JP3685627B2 - コーティング膜を有するカーボン材料 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、サセプター、シリコン単結晶製造用の各種部材、ヒーター等に使用されるSiC膜等のコーティング膜を有するカーボン材料に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、カーボン基材をSiCで被覆して構成されるカーボン材は、主に半導体製造用の装置部材として使用されている。これは、SiC膜によりカーボン基材から発生するダスト、金属などの半導体製造上好ましくない不純物を抑えるためである。
【0003】
この種のコーティング膜を有するカーボン材の代表的な用途としては、例えばシリコンエピタキシャル成長用のサセプターと、CZ(チョクラルスキー)法に代表される各種のシリコン単結晶製造用部材とがある。前者では、シリコンデポジット膜が付着し、後者ではベーパーされたSiOX やシリコンが付着するため、いずれの部材であっても、付着物を取り除くために定期的に洗浄しなければならない。
【0004】
そこで、この種の付着物を除去する方法として、一般に、高温での塩酸ガスエッチングや、酸溶液での湿式洗浄等が行われている。このうち、高温での塩酸ガスエッチングは、シリコンエピタキシャル成長装置では主流ではあるものの、高価な装置を伴うために他の多くの用途ではほとんど使用されていない。この種の用途、例えばCZ部材、枚葉式ウェーハ処理用ヒータ等の比較的小規模の生産ラインで製造される製品では、湿式洗浄を用いることが多い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の湿式洗浄を用いてカーボン材上の付着物を除去する場合には、次のような問題があった。
【0006】
すなわち、SiC膜で被覆されたカーボン材は、しばしば半導体製造中に汚染源となる金属不純物が原因で、そのSiC膜中にピンホールが発生することがあるが、それがひとたび発生すると、その後で行われる酸溶液を用いた湿式洗浄の際にその酸溶液がピンホールを通ってカーボン基材内に侵入し、その結果、カーボン基材が侵食され、その基材上面を覆うSiC膜が剥がれる等の事態が発生しやすく、比較的短時間で製品のライフエンドを迎えやすい。
【0007】
その対策として、付着物除去用の湿式洗浄時に基材中に侵入した酸溶液についても、その後に除去しなければならず、この処理には少なくとも10時間以上のRO(Reverse Osmosis)水を用いた洗浄が必要であった。しかも、この場合の 洗浄後にさらに酸溶液やRO水などがカーボン基材中に残留することもあり、そのままの状態でカーボン部材を高周波加熱で使用すると、最悪の場合には、その部材が爆発的に分解してしまうといった不都合が生じることもあった。
【0008】
一方、近年では、上記のカーボン材で構成される製品、例えばエピタキシャル装置ではシリコンウェーハの大口径化に伴い、枚葉処理タイプのものに変化しつつあり、またサセプターでは高速昇降温を可能にするため、薄型のものが要求されてきており、低温容量化が図られている。
【0009】
しかしながら、このような近年の製品の薄型化によって、SiC膜ではなく、カーボン基材自体も薄くしなければならず、これが原因で使用時におけるサセプターの変形や割れの問題が発生することがあった。この種の問題は、サセプターが厚い場合にはカーボン基材がサセプターの変形や割れを防止してくれるため、ほとんど生じていなかった。これは、熱衝撃性ΔTに関して、SiCの場合はΔT=400℃程度であるのに対し、カーボンの場合はΔT=1000℃以上であるためである。
【0010】
この発明は、このような従来の問題を考慮してなされたもので、付着物除去用の湿式洗浄を行っても、酸溶液の侵入を阻止し、ライフエンドの長い製品を提供することを、第1の目的とする。
【0011】
また、この発明は、製品の薄型化によりカーボン基材自体を薄くする場合であっても、その製品の変形や割れを効果的に抑制することを、第2の目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記目的を達成するため、各種の実験・考察を重ねた結果、カーボン基材を高密度等方性炭素材で構成し、その平均気孔径を1.1×104オングストローム以下にし、かつ、気孔率を8%以下にすることにより、SiC被膜にピンホールが発生したとしても液体を吸水させず製品ライフエンドの延命効果があることを確認した。
【0013】
ここで、高密度等方性炭素材とは、例えば公知文献(例えば、「改訂 炭素材料入門」、炭素材料学会編、P168〜P173)に記載のようなものであり、例えばコークスを原材料とし、バインダーと共に混練した後に粉砕した成型用原料粉をCIP(COLD ISOSTATIC PRESS)にて成型し、焼成、黒鉛化する等の方法を用いて製造可能である。この製造にあたり、混練粉の成型圧力、黒鉛化温度、および昇温速度等の調整により、平均気孔径を1.1×104オングストローム以下、かつ、気孔率を8%以下となる状態でカーボン基材を作製する。
