JP3238925B2 - 静電チャック - Google Patents
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Description
着する静電チャックに関する。
されるウエハ等の吸着物と電極との間に電圧を印加し
て、吸着物と電極に正,負の電荷を生じさせ、この間に
働くクーロン力によって吸着物を吸引保持するものであ
る。
供されている。
間に静電吸着シート14を配設したもので、この静電吸着
シート14と一体的に給電用シート16を設けている。
イミドシート18,18の間に銅等の導電性シート20を介在
配置したものである。
問題が存在することが判明した。
ッチング装置に使用される静電チャックによれば、被処
理体である例えば半導体ウエハを所定温度に温調した状
態でウエハをチャックする必要があり、静電チャックを
介してウエハを例えば冷却している。この際、静電チャ
ックによりウエハを吸着するに足る十分な吸着力を得る
ことはできるが、実際のウエハと絶縁シート間の接触面
積はわずかであり良好な熱電伝導は得られていなかっ
た。
気体を充填し、これによって熱伝導性を確保せざるを得
なかった。
ウエハを取り除いた後の絶縁シートの除電をプラズマを
利用して行なうこともあり、この場合プラズマダメージ
によりポリイミドシートの破損が生じ、寿命が短いとい
う問題があった。
アルミニウムなどを絶縁体とし第6図に示すような全セ
ラミックス(全焼結体)の静電チャックが試みられてき
た。同図において、導電層のタングステンパターン63は
アルミナ基板61と上部アルミナ62とに挟持され、基板68
上に配設されている。タングステンパターン63はスルー
ホール64を有し、基板68断面にて絶縁カバー66で絶縁さ
れた給電線67の一端と給電部65にて接続され、給電線67
の他端は高周波電源68に接続されている。
ら上記プラズマダメージに対して耐久性は良好である
が、焼結時の歪み等の製作上の問題があり、歩留り悪く
大変高価なものとなっていた。
増大でき、イオンに対する耐久性の高い静電チャックを
安価に提供することにある。
と、前記チャック本体表面上に形成されたポリイミドシ
ートと、前記ポリイミドシート上に形成された導電性シ
ートと、前記導電性シート上に形成された焼結体にて形
成され、前記導電性シート上に接着剤で固定されたセラ
ミックスと、前記導電シートに給電する給電シートとを
有し、前記チャック本体は、前記チャック本体表面に形
成され、前記給電シートの一部を収容する凹部と、前記
凹部に臨んだ表面側より前記チャック本体の裏面まで貫
通され、前記給電シートの他の一部が配置されるスリッ
トとを有し、前記凹部に配置された前記給電シートの一
部は、これと面対向する前記導電性シートに対して接点
を介して電気的に接続されることを特徴とする。
体と、前記チャック本体表面上に形成され、2枚のポリ
イミドシート間に介在配置された導電性シートと、前記
2枚のポリイミドシートの一方の表面に形成された焼結
体にて形成され、前記2枚のポリイミドシートの一方の
表面に接着剤で固定されたセラミックスと、 前記導電シートに給電する給電シートとを有し、前記
チャック本体は、前記チャック本体表面に形成され、前
記給電シートの一部を収容する凹部と、前記凹部に臨ん
だ表面側より前記チャック本体の裏面まで貫通され、前
記給電シートの他の一部が配置されるスリットとを有
し、前記凹部に配置された前記給電シートの一部は、こ
れと面対向する前記導電性シートに対して接点を介して
電気的に接続されることを特徴とする。
ウムの焼結体で製作し、それを熱硬化性樹脂で接着し製
作した静電チャックの場合、従来の絶縁体(ポリイミド
シート)に比べ静電チャックの絶縁層として吸着力が増
大できることが判明した。
に対する耐久性が高く、比較的帯電もしにくい特性を有
している。
絶縁膜であるポリイミドに代えて熱硬化性樹脂で接着加
工するだけで製作可能であるため、歩留りが高く安価に
得られる。
ックに適用した一実施例について、図面を参照して具体
的に説明する。
30と、その表面側に配設される柔軟性の静電吸着シート
40と、この静電吸着シート40に給電するための給電用シ
ート50とを有している。
吸着シート40を配設する表面32側に、前記給電用シート
50の一端を表面32とほぼ面一にて収容する凹部34と、こ
の凹部34に隣接して開口し、チャック本体30の裏面側ま
で貫通するスリット36とを有している。尚、この凹部34
およびスリット36については、その詳細を後述する。
に、導電層として例えば銅等からなる導電性シート20を
有し、この導電性シート20の裏面側、すなわちチャック
本体30との間には絶縁層例えばポリイミドシート18が設
けられ、導電性シート20の表面側には絶縁層例えば窒化
アルミニウム(AlN)シート22が熱硬化性樹脂60で接着
され設けられている。この静電吸着シート40は、前記チ
ャック本体30の表面形状と合せて円形に形成されてい
る。また、この静電吸着シート40の裏面側には、第4図
(A)に示すように、前記給電用シート50と電気的に接
続されるための接点42を有し、この接点42は裏面側のポ
リイミドシート18を一部欠落させ、導電性シート20を露
出することにより構成される。さらに、前記静電吸着シ
ート40の裏表面に貫通するように多数のガス導入口44が
設けられている。そして、チャック本体30に設けられて
いるガス導入用の穴(第3図では図示せず)およびこの
ガス導入口44を介して、静電吸着シート40とウエハ12と
の間にガス例えばO2を充填し、両者間の熱伝達特性を高
めるように構成している。
8間に導電性シート20を介在配置することで構成され
る。尚、この給電用シート50と前記静電吸着シート40と
は、熱膨張係数がほぼ等しいものであればよい。この給
電用シート50は、第4図(B)に示すように帯状に形成
され、その一端側を幅狭部52とし、その他端側を幅広部
54とし、両端側に接点56,58を有している。前記幅狭部5
2は、チャック本体30の前記凹部34に収容されるもの
で、従って凹部34はこの幅狭部52を収容できる面積にて
形成される。凹部34の深さとしては、給電用シート50の
厚さを考慮して決定される。前記給電用シート50は、幅
狭部52,幅広部54との境目にて90度に折り曲げて使用さ
れ、幅狭部52を前記チャック本体30の凹部34に配置した
後に、幅広部54をスリット36に挿入し、その端部をチャ
ック本体30の裏面側より引き出している。従って、前記
スリット36の形状としては、少なくとも給電用シート50
における幅広部54を挿入できる形状であればよい。幅広
部54の前記チャック本体30の裏面側より引き出された側
は、その裏面に当接するように90度屈曲され、その接点
58を介して給電を可能としている。尚、この接点58付近
は大気中に開放され、放電現象の少ない大気中での給電
動作を行えるようにOリング等により気密にシールされ
ている。
おいてウエハ12と静電吸着シート40における導電性シー
ト20との間に高電圧を印加し、ウエハ12と導電性シート
20に正,負の電荷生じさせ、この間に働くクーロン力に
よってウエハを吸着保持するものである。本実施例では
モノポール型の静電チャックを構成している。すなわ
ち、ウエハ12は電界を形成するための接地電極およびプ
ラズマを通して接地され、導電性シート20には高電圧例
えば2KVが印加され、ウエハ12,導電性シート20間にクー
ロン力を作用させている。この結果、ウエハ12は静電吸
着シート40に吸着保持され、プラズマエッチングが実行
されることになる。プラズマの発生は電極間放電型,電
界と直交する磁場を形成したマグネトロン放電型または
マイクロ波照射型など何れでもよい。
Nシート22を用いることにより、ウエハ12の吸着力を60T
orr以上にできることが確認できた。同じ条件で、ウエ
ハ12と接触する側のAlNシート22に代えてポリイミドシ
ート18を用いた場合の吸着力が40Torrであったことと比
