JP2022047594A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理基板上に形成される所定膜の処理基板間での膜厚均一性を向上させること。【解決手段】実施形態の基板処理装置は、所定方向に延伸し、複数の処理基板を収容可能なインナチューブと、インナチューブを取り囲むように所定方向に延伸し、内部を気密に封止可能なアウタチューブと、インナチューブの内部に配置されるノズルと、ノズルを介してインナチューブの内部に処理基板を処理する処理ガスを供給するガス供給部と、インナチューブのノズルに対向する側面に設けられ、インナチューブの延伸方向に延びるスリットと、アウタチューブに設けられた排気口と、を備え、スリットの延伸方向の中央部における開口面積は、延伸方向の両端部における開口面積よりも大きい。【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造装置の1つに、複数の処理基板を並列に配列して収容したチューブ内に、一方側から処理ガスを供給し、処理基板上を通過させて他方側から排気することで、処理基板上に所定膜を形成する基板処理装置がある。チューブ内では、複数の処理基板の両端部にダミー基板が配置される。
しかしながら、複数の処理基板のうち、配列の両端部付近に位置する処理基板上の所定膜の膜厚が、配列の中央付近に位置する処理基板上の所定膜の膜厚よりも厚くなってしまうことがある。
1つの実施形態は、処理基板上に形成される所定膜の処理基板間での膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
実施形態の基板処理装置は、所定方向に延伸し、複数の処理基板を収容可能なインナチューブと、前記インナチューブを取り囲むように前記所定方向に延伸し、内部を気密に封止可能なアウタチューブと、前記インナチューブの内部に配置されるノズルと、前記ノズルを介して前記インナチューブの内部に前記処理基板を処理する処理ガスを供給するガス供給部と、前記インナチューブの前記ノズルに対向する側面に設けられ、前記インナチューブの延伸方向に延びるスリットと、前記アウタチューブに設けられた排気口と、を備え、前記スリットの延伸方向の中央部における開口面積は、前記延伸方向の両端部における開口面積よりも大きい。
以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
(基板処理装置の構成例)
図1は、実施形態にかかる基板処理装置1の構成の一例を示す図である。図1に示すように、基板処理装置1は、アウタチューブ10、ガス排気部20、インナチューブ30、ノズル40、ガス供給部50、加熱部70、ボート80、基部90、及び制御部100を備える。
図1は、実施形態にかかる基板処理装置1の構成の一例を示す図である。図1に示すように、基板処理装置1は、アウタチューブ10、ガス排気部20、インナチューブ30、ノズル40、ガス供給部50、加熱部70、ボート80、基部90、及び制御部100を備える。
アウタチューブ10は、例えば石英等から構成され、上下方向に延伸する円筒状の管である。アウタチューブ10の上端は閉塞しており、下端は開放されている。アウタチューブ10の開放された下方端は、基部90の上に設置されており、アウタチューブ10は、内部を気密に封止可能に構成される。アウタチューブ10の下端部近傍には排気口11が設けられている。
アウタチューブ10の排気口11にはガス排気部20が接続されている。ガス排気部20はバルブ21及びポンプ22を備える。バルブ21は、ポンプ22に対して上流側のアウタチューブ10寄りに配置され、例えばバタフライバルブ等の開度が調整可能なバルブである。バルブ21下流側のポンプ22を駆動しつつバルブ21の開度を調整することで、アウタチューブ10内の雰囲気を排気して、アウタチューブ10内の圧力を所望の圧力に調整可能である。
加熱部70は、アウタチューブ10の側面外周を取り囲むように配置されている。加熱部70は例えばヒータ等であり、インナチューブ30に収容された処理基板Wpを所望の温度に加熱する。
インナチューブ30は、アウタチューブ10の内部に配置される。インナチューブ30は、例えば石英等から構成され、上下端が開放された円筒状の管である。インナチューブ30の開放された下方端は基部90の上に設置されている。インナチューブ30は、成膜処理の対象である処理基板Wpを収容可能に構成される。処理基板Wpは、半導体装置の製造途中の基板であって、例えばそれまでの製造工程により、基板表面に凹凸を有する所定のパターンが形成されている。
