JP2000243706A - Ｃｖｄ膜の形成方法およびダミーウエハ - Google Patents
Ｃｖｄ膜の形成方法およびダミーウエハInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】窒化シリコン等のシリコン含有化合物のＣＶＤ
膜が剥がれにくいダミーウエハの提供。 【解決手段】ダミーウエハ基板の表面にＣＶＤ法により
ＳｉＣ膜が形成されてなるダミーウエハであって、かつ
ダミーウエハの平均表面粗さが１〜１０μｍであるダミ
ーウエハ。
膜が剥がれにくいダミーウエハの提供。 【解決手段】ダミーウエハ基板の表面にＣＶＤ法により
ＳｉＣ膜が形成されてなるダミーウエハであって、かつ
ダミーウエハの平均表面粗さが１〜１０μｍであるダミ
ーウエハ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おいてＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）装置内に半導体ウエハとともに配置され
るダミーウエハに関する。
おいてＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）装置内に半導体ウエハとともに配置され
るダミーウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウエハの表面に、窒化
シリコン、酸化シリコンまたはポリシリコン等のシリコ
ン含有化合物のＣＶＤ膜を形成する際にはＣＶＤ装置が
用いられている。多数枚の半導体ウエハを一度に処理す
るバッチ式のＣＶＤ装置内にはウエハボートが設置さ
れ、このウエハボートに多数の半導体ウエハが支持され
る。
シリコン、酸化シリコンまたはポリシリコン等のシリコ
ン含有化合物のＣＶＤ膜を形成する際にはＣＶＤ装置が
用いられている。多数枚の半導体ウエハを一度に処理す
るバッチ式のＣＶＤ装置内にはウエハボートが設置さ
れ、このウエハボートに多数の半導体ウエハが支持され
る。
【０００３】ＣＶＤ装置によるＣＶＤ膜の形成におい
て、均一な厚さの膜を形成するためには、全ての半導体
ウエハの温度を一定にすることが重要であるが、実際に
はウエハボートの上下端部の近傍に支持された半導体ウ
エハの温度を一定に保つことは難しい。したがって、ウ
エハボート上下端部の近傍にはダミーウエハを配置し、
中間部に製品である半導体ウエハを配置し、半導体ウエ
ハの温度が一定になるようにしている。
て、均一な厚さの膜を形成するためには、全ての半導体
ウエハの温度を一定にすることが重要であるが、実際に
はウエハボートの上下端部の近傍に支持された半導体ウ
エハの温度を一定に保つことは難しい。したがって、ウ
エハボート上下端部の近傍にはダミーウエハを配置し、
中間部に製品である半導体ウエハを配置し、半導体ウエ
ハの温度が一定になるようにしている。
【０００４】ダミーウエハとしては、シリコンウエハの
他、カーボン基板の表面にＳｉＣ膜を被覆したもの、Ｃ
ＶＤ法により形成されたＳｉＣからなるものが用いられ
ている。このＣＶＤ法により形成されたＳｉＣからなる
ダミーウエハは、以下の方法により作製できる（図１参
照）。まず、（ａ）カーボン基板１を準備し、（ｂ）カ
ーボン基板１の表面にＳｉＣ膜２を被覆する。次いで、
（ｃ）カーボン基板１を、カーボン基板１の厚さ方向の
中心線Ａに沿って二分し、カーボン基板１を切削除去し
て、（ｄ）全体がＳｉＣからなるダミーウエハが得られ
る。
他、カーボン基板の表面にＳｉＣ膜を被覆したもの、Ｃ
ＶＤ法により形成されたＳｉＣからなるものが用いられ
ている。このＣＶＤ法により形成されたＳｉＣからなる
ダミーウエハは、以下の方法により作製できる（図１参
照）。まず、（ａ）カーボン基板１を準備し、（ｂ）カ
ーボン基板１の表面にＳｉＣ膜２を被覆する。次いで、
（ｃ）カーボン基板１を、カーボン基板１の厚さ方向の
中心線Ａに沿って二分し、カーボン基板１を切削除去し
て、（ｄ）全体がＳｉＣからなるダミーウエハが得られ
る。
【０００５】一方、半導体ウエハの表面にＣＶＤ法によ
りシリコン含有化合物のＣＶＤ膜を形成する際には、同
じくダミーウエハの表面にもシリコン含有化合物のＣＶ
