JPH0629223A

JPH0629223A - 半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体、半導体製造用多目的装置向けサセプタおよび半導体製造用多目的装置

Info

Publication number: JPH0629223A
Application number: JP4182701A
Authority: JP
Inventors: Takahisa Kimura; 高久木村; Takeshi Ogawa; 武小川; Yoichi Miyazawa; 陽一宮沢; Hitoshi Hanawa; 仁志塙
Original assignee: Sumitomo Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Cement Co Ltd
Priority date: 1992-07-09
Filing date: 1992-07-09
Publication date: 1994-02-04

Abstract

(57)【要約】【目的】同一装置内において半導体基板の成膜処理や
エッチング処理等の各種処理が行えるように、種々の雰
囲気にも安定な半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式
発熱体と半導体製造用多目的装置向けサセプタとを提供
するとともに、これらを備えてなる半導体製造用多目的
装置を提供する。【構成】焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密
度が２.８ｇ／ｃｍ³ 以上で、室温での電気比抵抗値が
１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体によって形成されてな
る半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体および
半導体製造用多目的装置向けサセプタ。これら抵抗加熱
式発熱体とサセプタとをチャンバー内に設けた半導体製
造用多目的装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体製造用の装
置に用いられる抵抗加熱式発熱体およびサセプタ、さら
にこれらを有してなる半導体製造用装置に係り、詳しく
は同一装置内にて半導体基板の成膜処理やエッチング処
理等を行うことができる半導体製造用多目的装置と、こ
れに用いられる抵抗加熱式発熱体およびサセプタに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体製造のプロセスは、酸化
膜生成→フォトレジスト→マスク合わせ・露光・現
像→エッチング→不純物拡散→アルミ蒸着、とい
った各工程から概略なっており、通常は要求される半導
体の機能に応じて上記〜の各工程が繰り返し行われ
ることにより、所要のスペックを有した半導体が製造さ
れる。ところで、処理される半導体基板としては、主に
ＳｉウェハーやＧａＡｓ（ガリウム・砒素）があるが、
これら半導体基板は酸化処理、薄膜生成処理、エッチン
グ処理、不純物拡散処理等の各工程の中で、各々異なっ
た雰囲気（酸化雰囲気、真空雰囲気、腐食性ガス雰囲気
等）・温度での処理が必要となることから、各々の処理
条件に適合した専用の装置でそれぞれ処理が行われてい
る。

【０００３】したがって、半導体製造工程毎にそれぞれ
必要とされる装置を、必要とされる処理能力に応じて準
備しなくてはならないのである。なぜなら、半導体製造
装置において従来一般に用いられる抵抗加熱式発熱体や
サセプタとしては、上述した各工程において採用される
種々の雰囲気の全てに安定なものは提供されておらず、
このため全ての工程を共通の装置で処理しようとする
と、これら抵抗加熱式発熱体やサセプタからその成分が
蒸発しあるいは分解してガス化し、不純物となって半導
体の構成要素に混じってしまい、得られる半導体の性能
を損なう結果となってしまうからである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各工程
に応じてそれぞれ専用の半導体製造用装置を用意するこ
とは、設備投資効率、生産性の向上を妨げ、半導体の製
造コストを引き上げる要因の一つとなっている。

【０００５】本発明は上記技術背景に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、同一装置内において半
導体基板の成膜処理やエッチング処理等の各種処理が行
えるように、種々の雰囲気にも安定な抵抗加熱式発熱体
とサセプタとを提供するとともに、これらを備えてなる
半導体製造用多目的装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明における請求項
１、５記載の半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発
熱体、半導体製造用多目的装置向けサセプタでは、焼結
助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２.８ｇ／
ｃｍ3 以上で、室温での電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下
の炭化珪素焼結体によって形成されてなることを上記課
題の解決手段とした。請求項２、６記載の半導体製造用
多目的装置向け抵抗加熱式発熱体、半導体製造用多目的
装置向けサセプタでは、炭化珪素焼結体が、室温での熱
伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを上記課題の
解決手段とした。請求項９記載の半導体製造用多目的装
置では、チャンバー内に抵抗加熱式発熱体およびサセプ
タを配設した半導体製造用装置において、該抵抗加熱式
発熱体およびサセプタが、焼結助剤無添加で焼結されて
なり、焼結体密度が２.８ｇ／ｃｍ³ 以上で、室温での
電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体により
形成されてなることを上記課題の解決手段とした。