インナチューブ30の内部には、例えば石英等から構成され、複数の処理基板Wpを収容可能なボート80が収容される。ボート80には、複数の処理基板Wpを、インナチューブ30の延伸方向に沿って並列に収容し、また、複数の処理基板Wpの配列の上下端にダミー基板Wdを収容することが可能である。ダミー基板Wdは、ベアシリコン基板等の実質的に平坦な表面を有する基板であり、複数の処理基板Wpにおける均熱性を向上させるため、複数の処理基板Wpの両端部に配置される。
複数の処理基板Wpと上下端のダミー基板Wdとの間には、モニタ基板Wmが配置されてもよい。モニタ基板Wmは、モニタ基板Wm上のパーティクル数またはモニタ基板Wm上に成膜された所定膜の膜厚を計測することで、複数の処理基板Wpが適正な処理を受けたか否かを監視するための基板である。
ボート80は、図示しない搬送系によってインナチューブ30内に搬入され、基部90に設置される図示しないモータ等によってインナチューブ30内で回転可能に構成される。
インナチューブ30の内部であって、アウタチューブ10の上記の排気口11と対向する位置にはノズル40が配置される。ノズル40は、例えばインナチューブ30下方の基部90を介してインナチューブ30に差し伸べられており、インナチューブ30の上端から下端に亘って延伸し、下端がL字状に屈折した形状を備える。ノズル40は、ノズル40の延伸方向に沿う側面に多数の孔41を有する多孔ノズルとして構成される。ノズル40の複数の孔41のそれぞれは、ボート80に収容される複数の処理基板Wpのそれぞれの高さ位置に対応するよう配置されている。
ノズル40のL字型の下端部にはガス供給部50が接続される。ガス供給部50は、ガス供給管51、マスフローコントローラ52、及びバルブ53を備える。
ガス供給管51の上流端は、処理基板Wpを処理する処理ガスの供給源としてのガスシリンダ60に接続され、ガス供給管51の下流端は、ノズル40の下流端に接続されている。処理ガスは、処理基板Wp上に形成される所定膜の原料ガスである。処理ガスが、ノズル40の複数の孔41を介して、インナチューブ30内の処理基板Wpに供給されることで、処理基板Wp上に、AlN膜、Al2O3膜、またはシリコン系膜等の所定膜が形成される。
なお、所定膜の形成には複数種類の処理ガスが用いられる場合がある。例えば、AlN膜、Al2O3膜等を形成するためには、Alの原料ガスであるTMA(Tri-Methyl-Aluminium)ガス、及び窒化ガスとしてのN2ガス、または酸化ガスとしてのO2ガス等が用いられる。また、シリコン系膜を形成するためには、Siの原料ガスであるシラン(SiH4)ガス等が、窒化ガス、酸化ガス等と共に用いられる。
したがって、基板処理装置1で使用され得る種々のガスごとに、上記のノズル40及びガス供給部50の複数セットが基板処理装置1に備えられていてよい。
ノズル40から処理基板Wp上に供給された処理ガスは、インナチューブ30の側面であって、アウタチューブ10の上記の排気口11と同じ側に設けられたスリットからインナチューブ30外に排出され、アウタチューブ10の排気口11を介して基板処理装置1外へと排気される。インナチューブ30側面のスリットについては後述する。
ガス供給管51には、上流側から順に、マスフローコントローラ52、及びバルブ53が設けられている。マスフローコントローラ52は、ガスシリンダ60から流れ出る処理ガスの流量を調整する。バルブ53の開閉により、インナチューブ30への処理ガスの供給が開始され、また、停止される。
制御部100は、例えばCPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、及びRAM(Random Access Memory)等を備え、基板処理装置1の全体を制御するコンピュータとして構成されている。
すなわち、制御部100は、バルブ21,53、ポンプ22、マスフローコントローラ52、加熱部70、並びにボート80を回転させる図示しないモータ、及び搬送系等を制御する。
より具体的には、制御部100は、図示しない搬送系によって複数の処理基板Wp、ダミー基板Wd、及びモニタ基板Wm等を多段に積載したボート80をインナチューブ30内に収容させ、図示しないモータによってインナチューブ30内のボート80を回転させる。また、制御部100は、加熱部70を制御して、インナチューブ30内の処理基板Wp、ダミー基板Wd、及びモニタ基板Wmを所望の温度に加熱させる。
また、制御部100は、マスフローコントローラ52で流量制御しつつバルブ53を開き、ノズル40を介して処理ガスをインナチューブ30内に供給させる。また、制御部100は、ポンプ22を駆動させつつバルブ21の開度を調整して、アウタチューブ10内の圧力を所望の圧力とする。
