JP3632542B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワークの表面のエッチングやクリーニングなどを行うためのプラズマ処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ウエハ表面のエッチングやプリント基板表面のクリーニングなどのためにプラズマ処理を施すことが知られている。プラズマ処理装置は、真空チャンバ内にウエハやプリント基板などのワークを収納し、内部の電極部に高周波電圧を印加することにより、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、イオンや電子等をワークの表面に作用させてプラズマ処理を行うものである。
【0003】
このようなプラズマ処理装置はウエハ等の半導体基板に集積回路を加工する微細加工用の装置としても広く使用されている。微細加工用のプラズマ処理装置は、プラズマ密度が低いので、エッチングレートは例えば0.1μm/min程度となっている。
【0004】
一方、プラズマ処理装置の新しい応用分野として、ウエハの全面を3〜5μm程度深く均一に加工する用途が注目されており、中でも機械研削によってウエハの表面に生じたストレス層(クラックが発生した層)をプラズマ処理装置で除去する試みがなされている。このストレス層の除去のためには、機械加工されたウエハの表面を約4μm以上深く削る必要がある。このため本発明者らは、プラズマ密度を高めて、効率よくエッチングを行うプラズマ処理装置について実験を行った。
【0005】
図6は従来のプラズマ処理装置の部分拡大断面図であって、上記実験に使用したものを示すものである。図中、100は真空チャンバ、101、102は真空チャンバ100内に互いに間隔T’をおいて配設された2つの電極部、103は下方の電極部102上に載置されたワークである。一方の電極部101は接地されており、他方の電極部102に高周波電圧が印加される。また真空チャンバ100は接地されている。
【0006】
真空チャンバ100内にプラズマ発生用ガスを供給し、電極部102に高周波電圧を印加すると、電極部101と電極部102の間にプラズマが発生し、イオンや電子などがワーク103の表面に衝突してエッチングやクリーニングなどが行われる。図6において、ハッチングで示す領域Aは、電極部101と電極部102の間に発生したプラズマの発生領域である。本プラズマ処理装置では、プラズマ密度を高くするために間隔T’を20mm以下とし、真空チャンバの圧力を500[Pa]以上の条件下でプラズマを発生させた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
図6において、エッチングレートをあげるために間隔T’を小さくすると、電極部101と電極部102の端面間に放電Bが発生し、プラズマの外端部A’は、図示するように2つの電極部101、102の間から真空チャンバ100の内壁面へ向って膨出する。このようにプラズマが膨張して真空チャンバ100の内壁面に接近すると、これが呼び水となって、高周波電圧が印加される電極部102と真空チャンバ100の内壁面の間に放電Cが生じて、電極部102と真空チャンバ100は短絡する。
【0008】
すなわち、従来のプラズマ処理装置では、エッチングレートをあげるために間隔T’を小さくすると放電Bが発生しやすく、この放電Bは放電Cへ移行しやすいということが本発明者の実験により明らかになった。そしてこのような異常な放電Cが発生すると、電極部101、102間のプラズマ生成は不調となり、ワーク103のプラズマ処理は困難・不能になる。
【0009】
そこで本発明は、上記のような従来のプラズマ処理装置の問題点を解消し、電極部間の間隔を小さくしても異常な放電が発生しにくいプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、プラズマ発生用ガスが供給される真空チャンバと、この真空チャンバに間隔をおいて配設された上部の電極部及び下部の電極部とを備え、電極部に高周波電圧を印加することにより真空チャンバの内部にプラズマを発生させて前記2つの電極部の間に配設されたワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記上部の電極部の外縁部に絶縁物であるセラミックスから成る外縁体を設け、この外縁体の外面をこの電極部の中央部上側へ向う後退面とする、及び又は前記下部の電極部の外縁部に絶縁物であるセラミックスから成る外縁体を設け、この外縁体の外面をこの電極部の中央部下側へ向う後退面とすることにより、この後退面と前記真空チャンバの内壁面との距離およびこの後退面と相手方電極部の外縁部の外面との距離を大きくしたことを特徴とするプラ
ズマ処理装置である。
【0011】
本発明の請求項2に記載の発明は、前記電極部の先端部を先鋭なテーパ部とすることにより、前記後退面を形成した。
