內之壓力與排氣通道86內之的比會改變的情況，仍可以高精度來檢出內管44內之壓力。
特別是，由於第2實施形態相關之基板處理裝置1A係可檢出內管44內的下部、中央部以及上部中之壓力，故可以特別高的精度來取得可動壁100之 旋轉角度與內管44內的壓力。
以上，雖已就用以實施本發明之形態來加以說明，但上述內容並非限定發明內容，而可在本發明範圍內進行各種改變及改良。
上述實施形態中，雖已就沿著內管44之內側壁而設置可動壁100的形態來加以說明，但並不限於此，亦可設置於例如內管44與外管46之間。在此情況，便會沿著內管44外側壁來設置可動壁100。
又，上述實施形態中，雖已就未使用電漿之成膜處理來加以說明，但並不限於此，在進行使用電漿之成膜處理的情況亦可適用本發明。在此情況，便會在區劃出例如噴嘴收納部48的凸部50的區劃壁外側，沿著其長邊方向來設置會施加電漿產生用的高頻電力之電力板，以產生電漿。
又，上述實施形態中，雖已舉半導體晶圓作為基板之範例來加以說明，但半導體晶圓亦包含有矽基板或GaAs、SiC、GaN等的化合物半導體基板。進一步地，並不限於該等基板，亦可將本發明適用於液晶顯示裝置所使用的玻璃基板或陶瓷基板等。
1‧‧‧基板處理裝置
34‧‧‧處理容器
36‧‧‧蓋部
38‧‧‧基板保持具
40‧‧‧氣體供給機構
41‧‧‧排氣機構
42‧‧‧加熱機構
44‧‧‧內管
44A‧‧‧頂部
46‧‧‧外管
48‧‧‧噴嘴收納部
50‧‧‧凸部
52‧‧‧第1開口部
54‧‧‧分歧管
56‧‧‧凸緣部
58‧‧‧密封構件
60‧‧‧支撐部
62‧‧‧密封構件
64‧‧‧磁性流體密封部
66‧‧‧旋轉軸
68‧‧‧升降機構
68A‧‧‧臂部
70‧‧‧旋轉板
72‧‧‧保溫台
76‧‧‧氣體噴嘴
76A‧‧‧氣體孔
78‧‧‧氣體噴嘴
80‧‧‧氣體噴嘴
82‧‧‧氣體出口
86‧‧‧排氣通道
88‧‧‧壓力調整閥
90‧‧‧真空泵
92‧‧‧第1真空計
100‧‧‧可動壁
102‧‧‧第2開口部
104‧‧‧旋轉軸
110‧‧‧壓力檢出機構
112‧‧‧感應管
114‧‧‧第2真空計
120‧‧‧控制機構
122‧‧‧記憶媒體
W‧‧‧晶圓
L2‧‧‧距離
L3‧‧‧距離

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：內管，係設置為可收納複數片的基板，並具有第1開口部；外管，係圍繞該內管；可動壁，係設置為可在該內管內或該內管與該外管之間移動，並具有第2關口部；氣體供給機構，係將處理氣體供給至該內管內；排氣機構，係設置於較該可動壁要靠外側，且將供給至該內管內之該處理氣體透過該第1開口部及該第2開口部來加以排氣；壓力檢出機構，係檢出該內管內之壓力；以及控制機構，係基於藉由該壓力檢出機構所檢出之該內管內的壓力，來控制該可動壁。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該壓力檢出機構係包含：一或複數之感應管，係一端會與該內管內連通；以及一或複數真空計，係檢出該一或複數感應管內之壓力。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該一或複數之感應管係可讓氣體流通於其內部。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該排氣機構係包含調整該內管內之壓力的壓力調整機構。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中該控制機構，係基於藉由該壓力檢出機構所檢出之該內管內的壓力，來控制該壓力調整機構。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該控制機構係在藉由該壓力檢出機構所檢出之該內管內的壓力從略固定值轉變為減少或增加時之該可動壁的位置會與預定的第1位置有所不同的情況，便會將該內管內的壓力從略固定值轉變為減少或增加時之該可動壁的位置朝靠近於該第1位置的方向修正。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該第1位置在與該基板處理裝置有所不同之基板處理裝置中，為內管內的壓力從略固定時轉變為 減少或增加時之可動壁的位置。
  8. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該控制機構係在該可動壁位於第2位置之情況的該內管內的壓力會與預定之第2壓力有所不同的情況，便會將在該可動壁位於第2位置之情況的該內管內的壓力朝靠近於該第2壓力的方向修正。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該第2壓力在與該基板處理裝置有所不同之基板處理裝置中，為可動壁位於該第2位置的情況之內管內的壓力。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該第2位置係該第1開口部與該第2開口部所重疊之區域為最大的位置或是為最小的位置。
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