JPS5928354A - 静電チヤツク用薄膜 - Google Patents

静電チヤツク用薄膜

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JPS5928354A
JPS5928354A JP13803882A JP13803882A JPS5928354A JP S5928354 A JPS5928354 A JP S5928354A JP 13803882 A JP13803882 A JP 13803882A JP 13803882 A JP13803882 A JP 13803882A JP S5928354 A JPS5928354 A JP S5928354A
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JP
Japan
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film
electrostatic chuck
adhesive
thin film
insulation
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JP13803882A
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JPH0454972B2 (ja
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Yasuhiro Horiike
靖浩 堀池
Takashi Yamazaki
隆 山崎
Haruo Okano
晴雄 岡野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は静電チャック用薄膜に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、真空容器の中では物の搬送や、物と物を密着させ
ることがむずかしく、機械的寿チャック方法によらざる
を得なかった。一方最近の技術として第1図に示すよう
な反応性イオンエツチング(R1g)と呼ばれる方法が
ある0これは真空容器(1)においてCF4のような反
応性ガスが導入口(2)よシ導入され、容器内の圧力が
10−′〜10−’ Torrになるように、(3)か
ら排気され且つ容器からテフロン(4)等で絶縁された
陰極(5)に13.65 MHzなどの高周波(6)が
印加されるとガスプラズ−r(7)が生じ、該陰極(5
)は負電位にバイアスされ、プラズマ中の正イオンが陰
極上へ加速され、その衝撃により陰極上のウェハ(8)
をエツチングする。しかしこの方法ではイオン衝撃によ
シウエハ上のレジストが熱損傷を受け、高精度のエツチ
ングが不可となることが頻繁に起シ、そとで充分に水(
9)などで冷却された陰極とウェハの密着が要求される
。この密着に対し、陰極とウェハとの間を静電的に付着
させることが提案されている。その原理はSiウェハを
電極とみなし、それをポリイミドなどの有機膜や、A/
、o、や5i02などの無機膜からなる誘電体を介して
、該電極(5)との間に数百〜数にボルトの電圧を印加
すると、両者の間の静電力による引力で、例えばウェハ
が電極(5)に圧着されることになる。上述ではSiウ
ェハに直接高圧を印加しなければならないが、第2図に
示す構造ではウェハ(10)は浮いた状態になっている
。すなわち、高周波電力0υと結合した陰極(IZの上
に有機や無機の絶縁体α四でカバーシ、その上に第3図
の(、)や(b)のような形状の金肪電極0・υを金属
マスクを介して蒸着などの方法で堆積し、その上に有機
、無機の絶縁体(1粉でカバーする。そしてrffi極
aりに設けた穴αeの中のテフロンαηを通して電極α
力からリード線Hが引き出されC([1とR(20を介
して、DC電圧(2])が引吸される。
しかし本構造の静電チャックではウエノ・(11と絶縁
物(19へのイオン衝gA(2邊で、長時間の使用を経
るとα■がエツチングされて電極(14)が露出し、静
電チャックの機能を果さなくなる。そして本構造のチャ
ック機構を再度作製するのに、上記の手順を経ると多く
の労力を必斐とする。また作製が終了しても、もし、絶
縁物aωや(1,1にビンポールなどがあると、プラズ
マ中の電子やイオンのため、高圧が印加された電極(+
4)とウェハ(10やrf電極(1,2と短絡してしま
い、静電破壊を生じる。
〔発明の目的〕
本発明は上述した従来の静電チャックの構造を改良した
もので、極めて簡便な構造を有し、至る所に付着可能な
静電チャック用フィルムの構造を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は静電チャック用電極を2枚の有機フィルムでサ
ンドウィッチ的にはさみ接着しておき、このフィルムの
他面には接着剤を塗布して、作製される構造を特徴とす
る静電チャック用フィルムである。
〔発明の効果〕
本発明によれば上述のRIB装置の陰極上に付着して利
用する場合でも静電チャック用フィルムの前面がエツチ
ングされて、機能の低下が予想されると、簡単に取シは
ずし、他の静電チャック用フィルムをはシつけて、また
新たに静電チャック機能を設けることが非常に早く達成
される。
〔発明の実施例〕
第4図は本発明薄膜の一製造方法を示す断面図である。
すなわち、裏面に接着剤を有する絶縁有機フィルムC3
11の接着面C32が清めらかで平坦な表面を有する板
(ハ)に付着される(a)。この場合の有機フィルムと