【0014】
この場合の平均気孔径および気孔率の数値限定理由を説明する。まず、湿式洗浄の際、その洗浄液の圧力によりカーボン材の気孔中に入っていた気体(おそらくは空気)がカーボン材の外側に出され、その気体の抜けた気孔中に洗浄液が代わりに侵入してくる。このとき、気体と洗浄液との界面には表面張力が存在するため、材料の種類が一定であれば、例えば小さい気孔中に存在していた気体は表面張力によって守られ置換されにくく、逆に大きい気孔中に存在した気体は表面張力よりも置換のエネルギーが大きくなり置換されやすくなる。また、気孔率は吸水可能なキャパシティに関係する。
【0015】
この点を踏まえ、本発明者は、カーボン基材の平均気孔径および気孔率を調整して実験を繰り返し行ったところ、平均気孔径1.1×104 オングストローム以下、かつ、気孔率8%以下の条件で、気孔中の気体から洗浄液への置換を効果的に阻止できることを確認した。なお、ここでい平均気孔径とは、水銀圧入法ポロシメータを用いて測定を行った値である。
【0016】
加えて、本発明者は、カーボン基材を従来品よりも緻密なものとし、その熱膨張係数(以下、必要に応じて「CTE」と略記する)も従来品よりも高めに設定することにより、製品の薄型化、例えば製品厚さを3mm以下で構成しても、その変形や割れが殆ど生じない効果があることを確認した。
【0017】
例えば、カーボン基材のCTEの高い基材の場合には、それを使用して製造したSiC被覆カーボン製品のSiC膜により高い圧縮圧力がかかるため、使用中の昇降温に伴う外部からの影響を受けにくく、変形しにくいといった効果があるが、本発明者による実験の結果、その効果がカーボン基材のCTEが4.8×10−6/℃以上5.3×10−6/℃以下の場合に特に顕著であることが確認された。ちなみに、従来品の場合では、SiC膜とのマッチング性を考慮に入れると共に使用時にSiC膜に若干の圧縮応力を付けるため、カーボン基材のCTEは概ね4.3〜5.3×10−6/℃程度のものがほとんどであった。また、SiC膜のCTEは4.2〜4.4×10−6/℃程度である。
【0018】
しかしながら、上記のようにカーボン基材のCTEを高くすることで、強い圧縮応力がSiC膜にかかる製品では、カーボン基材の密度が高くなければ使用時に変形してしまうため、強い圧縮応力に耐えられる密度の高い基材が必要であることも分かった。
【0019】
すなわち、SiC膜をコーティングする工程では、SiC膜の厚さを全く均一にすることは殆ど困難であり、通常は若干、例えば10%程度の膜厚バラツキが生じる。この膜厚バラツキは、そのまま圧縮応力のバラツキになる。このような圧縮応力のバラツキが製品中に含まれると、製造時に変形がない状態でも、使用を重ねると応力的に楽な状態へと変形してしまう。
【0020】
その対策として、密度の高い基材を使用すれば、製品が変形しようとする力をある程度抑えることができる。言い換えると、密度の低い基材を使用すれば、製品の応力的に楽な状態への変形を抑制できない。特に、この場合の製品の変形に対する抑制効果は、本発明者による実験の結果、かさ密度が1.85g/cm以上の場合に特に顕著であることが確認された。ちなみに、従来品では、かさ密度は特に限定されていなかった。
【0021】
この発明にかかるコーティング膜を有するカーボン材料は、以上の知見に基づいて完成されたものである。
【0022】
請求項1記載の発明では、高密度等方性炭素材で構成されるカーボン基材と、このカーボン基材表面を被覆するコーティング膜とを備え、前記カーボン基材は、平均気孔径が0オングストロームを超えて1.1×104オングストローム以下および気孔率が0%を超えて8%以下であり、前記コーティング膜はSiC膜で構成され、前記カーボン基材は、製品厚さが3mm以下で規定される厚さを有し、かつ、かさ密度が1.85g/cm 3 以上および熱膨張係数が4.8×10 −6 /℃以上5.3×10 −6 /℃以下であることを特徴とする。
【0023】
請求項2記載の発明では、請求項1記載の発明において、前記気孔率は、3%以上8%以下であることを特徴とする。気孔率が3%未満の場合では、カーボン基材に対するSiC膜の足つきが悪く、ヒートサイクルを受けることによりSiC膜の剥離の問題が比較的生じやすいためである。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかるコーティング膜を有するカーボン材料の実施の形態を具体的に説明する。
【0027】
(第1の実施の形態)
まず、高密度等方性炭素材のカーボン基材を作製した。この作製条件として、コークスを原材料とし、これをバインダーと共に混練後に所定粒度に粉砕して成型用原料粉とし、この原料粉をCIPにて所定の成型圧力で成型した後、約900℃にて焼成し、さらに約3000℃で黒鉛化することによって、成型用原粉(混練粉)の成型圧力及び黒鉛化の温度を調整することで、表1に示す平均気孔径および気孔率となる実施例1、実施例2、比較例1、比較例2の各試料を作製した。
【0028】