これにより、インナチューブ30内に収容された複数の処理基板Wpが所望の温度に加熱された状態で、複数の処理基板Wpのそれぞれの表面に処理ガスが供給される。所望の温度に加熱された処理基板Wpの表面に処理ガスが接触することで、処理ガスが熱化学反応によって分解される。また、処理ガスの分解により生成された所定膜を構成する構成物が、1分子~数分子レベルで処理基板Wpの表面に堆積されていく。よって、複数の処理基板Wpのそれぞれの表面に所定膜が形成される。
以上のように、実施形態の基板処理装置1は、例えば所定膜を成膜可能な縦型炉として構成され、より詳細には、例えばALD(Atomic Layer Deposition)装置として構成されている。
(スリットの構成例)
次に、図2及び図3を用いて、実施形態のインナチューブ30が備えるスリット31について説明する。図2は、実施形態にかかる基板処理装置1の構成の一例を示す横断面図である。図2中、インナチューブ30内における処理ガスの流路を矢印で示す。
次に、図2及び図3を用いて、実施形態のインナチューブ30が備えるスリット31について説明する。図2は、実施形態にかかる基板処理装置1の構成の一例を示す横断面図である。図2中、インナチューブ30内における処理ガスの流路を矢印で示す。
図2に示すように、インナチューブ30には、ノズル40に対向するインナチューブ30の側面であって、アウタチューブ10の排気口11が設けられた側と同じ側にスリット31が設けられている。
このような配置により、インナチューブ30内に設けられたノズル40の各孔41から、インナチューブ30内に導入された処理ガスは、複数の処理基板Wpのそれぞれの表面上に供給される。処理ガスは、処理基板Wpの表面全体に拡散しつつ、最終的には、ノズル40の反対側に設けられたスリット31からインナチューブ30外に排出され、アウタチューブ10下端の排気口11から基板処理装置1外へと排気される。
図3は、実施形態にかかる基板処理装置1のインナチューブ30が備えるスリット31の構成例を示す図である。図3(a)~(c)には、スリット31の幾つかの構成例を示す。
図3(a)~(c)に示すように、いずれの例においても、スリット31はインナチューブ30の延伸方向に延びるように設けられている。より具体的には、スリット31の上端は少なくともボート80に積載された最上段のダミー基板Wdの高さ位置に達し、スリット31の下端は少なくともボート80に積載された最下段のダミー基板Wdの高さ位置に達している。また、スリット31は、スリット31の延伸方向の中央部における開口面積が、スリット31の延伸方向の両端部における開口面積よりも大きくなるよう構成されている。
図3(a)の例では、スリット31aは、スリット31aの延伸方向に直交する方向において異なる幅を有する。すなわち、スリット31aの延伸方向の中央部における幅は、スリット31aの延伸方向の両端部における幅よりも広い。より具体的には、スリット31aは、上下端に所定幅を有する端部スリット31tnと、端部スリット31tnに挟まれ、端部スリット31tnより広い幅を有する中央部に中央スリット31tcと、を有する。
図3(b)の例では、スリット31bは、インナチューブ30の延伸方向に亘って延びるメインスリット31msと、インナチューブ30の延伸方向の中央部付近に延在するサブスリット31ssと、を備える。サブスリット31ssは、例えばメインスリット31msの短手方向両側に、メインスリット31msの延伸方向に沿って配置される。
図3(c)の例では、スリット31cは、図3(a)のスリット31aと同様、スリット31cの延伸方向の中央部における幅が両端部における幅よりも広い。ただし、スリット31cにおいては、スリット31cの延伸方向において、幅の広さが段階的に、かつ、緩やかに変化していく。
(半導体装置の製造方法)
次に、図4を用いて、実施形態の基板処理装置1を用いた処理基板Wpへの所定膜FLの形成方法について説明する。基板処理装置1による処理基板Wpへの所定膜FLの形成は、半導体装置の製造方法の一環として実施される。
次に、図4を用いて、実施形態の基板処理装置1を用いた処理基板Wpへの所定膜FLの形成方法について説明する。基板処理装置1による処理基板Wpへの所定膜FLの形成は、半導体装置の製造方法の一環として実施される。
図4は、実施形態にかかる基板処理装置1において処理基板Wpに所定膜FLが形成されていく様子を示す模式図である。
図4においては、例えばモニタ基板Wmを介して上下端にダミー基板Wdを配置し、複数の処理基板Wpを多段に積載したボート80が、インナチューブ30内で回転された状態となっている。また、複数の処理基板Wpは、加熱部70によって所望の温度に加熱されている。このとき、上下端に配置されたダミー基板Wdによって、複数の処理基板Wpの全体に亘って均熱性が保たれる。なお、図4における矢印は処理ガスの流れを示している。
