JP2851766B2 - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JP2851766B2 JP2851766B2 JP5103130A JP10313093A JP2851766B2 JP 2851766 B2 JP2851766 B2 JP 2851766B2 JP 5103130 A JP5103130 A JP 5103130A JP 10313093 A JP10313093 A JP 10313093A JP 2851766 B2 JP2851766 B2 JP 2851766B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置などに
おいてシリコンなどのウェハを固定、搬送するために用
いられる静電チャックに関するものである。
おいてシリコンなどのウェハを固定、搬送するために用
いられる静電チャックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体製造装置においてシリコ
ンウェハの固定、搬送にはクランプリング、真空チャッ
ク、静電チャックが用いられてきたが、真空チャックは
真空中で使用できず、クランプリングは反り修正能力は
なくウェハサイズが大きくなるほど均熱がとりにくくな
るなどの不都合があった。そこで、電子ビーム描画装
置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置等
でシリコンウェハの固定、搬送に静電チャックが有効と
されている。
ンウェハの固定、搬送にはクランプリング、真空チャッ
ク、静電チャックが用いられてきたが、真空チャックは
真空中で使用できず、クランプリングは反り修正能力は
なくウェハサイズが大きくなるほど均熱がとりにくくな
るなどの不都合があった。そこで、電子ビーム描画装
置、ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置、ＰＶＤ装置等
でシリコンウェハの固定、搬送に静電チャックが有効と
されている。
【０００３】このような静電チャックは絶縁体中に静電
電極を埋設した構造となっており、その吸着力Ｆは、 Ｆ＝Ｓ／２×ε0 ×εr ×（Ｖ／ｄ）2 Ｆ：吸着力 Ｓ：静電電極面積 ε0 ：真空の誘電率 εr ：絶縁体の比誘電率 Ｖ：印加電圧 ｄ：絶縁層の厚み で表される。
電極を埋設した構造となっており、その吸着力Ｆは、 Ｆ＝Ｓ／２×ε0 ×εr ×（Ｖ／ｄ）2 Ｆ：吸着力 Ｓ：静電電極面積 ε0 ：真空の誘電率 εr ：絶縁体の比誘電率 Ｖ：印加電圧 ｄ：絶縁層の厚み で表される。
【０００４】例えば、図４（ａ）（ｂ）に単極型の静電
チャックを示すように、絶縁体１１中に静電電極１２を
埋設し、この静電電極１２とウェハ等の被吸着物１４間
に電源１３より電圧を印加すれば、絶縁体１１の吸着面
１１ａに被吸着物１４を吸着させられるようになってい
る。また、この絶縁体１１には貫通孔１１ｂが備えら
れ、この貫通孔１１ｂから冷却または加熱ガスを送り込
んで、被吸着物１４を冷却または加熱したり、あるいは
貫通孔１１ｂから被吸着物１４を離脱させるためのプッ
シャーピンを突き上げるようになっている。
チャックを示すように、絶縁体１１中に静電電極１２を
埋設し、この静電電極１２とウェハ等の被吸着物１４間
に電源１３より電圧を印加すれば、絶縁体１１の吸着面
１１ａに被吸着物１４を吸着させられるようになってい
る。また、この絶縁体１１には貫通孔１１ｂが備えら
れ、この貫通孔１１ｂから冷却または加熱ガスを送り込
んで、被吸着物１４を冷却または加熱したり、あるいは
貫通孔１１ｂから被吸着物１４を離脱させるためのプッ
シャーピンを突き上げるようになっている。
【０００５】さらに、静電電極１２は、放電を防止する
ために外部には露出しない構造となっている。そのた
め、絶縁体１１の外周部および貫通孔１１ｂの周囲は、
内部に静電電極１２が存在しない無電極部１１ｃとなっ
ている。
ために外部には露出しない構造となっている。そのた
め、絶縁体１１の外周部および貫通孔１１ｂの周囲は、
内部に静電電極１２が存在しない無電極部１１ｃとなっ
ている。
【０００６】なお、図４（ａ）（ｂ）には単極型の静電
チャックを示したが、双極型の場合は絶縁体１１に複数