【０００７】

【作用】請求項１、５記載の半導体製造用多目的装置向
け抵抗加熱式発熱体、半導体製造用多目的装置向けサセ
プタによれば、焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結
体密度が２.８ｇ／ｃｍ³ 以上で、室温での電気比抵抗
値が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体によって形成され
ているので、炭化珪素粒子間の結合力が十分であり、ま
た気孔も小さくその数も少なく、したがって耐酸化性、
耐食性、高熱伝導性、高温高強度、耐久性に優れたもの
となる。また、焼結助剤無添加で焼結された炭化珪素焼
結体からなることにより、真空下で使用しても不純物蒸
発による汚染ガスの発生がないものとなる。また、特に
半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体にあって
は、室温での電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であるの
で、温度による電気比抵抗値の変化が少なく、よってそ
の表面温度を一定に保持するための電気制御が容易とな
る。

【０００８】請求項２、６記載の半導体製造用多目的装
置向け抵抗加熱式発熱体、半導体製造用多目的装置向け
サセプタによれば、炭化珪素焼結体の室温での熱伝導率
が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるので、均熱性に優れるだ
けでなく、熱応答性も速いものとなる。請求項３、４記
載の半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体、お
よび請求項７、８記載の半導体製造用多目的装置向けサ
セプタによれば、炭化珪素焼結体が、その粒界に存在す
る不純物が少なく微細で均一な組織となるため、１５０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高い熱伝導率を有するものとなる。請
求項９記載の半導体製造用多目的装置によれば、抵抗加
熱式発熱体およびサセプタを、それぞれ請求項１、請求
項５に記載のものにしたので、これらが上述したように
耐酸化性、耐食性、耐久性に優れ、かつ均熱性、熱応答
性にも優れ、したがって種々の雰囲気にも安定なものと
なることから、該装置は半導体製造の各工程に兼用して
用いることが可能になる。

【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体（以下、
抵抗加熱式発熱体と略称する）および半導体製造用多目
的装置向けサセプタ（以下、サセプタと略称する）は、
焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２.８
ｇ／ｃｍ³ 以上で、室温での電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ
以下の炭化珪素焼結体から形成されたものである。ここ
で、これら本発明の抵抗加熱式発熱体、サセプタとして
は、その形状や寸法には特に限定されることなく、従来
周知の形状や寸法のものとされる。このような炭化珪素
焼結体からなる抵抗加熱式発熱体、サセプタを得る方法
としては、以下に述べる二通りの方法がある。

【００１０】第一の方法では、まず平均粒子径が０.１
〜１０μｍの第１の炭化珪素粉末と、平均粒子径が０.
１μｍ以下の第２の炭化珪素微粉末とを用意する。ここ
で、第１の炭化珪素粉末としては、一般に使用されてい
るものでもよく、例えばシリカ還元法、アチソン法等の
方法によって製造されたものが用いられるが、酸処理等
を施した高純度粉末を使用するのが好ましい。第１の炭
化珪素の結晶相としては、非晶質、α型、β型あるいは
これらの混合相のいずれでもよい。また、この炭化珪素
粉末の平均粒径としては、０.１〜１μｍにするのが、
焼結性がよくなることから望ましい。

【００１１】第２の炭化珪素微粉末としては、非酸化性
雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪
素と炭化水素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧
力を０.１ｔｏｒｒ〜１気圧未満の範囲で制御しつつ気
相反応させることによって得られたものを使用する。例
えば、モノシランとメタンとからなる原料ガスを高周波
により励起されたアルゴンプラズマ中に導入して合成を
行うと、平均粒子径が０.０２μｍで、アスペクト比の
小さいβ型超微粉末が、また合成条件によってはα型と
β型との混合相が得られる。このようにして得られた超
微粉末は焼結性が非常に優れているため、上記第１の炭
化珪素粉末と混合するのみで、焼結助剤を添加すること
なく高純度かつ緻密質の炭化珪素焼結体を得ることがで
きるようになる。

【００１２】次に、上記第１の炭化珪素粉末と第２の炭
化珪素微粉末とを混合して混合物とする。ここで、第１
の炭化珪素と第２の炭化珪素微粉末とを混合するにあた
っては、第２の炭化珪素微粉末の混合量を全体の１.０
重量％以上にするのが好ましい。なぜなら、第２の炭化
珪素粉末の配合量を１.０重量％未満とすると、この第
２の炭化珪素粉末を配合したことによる緻密化に及ぼす
効果が十分に発揮されないからである。その後、上記混
合粉を抵抗加熱式発熱体あるいはサセプタとしての所望
形状に成形し、さらに得られた成形体を焼結助剤無添加
で１８００〜２４００℃の温度範囲で焼結することによ
り、抵抗加熱式発熱体あるいはサセプタを得る。