図4(a)に示すように、ノズル40からインナチューブ30内に導入された処理ガスは、インナチューブ30のスリット31側へと引かれていく。ノズル40の複数の孔41のそれぞれは、複数の処理基板Wpの高さ位置に設けられているので、処理ガスはそれぞれの処理基板Wpの表面上を通過していく。このとき、処理基板Wpの表面と接触した処理ガスが、所定温度に加熱された処理基板Wpの熱により分解され、1分子~数分子レベルで処理基板Wpの表面に堆積される。
処理基板Wpは、例えばそれまでの製造工程において形成された凹凸を含むパターンを有する。熱分解した処理ガスの分子MLは、処理基板Wpの表面の凹凸に沿うように堆積していく。
図4(b)(c)に示すように、処理ガスの分子MLは、処理基板Wp表面の凹凸を埋めつつ、処理基板Wp上に堆積されて厚みを増していく。
図4(d)に示すように、処理基板Wpに所定時間、処理ガスを供給し続けることで、所望の膜厚を有する所定膜FLが形成される。
このように、基板処理装置1における処理の終了後、処理基板Wpに対して更に種々の処理を行うことで、所定膜FLを一部に含む半導体装置が製造される。AlN膜、Al2O3膜、またはシリコン系膜等の所定膜FLは、例えばMONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)構造またはMANOS(Metal-Almina-Nitride-Oxide-Silicon)構造の一部として使用される。これらのMONOS構造およびMANOS構造は、例えば記憶を保持するメモリセルとして適用され得る。
(比較例)
半導体装置の製造工程において、インナチューブとアウタチューブとを備える基板処理装置に複数の処理基板を多段に積載し、所定膜を形成する処理が行われることがある。このような基板処理装置では、例えばアウタチューブに設けられた排気口の近傍で、処理基板上に形成される所定膜の膜厚が増加してしまうことがある。したがって、インナチューブ内に積載された複数の処理基板間における膜厚の均一性を向上させるため、種々の対策が採られている。このような複数の処理基板間の膜厚均一性を炉内均一性ともいう。
半導体装置の製造工程において、インナチューブとアウタチューブとを備える基板処理装置に複数の処理基板を多段に積載し、所定膜を形成する処理が行われることがある。このような基板処理装置では、例えばアウタチューブに設けられた排気口の近傍で、処理基板上に形成される所定膜の膜厚が増加してしまうことがある。したがって、インナチューブ内に積載された複数の処理基板間における膜厚の均一性を向上させるため、種々の対策が採られている。このような複数の処理基板間の膜厚均一性を炉内均一性ともいう。
しかしながら、本発明者は、上記のような炉内均一性向上の対策を採ってなお、複数の処理基板間における所定膜の膜厚均一性が増大してしまう場合があることを発見した。複数の処理基板のうち、ダミー基板の近傍に配置された上下端の処理基板よりも、ボートの中央付近に配置された処理基板において、所定膜の膜厚が減少してしまうのである。
本発明者は、鋭意研究の結果、上記の炉内均一性の増大が、処理基板とダミー基板との表面積の違いにより生じ得ることを見出した。更に、このような表面積の違いによる炉内均一性の増大を抑制する手法に想到した。この点について、図5~図7を用いて説明する。
図5は、比較例にかかる基板処理装置における成膜処理の様子を示す模式図である。
図5においては、例えば図示しないモニタ基板を介して上下端にダミー基板Wd’を配置し、複数の処理基板Wp’を積載したボートが、インナチューブ内で回転された状態となっている。比較例のインナチューブの側壁には、延伸方向の全体に亘って等しい幅を有するスリット31’が設けられている。また、複数の処理基板Wp’は、図示しない加熱部によって所望の温度に加熱されている。なお、図5における矢印はノズル40’からの処理ガスの流れを示している。
図5(a)は、基板処理中のインナチューブ内におけるボートの最上段に配置されるダミー基板Wd’の様子を示している。
図5(a)に示すように、ダミー基板Wd’は、例えば表面にパターンを有しておらず、実質的に平坦な表面を有する基板である。したがって、ダミー基板Wd’の表面積は比較的小さく、ダミー基板Wd’に接触して分解されることによる処理ガスの消費量は比較的少ない。
図5(b)は、基板処理中のインナチューブ内における複数の処理基板Wp’のうち、最上段に配置される処理基板Wp’の様子を示している。
