JP2018067736A - 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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2SiC+H2→2Si+C2H2 (式1)
Claims (6)
- 化学機械研磨により平坦化処理が施された炭化珪素単結晶基板の表面を還元性ガス雰囲気中でガスエッチングする工程と、
前記ガスエッチング後に前記炭化珪素単結晶基板の前記表面上に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる工程とを備え、
前記炭化珪素膜の三角欠陥密度は0.1/cm2以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素単結晶基板の前記表面の平均粗さが0.2nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記還元性ガスは水素ガスであることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素単結晶基板と、
前記炭化珪素単結晶基板の表面に設けられた炭化珪素膜と、
を備え、
前記炭化珪素膜の三角欠陥密度は0.1/cm2以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記炭化珪素膜は、前記炭化珪素単結晶基板上に形成されたエピタキシャル成長膜であることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記三角欠陥は前記炭化珪素単結晶基板の表面上から前記炭化珪素膜の表面まで形成
されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の炭化珪素半導体装置。
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