の静電電極１２を備え、互いの静電電極１２間に電圧を
印加するようになっている。
チャックを示したが、双極型の場合は絶縁体１１に複数
の静電電極１２を備え、互いの静電電極１２間に電圧を
印加するようになっている。
【０００７】ところで、上記静電チャックに発生した吸
着力は、単に電圧を切っただけではコンデンサーのよう
に蓄電されたままとなり、残留吸着力となって残ってし
まう。そこで、従来よりウェハ等の被吸着物１４を離脱
させる場合は、電気制御を行ってこの残留吸着力を解消
させることが行われていた。
着力は、単に電圧を切っただけではコンデンサーのよう
に蓄電されたままとなり、残留吸着力となって残ってし
まう。そこで、従来よりウェハ等の被吸着物１４を離脱
させる場合は、電気制御を行ってこの残留吸着力を解消
させることが行われていた。
【０００８】例えば図５（ａ）に示すように、離脱時に
静電チャックへの印加電圧の極性を交番させつつ電圧を
減衰させていく方法（特開平１−１１２７４５号公報参
照）が用いられていた。また、この他に本出願人は、図
７（ｂ）に示すように離脱時に瞬時逆電圧を印加する方
法、あるいは離脱時に瞬時交流電圧を印加する方法を提
案している（特開平４−２３００５１号、特開平４−２
４６８４３号公報参照）。
静電チャックへの印加電圧の極性を交番させつつ電圧を
減衰させていく方法（特開平１−１１２７４５号公報参
照）が用いられていた。また、この他に本出願人は、図
７（ｂ）に示すように離脱時に瞬時逆電圧を印加する方
法、あるいは離脱時に瞬時交流電圧を印加する方法を提
案している（特開平４−２３００５１号、特開平４−２
４６８４３号公報参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、静電チャッ
クに高電圧を印加して高吸着力を発生させる場合は、上
記のような電気制御を行っても残留吸着力を完全に解消
させることはできなかった。
クに高電圧を印加して高吸着力を発生させる場合は、上
記のような電気制御を行っても残留吸着力を完全に解消
させることはできなかった。
【００１０】そして、残留吸着力が発生すると、例えば
ドライエッチング等の処理を終えたウェハを静電チャッ
クから離脱させる際に、ウェハが破損したり、ウェハの
位置がずれる等の問題が生じる。また、残留吸着力の発
生を避けるために、低電圧、低吸着力で静電チャックを
利用すると、吸着力が弱いためにウェハの反りを充分に
矯正できなかったり、ウェハを冷却・加熱する効果が充
分に得られないという問題点があった。
ドライエッチング等の処理を終えたウェハを静電チャッ
クから離脱させる際に、ウェハが破損したり、ウェハの
位置がずれる等の問題が生じる。また、残留吸着力の発
生を避けるために、低電圧、低吸着力で静電チャックを
利用すると、吸着力が弱いためにウェハの反りを充分に
矯正できなかったり、ウェハを冷却・加熱する効果が充
分に得られないという問題点があった。
【００１１】なお、この残留吸着力が生じる箇所を調べ
ると、残留吸着力は静電チャックを成す絶縁体１１の外
周部や貫通孔１１ｂの周囲で発生していることがわかっ
た。つまり、図４（ｃ）に示すように、絶縁体１１の外
周部や貫通孔１１ｂの周囲は静電電極１２の存在しない
無電極部１１ｃとなっている。そして、この無電極部１
１ｃでは矢印で示すように誘電分極が斜めに生じるた
め、離脱時にこの部分の電荷が残留して残留吸着力にな
ると考えられる。
ると、残留吸着力は静電チャックを成す絶縁体１１の外
周部や貫通孔１１ｂの周囲で発生していることがわかっ
た。つまり、図４（ｃ）に示すように、絶縁体１１の外
周部や貫通孔１１ｂの周囲は静電電極１２の存在しない
無電極部１１ｃとなっている。そして、この無電極部１
１ｃでは矢印で示すように誘電分極が斜めに生じるた
め、離脱時にこの部分の電荷が残留して残留吸着力にな
ると考えられる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記に鑑みて本発明は、
静電チャックを構成する絶縁体において、静電電極の存
在しない無電極部の表面と被吸着物との直接接触を防止
する手段を備えたものである。
静電チャックを構成する絶縁体において、静電電極の存
在しない無電極部の表面と被吸着物との直接接触を防止
する手段を備えたものである。
【００１３】なお、上記接触を防止する手段としては、