【0012】
本発明の請求項3に記載の発明は、前記電極部の先端部を階段状とすることにより、前記後退面を形成した。
【0013】
本発明の請求項1、2、3の発明によれば、電極部の後退面と真空チャンバの内壁面との距離、およびこの後退面と相手方電極部の外縁部の外面との距離が大きくなるので、真空チャンバと電極部の間に異常な放電が発生するのを防止し、安定したプラズマ処理を行うことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の全体構成を示す断面図、図2は本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の部分拡大断面図、図3は本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の第2の電極部の吸引孔を示す平面図、図4は本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の第2の電極部の冷媒路を示す底面図である。
【0015】
図1において、真空チャンバ1の内部には2つの電極部(第1の電極部2と第2の電極部3)が間隔Tをおいて上下に配設されている。第1の電極部(上部電極部)2は上方にあり、アース部4に接地されている。第2の電極部(下部電極部)3は下方にあり、高周波電源5に接続されている。第1の電極部2と第2の電極部3の間に高周波電圧を印加すると、この間にプラズマが発生する。第1の電極部2と第2の電極部3の平面形状は円形である。
【0016】
第1の電極部2は、アルミニウムなどの導電体から成るベース部6と、ベース部6の下部に装着された板状の絶縁体7から成っている。絶縁体7はガス吹出部となるものであり、ガス吹出孔となる貫通孔8がその全面に多数開孔されている。絶縁体7は、石英などの絶縁物から成っている。
【0017】
ベース部6と絶縁体7の間にはガス導入部としての狭い空隙部9が確保されている。図2において、空隙部9の天井面(ベース部6の下面側の表面)は絶縁部13で覆われている。絶縁部13は、セラミックスを溶射したり、あるいは絶縁板を装着するなどして構成される。この絶縁部13は、ベース部6の下面と、この下面が対向する第2の電極部3の上面の間に、貫通孔8を通じて高電流のアーク放電Dが発生してプラズマ生成が不調になるのを防止する。
【0018】
図1において、ベース部6の中央部には上方へ突出する取付部10が突設されており、取付部10は受部11を介して真空チャンバ1の上壁に上下動自在に装着されている。取付部10には空隙部9に通じる孔路12が形成されており、孔路12にはガス供給部30が接続されている。
【0019】
ガス供給部30は、例えばCF4(4フッ化炭素)とO2(酸素)の混合ガスなどのプラズマ発生用ガスを真空チャンバ1に供給する。ガス供給部30内のプラズマ発生用ガスは、孔路12を通して空隙部9へ送られ、複数(多数)の貫通孔8から第2の電極部3へ向って均等に吹出される。したがって、このように電極部がガス吹出し部を兼務する構造にしたことにより、プラズマ処理に必要なプラズマ発生用ガスを、第1、第2の電極部2、3の間に効率よく吹出すことができる。
【0020】
図1および図2において、絶縁体7の外縁部には外縁体14が装着されている。外縁体14は、セラミックスなどの耐熱性が大きく、またプラズマイオンによりエッチングされにくい硬質の絶縁物から成っている。外縁体14はリング状であって、その先端部は真空チャンバ1の内壁面へ向って突出する先鋭な鋭角のエッジを有するテーパ部であり、図1及び図2に示すようにその外面(側面)は電極部2の中央部上側へ向ってテーパ状に後退する後退面14aになっている。このように第1の電極部2の外縁部の外面に後退面14aを形成することにより、第1の電極部2と真空チャンバ1の内壁面との距離Lを実質的に大きくし、その間に異常な放電が発生しないようにしている。
【0021】
次に、第2の電極部3を説明する。第2の電極部3は、アルミニウムなどの導電体から成るベース部20と、ベース部20の上面に装着された放熱性のよい物質(例えば鋼材などの単体の金属ブロック)から成る載置部21と、載置部21の外縁部に装着されたリング状の外縁体22から成っている。載置部21には、プラズマ処理対象物であるウエハなどのワーク15が載置される。ベース部20から下方へ突出する取付部23は、真空チャンバ1の下壁に絶縁性の受部24を介して装着されている。
【0022】
図1および図2において、載置部21は円板体であって、その厚さ方向の中央部には細い孔路25が格子状に形成されており(図3)、孔路25の交差部には孔路25に連通する吸着孔26が多数マトリクス状に開孔されている。孔路25や吸着孔26は孔部27を通して真空ポンプ31に連通している。したがって真空ポンプ31が駆動することにより、ワーク15は載置部21上に真空吸着して固定される。
【0023】