較すれば、その吸着力を大幅に増大できることを確認で
きた。
説明する。5インチウエハの中心位置の温度と、これに
より50mm離れた周辺位置の温度とを、ウエハ12と接触す
る側にAlNシート22を用いた場合、これに代えてポリイ
ミドシート18を用いた場合のそれぞれについて、ウエハ
12裏面側に充填されるO2圧力を変えて測定する実験を行
ってみた。
がウエハ12の冷却能力が高く、しかもO2圧力にはほとん
ど依存しないことが判明した。この理由は、上述したよ
うにAlNシート22を用いた方が吸着力が大きいので、ウ
エハ12と静電吸着シート40との接触圧力を大きく確保で
き、熱伝導性が向上したからと考えられる。しかも、接
触圧力が大きいため、ウエハ12裏面にO2ガスを充填しな
くても、所定の熱伝導性を確保できたものと思われる。
このように、AlNシート22を用いれば、ウエハ12にガス
を充填しなくても、ウエハ12の所望の温調が可能である
ことが判った。
ウエハ12の温度を測定してみた。RFパワーを大きくする
ほどウエハ12の温度は上昇するが、AlNシート22を用い
た場合の方が、熱伝導性が良好であるが故に、温度上昇
率が低くなることが判明した。即ちプラズマを扱う装置
において特に効果があることが分かる。
は帯電しにくい材料であり、ウエハ12除去後のプラズマ
イオンによる絶縁シートの除電を容易に実施でき、しか
も、イオンに対する耐衝撃性もセラミックであるが故に
高いので、静電吸着シート40の寿命を長くすることがで
きる。
示している。
ての2枚のポリイミドシート18,18の間に銅等の導電性
シート20を介在配置したものである点で従来の第5図の
構成と同様であるが、さらに、ウエハ12と接触する側の
一方のポリイミドシート18の表面に、AlN層72を形成し
ている。このAlN層72は図示では省略しているが熱硬化
性樹脂60にて接着固定される。あるいは、例えばポリイ
ミドシート18の表面荒さ以上の厚さでスパッタなどによ
りポリイミドシート18上に直接コーティングし、例えば
1μmm〜5μmmの厚さに形成することもできる。
と同様に、ポリイミドシート18のみの場合と比較すれ
ば、ウエハ12の吸着力が増大するので、熱抵抗が少なく
なり熱伝達特性を大巾に向上することができる。また、
プラズマに臨む面にAlN層72が形成されているので、イ
オンに耐する耐久性を確保でき、また、帯電も少なくな
る。さらに、この実施例では特に高温においても静電チ
ャックにおける絶縁シートとしての高絶縁特性を確保で
きる。すなわち、AlNは温度と共に電気絶縁抵抗が下が
る特性を有するが、導電シート20とウエハ12との絶縁を
ポリイミドシート18により確保することで、高温でのリ
ーク電流の発生を確実に防止でき、しかも、そのポリイ
ミドシート18の表面にコーティングされたAlN層72によ
り熱抵抗の低減,耐イオン衝撃特性,低帯電特性を確保
できる。
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であり、
ECRエッチャー、プラズマCVD,ウエハプローバ、など板
状体を静電チャックするものであれは何れに適用でき
る。
ックに適用されるものに限らず、また、上述したモノポ
ールタイプの静電チャック方式に限らない。
おける被吸着体と接触する側の絶縁として窒化アルミニ
ウムなどの焼結体等を用いることにより、吸着力を増大
でき、この結果被吸着体を温調する場合でも必ずしも被
吸着体裏面に気体を充填せずに所定の温調を確保でき、
さらに絶縁部への帯電をも少なくすることができる静電
チャックを、製作容易であるため非常に安価に提供する
ことができる。
図、 第2図は、第1図の静電吸着シートの拡大断面図、 第3図は、第1図に用いられるチャック本体の概略斜視
図、 第4図(A),(B)は、それぞれ静電吸着シート,給
電用シートの概略平面図、 第5図及び第6図は、従来の静電チャックの概略断面
図、 第7図は、本発明の静電チャックの変形例を示す断面図
である。 16……導電性シート、18……ポリイミドシート、 22……AlNシート、30……チャック本体、 40……静電吸着シート、50……給電用シート、 72……AlN層。
Claims (3)
- 【請求項1】チャック本体と、 前記チャック本体表面上に形成されたポリイミドシート
と、 前記ポリイミドシート上に形成された導電性シートと、 前記導電性シート上に形成された焼結体にて形成され、
前記導電性シート上に接着剤で固定されたセラミックス
と、 前記導電シートに給電する給電シートと、 を有し、 前記チャック本体は、 前記チャック本体表面に形成され、前記給電シートの一
部を収容する凹部と、 前記凹部に臨んだ表面側より前記チャック本体の裏面ま
で貫通され、前記給電シートの他の一部が配置されるス
リットと、 を有し、 前記凹部に配置された前記給電シートの一部は、これと
面対向する前記導電性シートに対して接点を介して電気
的に接続されることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項2】チャック本体と、 前記チャック本体表面上に形成され、2枚のポリイミド
シート間に介在配置された導電性シートと、 前記2枚のポリイミドシートの一方の表面に形成された
焼結体にて形成され、前記2枚のポリイミドシートの一
方の表面に接着剤で固定されたセラミックスと、 前記導電シートに給電する給電シートと、 を有し、 前記チャック本体は、 前記チャック本体表面に形成され、前記給電シートの一
部を収容する凹部と、 前記凹部に臨んだ表面側より前記チャック本体の裏面ま
で貫通され、前記給電シートの他の一部が配置されるス
リットと、 を有し、 前記凹部に配置された前記給電シートの一部は、これと
面対向する前記導電性シートに対して接点を介して電気
的に接続されることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項3】請求項1または請求項2において、 前記セラミックスは窒化アルミニウムであることを特徴
とする静電チャック。
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Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2581627B2 (ja) * | 1991-10-04 | 1997-02-12 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置の電気的接合方法 |
US5600530A (en) * | 1992-08-04 | 1997-02-04 | The Morgan Crucible Company Plc | Electrostatic chuck |
JPH06326175A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法 |
US5511799A (en) * | 1993-06-07 | 1996-04-30 | Applied Materials, Inc. | Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential |
US6278600B1 (en) * | 1994-01-31 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved temperature control and puncture resistance |
US5885469B1 (en) * | 1996-11-05 | 2000-08-08 | Applied Materials Inc | Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same |
