JPH0297944A - パターン欠陥の修正方法 - Google Patents
パターン欠陥の修正方法Info
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- JPH0297944A JPH0297944A JP63249780A JP24978088A JPH0297944A JP H0297944 A JPH0297944 A JP H0297944A JP 63249780 A JP63249780 A JP 63249780A JP 24978088 A JP24978088 A JP 24978088A JP H0297944 A JPH0297944 A JP H0297944A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はプリント回路基板、半導体装置等の微細パタ
ーン形成に使用するフォトマスク、サーマルヘッドなど
の基板上に形成されたパターンの欠陥を修正する方法に
関するものである。
ーン形成に使用するフォトマスク、サーマルヘッドなど
の基板上に形成されたパターンの欠陥を修正する方法に
関するものである。
第７図、第８図はそれぞれフォトマスクの表面の一部を
示す図である。図において、１は基板上に形成されたＣ
ｒ薄膜、２はＣｒ薄膜１内に生じた白欠陥部すなわちあ
るべきパターンが欠落している部分、３はＣｒ薄膜１間
に生じた黒欠陥部すなわち正規のパターン以外の部分に
膜が存在する部分である。
示す図である。図において、１は基板上に形成されたＣ
ｒ薄膜、２はＣｒ薄膜１内に生じた白欠陥部すなわちあ
るべきパターンが欠落している部分、３はＣｒ薄膜１間
に生じた黒欠陥部すなわち正規のパターン以外の部分に
膜が存在する部分である。
第９図はサーマルヘッドの表面の一部を示す図、第１０
図は第９図のＢ−Ｂ断面図である。図において、４はＡ
１□ｏ３からなる基板、５は基板４上に形成されたＴ
ａ Ｎからなる発熱抵抗体、６．７は発熱抵抗体５に接
続されたＣｕからなる電極で、電極７の幅は０．１０５
ｍ、電極７間の間隔は０．０２＋＋ｎ＋である。８は電
極７内に生じた白欠陥部、９は電極７間に生じた黒欠陥
部である。
図は第９図のＢ−Ｂ断面図である。図において、４はＡ
１□ｏ３からなる基板、５は基板４上に形成されたＴ
ａ Ｎからなる発熱抵抗体、６．７は発熱抵抗体５に接
続されたＣｕからなる電極で、電極７の幅は０．１０５
ｍ、電極７間の間隔は０．０２＋＋ｎ＋である。８は電
極７内に生じた白欠陥部、９は電極７間に生じた黒欠陥
部である。
従来のフォトマスク、サーマルヘッド等の被修正体に生
じたパターンの白欠陥を修正する方法としては、被修正
体の全面にレジストを塗布し、レジストの白欠陥部２．
８等に相当する部分を露光、現像により除去したのち、
Ｃｒ、Ｃｕ等を蒸着して、白欠陥部２．８等に膜を形成
する蒸着法、有機金属錯体、有機金属ガスを媒体として
イオンビーム、レーザーを白欠陥部２．８等に照射する
ことにより、白欠陥部２，８等に膜を形成するイオンビ
ーム法、レーザー法（特公昭５８−４６０５５号公報、
特開昭６０−１８２７２６号公報、特公昭５９−２２３
７２号公報など）がある。
じたパターンの白欠陥を修正する方法としては、被修正
体の全面にレジストを塗布し、レジストの白欠陥部２．
８等に相当する部分を露光、現像により除去したのち、
Ｃｒ、Ｃｕ等を蒸着して、白欠陥部２．８等に膜を形成
する蒸着法、有機金属錯体、有機金属ガスを媒体として
イオンビーム、レーザーを白欠陥部２．８等に照射する
ことにより、白欠陥部２，８等に膜を形成するイオンビ
ーム法、レーザー法（特公昭５８−４６０５５号公報、
特開昭６０−１８２７２６号公報、特公昭５９−２２３
７２号公報など）がある。
また、従来の被修正体に生じたパターンの黒欠陥を修正
する方法としては、被修正体の全面にレジストを塗布し
、レジストの黒欠陥部３，９等に相当する部分を露光、
現像により除去したのち、エツチングすることにより、
黒欠陥部３．９等を除去するエツチング法、イオンビー
ム、レーザーを黒欠陥部３，９等に照射することにより
、黒欠陥部３，９等を除去するイオンビーム法、レーザ
ー法がある。
する方法としては、被修正体の全面にレジストを塗布し
、レジストの黒欠陥部３，９等に相当する部分を露光、
現像により除去したのち、エツチングすることにより、
黒欠陥部３．９等を除去するエツチング法、イオンビー
ム、レーザーを黒欠陥部３，９等に照射することにより
、黒欠陥部３，９等を除去するイオンビーム法、レーザ
ー法がある。
しかし、蒸着法、エツチング法においては、レジスト塗
布、露光、現像等の工程を行なう必要があるから、多く
の時間を要するとともに、新たなパターン欠陥が生ずる
おそれがある。また、イオンビーム法においては、被修
正体を真空中に保持する必要があるとともに、イオンビ
ームはビーム径が小さいので、欠陥大きさが数十−以上
のときには、パターン欠陥の修正に多大の時間を要し、
しかも実施に使用する装置が高価である。さらに、白欠
陥を修正する方法としてのレーザー法においては、形成
した膜の密着性が十分ではなく、有機金属ガスの取扱に
注意を要するので、作業が面倒であり、実施に使用する
装置が高価である。また、黒欠陥を修正する方法として
のレーザー法においては、実施に使用する装置が高価で
ある。
布、露光、現像等の工程を行なう必要があるから、多く
の時間を要するとともに、新たなパターン欠陥が生ずる
おそれがある。また、イオンビーム法においては、被修
正体を真空中に保持する必要があるとともに、イオンビ
ームはビーム径が小さいので、欠陥大きさが数十−以上
のときには、パターン欠陥の修正に多大の時間を要し、
しかも実施に使用する装置が高価である。さらに、白欠
陥を修正する方法としてのレーザー法においては、形成
した膜の密着性が十分ではなく、有機金属ガスの取扱に
注意を要するので、作業が面倒であり、実施に使用する
装置が高価である。また、黒欠陥を修正する方法として