【００１３】ここで、炭化珪素粉末の成形にあたって
は、プレス成形法、押し出し成形法、射出成形法などの
従来から公知の方法を採用することができる。この場
合、成形バインダーとしてはポリビニルアルコールやポ
リビニルピロリドンなどを使用することができ、必要に
応じてステアリン酸塩などの分散剤を添加してもよい。
また、焼結にあたっては、常圧焼結、雰囲気加圧焼結、
ホットプレス焼結、あるいは熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）
などの従来の方法が採用可能であるが、より高密度で導
電性に優れたものを得るためにはホットプレス等の加圧
焼結法を採用することが望ましい。さらに、焼結時の雰
囲気としては、真空雰囲気、不活性雰囲気もしくは還元
ガス雰囲気のいずれも採用可能である。

【００１４】このようにして得られた抵抗加熱式発熱体
あるいはサセプタは、炭化珪素粒子間の結合力が十分で
あり、また気孔も小さくその数も少なく、したがって耐
酸化性、耐食性、高熱伝導性、高温高強度、耐久性、耐
熱衝撃性等に優れたものとなる。また、室温時の電気比
抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であるので、温度による電気比
抵抗値の変化が少なく、したがって抵抗加熱式発熱体の
表面温度を一定に保持するための電気制御が容易なもの
となる。さらに、これら抵抗加熱式発熱体およびサセプ
タは、これらを形成する炭化珪素焼結体が、その粒界に
存在する不純物が少なく微細で均一な組織を有するもの
となるため、１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高い熱伝導率を有
するものとなる。そして、これにより抵抗加熱式発熱体
およびサセプタは、室温での熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上となるので、均一加熱性に優れるだけでなく、熱
応答性も速いものとなる。

【００１５】第二の方法では、上記第一の方法において
使用した第２の炭化珪素微粉末のみを用い、焼結助剤を
添加することなく、上記第１の製造方法に準じて抵抗加
熱式発熱体あるいはサセプタを製造する。このようにし
て得られた発熱体あるいはサセプタは、極めて高純度の
炭化珪素焼結体からなるので、遊離炭素および遊離シリ
カ以外の不純物含有量を１００ｐｐｍ以下にすることが
でき、したがってこのような抵抗加熱式発熱体やサセプ
タを半導体製造装置に用いれば、採用されるいずれの雰
囲気においてもこれらから不純物が蒸発しあるいは分解
によりガスが発生するといった不都合がなくなる。

【００１６】また、上記第一の方法、第二の方法で得ら
れた抵抗加熱式発熱体、サセプタのいずれにあっても、
これらを形成する炭化珪素焼結体が耐久性に優れ侵食が
極めて少なくなることから、寿命が延びるとともに、こ
れら抵抗加熱式発熱体、サセプタ自体の薄肉化による軽
量化が可能となる。以上のごとく、本発明の炭化珪素焼
結体からなる抵抗加熱式発熱体およびサセプタは、従来
の抵抗加熱式発熱体やサセプタにない極めて優れた特徴
を有するものであるから、酸化性雰囲気、真空雰囲気、
腐食性雰囲気等の使用雰囲気の如何を問わず、いかなる
雰囲気下においても安定して使用することができ、よっ
てこれらを半導体製造用装置のチャンバー内に配設して
用いることにより、該半導体製造用装置を例えば半導体
基板の成膜処理やエッチング処理等の各種処理に用いる
ことができ、よって多目的な用途に適用し得る装置とな
る。

【００１７】そして、このような理由により本発明にお
ける請求項９記載の半導体製造用多目的装置は、いかな
る雰囲気においても使用が可能な、すなわち種々の処理
を行うことができる多目的の装置となるのである。ま
た、この半導体製造用多目的装置においては、蒸着手
段、ＣＶＤ（化学気相成長法）手段、ＭＯＣＶＤ（有機
金属化学気相成長法）手段、ＬＰＥ（液相エピタキシ
法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシ法）手段、ＭＯＭＢＥ
（有機金属分子線エピタキシ法）手段、熱酸化手段、ス
パッタ手段、プラズマ発生手段、エッチング手段、熱拡
散手段、イオン注入手段のうちの少なくとも一つの手段
が含まれ、これらの手段が各々単独又は組み合わされて
併設されることが可となることにより多目的に使用され
る。さらに、チャンバー内の雰囲気を調整する手段、例
えば反応性ガスまたは雰囲気ガスをチャンバー内に導入
する手段、減圧〜真空排気する手段のうちの少なくとも
一つの手段が含まれ、これらの手段が併設され、これら
の手段が各々単独又は組み合わせられて併設されること
が可となることによって多目的に使用することが可能に
なるのである。さらに、上記手段のうち少なくとも一つ
の手段を含むものを一つの半導体製造用装置で可とする
ことができるばかりでなく、本発明の抵抗加熱式発熱体
とサセプタを含むものは一つの装置で上記各手段のうち
少なくとも一つの手段を併用可となる従来にない画期的
な多目的装置となる。