すなわち、図5(b)における処理基板Wp’の上方には、例えばモニタ基板を介して複数のダミー基板Wd’が配置されている。図5(b)に示すように、処理基板Wp’は、例えばそれまでの製造工程において形成された凹凸を含むパターンを有する。
上述のように、実質的に平坦なダミー基板Wd’による処理ガスの消費量は少なく、余剰となった処理ガスの一部は、例えばダミー基板Wd’の近傍に配置された処理基板Wp’側へと供給される。これにより、ダミー基板Wd’近傍の処理基板Wp’には大量の処理ガスが供給され得る。よって、処理基板Wp’上に所望膜厚以上の所定膜が形成されてしまう。
図5(c)は、基板処理中のインナチューブ内における複数の処理基板Wp’のうち、中央付近に配置される処理基板Wp’の様子を示している。
すなわち、図5(c)における処理基板Wp’の上下方向には、他の処理基板Wp’が多段に積載されている。これらの処理基板Wp’にはいずれもパターンが形成されており、上述のダミー基板Wdよりも大きな表面積を有する。
したがって、ボートの中央付近に配置される処理基板Wp’においては、消費される処理ガス量も多く、それぞれの処理基板Wp’上に供給された処理ガスは、近傍に配置される他の処理基板Wp’側へ供給されることなく、それぞれの処理基板Wp’において略消費されていく。この結果、ボート中央付近の処理基板Wp’上には、図5(b)の処理基板Wp’上よりも膜厚の薄い所定膜が形成される。
図5(d)は、基板処理中のインナチューブ内における複数の処理基板Wp’のうち、最下段に配置される処理基板Wp’の様子を示している。
すなわち、図5(d)における処理基板Wp’の下方には、例えばモニタ基板を介して複数のダミー基板Wd’が配置され、上述の図5(b)の処理基板Wp’と同様の現象が起こる。つまり、下方のダミー基板Wd’で消費しきれなかった余剰の処理ガスが供給され、処理基板Wp’上に所望膜厚以上の所定膜が形成される。
図5(e)は、基板処理中のインナチューブ内におけるボートの最下段に配置されるダミー基板Wd’の様子を示している。
図5(e)に示すように、ボート最下段のダミー基板Wd’も実質的に平坦で小面積の表面を有し、ダミー基板Wd’で消費されなかった処理ガスが、上記のように近傍の処理基板Wp’側へと供給される。
本発明者は、基板処理装置内の複数の処理基板間における上記の炉内均一性の増大が、このような原因により生じていることを突き止めた。このような炉内均一性の増大を抑制するため、本発明者は、複数の処理基板における処理ガスの供給量のバランスを調整する構成について鋭意研究した。その結果、本発明者は、ボートの中央位置付近に対応するスリットの開口面積を増大させることで、ボート中央位置付近に配置される処理基板への処理ガスの供給効率を高めることができることを見出した。
図6は、実施形態にかかる基板処理装置1における成膜処理の様子を示す模式図である。
図6においては、例えばモニタ基板Wmを介して上下端にダミー基板Wdを配置し、複数の処理基板Wpを積載したボート80が、インナチューブ30内で回転された状態となっている。インナチューブ30の側壁には、例えば図3に示すスリット31のうち、図3(a)のスリット31aが設けられているものとする。複数の処理基板Wpは、加熱部70によって所望の温度に加熱されている。なお、図6における矢印はノズル40からの処理ガスの流れを示している。
また、図6(a)~(e)に示すダミー基板Wd及び処理基板Wpは、上述の図5(a)~(e)に示すダミー基板Wd’及び処理基板Wp’と対応する位置に配置されている。これらのうち、図6(a)(e)のダミー基板Wd及び図6(b)(d)の処理基板Wpの高さ位置には、細幅の端部スリット31tnが配置され、図6(c)の処理基板Wpの高さ位置には太幅の中央スリット31tcが配置されている。
図6(a)(b)(d)(e)に示すように、ボート80の最上段および最下段のダミー基板Wd、並びに複数の処理基板Wpのうち最上段および最下段に配置される処理基板Wpにおいては、上述の図5(a)(b)(d)(e)と同様の現象が生じる。
すなわち、図6(a)(e)の表面積の小さいダミー基板Wdで消費されなかった処理ガスが図6(b)(d)の処理基板Wpへと供給され、これらの処理基板Wpにおける所定膜の膜厚が増大する。
図6(c)に示すように、ボート80の中央付近は、スリット31aの太幅の中央スリット31tcの高さ位置に相当しており、図6(a)(b)(d)(e)のように、細幅の端部スリット31tnに相当する位置よりも多量の処理ガスが、ノズル40からスリット31a側へと引かれていく。このため、図6(c)の処理基板Wpに対する処理ガスの供給効率が高まる。
