JP2011508419A5

JP2011508419A5 - 半導体真空処理装置用のコンポーネント・アセンブリ、アセンブリを結合する方法、及び、半導体基板を処理する方法

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Publication number: JP2011508419A5
Application number: JP2010539430A
Authority: JP
Filing date: 2008-12-18
Publication date: 2012-01-19
Anticipated expiration: 2028-12-18

Claims

半導体基板の処理を行なうプラズマ処理装置で用いられる結合コンポーネント・アセンブリであって、
コンポーネントを支持する少なくとも一つの耐荷重面を有する支持部材と、
少なくとも一つのプラズマ露出面を備える前記少なくとも一つの耐荷重面上に支持される前記コンポーネントと、
前記少なくとも一つの耐荷重面と前記コンポーネントの合わせ面とを結合するエラストマーシート状接着剤であって、前記支持部材と前記コンポーネントの熱膨張の差に起因して、温度サイクルの間に、前記支持部材に対する前記コンポーネントの横方向への移動を可能にするエラストマーシート状接着剤と、
を備える、結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項１に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記支持部材が、下部電極、メカニカルクランプ、静電チャックデバイス、光学管、及び／又は、プラズマ処理チャンバの内部空間に隣接するチャンバ側壁を備え、
前記コンポーネントが、前記内部空間内で処理される基板が載置される基板支持部、ガス注入器、ガスリング、ガスノズル、ガス分配板、温度制御ガス分配板、基板を囲むリング、プラズマ閉じ込めスクリーン、処理ガスから前記チャンバ側壁を保護するライナー、及び／又は、光学管ウィンドウを備える、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項１に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
（ａ）前記支持部材の合わせ面が、前記コンポーネントの合わせ面に平行である、
（ｂ）前記支持部材の合わせ面が、前記コンポーネントの合わせ面に平行ではない、
及び／又は、
（ｃ）前記コンポーネントが、単結晶シリコン、多結晶シリコン、グラファイト、石英、サファイア、セラミック、炭化ケイ素、窒化ケイ素、イットリア含有セラミック、ＢＮ、Ｂ４Ｃ又はこれらの組み合わせから形成され、前記支持部材が、アルミニウム、グラファイト、銅、アルミナ、石英、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、鋼鉄、モリブデン、タングステン又はこれらの組み合わせから形成される、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項１に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記エラストマーシート状接着剤の結合部が、熱伝導性及び／又は電気伝導性シリコーン接着剤シートを備える、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項４に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記エラストマーシート状接着剤の結合部は、室温から３００℃の温度範囲で、約５０〜３００ｐｓｉのせん断応力により、少なくとも５００％のせん断歪みが生じるように、前記横方向に弾性変形可能である、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項５に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記エラストマーシート状接着剤の結合部は、室温から３００℃の温度範囲で、約５０〜３００ｐｓｉのせん断応力により、少なくとも８００％のせん断歪みが生じるように、前記横方向に弾性変形可能である、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項５に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記エラストマーシート状接着剤の結合部は、室温から１８０℃の温度範囲で、約１００〜２００ｐｓｉのせん断応力により、少なくとも５００％のせん断歪が生じるように、前記横方向に弾性変形可能である、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項５に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記エラストマーシート状接着剤の結合部は、前記結合コンポーネント・アセンブリを室温から２５０℃まで加熱する温度サイクルを５０００サイクル繰り返した後、室温から３００℃の温度範囲で、約５０〜３００ｐｓｉのせん断応力により、少なくとも５００％のせん断歪みが生じるように、前記横方向に弾性変形可能である、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項４に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
（ａ）前記熱伝導性及び／又は電気伝導性シリコーン接着剤シートが、異なる物理特性を有する２層以上の積層多層構造を備える、
及び／又は、