このように孔路25や吸着孔26を載置部21の全面に均等に形成することにより、ワーク15を吸着孔26にしっかり真空吸着できる。この場合、吸着孔26によるワーク15の吸着力が真空チャンバ1の真空圧よりも相対的に小さいと、ワーク15を吸着孔26にしっかり吸着できず、ワーク15はがたついてしまう。したがって、吸着孔26の真空圧が真空チャンバ1の真空圧よりも小さくなるように(すなわち吸着孔26の吸着力を真空チャンバ1の吸引力よりも大きくし、これにより真空チャンバ1の真空圧のためにワーク15が浮き上るなどしてがたつかないように)、後述する制御部34で各真空ポンプ31、33を制御する。なお、従来のプラズマ処理装置では、ワークは一般に、きわめて高価な静電気手段により電極部に吸着して保持されていたものであり、そのため製造コストがきわめて高かったものである。
【0024】
載置部21の下部には細い冷媒路28が形成されている。図4に示すように、冷媒路28は載置部21の全面に極力均等に分布するように形成されており、取付部23に形成された孔部29を通して冷却装置32に接続されている。冷却装置32から送られた冷水などの冷媒は冷媒路28を流れ、ベース部20、載置部21を冷却する。このように冷媒路28を載置部21の全面に極力均等に分布するように形成することにより、載置部21全体や載置部21の上面に吸着孔26に吸着されて密着したワーク15全体を均一に冷却できる。また、載置部21は、放熱性のよい金属などの比熱の小さい物質にて単体のブロックとして形成されているので、冷媒により効果的に冷却することができる。
【0025】
外縁体22は第1の電極部2の外縁体14と同材質、同形状のものであって、図1及び図2に示すようにその外面に中央部下側へ向ってテーパ状に後退する後退面22aを形成することにより、第2の電極部3と真空チャンバ1の内壁面との距離Lを実質的に大きくしている。また外縁体14、22の外面を後退面14a、22aにすることにより、外面同士の距離L’を実質的に大きくし、その間に放電が発生しないようにしている。図1において、33は真空ポンプであり、真空チャンバ1の内部を真空吸引する。34は制御部であり、真空吸引手段を構成する真空ポンプ31、33などの破線で接続した各要素を制御する。なお、真空ポンプ31、33には、必要に応じて、その吸引路を開閉するバルブが付設される。また図示しないが、真空チャンバ1や吸着孔26の真空圧を測定するための圧力センサが適所に設けられており、制御部34は圧力センサの測定信号に基づいて真空ポンプ31、33などの制御を行う。
【0026】
図1において、取付部10はシリンダ17のロッド18にアーム19を介して連結されている。ロッド18を突没させると、第1の電極部2は上下動し、第2の電極部3との間隔Tの大きさが変更される。このように間隔Tの大きさを変更自在にすることにより、ワーク15を出し入れ手段(図外)により真空チャンバ1に出し入れするときは、間隔Tを大きくすることにより、ワーク15を第2の電極部3上に難なく移載することができ、またこれからピックアップして取り出すことができる。なお本実施の形態1では、第1の電極部2を上下動させることにより、間隔Tの大きさを変更しているが、第2の電極部3を上下動させて間隔Tの大きさを変更するようにしてもよい。またシリンダ17はワーク15の出し入れの便のための間隔変更手段となるものであるが、間隔変更手段としてはシリンダ17に限らず、送りねじ機構などでもよい。またシリンダ17などの間隔変更手段は、望ましくは制御部34で制御する。
【0027】
このプラズマ処理装置は上記のような構成より成り、次にプラズマ処理動作について説明する。図1において、載置部21上にワーク15を載置し、真空ポンプ31によりワーク15を吸着してワーク15ががたつかないように固定した後、真空ポンプ33を駆動して真空チャンバ1の内部を真空吸引する。この場合、上述したように、真空ポンプ31によるワーク15の吸着力を真空ポンプ33による吸引力よりも大きくし、プラズマ処理中にワーク15が浮き上るなどしてがたつかないようにする。またガス供給部30からプラズマ発生用ガスを孔路12を通して空隙部9へ供給して貫通孔8から下方へ吹出させ、第2の電極部3のベース部20に高周波電圧を印加する。すると第1の電極部2と第2の電極部3の間にプラズマが発生し、ワーク15の表面にプラズマ中のイオンや電子などが作用してプラズマ処理(エッチングやクリーニングなど)が行われる。
【0028】
さて、図2において、第1の電極部2と第2の電極部3の間にはプラズマが発生するが、後退面14a、22aと真空チャンバ1の内壁面との距離Lは大きく、また後退面14aと後退面22aの距離L’も大きい。したがって第1の電極部2と第2の電極部3の間には異常な放電は発生せず、また高周波電源5に接続された第2の電極部3と真空チャンバ1の間にも異常な放電は発生せず、第2の電極部3と真空チャンバ1の内壁面は短絡しない。したがってプラズマは第1の電極部2と第2の電極部3の間に閉じ込められ、ワーク15のプラズマ処理は安定的に行われる。
