JP2008088024A - 種結晶固定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応容器の種結晶配置部3に接着剤5を介して種結晶9を固定するための種結晶固定装置1であって、種結晶配置部3を内部に配置可能なチャンバ10と、チャンバ10上面に配置され、気体の給排気により膨張収縮し、膨張した際に種結晶9の表面に接して種結晶9の全面に均一に圧力を掛ける加撓性袋体16とを備え、チャンバ10上面が、種結晶配置部3に向かって凸形状に形成されている。
【選択図】図1
Description
図1(a)は、接着剤5を介して種結晶9が配置された種結晶配置部3を収納した種結晶固定装置1の概略断面図を示し、図1(b)は上チャンバーの上面図を示し、図1(c)は下チャンバーの上面図を示す。
図1の種結晶固定装置を用いた実施形態にかかる種結晶固定方法について、図2(a)〜(g)を用いて説明する。
以上、種結晶固定方法等について説明してきたが、本発明の別形態として炭化ケイ素単結晶の製造方法が提供される。即ち、昇華用原料を収容する反応容器に昇華用原料を収容し、昇華用原料に略対向して種結晶を配置し、昇華させた昇華用原料を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、上記実施形態にかかる種結晶固定方法により種結晶配置部に固定された種結晶上に単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法が提供される。
炭化ケイ素単結晶は、前述の炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造される。炭化ケイ素単結晶は、溶融アルカリによりエッチングして評価した結晶欠陥(パイプ欠陥)は、50個/cm2以下が好ましく、10個/cm2以下がより好ましい。炭化ケイ素単結晶における金属不純物元素の総含有量としては10ppm以下が好ましい。本発明により得られる炭化ケイ素単結晶は、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の結晶欠陥がなく、極めて高品質であるので、絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、半導体ウエハ等の電子デバイス、発光ダイオード等の光学デバイスなどに特に好適に用いられる。
3 種結晶配置部
5 接着剤
9 種結晶
10 チャンバー
11 上チャンバー
11a 側壁部
11b 溝
12 吸引排気口
13 下チャンバー
15 Oリング
16 可撓性袋体
17 ガイド部
20 ヒータ
20 加熱体
30 炭化ケイ素単結晶製造装置
31 容器
33a 第一誘導加熱コイル
33b 第二誘導加熱コイル
35 昇華用原料
Claims (3)
- 種結晶配置部に接着剤を介して種結晶を固定するための種結晶固定装置であって、
前記種結晶配置部を内部に配置可能なチャンバと、
前記チャンバ上面に配置され、気体の給排気により膨張収縮し、膨張した際に前記種結晶の表面に接して種結晶の全面に均一に圧力を掛ける加撓性袋体とを備え、
前記チャンバ上面は前記種結晶配置部に向かって凸形状に形成されていること
を特徴とする種結晶固定装置。 - 請求項1に記載の種結晶固定装置であって、
前記チャンバ上面に溝が設けられていること
を特徴とする種結晶固定装置。 - 請求項1に記載の種結晶固定装置であって、
前記加撓性袋体に対する気体の給排気口がチャンバ上面における中心位置に設けられていること
を特徴とする種結晶固定装置。
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