Ｄ膜が形成される。
りシリコン含有化合物のＣＶＤ膜を形成する際には、同
じくダミーウエハの表面にもシリコン含有化合物のＣＶ
Ｄ膜が形成される。
【０００６】窒化シリコン等のシリコン含有化合物の熱
膨張係数とＳｉＣの熱膨張係数は同程度であるため、前
記ＣＶＤ法により形成されたＳｉＣからなるダミーウエ
ハの表面に形成されたシリコン含有化合物のＣＶＤ膜は
比較的剥れにくい。
膨張係数とＳｉＣの熱膨張係数は同程度であるため、前
記ＣＶＤ法により形成されたＳｉＣからなるダミーウエ
ハの表面に形成されたシリコン含有化合物のＣＶＤ膜は
比較的剥れにくい。
【０００７】しかし、上記ダミーウエハにおいても、Ｃ
ＶＤ装置内において繰り返し使用するとシリコン含有化
合物のＣＶＤ膜が剥がれるおそれがあるため、頻繁にダ
ミーウエハを洗浄し、シリコン含有化合物のＣＶＤ膜を
除去する必要があった。さらに、ダミーウエハの作製方
法上、不純物である金属がダミーウエハの表層部にある
程度含有される等の問題があった。
ＶＤ装置内において繰り返し使用するとシリコン含有化
合物のＣＶＤ膜が剥がれるおそれがあるため、頻繁にダ
ミーウエハを洗浄し、シリコン含有化合物のＣＶＤ膜を
除去する必要があった。さらに、ダミーウエハの作製方
法上、不純物である金属がダミーウエハの表層部にある
程度含有される等の問題があった。
【０００８】また、全体がＳｉＣからなるダミーウエハ
として、ＣＶＲ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｒｅａ
ｃｔｉｏｎ）法によってカーボン基板をＳｉＣ化した基
板に、ＣＶＤ法によってＳｉＣ膜が形成されたものが知
られている（特開平１０−５０５７０）。
として、ＣＶＲ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｒｅａ
ｃｔｉｏｎ）法によってカーボン基板をＳｉＣ化した基
板に、ＣＶＤ法によってＳｉＣ膜が形成されたものが知
られている（特開平１０−５０５７０）。
【０００９】しかし、上記ダミーウエハにおいては、そ
の製法上ダミーウエハ全体の厚さが一定していない問題
があった。また、上記ダミーウエハは、曲げ強度および
引張り強度が低く、低圧でシリコン含有化合物のＣＶＤ
膜を形成する工程に使用する際に破損するおそれがあっ
た。また、ダミーウエハ基板としてカーボン基板をＳｉ
Ｃ化したものを用いているため、ダミーウエハ基板自体
の金属含有量が比較的多く、ダミーウエハ表層部におい
ても比較的多くの金属を含有する問題があった。
の製法上ダミーウエハ全体の厚さが一定していない問題
があった。また、上記ダミーウエハは、曲げ強度および
引張り強度が低く、低圧でシリコン含有化合物のＣＶＤ
膜を形成する工程に使用する際に破損するおそれがあっ
た。また、ダミーウエハ基板としてカーボン基板をＳｉ
Ｃ化したものを用いているため、ダミーウエハ基板自体
の金属含有量が比較的多く、ダミーウエハ表層部におい
ても比較的多くの金属を含有する問題があった。
【００１０】また、上記ダミーウエハにおいても半導体
ウエハの表面にシリコン含有化合物のＣＶＤ膜を形成す
る際に、同じくダミーウエハの表面に形成されるシリコ
ン含有化合物のＣＶＤ膜の剥がれ（パーティクル汚染）
が発生する問題は充分に解決されていなかった。
ウエハの表面にシリコン含有化合物のＣＶＤ膜を形成す
る際に、同じくダミーウエハの表面に形成されるシリコ
ン含有化合物のＣＶＤ膜の剥がれ（パーティクル汚染）
が発生する問題は充分に解決されていなかった。
【００１１】一方、全体がＳｉＣからなるダミーウエハ
の一つとして、ＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ基板の
両面に、ＣＶＤ法によってＳｉＣ膜が形成されたダミー
ウエハが知られている（特開平８−１８８４０８、特開
平８−１８８４６８）。しかし、上記ダミーウエハにお
いても、上記パーティクル汚染が発生する問題は充分に
解決されていなかった。
の一つとして、ＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ基板の
両面に、ＣＶＤ法によってＳｉＣ膜が形成されたダミー