【0029】
以上のように、第1の電極部2と第2の電極部3の外縁部である外縁体14、22の外面を後退面14a、22aとしたことにより異常な放電(短絡)は発生しにくい。したがって、第1の電極部2と第2の電極部3の間に発生するプラズマ密度を高くしてエッチングレート(エッチング力)を大きくし、速やか且つ強力にプラズマ処理することができる。特に、ウエハの薄形化や、ウエハの表面機械研削したことによって生じたストレス層(クラックが発生した層)を除去するなどの用途のために、ウエハの全面を深くまた均一にエッチングするためのプラズマ処理装置として特に有利である。因みに、本発明者の実験結果によれば、上記間隔Tを5mmまで狭くしても異常な放電は見られなかった。また外縁体14、22を耐熱性が大きく、またイオンなどによりエッチングされにくいセラミックスなどの素材により形成したことにより、外縁体14、22の劣化損耗を防止できる。
【0030】
(実施の形態2)
図5は本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の部分拡大断面図である。外縁体14’、22’の外面(側面)は電極部2’、3’の中央部側へ段階的に後退する階段状の後退面14’a、22’aになっている。これ以外の構成は、実施の形態1と同じである。したがってこの実施の形態2も、実施の形態1と同様の作用効果が得られる。
【0031】
なお、上記した各実施の形態では、第1の電極部と第2の電極部のいずれの外縁部の外面にも後退面を形成しているが、何れか一方の電極部にのみ後退面を形成してもよいものであり、要は、望ましくは、少なくとも高周波電源に接続される第2の電極部の外縁部の外面を後退面とすることにより、この第2の電極部が相対する相手方電極部である第1の電極部との外面との距離を大きくすればよい。また、上部電極部である第1の電極部は真空チャンバが兼務してもよく、この場合、後退面は下部電極部である第2の電極部にのみ設けることが望ましい。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、電極部間の間隔を小さくしても、真空チャンバと電極部の間に異常な放電が発生するのを防止し、安定したプラズマ処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の全体構成を示す断面図
【図2】本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の部分拡大断面図
【図3】本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の第2の電極部の吸引孔を示す平面図
【図4】本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の第2の電極部の冷媒路を示す底面図
【図5】本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の部分拡大断面図
【図6】従来のプラズマ処理装置の部分拡大断面図
【符号の説明】
1 真空チャンバ
2 第1の電極部
3 第2の電極部
14、14’、22、22’ 外縁体(外縁部)
14a、14’a、22a、22’a 後退面
15 ワーク
17 シリンダ(間隔変更手段)
Claims (3)
- プラズマ発生用ガスが供給される真空チャンバと、この真空チャンバに間隔をおいて配設された上部の電極部及び下部の電極部とを備え、電極部に高周波電圧を印加することにより真空チャンバの内部にプラズマを発生させて前記2つの電極部の間に配設されたワークをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記上部の電極部の外縁部に絶縁物であるセラミックスから成る外縁体を設け、この外縁体の外面をこの電極部の中央部上側へ向う後退面とする、及び又は前記下部の電極部の外縁部に絶縁物であるセラミックスから成る外縁体を設け、この外縁体の外面をこの電極部の中央部下側へ向う後退面とすることにより、この後退面と前記真空チャンバの内壁面との距離およびこの後退面と相手方電極部の外縁部の外面との距離を大きくしたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極部の先端部を先鋭なテーパ部とすることにより、前記後退面を形成したことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極部の先端部を階段状とすることにより、前記後退面を形成したことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
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