US5631803A (en) * | 1995-01-06 | 1997-05-20 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant electrostatic chuck with improved cooling system |
EP0669644B1 (en) * | 1994-02-28 | 1997-08-20 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck |
US5883778A (en) * | 1994-02-28 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with fluid flow regulator |
US5528451A (en) * | 1994-11-02 | 1996-06-18 | Applied Materials, Inc | Erosion resistant electrostatic chuck |
US5691876A (en) * | 1995-01-31 | 1997-11-25 | Applied Materials, Inc. | High temperature polyimide electrostatic chuck |
US5644467A (en) * | 1995-09-28 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Method and structure for improving gas breakdown resistance and reducing the potential of arcing in a electrostatic chuck |
JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
US5810933A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Wafer cooling device |
US5761023A (en) * | 1996-04-25 | 1998-06-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback |
US6117246A (en) * | 1997-01-31 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck |
TW422892B (en) * | 1997-03-27 | 2001-02-21 | Applied Materials Inc | Technique for improving chucking reproducibility |
US5841624A (en) * | 1997-06-09 | 1998-11-24 | Applied Materials, Inc. | Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same |
US6088213A (en) * | 1997-07-11 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Bipolar electrostatic chuck and method of making same |
KR100291585B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2001-11-30 | 윤종용 | 반도체장치의금속막식각방법 |
JP4013386B2 (ja) * | 1998-03-02 | 2007-11-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造用保持体およびその製造方法 |
EP0948042A1 (de) * | 1998-03-06 | 1999-10-06 | VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung | Elektrostatische Vorrichtung zum Halten von Wafern und anderen Bauteilen |
US6104596A (en) * | 1998-04-21 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same |
US6080272A (en) * | 1998-05-08 | 2000-06-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for plasma etching a wafer |
US6073577A (en) | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US6259592B1 (en) | 1998-11-19 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same |
DE19853588B4 (de) * | 1998-11-20 | 2005-04-21 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Halteeinrichtung für ein Substrat |
JP3990076B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2007-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2002057207A (ja) * | 2000-01-20 | 2002-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
US6414271B2 (en) * | 2000-05-25 | 2002-07-02 | Kyocera Corporation | Contact heating device |
US6494958B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-12-17 | Applied Materials Inc. | Plasma chamber support with coupled electrode |
US6503368B1 (en) | 2000-06-29 | 2003-01-07 | Applied Materials Inc. | Substrate support having bonded sections and method |
US6780696B1 (en) * | 2000-09-12 | 2004-08-24 | Alien Technology Corporation | Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs |
JP4366856B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7161121B1 (en) * | 2001-04-30 | 2007-01-09 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck having radial temperature control capability |
US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
EP1391140B1 (en) * | 2001-04-30 | 2012-10-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