ウエハが知られている（特開平８−１８８４０８、特開
平８−１８８４６８）。しかし、上記ダミーウエハにお
いても、上記パーティクル汚染が発生する問題は充分に
解決されていなかった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ダミーウエ
ハ表面に形成されるシリコン含有化合物のＣＶＤ膜が剥
がれにくく、ダミーウエハ表層部の不純物含有量が少な
いダミーウエハの提供を目的とする。
ハ表面に形成されるシリコン含有化合物のＣＶＤ膜が剥
がれにくく、ダミーウエハ表層部の不純物含有量が少な
いダミーウエハの提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＣＶＤ装置内
に半導体ウエハとともにダミーウエハを配置し、半導体
ウエハの表面にシリコン含有化合物のＣＶＤ膜を形成す
る方法において、ダミーウエハとして、ダミーウエハ基
板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜が形成されてなり、
かつダミーウエハの平均表面粗さが１〜１０μｍである
ダミーウエハを用いることを特徴とする半導体ウエハ表
面へのシリコン含有化合物のＣＶＤ膜の形成方法を提供
する。
に半導体ウエハとともにダミーウエハを配置し、半導体
ウエハの表面にシリコン含有化合物のＣＶＤ膜を形成す
る方法において、ダミーウエハとして、ダミーウエハ基
板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜が形成されてなり、
かつダミーウエハの平均表面粗さが１〜１０μｍである
ダミーウエハを用いることを特徴とする半導体ウエハ表
面へのシリコン含有化合物のＣＶＤ膜の形成方法を提供
する。
【００１４】また、本発明は、ダミーウエハ基板の表面
にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜が形成されてなるダミーウエ
ハであって、かつダミーウエハの平均表面粗さが１〜１
０μｍであることを特徴とするダミーウエハを提供す
る。
にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜が形成されてなるダミーウエ
ハであって、かつダミーウエハの平均表面粗さが１〜１
０μｍであることを特徴とするダミーウエハを提供す
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明において、ダミーウエハ基
板の表面に形成されたＳｉＣ膜の平均表面粗さは１〜１
０μｍである。平均表面粗さを上記範囲とすることによ
り、半導体ウエハの表面にシリコン含有化合物のＣＶＤ
膜を形成する際に、ダミーウエハ表面に形成される上記
ＣＶＤ膜を剥がれにくくすることができる。ここで、シ
リコン含有化合物としては、例えば、窒化シリコン、酸
化シリコン、ポリシリコン等が挙げられる。
板の表面に形成されたＳｉＣ膜の平均表面粗さは１〜１
０μｍである。平均表面粗さを上記範囲とすることによ
り、半導体ウエハの表面にシリコン含有化合物のＣＶＤ
膜を形成する際に、ダミーウエハ表面に形成される上記
ＣＶＤ膜を剥がれにくくすることができる。ここで、シ
リコン含有化合物としては、例えば、窒化シリコン、酸
化シリコン、ポリシリコン等が挙げられる。
【００１６】平均表面粗さが１μｍより小さい場合は、
ダミーウエハ表面に形成される上記ＣＶＤ膜を剥がれに
くくする効果が小さくなり、１０μｍより大きい場合
は、形成される上記ＣＶＤ膜の平均表面粗さが面内でば
らつきやすくなるので不適である。上記平均表面粗さ
は、特には３〜８μｍであることが好ましい。なお、本
明細書中における平均表面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ０６０
１で定義され、ＪＩＳ Ｂ０６５１に準拠して測定され
る中心線平均粗さである。
ダミーウエハ表面に形成される上記ＣＶＤ膜を剥がれに
くくする効果が小さくなり、１０μｍより大きい場合
は、形成される上記ＣＶＤ膜の平均表面粗さが面内でば
らつきやすくなるので不適である。上記平均表面粗さ
は、特には３〜８μｍであることが好ましい。なお、本