無電極部分の表面に非接触部を成す段部を形成して被吸
着物と接触しない形状としたり、あるいは無電極部の表
面あるいは表面近傍に導体層を形成して誘電分極の影響
を及ぼさないようにすれば良い。
無電極部分の表面に非接触部を成す段部を形成して被吸
着物と接触しない形状としたり、あるいは無電極部の表
面あるいは表面近傍に導体層を形成して誘電分極の影響
を及ぼさないようにすれば良い。
【００１４】
【作用】本発明によれば、電圧印加時の誘電分極が垂直
方向のみとなり、離脱時の電気制御によって完全に電荷
の残留をなくし、残留吸着力を解消することができる。
方向のみとなり、離脱時の電気制御によって完全に電荷
の残留をなくし、残留吸着力を解消することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１６】図１（ａ）（ｂ）に示すように、本発明の
静電チャックはセラミックス等の絶縁体１中に静電電極
２を埋設したものであり、この静電電極２と被吸着物４
間に電源３より電圧を印加することによって吸着力が発
生し、吸着面１ａ上に被吸着物４を固定することができ
る。また、絶縁体１には貫通孔１ｂが形成され、この貫
通孔１ｂから冷却または加熱ガスを送り込んで被吸着物
４の冷却または加熱を行ったり、あるいはこの貫通孔１
ｂから被吸着物４を離脱させるためのプッシャーピンを
突き上げるようになっている。
静電チャックはセラミックス等の絶縁体１中に静電電極
２を埋設したものであり、この静電電極２と被吸着物４
間に電源３より電圧を印加することによって吸着力が発
生し、吸着面１ａ上に被吸着物４を固定することができ
る。また、絶縁体１には貫通孔１ｂが形成され、この貫
通孔１ｂから冷却または加熱ガスを送り込んで被吸着物
４の冷却または加熱を行ったり、あるいはこの貫通孔１
ｂから被吸着物４を離脱させるためのプッシャーピンを
突き上げるようになっている。
【００１７】そして、この絶縁体１の吸着面１ａにおけ
る外周部および貫通孔１ｂの周囲には、段部１ｄが形成
されている。つまり、図１（ｃ）に拡大図を示すよう
に、絶縁体１の外周部は静電電極２の存在しない無電極
部１ｃとなっているが、段部１ｄを備えることでこの無
電極部１ｃが被吸着物４と接触しなくなる。そのため、
矢印で示す誘電分極の方向が垂直なもののみとなること
から、離脱時に電気制御を行うことで残留電荷をなくす
ことができ、残留吸着力を解消することができる。
る外周部および貫通孔１ｂの周囲には、段部１ｄが形成
されている。つまり、図１（ｃ）に拡大図を示すよう
に、絶縁体１の外周部は静電電極２の存在しない無電極
部１ｃとなっているが、段部１ｄを備えることでこの無
電極部１ｃが被吸着物４と接触しなくなる。そのため、
矢印で示す誘電分極の方向が垂直なもののみとなること
から、離脱時に電気制御を行うことで残留電荷をなくす
ことができ、残留吸着力を解消することができる。
【００１８】なお、段部１ｄは予め成形時に形成した
り、あるいは焼結体にサンドブラスト等の加工を施すこ
とで形成することができ、被吸着物４が絶縁体１の無電
極部１ｃと接触しないようにするためには、段部１ｄの
深さＡは１０μｍ以上とする必要がある。
り、あるいは焼結体にサンドブラスト等の加工を施すこ
とで形成することができ、被吸着物４が絶縁体１の無電
極部１ｃと接触しないようにするためには、段部１ｄの
深さＡは１０μｍ以上とする必要がある。
【００１９】また、残留吸着力を完全に解消するために
は、段部１ｄの幅Ｂは、無電極部１ｃの幅Ｃ以上とする
必要がある。ただし、被吸着物４を安定して固定し、か
つ放熱性を高めるためには、段部１ｄの幅Ｂを小さくし
て吸着面１ａを大きくすることが好ましい。したがっ
て、段部１ｄの幅Ｂは無電極部１ｃの幅Ｃと同一にし、
吸着面１ａを静電電極２と同じ形状としたものが最適で
ある。なお、前述したように静電電極２は外部に露出し
ない構造とする必要があることから、図１（ｃ）に示す
ように上記段部１ｄの深さＡは、静電電極２の位置より
も浅く形成してある。
は、段部１ｄの幅Ｂは、無電極部１ｃの幅Ｃ以上とする
必要がある。ただし、被吸着物４を安定して固定し、か
つ放熱性を高めるためには、段部１ｄの幅Ｂを小さくし
て吸着面１ａを大きくすることが好ましい。したがっ
て、段部１ｄの幅Ｂは無電極部１ｃの幅Ｃと同一にし、