US6847014B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-01-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
DE10122036B4 (de) * | 2001-05-07 | 2009-12-24 | Karl Suss Dresden Gmbh | Substrathaltevorrichtung für Prober zum Testen von Schaltungsanordnungen auf scheibenförmigen Substraten |
IL154264A0 (en) * | 2001-06-06 | 2003-09-17 | Ibiden Co Ltd | Wafer prober |
US6483690B1 (en) * | 2001-06-28 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making |
US6490145B1 (en) | 2001-07-18 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support pedestal |
JP4082924B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2008-04-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電吸着ホルダー及び基板処理装置 |
KR100899292B1 (ko) * | 2003-01-06 | 2009-05-26 | 주식회사 코미코 | 수명을 연장시키는 절연막을 갖는 반도체 장비용 정전척 |
TWI327336B (en) | 2003-01-13 | 2010-07-11 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Arrangement for processing a substrate |
US20040173469A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-09 | Ryujiro Udo | Plasma processing apparatus and method for manufacturing electrostatic chuck |
US6770852B1 (en) | 2003-02-27 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control |
WO2004095531A2 (en) * | 2003-03-28 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Ltd | Method and system for temperature control of a substrate |
US7151658B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-12-19 | Axcelis Technologies, Inc. | High-performance electrostatic clamp comprising a resistive layer, micro-grooves, and dielectric layer |
US20050042881A1 (en) * | 2003-05-12 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
JP4057977B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2008-03-05 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置用電極シート、静電チャック装置および吸着方法 |
KR100841148B1 (ko) * | 2003-10-27 | 2008-06-24 | 교세라 가부시키가이샤 | 복합재료와 웨이퍼 유지부재 및 이들의 제조방법 |
US6897945B1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7088431B2 (en) | 2003-12-17 | 2006-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7595972B2 (en) * | 2004-04-09 | 2009-09-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Clamp for use in processing semiconductor workpieces |
US8038796B2 (en) | 2004-12-30 | 2011-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate |
DE102005056364B3 (de) * | 2005-11-25 | 2007-08-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bipolarer Trägerwafer und mobile, bipolare, elektrostatische Waferanordnung |
WO2008083002A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Fujifilm Dimatix, Inc. | Printing system with conductive element |
JP5025576B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2012-09-12 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及び基板温調固定装置 |
KR100978245B1 (ko) | 2008-06-27 | 2010-08-26 | 김혜란 | 4중막 구조를 가지는 정전척 |
TWI449597B (zh) * | 2008-07-09 | 2014-08-21 | Iv Technologies Co Ltd | 研磨墊及其製造方法 |
JP5705133B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2015-04-22 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | 静電チャックシステムおよび基板表面に亘って温度プロファイルを半径方向に調整するための方法 |
JP5416570B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-02-12 | 住友電気工業株式会社 | 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置 |
US20130015053A1 (en) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding |
US10224182B2 (en) * | 2011-10-17 | 2019-03-05 | Novellus Systems, Inc. | Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber |
US9869392B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9859142B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