してポリエステルフィルムよりは耐熱性の点で優れてい
るポリイミドフィルムが良材料である。板03を真空容
器の中にいれ金属マスクOaを介して例えばクロム蒸着
後に金69を連続的に蒸着する(b)。この構造では金
が半田伺けでき、またクロムが始めに絶縁膜に付着され
ることによυ金との機械はがれが少なくなる。これは良
く知られた効果である。(b)の効果(C)に示すよう
な構造が得られる。最終的に、クロム−金膜を2枚の絶
縁膜でサンドインチ状にはさんだ構造の静電チャック膜
を当該のフラットな面を有する板(3■から剥離して、
(d)のような構造を得る。
第4図の場合でも満足なものが得られるが、クロム−金
膜と絶縁膜の接着強度を更に増すためには蒸着中にフィ
ルムを150°C前後に加熱して行うとよい。第5図は
その上程を示すものである。
絶縁フィルム(51)と金属マスク(52)とを合せて
押え付ける治具(53)を大空容器の中に入れる(a)
。ここで(54)は治具(53)と7.イルム(51)
とマスク(52)とを押えるネジを聚わす。この状態で
、裏面から例えばWヒータ(55)や赤外ランプで絶縁
膜(51)を加熱する。そして例えばクロム−金(56
)を蒸着する。この膜厚は1μm程度で充分である。(
b)では(a)で得た絶縁膜(51)上に蒸着した金属
膜(56)の上に絶縁膜(57)を接着する。(57)
の絶縁膜は(51)と同種のものでよい。最終的に(C
)で(b)の状態のフィルムの下面に接着剤を塗布して
、静電チャックフィルムが完成する。
真空中の中で物体と物体を密着させる方法は今の所機械
的方法か、電気的な静電チャックに負う他ない。そこで
真空中内の物体の搬送に静電チャックを用いると極めて
装置構成が容易になる。第6図は本発明の簡便な静電チ
ャックフィルムを8iウエハの搬送に用いた例である。
すなわち、排気系(61)を備えた真空容器(62)の
中にゲートバルブ(63)を通してカセット(64)に
納ったウェハ(65)をローダ(66)で挿入し、レシ
ーバ(67)で受ける。レジ−ハ(69)には本発明の
静電チャックフィルムが接着されこの高圧源は回転部分
(68)から導入される0このようにチャックされたウ
ェハは180°回転して図示する位置に来る。ここで例
えば電子ビーム(69)によシハース(70)内の人6
 (71)等をウェハに蒸着する。ウェハのアンロード
はこの逆のプロセスをたどる。このように真空内の搬送
には非常に便利に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は反応性イオンエツチング(RIE)装置の概略
図、第2図は)ILIB装置の陰極(rf1i極)上へ
の静電チャック構造を示す図、第3図(al 、 (b
)図 は静電チャックの電極構造の種類を示す図、第414−
図は本発明の静電チャックの製造工程を示し金属蒸着の
際第4図は無加熱の場合、第5図は加熱(1)、 (6
2)・・・真空容器    (2)・・・ガス導入口(
3)、 (61)・・・排気口    (4)、(1’
f’l・・・テフロン(5LQS5 ”・r f電極 
   (6)、(lI)”・r f電源(力・・・プラ
ズマ   (8)、+11. (65)・・・ウェハ(
9)・・・水冷パイプ  Q3.(15,01)、 (
51) 、 (57)・・・絶縁体(141,<351
. (56)・・・金属電極   aQ・・・貫通穴(
IQ・・−導線   αト・・容量   (21・・・
コイルシυ・・・DC’[源   C’M)、(52)
・・・メタルマスク(53)・・・治具  (54)・
・・ネジ  (55)・・・ヒータ源(63)・・・ゲ
ートバルブ   (64)・・・力士ット(66)・・
・ローダ−(67)・・・レシーバ(68)・・・回転
導入   (69)・・・電子ビーム源(70)・・・
ハース    (71)・・・メタル(7317)代理
人弁理士  則 近 憲 佑(はが1名)第  t  
図 第2図 第3図 (L)                  (ムノ第
4図 (d’         m匁某に會6(西5キキ坦芽
[榮V平弊旨≧(扇」第5図 、Sl s7

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁有機薄膜の一方の面に少くとも1個の金属電極を付
    着し、該金属電極とそれ以外の露出したフィルム面に、
    同種又は異種の絶縁薄膜を接着剤を介して接着し、他方
    の面に接着剤を付着したことを特徴とする静電チャック
    用薄膜。
JP13803882A 1982-08-10 1982-08-10 静電チヤツク用薄膜 Granted JPS5928354A (ja)

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JP13803882A JPS5928354A (ja) 1982-08-10 1982-08-10 静電チヤツク用薄膜

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JPS5928354A true JPS5928354A (ja) 1984-02-15
JPH0454972B2 JPH0454972B2 (ja) 1992-09-01

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JPH0454972B2 (ja) 1992-09-01

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