吸着面１ａを静電電極２と同じ形状としたものが最適で
ある。なお、前述したように静電電極２は外部に露出し
ない構造とする必要があることから、図１（ｃ）に示す
ように上記段部１ｄの深さＡは、静電電極２の位置より
も浅く形成してある。
【００２０】次に本発明の他の実施例を説明する。
【００２１】図２（ａ）に示す静電チャックは、絶縁体
１の内部に静電電極２を備えており、吸着面１ａにおけ
る静電電極２の存在しない無電極部１ｃの表面には、導
体層として導体膜５をコーティングしてある。そのた
め、図２（ｂ）に示すように被吸着物４を吸着固定する
際に絶縁体１の無電極部１ｃが直接被吸着物４と接触す
ることはなく、絶縁体１の無電極部１ｃに斜め方向の誘
電分極が生じても、導体膜５上にはこの誘電分極の影響
が現れないため、残留吸着力の発生を避けることができ
る。
１の内部に静電電極２を備えており、吸着面１ａにおけ
る静電電極２の存在しない無電極部１ｃの表面には、導
体層として導体膜５をコーティングしてある。そのた
め、図２（ｂ）に示すように被吸着物４を吸着固定する
際に絶縁体１の無電極部１ｃが直接被吸着物４と接触す
ることはなく、絶縁体１の無電極部１ｃに斜め方向の誘
電分極が生じても、導体膜５上にはこの誘電分極の影響
が現れないため、残留吸着力の発生を避けることができ
る。
【００２２】なお、上記のような効果を奏するために
は、導体膜５として体積固有抵抗が１０5 Ω・ｃｍ以下
の材料を用い、スパッタリングやＣＶＤ法等で形成すれ
ば良い。このとき、導体膜５の厚みＡが小さすぎると残
留吸着力解消の効果が乏しく、逆に厚みＡが大きすぎる
と吸着面１ａに段差が生じることから、厚みＡは０．１
〜１μｍの範囲とすることが好ましい。
は、導体膜５として体積固有抵抗が１０5 Ω・ｃｍ以下
の材料を用い、スパッタリングやＣＶＤ法等で形成すれ
ば良い。このとき、導体膜５の厚みＡが小さすぎると残
留吸着力解消の効果が乏しく、逆に厚みＡが大きすぎる
と吸着面１ａに段差が生じることから、厚みＡは０．１
〜１μｍの範囲とすることが好ましい。
【００２３】また、残留吸着力を完全に解消するために
は、導体膜５の幅Ｂは、無電極部１ｃの幅Ｃ以上とする
必要がある。ただし、被吸着物４を安定して固定するた
めには、導体膜５の幅Ｂを小さくして吸着面１ａを大き
くすることが好ましい。したがって、段部１ｄの幅Ｂは
無電極部１ｃの幅Ｃと同一にし、吸着面１ａを静電電極
２と同じ形状としたものが最適である。
は、導体膜５の幅Ｂは、無電極部１ｃの幅Ｃ以上とする
必要がある。ただし、被吸着物４を安定して固定するた
めには、導体膜５の幅Ｂを小さくして吸着面１ａを大き
くすることが好ましい。したがって、段部１ｄの幅Ｂは
無電極部１ｃの幅Ｃと同一にし、吸着面１ａを静電電極
２と同じ形状としたものが最適である。
【００２４】なお、上記実施例では無電極部１ｃの表面
に導体膜５を形成したものを示したが、表面近傍の内部
に導体層を備えておけば同様の効果を奏することができ
る。
に導体膜５を形成したものを示したが、表面近傍の内部
に導体層を備えておけば同様の効果を奏することができ
る。
【００２５】以上の実施例において、絶縁体１の材質と
しては、樹脂等でも良いが、セラミックスを用いること
が好ましい。例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3 ）やチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3 ）などの高
誘電率セラミックスを用いれば吸着力を高くすることが
でき、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、アルミナの単結晶体で
あるサファイア、シリカ（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等を主成分とす
るものを用いれば機械的特性を高くできる。
しては、樹脂等でも良いが、セラミックスを用いること
が好ましい。例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3 ）やチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3 ）などの高