JP6006972B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2016-10-12 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック |
US20140116622A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Semes Co. Ltd. | Electrostatic chuck and substrate processing apparatus |
US10090211B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
KR101709969B1 (ko) | 2015-02-25 | 2017-02-27 | (주)티티에스 | 바이폴라 정전척 제조방법 |
KR102526558B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2023-04-28 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
KR101698433B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2017-01-20 | 주식회사 에이씨엔 | 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 장치 |
DE102015210736B3 (de) | 2015-06-11 | 2016-10-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung mit folie zum elektrostatischen koppeln eines substrats mit einem substratträger |
US20170352565A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-07 | Chunlei Zhang | Workpiece carrier with gas pressure in inner cavities |
KR101910347B1 (ko) | 2016-12-05 | 2018-10-23 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 반도체 제조설비의 고도화 온도제어장치 |
JP6905382B2 (ja) * | 2017-04-14 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの搬入出方法 |
CN111357096A (zh) | 2017-11-24 | 2020-06-30 | 东华隆株式会社 | 发热部件 |
JP2023031603A (ja) | 2021-08-25 | 2023-03-09 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL56224A (en) * | 1978-01-16 | 1982-08-31 | Veeco Instr Inc | Substrate clamp for use in semiconductor fabrication |
JPS5690880A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-23 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal composition |
JPS5690879A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-23 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal composition |
JPS5764950A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Fujitsu Ltd | Electrostatically attracting device and method therefor |
JPS5928354A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Toshiba Corp | 静電チヤツク用薄膜 |
JPS59139641A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Fujitsu Ltd | 静電吸着装置の製造方法 |
JPS6131636U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 株式会社 徳田製作所 | 静電チヤツク |
US4724510A (en) * | 1986-12-12 | 1988-02-09 | Tegal Corporation | Electrostatic wafer clamp |
JPH01284533A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Tdk Corp | オレフィン樹脂の接着方法 |
JPH0227748A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
JP2689527B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1997-12-10 | 日立電線株式会社 | 耐放射線性電線・ケーブル |
JPH02304946A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 静電チャック |
JPH03152953A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-06-28 | Nikon Corp | 静電チヤツク |
US5191506A (en) * | 1991-05-02 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Ceramic electrostatic chuck |
-
1990
- 1990-11-17 JP JP31247990A patent/JP3238925B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-11-15 US US07/792,592 patent/US5539179A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-15 EP EP91119528A patent/EP0486966B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-15 DE DE69111027T patent/DE69111027T2/de not_active Expired - Lifetime
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- 1991-12-02 TW TW080109469A patent/TW212253B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US5539179A (en) | 1996-07-23 |
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EP0486966A1 (en) | 1992-05-27 |
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