JP2015179834A - ウェーハ載置用サセプタの製造方法及びウェーハ載置用サセプタ - Google Patents
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Abstract
Description
層を成長させ、作られる。
われる(特許文献1)。
測定にはマルバーン社製の湿式フロー式粒子径・形状分析装置FPIA-3000を用いた。
平均粒径20μmの炭化珪素粗粉末を平均粒径1μmの炭化珪素微粉末に混合した混合炭化珪素微粉末に、焼結助剤を加えて非酸化性雰囲気(アルゴンガス雰囲気)においてホットプレス法により焼結し、この焼結体から直径300mmシリコンウェーハ用エピタキシャル成長装置のサセプタを作製した。前記混合炭化珪素微粉末中の平均粒径20μmの炭化珪素粗粉末の配合量(重量%)を0.005、0.01、0.1、1、5、10、20、30、40重量%と変えてそれぞれ焼結した。前記サセプタにウェーハを載置し、反応容器内を1100℃に昇温してエピタキシャル成長処理を行い、ウェーハ主表面に3μm厚のエピタキシャル層を成層させた。
平均粒径20μmの炭化珪素粗粉末を混合せず、平均粒径1μmの炭化珪素粉末に焼結助剤を混合してホットプレス法により焼結し、この焼結体から直径300mmシリコンウェーハ用エピタキシャル成長装置のサセプタを作製した。前記サセプタにウェーハを載置し、反応容器内を1100℃に昇温してエピタキシャル成長処理を行い、ウェーハ主表面に3μm厚のエピタキシャル層を成層させた。得られたエピタキシャルウェーハに対して、集光灯下で肉眼にて観察するスリップ評価を行ったところ、スリップ全長は表1に示したように13mmとなり、比較的長いスリップが発生した。
Claims (8)
- 炭化珪素粉末を焼結した炭化珪素焼結体からなるウェーハ載置用サセプタの製造方法であり、
前記炭化珪素粉末が、平均粒径0.05〜5μmの炭化珪素微粉末及び平均粒径10〜50μmの炭化珪素粗粉末を含む混合炭化珪素粉末であることを特徴とするウェーハ載置用サセプタの製造方法。 - 前記炭化珪素粗粉末は、炭化珪素単結晶粉末であることを特徴とする請求項1記載のウェーハ載置用サセプタの製造方法。
- 前記混合炭化珪素粉末における、前記炭化珪素微粉末の配合量が50〜99.99重量%、前記炭化珪素粗粉末の配合量が0.01〜30重量%、であることを特徴とする請求項1又は2記載のウェーハ載置用サセプタの製造方法。
- 前記混合炭化珪素粉末を焼結するにあたり、焼結助剤を加えることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載のウェーハ載置用サセプタの製造方法。
- 前記炭化珪素焼結体は、非酸化性雰囲気においてホットプレス法で焼結させることを特徴とする請求項1〜4いずれか1項記載のウェーハ載置用サセプタの製造方法。
- 炭化珪素粉末を焼結した炭化珪素焼結体からなるウェーハ載置用サセプタであり、
前記炭化珪素粉末が、平均粒径0.05〜5μmの炭化珪素微粉末及び平均粒径10〜50μmの炭化珪素粗粉末を含む混合炭化珪素粉末であることを特徴とするウェーハ載置用サセプタ。 - 前記炭化珪素粗粉末は、炭化珪素単結晶粉末であることを特徴とする請求項6記載のウェーハ載置用サセプタ。
- 前記混合炭化珪素粉末における、前記炭化珪素微粉末の配合量が50〜99.99重量%、前記炭化珪素粗粉末の配合量が0.01〜30重量%、であることを特徴とする請求項6又は7記載のウェーハ載置用サセプタ。
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