明細書中における平均表面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ０６０
１で定義され、ＪＩＳ Ｂ０６５１に準拠して測定され
る中心線平均粗さである。
【００１７】本発明のダミーウエハは、ダミーウエハ基
板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜が形成されてなる。
このＳｉＣ膜のＣＶＤ法による形成は、通常、水素雰囲
気下、所定の反応温度、反応圧力にて、原料ガス、およ
び必要に応じてキャリアガスを導入することによって行
う。このとき、反応温度、反応圧力、および原料ガスの
流量等を制御することにより、ダミーウエハ基板の表面
に形成されるＳｉＣ膜の平均表面粗さを所望の値にでき
る。
板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜が形成されてなる。
このＳｉＣ膜のＣＶＤ法による形成は、通常、水素雰囲
気下、所定の反応温度、反応圧力にて、原料ガス、およ
び必要に応じてキャリアガスを導入することによって行
う。このとき、反応温度、反応圧力、および原料ガスの
流量等を制御することにより、ダミーウエハ基板の表面
に形成されるＳｉＣ膜の平均表面粗さを所望の値にでき
る。
【００１８】平均表面粗さを大きくするためには、反応
温度および反応圧力を高くすることが有効である。具体
的には、反応温度は１２００〜１８００℃、特には１３
５０〜１６００℃とするのが好ましい。また、反応圧力
は３０ｔｏｒｒ以上、特には７６０ｔｏｒｒ程度とする
のが好ましい。
温度および反応圧力を高くすることが有効である。具体
的には、反応温度は１２００〜１８００℃、特には１３
５０〜１６００℃とするのが好ましい。また、反応圧力
は３０ｔｏｒｒ以上、特には７６０ｔｏｒｒ程度とする
のが好ましい。
【００１９】ダミーウエハ基板の表面にＳｉＣ膜を形成
した後、サンドブラスト等の後処理を行ったものは、シ
リコン含有化合物のＣＶＤ膜の剥がれを防ぐ効果が小さ
く、金属不純物の混入を回避できない。
した後、サンドブラスト等の後処理を行ったものは、シ
リコン含有化合物のＣＶＤ膜の剥がれを防ぐ効果が小さ
く、金属不純物の混入を回避できない。
【００２０】また、ダミーウエハ基板の表面に形成する
ＳｉＣ膜の厚さは、好ましくは１０〜２００μｍとし、
さらに好ましくは２０〜８０μｍ、特には３０〜６０μ
ｍとする。上記ＳｉＣ膜の厚さが上記範囲である場合
は、平均表面粗さを目的の値に容易に制御でき、ＳｉＣ
膜の厚さを均一にできる。
ＳｉＣ膜の厚さは、好ましくは１０〜２００μｍとし、
さらに好ましくは２０〜８０μｍ、特には３０〜６０μ
ｍとする。上記ＳｉＣ膜の厚さが上記範囲である場合
は、平均表面粗さを目的の値に容易に制御でき、ＳｉＣ
膜の厚さを均一にできる。
【００２１】本発明においては、ダミーウエハ基板とし
て、高純度のカーボン基板、ＣＶＤ法によって形成され
たＳｉＣ基板等を用いるのが好ましい。特に、ＣＶＤ法
によって形成されたＳｉＣ基板は強度が高く好ましい。
上記高純度のカーボン基板としては、金属不純物の含有
量が２０ｐｐｍ以下であり、厚さが０．２〜３．０ｍｍ
であるものが好ましい。
て、高純度のカーボン基板、ＣＶＤ法によって形成され
たＳｉＣ基板等を用いるのが好ましい。特に、ＣＶＤ法
によって形成されたＳｉＣ基板は強度が高く好ましい。
上記高純度のカーボン基板としては、金属不純物の含有
量が２０ｐｐｍ以下であり、厚さが０．２〜３．０ｍｍ
であるものが好ましい。
【００２２】また、ＣＶＤ法によって形成されたＳｉＣ
基板は、前述したのと同様に図１に示した方法で作製で
きる。まず、（ａ）所望のダミーウエハの形状とほぼ同
じ形状、ほぼ同じ大きさの高純度のカーボン基板１を準
備し、（ｂ）このカーボン基板１の表面にＣＶＤ法によ
りＳｉＣ膜２を被覆する。次いで、（ｃ）カーボン基板
１を、カーボン基板の厚さ方向の中心線Ａに沿って二分
し、カーボン基板１を切削除去する。そして、（ｄ）得
られた全体がＳｉＣからなる基板を、所望の形状および
大きさとなるように加工することにより目的のＳｉＣ基
板が得られる。このようにして厚さが０．３〜３ｍｍ、