（ｂ）前記熱伝導性及び／又は電気伝導性シリコーン接着剤シートが、異なる物理特性を有する二つ以上の共平面部を備える、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項４に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記伝導性シリコーン接着剤シートの少なくとも一部が、約０．２〜１．０Ｗ／ｍＫの熱伝導性を有する、及び／又は、前記伝導性シリコーン接着剤シートの少なくとも一部が、１．０Ｗ／ｍＫより大きな熱伝導性を有する、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項４に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
（ａ）前記エラストマーシート状接着剤の結合部が、さらに、前記支持部材及び／又は前記コンポーネントの一つ以上の合わせ面上にプライマーを備える、
及び／又は、
（ｂ）前記伝導性シリコーン接着剤シートが、一様に分布した伝導性充填材を備える、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項１１に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
（ａ）前記熱伝導性充填材が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン、炭化ケイ素又はこれらの組み合わせから形成される、
及び／又は、
（ｂ）前記熱伝導性シリコーン接着剤シートが、（ｉ）高分子量ジメチルシリコーン及び前記熱伝導性充填材、（ｉｉ）グラスファイバースクリーン（スクリム）周囲でマトリックス化された高分子量ジメチルシリコーン及び前記熱伝導性充填材、（ｉｉｉ）金属スクリーン周囲でマトリックス化された高分子量ジメチルシリコーン及び前記熱伝導性充填材、又は（ｉｖ）ガラスマイクロビーズ及び／又はナノビーズと混合された高分子量ジメチルシリコーン及び前記熱伝導性充填材、から形成される、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項１に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
前記合わせ面の間隔距離の変動が、±２５μｍ（０．００１インチ）未満である、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項１に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
（ａ）前記エラストマーシート状接着剤の結合部が、プリフォーム形状に鋳造又は圧延されたエラストマーシート状接着剤を備える、
（ｂ）前記エラストマーシート状接着剤の結合部が、プリフォーム形状に打ち抜かれたエラストマーシート状接着剤を備える、
（ｃ）前記エラストマーシート状接着剤の結合部が、レーザー、プロッター及び／又は水ジェットでプリフォーム形状に切断されたエラストマーシート状接着剤を備える、
及び／又は、
（ｄ）前記合わせ面の一つがキャビティを備える、
結合コンポーネント・アセンブリ。
請求項１４に記載の結合コンポーネント・アセンブリであって、
（ａ）前記キャビティの深さが、１００〜２００μｍの範囲である、
（ｂ）前記キャビティの深さが、２００〜５００μｍの範囲である、
（ｃ）前記キャビティが、前記シート状接着剤の寸法に一致する大きさの立面ジョグを備える、
（ｄ）前記シート状接着剤が、５０〜４００μｍの間隔をあけて、前記コンポーネントの合わせ面を前記支持部材の少なくとも一つの耐荷重面に結合させる、
（ｅ）前記シート状接着剤の結合部が、一枚のシート形状のシリコーン接着シートを備える、
（ｆ）前記シート状接着剤の結合部が、一つ以上の平坦リング、立面ジョグを備える平坦リング、シリンダー、平坦又は円柱状ポリゴン、ブロック又はこれらの組み合わせである形状のシリコーン接着シートを備える、
及び／又は、
（ｇ）前記エラストマーシート状接着剤の結合部が、熱硬化させた接着剤を備える、
結合コンポーネント・アセンブリ。
半導体基板の処理を行なうプラズマ処理装置で用いられるアセンブリを結合する方法であって、
所定パターンの未硬化エラストマー接着剤シートの第１の表面を、非結合のまま残す領域を除く結合対象領域を規定する所定パターンで、支持部材の少なくとも一つの耐荷重面に貼り付ける工程と、
コンポーネントの少なくとも一つの結合面を、結合対象領域を規定する所定パターンで、前記未硬化エラストマー接着剤シートの第２の表面に貼り付ける工程であって、前記コンポーネントがプラズマに露出される少なくとも一つの他面を有する工程と、
前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面を、前記支持部材の前記少なくとも一つの耐荷重面に、前記エラストマー接着剤シートを両者の間に挟むことにより、結合させてアセンブリを形成する工程と、
を備える、アセンブリを結合する方法。
請求項１６に記載の半導体基板の処理を行なうプラズマ処理装置で用いられるアセンブリを結合する方法であって、さらに、
前記支持部材の前記少なくとも一つの耐荷重面に、所定パターンで、プライマーを塗布する工程と、
前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面に、所定パターンで、プライマーを塗布する工程と、
を備える、
アセンブリを結合する方法。
請求項１７に記載の半導体基板の処理を行なうプラズマ処理装置で用いられるアセンブリを結合する方法であって、
前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面にプライマーを塗布する前記工程が、開口部を所定パターンで備えるマスクで前記少なくとも一つの結合面を覆い、前記少なくとも一つの結合面のマスクで覆っていない領域をプライマーで被覆する工程を備える、
及び／又は、
前記支持部材の前記少なくとも一つの耐荷重面にプライマーを塗布する前記工程が、開口部を所定パターンで備えるマスクで前記少なくとも一つの耐荷重面を覆い、前記少なくとも一つの耐荷重面のマスクで覆っていない領域をプライマーで被覆する工程を備える、
アセンブリを結合する方法。
請求項１８に記載の半導体基板の処理を行なうプラズマ処理装置で用いられるアセンブリを結合する方法であって、
前記マスクの前記所定パターンが、複数の半環状ゾーンである、