これにより、複数の処理基板Wpが多段に積載されており、表面に形成された凹凸のパターンによって、各々の処理基板Wpによる処理ガスの消費量が増大するボート80の中央付近においても、例えば上述の図5(c)に示す処理基板Wp’よりも、図6(c)に示す処理基板Wpにおける所定膜の膜厚を増大させることができる。
図7は、実施形態にかかる処理を受けた複数の処理基板Wpと、比較例にかかる処理を受けた複数の処理基板Wp’とにおける所定膜の膜厚を模式的に示すグラフである。グラフの横軸は、各々の処理基板Wp,Wp’のボートにおける配置位置であり、グラフの縦軸は、各々の処理基板Wp,Wp’に形成された所定膜の膜厚である。
破線で示す比較例の処理基板Wp’においては、ボートの上段(Top)付近および下段(Bottom)付近において、ボートの中段(Middle)付近よりも所定膜の膜厚が増大しており、処理基板Wp’全体における所定膜の膜厚均一性が悪化してしまっている。
一方、実線で示す実施形態の処理基板Wpにおいては、ボート80の中段付近における所定膜の膜厚が増大しており、ボート80の上段付近および下段付近における所定膜と略同等の膜厚となっている。上述のように、延伸方向の中央部における開口面積が、延伸方向の両端部における開口面積よりも大きいスリット31aによって、ボート80の中央付近への処理ガスの供給効率が向上したためと考えられる。これにより、実施形態の処理基板Wp全体における所定膜の膜厚均一性が向上する。
実施形態の基板処理装置1によれば、インナチューブ30に設けられたスリット31の延伸方向の中央部における開口面積は、延伸方向の両端部における開口面積よりも大きい。これにより、処理基板Wp上に形成される所定膜の処理基板Wp間での膜厚均一性を向上させることができる。
なお、上述の実施形態の基板処理装置1は、垂直方向に延伸する炉(アウタチューブ10及びインナチューブ30)を有し、処理基板Wpが多段に積載される縦型炉として構成されていることとした。しかし、実施形態のスリット31の構成および基板処理方法は、水平方向に延伸する炉を有し、処理基板が横並びに配列される横型炉にも適用可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…基板処理装置、10…アウタチューブ、11…排気口、20…ガス排気部、30…インナチューブ、31…スリット、40…ノズル、50…ガス供給部,70…加熱部,80…ボート、90…基部、100…制御部、Wd…ダミー基板、Wm…モニタ基板、Wp…処理基板。
Claims (5)
- 所定方向に延伸し、複数の処理基板を収容可能なインナチューブと、
前記インナチューブを取り囲むように前記所定方向に延伸し、内部を気密に封止可能なアウタチューブと、
前記インナチューブの内部に配置されるノズルと、
前記ノズルを介して前記インナチューブの内部に前記処理基板を処理する処理ガスを供給するガス供給部と、
前記インナチューブの前記ノズルに対向する側面に設けられ、前記インナチューブの延伸方向に延びるスリットと、
前記アウタチューブに設けられた排気口と、を備え、
前記スリットの延伸方向の中央部における開口面積は、前記延伸方向の両端部における開口面積よりも大きい、
基板処理装置。 - 前記インナチューブは、
前記複数の処理基板を並列に収容し、前記複数の処理基板の両端部にダミー基板を収容することが可能なボートを収容可能である、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記スリットの前記延伸方向の中央部における幅は、前記延伸方向の両端部における幅よりも広い、
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記スリットは、
前記インナチューブの延伸方向に亘って延びるメインスリットと、
前記インナチューブの延伸方向の中央部に、前記メインスリットに沿って配置されるサブスリットと、を備える、
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 内部が気密に封止され、排気口が設けられたアウタチューブ内に配置されたインナチューブに、複数の処理基板を並列に配置し、前記複数の処理基板の両端部にダミー基板を配置した状態で収容し、
前記インナチューブ内に配置されたノズルから、前記処理基板を処理する処理ガスを前記インナチューブ内に供給し、
前記インナチューブの延伸方向に延びるように前記インナチューブの前記ノズルに対向する側面に設けられ、前記延伸方向の中央部における開口面積が前記延伸方向の両端部における開口面積よりも大きいスリットから、前記処理ガスを排気する、
半導体装置の製造方法。
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