密度が３．２ｇ／ｃｍ3程度である緻密質のＳｉＣ基板
が得られる。
基板は、前述したのと同様に図１に示した方法で作製で
きる。まず、（ａ）所望のダミーウエハの形状とほぼ同
じ形状、ほぼ同じ大きさの高純度のカーボン基板１を準
備し、（ｂ）このカーボン基板１の表面にＣＶＤ法によ
りＳｉＣ膜２を被覆する。次いで、（ｃ）カーボン基板
１を、カーボン基板の厚さ方向の中心線Ａに沿って二分
し、カーボン基板１を切削除去する。そして、（ｄ）得
られた全体がＳｉＣからなる基板を、所望の形状および
大きさとなるように加工することにより目的のＳｉＣ基
板が得られる。このようにして厚さが０．３〜３ｍｍ、
密度が３．２ｇ／ｃｍ3程度である緻密質のＳｉＣ基板
が得られる。
【００２３】本発明におけるダミーウエハ基板として
は、ダミーウエハ基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜
が形成されてなるダミーウエハの平均表面粗さを所定の
値とする観点から、平均表面粗さが０．１〜１０μｍの
ものを用いることが好ましく、特には１．０〜５．０μ
ｍであるものを用いるのが好ましい。平均表面粗さが上
記範囲であるダミーウエハ基板は、ダミーウエハ基板を
研削、研磨、またはサンドブラストすること等により得
られる。
は、ダミーウエハ基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜
が形成されてなるダミーウエハの平均表面粗さを所定の
値とする観点から、平均表面粗さが０．１〜１０μｍの
ものを用いることが好ましく、特には１．０〜５．０μ
ｍであるものを用いるのが好ましい。平均表面粗さが上
記範囲であるダミーウエハ基板は、ダミーウエハ基板を
研削、研磨、またはサンドブラストすること等により得
られる。
【００２４】本発明のダミーウエハは、ＣＶＤ法により
ＳｉＣ膜が被覆され、該ＳｉＣ膜の平均表面粗さが１〜
１０μｍであり、かつ、従来のダミーウエハよりも平均
表面粗さが大きいダミーウエハである。本発明のダミー
ウエハの表面の断面形状はジグザグ状であり表面積が大
きい。したがって、窒化シリコン等のシリコン含有化合
物のＣＶＤ膜が付着したときの該ＣＶＤ膜のダミーウエ
ハに対する付着性が大きく、剥がれにくい。
ＳｉＣ膜が被覆され、該ＳｉＣ膜の平均表面粗さが１〜
１０μｍであり、かつ、従来のダミーウエハよりも平均
表面粗さが大きいダミーウエハである。本発明のダミー
ウエハの表面の断面形状はジグザグ状であり表面積が大
きい。したがって、窒化シリコン等のシリコン含有化合
物のＣＶＤ膜が付着したときの該ＣＶＤ膜のダミーウエ
ハに対する付着性が大きく、剥がれにくい。
【００２５】
【実施例】[例１]ダミーウエハ基板として、ＣＶＤ法に
よって得られたＳｉＣ基板を準備した。このＳｉＣ基板
は円の一端が切り欠かれた形状であるオリフラ（オリエ
ンテーションフラット）形状であり、最大径Ｄが２００
ｍｍ、円を切り欠いた直線部分の長さＬが５７．５ｍ
ｍ、厚さは０．８ｍｍであった（図２参照）。また、こ
のＳｉＣ基板の平均表面粗さは０．２μｍであった。
よって得られたＳｉＣ基板を準備した。このＳｉＣ基板
は円の一端が切り欠かれた形状であるオリフラ（オリエ
ンテーションフラット）形状であり、最大径Ｄが２００
ｍｍ、円を切り欠いた直線部分の長さＬが５７．５ｍ
ｍ、厚さは０．８ｍｍであった（図２参照）。また、こ
のＳｉＣ基板の平均表面粗さは０．２μｍであった。
【００２６】このＳｉＣ基板をＣＶＤ装置内にセット
し、ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣ膜を形成した。ＣＶＤ法
によるＳｉＣ膜の形成は、ＣＶＤ装置内を水素雰囲気と
した後、装置内の圧力を５００ｔｏｒｒとし、反応温度
１４００℃にて、原料ガスであるＳｉＣｌ4およびＣＨ4
と、キャリアガスである水素を導入することによって行
った。これにより、ＳｉＣ基板の表面に厚さ５０μｍの
ＳｉＣ膜が形成されたダミーウエハが得られた。
し、ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣ膜を形成した。ＣＶＤ法