アセンブリを結合する方法。
請求項１６に記載の半導体基板の処理を行なうプラズマ処理装置で用いられるアセンブリを結合する方法であって、
（ａ）前記未硬化エラストマー接着剤シートの前記第１の表面を貼り付ける工程が、機械的切断、打ち抜き、レーザー切断、水ジェット切断、プラズマ切断、プロッター切断及びこれらの組み合わせのいずれかを用いて、前記未硬化エラストマー接着剤シートを前記所定パターンにプレカットする工程を備える、
（ｂ）前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面及び／又は前記支持部材の前記少なくとも一つの耐荷重面が、前記所定パターンの少なくとも一部にわたる溝を備える、
（ｃ）前記未硬化エラストマー接着剤シートが、充填剤入り未硬化エラストマーシリコーンシートである、
及び／又は、
（ｄ）前記未硬化エラストマー接着剤シートが、アルミニウム、酸化アルミニウム、シリコン、炭化ケイ素、窒化ホウ素又はこれらの合金のいずれかの導電性粒子を充填した充填剤入り未硬化エラストマーシリコーンシートである。
アセンブリを結合する方法。
請求項１６に記載の半導体基板の処理を行なうプラズマ処理装置で用いられるアセンブリを結合する方法であって、
（ａ）前記結合させる工程が、静重量をかけた状態で、又は、場合によっては真空バッグ内の大気圧により、前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面及び前記支持部材の前記少なくとも一つの耐荷重面を押し付けることによって、前記シート状接着剤を着座させる工程を備え、前記未硬化エラストマー接着剤シートが熱硬化性である、
（ｂ）前記静重量又は真空を解除する際に、前記アセンブリを加熱して、着座後の前記未硬化エラストマー接着剤を硬化させる、
（ｃ）前記コンポーネントが、単結晶シリコン、多結晶シリコン、グラファイト、石英、セラミック、炭化ケイ素、窒化ケイ素、イットリア含有セラミック、ＢＮ、Ｂ４Ｃ又はこれらの組み合わせから形成され、前記支持部材が、アルミニウム、グラファイト、銅、アルミナ、石英、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素又はこれらの組み合わせから形成される、
（ｄ）前記未硬化エラストマー接着剤シートの前記第１の表面を貼り付ける前記工程が、前記支持部材の前記少なくとも一つの耐荷重面に前記第１の表面を貼り付ける前に、前記第１の表面からトランスファーシートをはずす工程を備える、
（ｅ）前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面を貼り付ける前記工程が、前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面を前記未硬化エラストマー接着剤シートの前記第２の表面に貼り付ける前に、前記エラストマー接着剤シートの前記第２の表面からトランスファーシートをはずす工程を備える、
（ｆ）前記未硬化エラストマー接着剤シートの前記第１の表面を貼り付ける前記工程が、前記支持部材の前記少なくとも一つの耐荷重面に前記第１の表面を貼り付けた後に、前記未硬化エラストマー接着剤シート及び前記支持部材を真空状態にして、前記第１の表面と前記少なくとも一つの耐荷重面との間に隙間ができないようにする、
（ｇ）前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面を貼り付ける前記工程が、前記コンポーネントの前記少なくとも一つの結合面を前記未硬化エラストマー接着剤シートの前記第２の表面に貼り付けた後に、前記未硬化エラストマー接着剤シート、前記コンポーネント及び前記支持部材を真空状態にして、前記少なくとも一つの結合面と前記第２の表面との間に隙間ができないようにする、
及び／又は、
（ｈ）前記コンポーネントが、基板支持部、前記基板を囲むリング、プラズマ閉じ込めスクリーン、光学管ウィンドウ、チャンバ側壁ライナー、ガス注入器、ガスリング、ガスノズル、ガス分配板、及び／又は、温度制御ガス分配板を備え、前記支持部材が、下部電極、メカニカルクランプ、静電チャックデバイス、光学管、及び／又は、プラズマ処理チャンバに隣接するチャンバ側壁を備える、
アセンブリを結合する方法。
請求項１に記載の結合コンポーネント・アセンブリを備えるプラズマ処理装置において、粒子汚染を抑制しつつ、半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理チャンバの内部空間において基板支持部上に基板を載置する工程と、
複合シャワーヘッド電極アセンブリ、ガスリング又はガス注入器を備える前記プラズマ処理チャンバの内部空間に処理ガスを導入する工程と、
前記プラズマ処理チャンバの前記内部空間において、前記基板上で、前記処理ガスからプラズマを発生させる工程と、
前記基板を前記プラズマで処理する工程と、
を備える、方法。
請求項２２に記載の方法であって、
前記処理する工程が、前記基板をエッチング処理する工程を備える、
方法。
半導体基板のプラズマ処理の際に粒子汚染を抑制するコンポーネント・アセンブリであって、
コンポーネントを支持する少なくとも一つの耐荷重面を有するプラズマ処理チャンバの支持部材と、
少なくとも一つのプラズマ露出面を備える前記少なくとも一つの耐荷重面上に支持される前記コンポーネントと、
前記少なくとも一つの耐荷重面と前記コンポーネントの合わせ面の間の結合部において硬化する未硬化エラストマーシート状接着剤であって、硬化後の前記支持部材と前記コンポーネントの熱膨張の差に起因して、前記支持部材に対する前記コンポーネントの移動を可能にする未硬化エラストマーシート状接着剤と、を備え、
前記未硬化エラストマーシート状接着剤が、充填剤入り熱硬化性未加硫エラストマーシリコーンシートである、
コンポーネント・アセンブリ。
請求項２４に記載のコンポーネント・アセンブリであって、
前記未硬化エラストマーシート状接着剤が、過酸化物を架橋反応を行う熱活性化成分として含み、硬化時の前記エラストマーシート状接着剤の体積収縮が３〜５％の範囲内又は３％未満である、
コンポーネント・アセンブリ。