【００１８】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。モノシランとメタンとを原料ガスとしてプラ
ズマＣＶＤ法により気相合成した平均粒径０.０３μ
ｍ、ＢＥＴ比表面積値５８ｍ² ／ｇのβ−ＳｉＣ超微粉
末をメタノール中にて分散せしめ、さらにボールミルで
１２時間混合した。次に、この混合物を乾燥して内径１
６０ｍｍ黒鉛製モールドに充填し、ホットプレス装置に
て、Ａｒ雰囲気下、プレス圧４００ｋｇ／ｃｍ2 、焼結
温度２２００℃の条件で９０分焼結した。

【００１９】得られたＳｉＣ焼結体の物性を調べたとこ
ろ、密度が３.１ｇ／ｃｍ3 、室温時の電気比抵抗値が
０.０３Ω・ｃｍ（四端子法）、室温時の熱伝導率が１
８８Ｗ／ｍ・Ｋ（レーザフラッシュ法）であった。ま
た、このＳｉＣ焼結体の不純物分析をアーク分光分析法
で行ったところ、Ｎａが５ｐｐｍ、Ｆｅが８ｐｐｍ、Ａ
ｌが１０ｐｐｍ、Ｃｒが２ｐｐｍ含まれており、Ｃａ、
Ｋ、Ｎｉ、Ｃｕは１ｐｐｍ未満であった。さらに、上記
焼結体の表面を濃度１０％のフェロシアン化カリウムで
エッチングし、走査型電子顕微鏡により焼結体の微細構
造を調べたところ、非常に均質かつ緻密な組織であるこ
とが確認された。

【００２０】次いで、この直径１６０ｍｍ、厚さ１０ｍ
ｍの円状体ＳｉＣ焼結体を、ワイヤー放電加工により加
工して炭化珪素焼結体からなる半導体製造用多目的装置
向け抵抗加熱式発熱体及び半導体製造用多目的装置向け
サセプタとした。このようにして得られた半導体製造用
多目的装置向け抵抗加熱式発熱体及び半導体製造用多目
的装置向けサセプタを、半導体製造装置のチャンバー内
に配設して本発明の半導体製造用多目的装置とした。

【００２１】図１はこの半導体製造用多目的装置の概略
構成を示す縦断面図であり、上記炭化珪素焼結体からな
る半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体及び半
導体製造用多目的装置向けサセプタを装置内に設置した
状態を示すものである。図１において、符号１は雰囲気
調整用ガス導入口、３はマイクロ波（２.４５ＧＨｚ）
発生手段、５は上記炭化珪素焼結体からなる本発明のサ
セプタ、６は上記炭化珪素焼結体からなる本発明の抵抗
加熱式発熱体、７は電極、８は反射板、９は熱電対、１
０はゲートバルブ、１１は導波管、１２は水冷チャンバ
ー、１３は排気口である。なお、排気口１３には、必要
に応じて減圧又は真空排気手段（図示せず）が連結され
るようになっている。

【００２２】次に、この半導体製造用多目的装置を使用
して、Ｓｉウェハー上に下記の各種処理を行った。（１）Ｓｉ酸化膜生成サセプタ５の上にＳｉウェハー４を載置し、該Ｓｉウェ
ハー４を４００℃に加熱した。次に、テトラエトキシシ
ランの濃度が１％となるよう不活性ガスと混合したテト
ラエトキシシラン含有ガスを雰囲気調整用ガス導入口１
よりチャンバー１２内に流入し、下記化学反応式のごと
く反応させてＳｉウェハー上にＳｉＯ2膜を形成した。Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄ →ＳｉＯ₂＋４Ｃ₂Ｈ₄＋２Ｈ₂Ｏ次いで、このようにして酸化膜が形成されたＳｉウェハ
ーをゲートバルブ１０より系外に搬出し、該Ｓｉウェハ
ー上にフォトレジスト（感光剤）を塗布し、その後光露
光装置（アライナ）に搬入して回路を露光した。