によるＳｉＣ膜の形成は、ＣＶＤ装置内を水素雰囲気と
した後、装置内の圧力を５００ｔｏｒｒとし、反応温度
１４００℃にて、原料ガスであるＳｉＣｌ4およびＣＨ4
と、キャリアガスである水素を導入することによって行
った。これにより、ＳｉＣ基板の表面に厚さ５０μｍの
ＳｉＣ膜が形成されたダミーウエハが得られた。
【００２７】[例２]反応温度を１５００℃とした以外は
例１と同様にして、ＳｉＣ基板の表面に厚さ４０μｍの
ＳｉＣ膜が形成されたダミーウエハを得た。
例１と同様にして、ＳｉＣ基板の表面に厚さ４０μｍの
ＳｉＣ膜が形成されたダミーウエハを得た。
【００２８】[例３（比較例）]例１で用いたＳｉＣ基板
を１００メッシュのＳｉＣ砥粒でブラストし、ダミーウ
エハを得た。
を１００メッシュのＳｉＣ砥粒でブラストし、ダミーウ
エハを得た。
【００２９】[例４（比較例）]例１で用いたＳｉＣ基板
を６０メッシュのＳｉＣ砥粒でブラストし、ダミーウエ
ハを得た。
を６０メッシュのＳｉＣ砥粒でブラストし、ダミーウエ
ハを得た。
【００３０】[評価結果]例１〜例４によって得られたダ
ミーウエハの平均表面粗さをＪＩＳ Ｂ０６０１で定義
され、ＪＩＳ Ｂ０６５１に準拠した方法を用いて測定
した。また、得られたダミーウエハと半導体ウエハをＣ
ＶＤ装置内にセットし、半導体ウエハに窒化シリコン膜
を被覆させる工程を繰り返し行った。窒化シリコン膜の
形成は、ＣＶＤ装置内の圧力を１ｔｏｒｒ以下とし、７
５０〜８００℃にて、原料ガスであるＳｉＨ2Ｃｌ2およ
びＮＨ3を導入することによって行った。
ミーウエハの平均表面粗さをＪＩＳ Ｂ０６０１で定義
され、ＪＩＳ Ｂ０６５１に準拠した方法を用いて測定
した。また、得られたダミーウエハと半導体ウエハをＣ
ＶＤ装置内にセットし、半導体ウエハに窒化シリコン膜
を被覆させる工程を繰り返し行った。窒化シリコン膜の
形成は、ＣＶＤ装置内の圧力を１ｔｏｒｒ以下とし、７
５０〜８００℃にて、原料ガスであるＳｉＨ2Ｃｌ2およ
びＮＨ3を導入することによって行った。
【００３１】このとき、ダミーウエハの表面に付着する
窒化シリコン膜のＣＶＤ膜の厚さがどの程度で、半導体
ウエハのパーティクル汚染が発生するかを測定した。以
上の結果を表１に示す。このパーティクル汚染が発生す
るＣＶＤ膜の厚さが大きいほど、窒化シリコン膜が剥が
れにくいことを示す。なお、例１および例２は、ＳｉＣ
基板の表面にＳｉＣ膜を形成した後、ブラスト等の後処
理を行っていないので、この後処理に由来する金属不純
物の混入がない。
窒化シリコン膜のＣＶＤ膜の厚さがどの程度で、半導体
ウエハのパーティクル汚染が発生するかを測定した。以
上の結果を表１に示す。このパーティクル汚染が発生す
るＣＶＤ膜の厚さが大きいほど、窒化シリコン膜が剥が
れにくいことを示す。なお、例１および例２は、ＳｉＣ
基板の表面にＳｉＣ膜を形成した後、ブラスト等の後処
理を行っていないので、この後処理に由来する金属不純
物の混入がない。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】シリコン含有化合物のＣＶＤ膜を従来よ
り厚くなるまでダミーウエハ表面に付着、堆積できるた
め、ダミーウエハを洗浄して上記ＣＶＤ膜を除去するま
での期間を大幅に伸ばせる。したがって、半導体ウエハ
の生産性の向上および製造コスト削減を図れる。
り厚くなるまでダミーウエハ表面に付着、堆積できるた
め、ダミーウエハを洗浄して上記ＣＶＤ膜を除去するま
での期間を大幅に伸ばせる。したがって、半導体ウエハ
の生産性の向上および製造コスト削減を図れる。
【００３４】また、本発明のダミーウエハは、ＣＶＤ法
によるＳｉＣ膜を形成した後、切削加工やブラスト等の
後処理をしないため、後処理に由来する金属不純物の混
入がなく、高純度である。
によるＳｉＣ膜を形成した後、切削加工やブラスト等の
後処理をしないため、後処理に由来する金属不純物の混
入がなく、高純度である。
【００３５】なお、本発明のダミーウエハは、ダミーウ
エハ基板がＳｉＣからなるものである場合も、ダミーウ
エハ基板の表面がＣＶＤ法によりＳｉＣで被覆されてな
るため、光の透過率が低く従来から用いられているシリ
コンウエハ検知用の光電センサにより検知できる。した