誘電率セラミックスを用いれば吸着力を高くすることが
でき、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、アルミナの単結晶体で
あるサファイア、シリカ（ＳｉＯ2 ）、窒化アルミニウ
ム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）等を主成分とす
るものを用いれば機械的特性を高くできる。
【００２６】また、上記実施例では単極型の静電チャッ
クを示したが、静電電極２を複数形成し、これらの静電
電極２間に電圧を印加することにより双極型の静電チャ
ックとすることもできる。
クを示したが、静電電極２を複数形成し、これらの静電
電極２間に電圧を印加することにより双極型の静電チャ
ックとすることもできる。
【００２７】さらに、上記実施例では絶縁体１の中央に
１個の貫通孔１ｂを備えたものを示したがこの他にさま
ざまな形状とすることができ、これに応じて静電電極２
の形状も図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、さまざまな
ものとすることができる。
１個の貫通孔１ｂを備えたものを示したがこの他にさま
ざまな形状とすることができ、これに応じて静電電極２
の形状も図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、さまざまな
ものとすることができる。
【００２８】実験例１ 図３（ａ）〜（ｃ）に示すように静電電極２の形状が異
なる３種類の直径６インチの静電チャックを作製して、
静電電極２の形状の違いによる残留吸着力の違いを調べ
た。
なる３種類の直径６インチの静電チャックを作製して、
静電電極２の形状の違いによる残留吸着力の違いを調べ
た。
【００２９】それぞれの静電チャックに被吸着物４とし
てシリコンウェハを載せ、ウェハと静電電極２間に電圧
を印加してウェハを吸着させた後、図５に示すような電
気制御を行って電圧を切る。その後、ウェハを静電チャ
ックから離脱させるときに要した荷重を残留吸着力とし
て測定した。この実験を印加電圧を変えて行った。
てシリコンウェハを載せ、ウェハと静電電極２間に電圧
を印加してウェハを吸着させた後、図５に示すような電
気制御を行って電圧を切る。その後、ウェハを静電チャ
ックから離脱させるときに要した荷重を残留吸着力とし
て測定した。この実験を印加電圧を変えて行った。
【００３０】その結果を図６に示すように、いずれも電
圧を高くするほど残留吸着力が大きくなり、かつ単純な
円形の静電電極２（図３（ａ））よりも貫通孔を多数持
った複雑な形状の静電電極２（図３（ｃ））を持ち、無
電極部１ｃが増加するほど残留吸着力が大きくなること
がわかる。
圧を高くするほど残留吸着力が大きくなり、かつ単純な
円形の静電電極２（図３（ａ））よりも貫通孔を多数持
った複雑な形状の静電電極２（図３（ｃ））を持ち、無
電極部１ｃが増加するほど残留吸着力が大きくなること
がわかる。
【００３１】実験例２ 次に、本発明実施例として、図１に示す段部を形成した
静電チャック、および図２に示す導体膜５を形成した静
電チャックを用意し、比較例として図４に示す従来の静
電チャックを用意した。これらについて、実験例１と同
様の実験を行ったところ、結果は図７に示す通りであっ
た。
静電チャック、および図２に示す導体膜５を形成した静
電チャックを用意し、比較例として図４に示す従来の静
電チャックを用意した。これらについて、実験例１と同
様の実験を行ったところ、結果は図７に示す通りであっ
た。
【００３２】この結果より、比較例では６００Ｖ付近か
ら残留吸着力が発生しウェハの離脱が困難となったのに
対し、本発明実施例では、高電圧を印加した場合でもほ
とんど残留吸着力が生じることはなく、容易にウェハを
離脱させることが可能であった。
ら残留吸着力が発生しウェハの離脱が困難となったのに
対し、本発明実施例では、高電圧を印加した場合でもほ
とんど残留吸着力が生じることはなく、容易にウェハを
離脱させることが可能であった。
【００３３】
【発明の効果】このように本発明によれば、静電チャッ
クの絶縁体における無電極部の表面と被吸着物との直接
接触を防止する手段を備えたことによって、無電極部の
残留電荷を無くし、離脱時に電気制御を行うことで残留
吸着力を解消することができる。したがって、高電圧を