【００２３】（２）エッチングこのようにして露光・現像処理が施されたＳｉウェハー
を再度ゲートバルブ１０より搬入し、サセプタ５の上に
載置した。次いで、ＣＦ₄ 系ガスを雰囲気調整用ガス導
入口１より流入し、マイクロ波により放電させてラジカ
ルを生成させ、該ラジカルをチャンバー内に導入してエ
ッチング処理を行った。

【００２４】（３）不純物拡散エッチング処理後、チャンバー内を排気し、さらにエッ
チング処理されたＳｉウェハーを１０００℃に加熱する
とともに、不純物としてのＰＨ3 、酸素および不活性ガ
スからなる混合ガスを雰囲気調整用導入口１よりチャン
バー１２内に流入してＰイオンをＳｉウェハー上のＳｉ
Ｏ₂ に拡散せしめた。処理後のＳｉウェハーを調べたと
ころ、ＳｉＯ₂ にＰイオンが所定量含まれていることが
確認された。このように、図１に示した本発明の装置に
よれば、該装置のみで一連の処理を行うことができ、し
たがってこの装置は種々の処理に用いることができる、
すなわち多目的な装置であることが確認された。

【００２５】

【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項１、５記載の半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式
発熱体、半導体製造用多目的装置向けサセプタは、焼結
助剤無添加で焼結されてなり、焼結体密度が２.８ｇ／
ｃｍ³ 以上で、室温での電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下
の炭化珪素焼結体によって形成されたものであるから、
炭化珪素粒子間の結合力が十分であり、また気孔も小さ
くその数も少なく、したがって耐酸化性、耐食性、高熱
伝導性、高温高強度、耐久性に優れたものとなる。そし
て、これにより該抵抗加熱式発熱体およびサセプタは、
高耐酸化性、高耐食性、高熱伝導性、高温高強度を併せ
持つことから、酸化性雰囲気、真空雰囲気、腐食性雰囲
気の全ての雰囲気のもとで使用可能なものとなる。ま
た、真空下で使用しても不純物蒸発による汚染ガスの発
生がなく、したがって半導体製造のような非常に高純度
の化学処理が要求される技術分野において極めて有効な
ものとなる。さらに、室温での電気比抵抗値が１Ω・ｃ
ｍ以下であるので、温度による電気比抵抗値の変化が少
なく、よってその表面温度を一定に保持するための電気
制御が容易となる。

【００２６】請求項２、６記載の半導体製造用多目的装
置向け抵抗加熱式発熱体、半導体製造用多目的装置向け
サセプタは、これらを形成する炭化珪素焼結体の室温で
の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるので、均熱性
に優れるだけでなく、熱応答性も速いものとなり、した
がってこれらを例えば半導体製造装置に用いた場合に、
加熱に要する時間が短くなり、よって半導体製造におけ
る各種処理時間を短縮することができる。請求項３、４
記載の半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体、
および請求項７、８記載の半導体製造用多目的装置向け
サセプタは、炭化珪素焼結体が、その粒界に存在する不
純物が少なく微細で均一な組織となるため、１５０Ｗ／
ｍ・Ｋ以上の高い熱伝導率を有するものとなり、よって
熱応答性に優れたものとなる。請求項９記載の半導体製
造用多目的装置は、抵抗加熱式発熱体およびサセプタ
を、それぞれ請求項１、請求項５に記載のものにしたも
のであるから、これらが上述したように耐酸化性、耐食
性、高熱伝導性、高温高強度、耐久性に優れ、かつ均熱
性、熱応答性にも優れ、したがって種々の雰囲気にも安
定なものとなることにより、該装置は半導体製造の各工
程に兼用して用いることができる、すなわち同一装置に
おいて成膜処理、酸化処理、アニール処理、洗浄処理、
不純物拡散処理等を実施することができるのみならずこ
れらの全ての処理を一つの装置内で可とする多目的な装
置となる。そして、この半導体製造用多目的装置によれ
ば、半導体の製造プロセスにおいて基本的な工程である
成膜工程、酸化工程、アニール工程、洗浄工程、不純物
拡散工程等の各工程ごとに、専用の半導体製造用熱処理
装置をそれぞれ使用する必要性がなくなることから、設
備投資効率、生産性の向上を図ることができ、したがっ
て半導体製造のコストダウンを大幅に図ることができ、
よって産業上極めて多大な効果を奏するものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造用多目的装置の一例の概略
構成を示す縦断面図。