がって、上記光電センサを用いてダミーウエハをＣＶＤ
装置内に自動で搬送できる。
エハ基板がＳｉＣからなるものである場合も、ダミーウ
エハ基板の表面がＣＶＤ法によりＳｉＣで被覆されてな
るため、光の透過率が低く従来から用いられているシリ
コンウエハ検知用の光電センサにより検知できる。した
がって、上記光電センサを用いてダミーウエハをＣＶＤ
装置内に自動で搬送できる。
【図１】ＣＶＤ法によって形成されたＳｉＣ基板の作製
方法。
方法。
【図２】実施例で用いたダミーウエハ基板の正面図。
１：カーボン基板 ２：ＣＶＤ法により被覆されたＳｉＣ膜
Claims (4)
- 【請求項１】ＣＶＤ装置内に半導体ウエハとともにダミ
ーウエハを配置し、半導体ウエハの表面にシリコン含有
化合物のＣＶＤ膜を形成する方法において、ダミーウエ
ハとして、ダミーウエハ基板の表面にＳｉＣ膜が形成さ
れてなり、前記ＳｉＣ膜がＣＶＤ法により平均表面粗さ
が１〜１０μｍとなるように形成されてなるダミーウエ
ハを用いることを特徴とする半導体ウエハ表面へのシリ
コン含有化合物のＣＶＤ膜の形成方法。 - 【請求項２】ダミーウエハ基板がＣＶＤ法により形成さ
れたＳｉＣ基板である請求項１に記載のＣＶＤ膜の形成
方法。 - 【請求項３】ダミーウエハ基板の表面に形成されてなる
ＳｉＣ膜の厚さが１０〜２００μｍである請求項１また
は２に記載のＣＶＤ膜の形成方法。 - 【請求項４】ダミーウエハ基板の表面にＳｉＣ膜が形成
されてなるダミーウエハであって、前記ＳｉＣ膜は、Ｃ
ＶＤ法により平均表面粗さが１〜１０μｍとなるように
形成されてなることを特徴とするダミーウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4367699A JP2000243706A (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Ｃｖｄ膜の形成方法およびダミーウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4367699A JP2000243706A (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Ｃｖｄ膜の形成方法およびダミーウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243706A true JP2000243706A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12670455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4367699A Withdrawn JP2000243706A (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | Ｃｖｄ膜の形成方法およびダミーウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243706A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003113472A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ＣＶＤ−ＳｉＣ自立膜構造体 |
| WO2003071588A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Production method of sic monitor wafer |
| WO2015093550A1 (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | イビデン株式会社 | ＳｉＣウェハの製造方法、ＳｉＣ半導体の製造方法及び黒鉛炭化珪素複合基板 |
-
1999
- 1999-02-22 JP JP4367699A patent/JP2000243706A/ja not_active Withdrawn
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