印加して高吸着力を発生させても、離脱性の低下がない
ことから、ウェハの反り矯正や冷却・加熱効果を充分に
得ることができ、半導体チップの高品質、高生産に寄与
することができる。
クの絶縁体における無電極部の表面と被吸着物との直接
接触を防止する手段を備えたことによって、無電極部の
残留電荷を無くし、離脱時に電気制御を行うことで残留
吸着力を解消することができる。したがって、高電圧を
印加して高吸着力を発生させても、離脱性の低下がない
ことから、ウェハの反り矯正や冷却・加熱効果を充分に
得ることができ、半導体チップの高品質、高生産に寄与
することができる。
【図１】本発明の静電チャックを示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）は物体
吸着時の拡大断面図である。
図、（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図、（ｃ）は物体
吸着時の拡大断面図である。
【図２】本発明の静電チャックの他の実施例を示し、
（ａ）は断面図、（ｂ）は拡大断面図である。
（ａ）は断面図、（ｂ）は拡大断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の静電チャックにおけ
る静電電極のさまざまな形状を示す平面図である。
る静電電極のさまざまな形状を示す平面図である。
【図４】従来の静電チャックを示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図、（ｃ）は拡大断面
図である。
（ｂ）は（ａ）中のＹ−Ｙ線断面図、（ｃ）は拡大断面
図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は静電チャックの離脱時におけ
る電気制御方法を示す図である。
る電気制御方法を示す図である。
【図６】静電電極形状の違いによる、印加電圧と残留吸
着力との関係を示すグラフである。
着力との関係を示すグラフである。
【図７】本発明および比較例の静電チャックにおける、
印加電圧と残留吸着力との関係を示すグラフである。
印加電圧と残留吸着力との関係を示すグラフである。
１・・・絶縁体 １ａ・・吸着面 １ｂ・・貫通孔 １ｃ・・無電極部 １ｄ・・段部 ２・・・静電電極 ３・・・電源 ４・・・被吸着物 ５・・・導体膜
Claims (2)
- 【請求項１】静電電極を備えた絶縁体に吸着面を形成し
て成る静電チャックにおいて、上記絶縁体における静電
電極の存在しない無電極部の表面に、静電電極の位置よ
りも浅い非接触部の大部分が形成されていることを特徴
とする静電チャック。 - 【請求項２】静電電極を備えた絶縁体に吸着面を形成し
て成る静電チャックにおいて、上記絶縁体における静電
電極の存在しない無電極部に導体層を備えたことを特徴
とする静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103130A JP2851766B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103130A JP2851766B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 静電チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314735A JPH06314735A (ja) | 1994-11-08 |
| JP2851766B2 true JP2851766B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=14345971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5103130A Expired - Fee Related JP2851766B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2851766B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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