【符号の説明】

３マイクロ波発生手段５サセプタ６抵抗加熱式発熱体１２水冷チャンバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者塙仁志神奈川県逗子市久木８−11−25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結
体密度が２.８ｇ／ｃｍ³ 以上で、室温での電気比抵抗
値が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体によって形成され
てなることを特徴とする半導体製造用多目的装置向け抵
抗加熱式発熱体。
【請求項２】請求項１記載の抵抗加熱式発熱体におい
て、上記炭化珪素焼結体が、室温での熱伝導率が１５０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上である半導体製造用多目的装置向け抵抗
加熱式発熱体。
【請求項３】請求項１又は２記載の抵抗加熱式発熱体
において、上記炭化珪素焼結体が、平均粒子径が０.１
〜１０μｍの第１の炭化珪素と、非酸化性雰囲気のプラ
ズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素
とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を０.１ｔ
ｏｒｒ〜１気圧未満の範囲で制御しつつ気相反応させる
ことによって合成された平均粒子径が０.１μｍ以下の
第２の炭化珪素微粉末とを混合し、これを加熱し焼結し
て得られた炭化珪素焼結体である半導体製造用多目的装
置向け抵抗加熱式発熱体。
【請求項４】請求項１又は２記載の抵抗加熱式発熱体
において、上記炭化珪素焼結体が、非酸化性雰囲気のプ
ラズマ中でシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化珪
素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を０.１
ｔｏｒｒ〜１気圧未満の範囲で制御しつつ気相反応させ
ることによって合成された平均粒子径が０.１μｍ以下
である炭化珪素微粉末を加熱し、焼結して得られた炭化
珪素焼結体である半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱
式発熱体。
【請求項５】焼結助剤無添加で焼結されてなり、焼結
体密度が２.８ｇ／ｃｍ³ 以上で、室温での電気比抵抗
値が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素焼結体によって形成され
てなることを特徴とする半導体製造用多目的装置向けサ
セプタ。
【請求項６】請求項５記載のサセプタにおいて、上記
炭化珪素焼結体が、室温での熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上である半導体製造用多目的装置向けサセプタ。
【請求項７】請求項５又は６記載の抵抗加熱式発熱体
において、上記炭化珪素焼結体が、平均粒子径が０.１
〜１０μｍの第１の炭化珪素と、非酸化性雰囲気のプラ
ズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素
とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を０.１ｔ
ｏｒｒ〜１気圧未満の範囲で制御しつつ気相反応させる
ことによって合成された平均粒子径が０.１μｍ以下の
第２の炭化珪素微粉末とを混合し、これを加熱し焼結し
て得られた炭化珪素焼結体である半導体製造用多目的装
置向けサセプタ。
【請求項８】請求項５又は６記載の抵抗加熱式発熱体
において、上記炭化珪素焼結体が、非酸化性雰囲気のプ
ラズマ中でシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化珪
素とからなる原料ガスを導入し、反応系の圧力を０.１
ｔｏｒｒ〜１気圧未満の範囲で制御しつつ気相反応させ
ることによって合成された平均粒子径が０.１μｍ以下
である炭化珪素微粉末を加熱し、焼結して得られた炭化
珪素焼結体である半導体製造用多目的装置向けサセプ
タ。
【請求項９】チャンバー内に抵抗加熱式発熱体および
サセプタを配設してなる半導体製造用装置であって、上
記抵抗加熱式発熱体およびサセプタが、焼結助剤無添加
で焼結されてなり、焼結体密度が２.８ｇ／ｃｍ³ 以上
で、室温での電気比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下の炭化珪素
焼結体により形成されてなることを特徴とする半導体製
造用多目的装置。
【請求項１０】請求項９記載の半導体製造用多目的装
置において、蒸着法、化学気相成長法、有機金属化学気
相成長法、液相エピタキシ法、分子線エピタキシ法、有
機金属分子線エピタキシ法、熱酸化法、スパッタ法、プ
ラズマ発生法、エッチング法、熱拡散法、イオン注入法
のうちの少なくとも一つを達成し得る手段が併設されて
なることを特徴とする半導体製造用多目的装置。
【請求項１１】請求項９又は１０記載の半導体製造用
多目的装置において、上記チャンバー内の雰囲気を調整
し得る雰囲気調整手段が併設されてなることを特徴とす
る半導体製造用多目的装置。