【表1】
得られた各試料の基礎調査として、乾燥後に重量をはかり、RO水に1時間、2時間、5時間、10時間、20時間の条件で浸し、窒素ブローにて表面の水滴を払い、10分放置後に重量を再計量し、重量増加率から吸水性を調査した。その結果を表2に示す。
【0029】
表2に示すように、平均気孔径および気孔率を本発明の範囲内の数値に設定した実施例1、2は、本発明の範囲外の数値に設定した比較例1、2に比べ、いずれの時間でも不連続的に重量増加率が少なく、その時間経過による上昇も0.001%オーダーで非常に少なく、吸水しにくい性質をもっていることが確認された。
【0030】
この効果を検証するため、得られた各試料のカーボン基材を用いて、シリコンエピタキシャル成長用タイプ装置で使用するサセプターを加工し、その表面上にCVD法を用いてSiC膜をコーティングして実際の製品を製造した。
【0031】
そこで、得られたサセプターを、実際にシリコンエピタキシャル成長工程で使用し、その平均ライフサイクルを測定した。この場合、シリコンエピタキシャル成長工程として、四塩化ケイ素を原料とし、温度が1180℃、エピタキシャル厚さが100μmの条件を使用し、そのエピタキシャルサイクルの2回に1回の割合でフッ硝酸溶液を用いて洗浄し、膜が剥がれた時点をライフエンドとしてそこまでに要した回数を測定した。この測定10回の平均回数の結果について表1に示す。
【0032】
表1に示すように、実施例1、2は、いずれも比較例1、2と比べると、平均ライフサイクルが2倍以上長くなっていることが確認された。
【0033】
(第2の実施の形態)
カーボン基材として、CTEの異なる原料を使用し、その原料にバインダーを加え混練し、乾燥させた混練粉の揮発分を異ならせる方法を用い、更に上記第1の実施形態と同一条件にて焼成及び黒鉛化することによって平均気孔径が1.1×104 オングストローム以下、気孔率が8%以下であり、かつ表2に示す製品厚さ、CTE及びかさ密度となる実施例3〜8、比較例3〜8の各試料(サイズ:8”、円板形状品)を試作し、その基材表面上にSiC膜をCVD法を用いてコーティングした。尚、実施例3〜8の揮発分は13.5〜14%に調整した。
【0034】
【表2】
ここで、各試料で使用したカーボン基材は、3点曲げ強さが40MPa程度と成るように調整した。なお、CTEが4.3未満又は5.4以上のカーボン基材を使用した試料も試作してみたが、この条件の場合、SiC膜のコーティング中に、そのSiC膜とマッチングせず、クラックおよび剥離の発生が確認された。
【0035】
得られた各試料について、常圧、窒素雰囲気下で、ランプ加熱により600℃から1200℃まで2分間で昇温させ、その1200℃の温度を2分間キープし、この処理を1000回繰り返し行い、その使用後の変形量、すなわち最大反り量を3次元測定機で測定した。その結果を表2に示す。この測定結果では、反り量が100μm以下の場合を「変形なし」と評価した。
【0036】
その結果、変形量に関しては、CTE及びかさ密度を本発明の範囲内の数値に調整した実施例3〜8では、製品厚さ3mmおよび6mmのいずれの場合も変形なしであったが、CTE及びかさ密度の少なくとも一方を本発明の範囲外の数値に調整した比較例3〜8では、製品厚さ6mmの場合では変形なしであっても、同条件での製品厚さ3mmの場合では100μmを超えて変形していることが確認された。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、高密度等方性炭素材のカーボン基材の平均気孔径を0オングストロームを超えて1.1×104オングストローム以下とし、その気孔率を0%を超えて8%以下とした構成により、付着物除去のために湿式洗浄を行っても、コーティング膜を介して基材中への酸溶液の侵入を阻止し、ライフエンドの長いカーボン材料を提供できる。
【0038】
また、カーボン基材のかさ密度を1.85g/cm3 以上とし、熱膨張係数を4.8×10-6/℃以上5.3×10-6/℃以下とした構成により、サセプター等の製品の薄型化によりカーボン基材自体を薄くする場合であっても、その製品の変形や割れを効果的に抑制可能なカーボン材料を提供できる。
Claims (2)
- 高密度等方性炭素材で構成されるカーボン基材と、このカーボン基材表面を被覆するコーティング膜とを備え、前記カーボン基材は、平均気孔径が0オングストロームを超えて1.1×104オングストローム以下および気孔率が0%を超えて8%以下であり、前記コーティング膜はSiC膜で構成され、前記カーボン基材は、製品厚さが3mm以下で規定される厚さを有し、かつ、かさ密度が1.85g/cm 3 以上および熱膨張係数が4.8×10 −6 /℃以上5.3×10 −6 /℃以下であることを特徴とするコーティング膜を有するカーボン材料。
- 請求項1記載の発明において、前記気孔率は、3%以上8%以下であることを特徴とするコーティング膜を有するカーボン材料。
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