JP5592129B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
前述したように、図10に示した高周波電源150から供給される電力の周波数が高くなると、表皮効果により高周波の電流は、下部電極110の表面を伝搬して下部電極110の上部表面を端部から中央部に向けて伝搬し、下部電極110の中心側では端部側より電界強度が高くなり、ガスの電離や解離が促進される。これにより下部電極110の中心側では端部側よりプラズマの電子密度が高くなる。この結果、下部電極110の中心側では端部側よりプラズマの抵抗率が低くなるため、上部電極105においても上部電極105の中心側に高周波による電流が集中して、プラズマ密度分布が不均一になる。図2(a)には、プラズマが生成されるプラズマ空間にてプラズマ密度分布が中央部で高く端部で低くなった状態が示されている。なお、図2(a)に示したキャパシタンス成分(静電容量)の分布は、誘電体で形成された上部基材105aがフラットであるため、これに応じて一様な分布となっている。
εo:真空中の誘電率
R:ボルツマン定数
Te:電子温度
V:シース電位
ni:イオン密度
次に、可変機構200の棒状部材Bとして誘電体棒B1を出し入れしたときの作用、効果について図5を参照しながら説明する。ここでは、誘電体棒B1と上部基材105aとが同一誘電部材で形成されているとする。例えば、上部基材105aが石英から形成されているとすると、誘電体棒B1も石英から形成されている。よって、上部基材105aの誘電率ε1と誘電体棒B1の誘電率ε2とは3.8と同じ数値となる。
次に、可変機構200の棒状部材Bとして金属棒B2を出し入れしたときの作用、効果について図7を参照しながら説明する。図7の上部は、可変機構200が最も下降し、複数の金属棒B2が複数の細孔Aの底部まで挿入され、細孔Aの内部が金属棒B2で埋められている状態を示している。これは、図6の最も左図の「金属の場合」ように、上部基材105aの中央にてテーパ状に金属のベースプレート105bが出っ張ったのと同じ状態と考えられる。
また、図6の右側の2つの図の「異なる誘電体の場合」には、上部基材105aとテーパ状誘電体とを異なる誘電物質で形成した場合の上部電極による均一化効果が示されている。図6の右から2番目の図には、上部基材105aの誘電率ε1がテーパ状誘電体の誘電率ε2より小さい場合の上部電極による均一化効果が示されている。この場合には、上部基材105aの中央の静電容量を周辺の静電容量より大きくすることができる。これによって、上部基材105aの中央部ではその周辺部より高周波を通り抜けやすくすることができる。ただし、金属棒の場合と比べると前記通り抜けやすさの程度は低くなる。
図6の最も右の図には、上部基材105aの誘電率ε1がテーパ状誘電体の誘電率ε2より大きい場合の上部電極による均一化効果が示されている。この場合には、上部基材105aの中央の静電容量を周辺の静電容量より小さくすることができる。これによって、上部基材105aの中央部において高周波を通り抜けにくくすることができる。ただし、真空の棒と見なされる真空空間の場合と比べると前記通り抜けにくさの程度は低くなる。
可変機構200は、多系統に構成され、各系統で別々に駆動することもできる。具体的には、可変機構200は、複数の細孔Aに応じて設けられた複数の棒状部材Bを、少なくとも上部基材105aの内側に位置する棒状部材B及び上部基材105aの外側に位置する棒状部材Bの2系統、若しくはそれ以上の系統に分けて駆動するようにしてもよい。
最後に、可変機構200の具体的駆動方法について図9を参照しながら説明する。
100 処理容器
105 上部電極
105a 上部基材
105a1 突出部分
105a2 フラット部分
105a3 凹み部分
105b ベースプレート
105c ガス穴
105d ガス通路
105e ガス導入管
110 下部電極
150 高周波電源
175 排気装置
200 可変機構
205 ベース板
210a 直動ガイド機構
210b ボールネジ昇降機構
215 駆動機構
220 モータ
A 細孔
B 棒状部材
B1 誘電体棒
B2 金属棒
Claims (15)
- 減圧可能な処理容器内に処理ガスを導入して高周波電力のパワーによりプラズマを生成し、前記プラズマによって被処理体に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
複数の凹部が形成された、前記処理容器内に配設される上部電極を構成する誘電体の基材と、
前記複数の凹部に出し入れ可能な複数の凸部材を含む被駆動体と、
前記被駆動体を駆動することにより、前記複数の凹部に前記複数の凸部材を出し入れさせる駆動機構と、
前記処理容器内に、前記上部電極に対向して配設され高周波電力が供給される下部電極と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記複数の凹部は、複数の細孔又は複数の溝であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の細孔の直径は、シースの厚さの2倍以下の範囲で異なるサイズに形成されることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の凸部材は、前記複数の細孔に出し入れ可能な複数の棒状部材又は前記複数の溝に出し入れ可能な複数の板状部材であることを特徴とする請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記基材の外周側に形成された細孔の直径は、前記基材の内周側に形成された細孔の直径より小さく、
前記基材の外周側に形成された棒状部材の直径は、前記複数の細孔の直径に応じて前記基材の内周側に形成された棒状部材の直径より小さいことを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の凸部材は、誘電部材又は金属部材から形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の凸部材が誘電部材から形成される場合、前記基材を構成する誘電体の誘電率は、前記複数の凸部材を構成する誘電部材の誘電率より大きいことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記被駆動体は、前記複数の凹部に応じて設けられた前記複数の凸部材を、少なくとも前記基材の内周側に位置する凸部材及び前記基材の外周側に位置する凸部材の2系統以上に分けて駆動することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の凸部材のうち、前記基材の外周側に形成された凹部に出し入れされる凸部材ほど、前記基材の内周側に形成された凹部に出し入れされる凸部材よりも誘電率が高い部材又は金属部材の少なくともいずれかから形成されることを特徴とする請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の凹部は、前記処理容器と連通し、前記処理容器内を真空状態にすると、これに応じて真空状態となることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の凹部は、前記基材をプラズマ空間側に貫通しない範囲で深さを変えて形成され、
前記複数の凸部材は、前記複数の凹部の深さにそれぞれ対応した長さに形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記基材の外周側に形成された凹部の深さは、前記基材の内周側に形成された凹部の深さより浅く、
前記基材の外周側に形成された凸部材の長さは、前記複数の凹部の深さに応じて前記基材の内周側に形成された凸部材より短いことを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の凹部の深さは、前記複数の凹部が形成された全範囲において全体としてテーパ状に形成されることを特徴とする請求項11又は12に記載のプラズマ処理装置。
- 内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器と、前記処理容器の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する第1及び第2の電極と、前記処理容器内に高周波電力を出力する高周波電源と、を備えるプラズマ処理装置であって、
前記第1の電極には、複数の凹部が形成された誘電体の基材が設けられ、
前記複数の凹部に出し入れ可能な複数の凸部材を含む被駆動体と、
前記被駆動体を駆動することにより、前記複数の凹部に前記複数の凸部材を出し入れする駆動機構と、を備え、
前記高周波電源は、前記第2の電極に接続され、前記第2の電極に高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第1の電極は、上部電極であり、
前記上部電極には、複数のガス導入管が形成され、シャワーヘッドとして機能し、
前記第2の電極は、下部電極であることを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理装置。
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