のレーザー法においては、実施に使用する装置が高価で
ある。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、短時間に修正することができ、新たなパターン欠陥が
生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する必要
がなく、実施に使用する装置が安価であり、形成した膜
の密着性が十分であり、作業が容易であるパターン白欠
陥の修正方法を提供することを目的とする。
、短時間に修正することができ、新たなパターン欠陥が
生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する必要
がなく、実施に使用する装置が安価であり、形成した膜
の密着性が十分であり、作業が容易であるパターン白欠
陥の修正方法を提供することを目的とする。
また、短時間に修正することができ、新たなパターン欠
陥が生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する
必要がなく、実施に使用する装置が安価であるパターン
黒欠陥の修正方法を提供することを目的とする。
陥が生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する
必要がなく、実施に使用する装置が安価であるパターン
黒欠陥の修正方法を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、真空容
器の外にある被修正体上に形成したパターンの白欠陥部
を上記真空容器の開口部に対応した所に位置させたのち
、上記真空容器内で発生した冷陰極放電により生じた粒
子を上記白欠陥部に付着させる。
器の外にある被修正体上に形成したパターンの白欠陥部
を上記真空容器の開口部に対応した所に位置させたのち
、上記真空容器内で発生した冷陰極放電により生じた粒
子を上記白欠陥部に付着させる。
また、この発明においては、真空容器の外にある被修正
体上に形成したパターンの黒欠陥部を上記真空容器の開
口部に対応した所に位置させたのち、上記真空容器内で
発生した冷陰極放電により生じた粒子、ガスイオンを上
記黒欠陥部に衝突させて、黒欠陥部を除去する。
体上に形成したパターンの黒欠陥部を上記真空容器の開
口部に対応した所に位置させたのち、上記真空容器内で
発生した冷陰極放電により生じた粒子、ガスイオンを上
記黒欠陥部に衝突させて、黒欠陥部を除去する。
上記のパターン白欠陥の修正方法においては、レジスト
塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、また開
口部の大きさの膜を一度に形成することができ、さらに
有機金属ガスを用いる必要がない。
塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、また開
口部の大きさの膜を一度に形成することができ、さらに
有機金属ガスを用いる必要がない。
また、上記のパターン黒欠陥の修正方法においては、レ
ジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、
また開口部の大きさの黒欠陥を一度に除去することがで
きる。
ジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、
また開口部の大きさの黒欠陥を一度に除去することがで
きる。
第１図はこの発明に係るパターン白欠陥の修正方法を実
施するための装置を示す概略断面図である０図において
、１１は真空容器、１２は真空容器１１に設けられた真
空排気管で、真空排気管１２は真空排気装置（図示せず
）に接続されている。１３は真空容器１１に設けられた
ガス導入管で、ガス導入管１３は不活性ガス供給装置（
図示せず）に接続されている。１４は真空容器１１内に
設けられた円筒状の陽極で、陽極１４はＳＵＳからなる
、１６は陽極１４に取り付けられた陽極リードで、陽極
リード１６は直流高電圧電源（図示せず）に接続されて
いる。１７は陽極リード１６を真空容器１１に固定する
絶縁体、１８．１９は真空容器１１に取り付けられた一
対の平板状対向陰極で、対向陰極１８．１９は陽極１４
の両側に位置しており、対向陰極１８．１９はＨｈ極１
４の中心線と直角であり、また対向陰極１８゜１９はア
ース電位であり、さらに対向陰極１８．１９はＣｒから
なる。２０は対向陰極１８に設けられた透過孔で、透過
孔２０の中心線は陽極１４の外側を通る。２３は真空容
器１１に設けられた開口、２４は開口２３部に設けられ
た穴明板、２６は穴明板２４の開口部で、この開口部２
６の断面形状に対応して、はぼ同形状で基板上に粒子が
照射されるのであり、開口部２６の径は数−〜数１に選
択され、開口２３．開口部２６の中心線は透過孔２０の
中心線とほぼ一致している。また、開口部２６の断面形
状は必要に応じて円形、矩形等が選択される。２２は真
空容器１１の外側に設けられた磁石で、磁石２２の磁力
線の方向は陽極１４の中心線と平行であり、磁石１２の
磁束密度は０．１Ｔである。２１は真空容器１１の外に
ある被修正体であるフォトマスク、２５は開口２３の周
囲の真空容器１１外壁部に設けられたパツキンで、パツ
キン２５を被修正体であるフォトマスク２１に押圧した
ときに、パツキン２５は真空容器１１を密閉する。
施するための装置を示す概略断面図である０図において
、１１は真空容器、１２は真空容器１１に設けられた真
空排気管で、真空排気管１２は真空排気装置（図示せず
）に接続されている。１３は真空容器１１に設けられた
ガス導入管で、ガス導入管１３は不活性ガス供給装置（
図示せず）に接続されている。１４は真空容器１１内に
設けられた円筒状の陽極で、陽極１４はＳＵＳからなる
、１６は陽極１４に取り付けられた陽極リードで、陽極
リード１６は直流高電圧電源（図示せず）に接続されて
いる。１７は陽極リード１６を真空容器１１に固定する
絶縁体、１８．１９は真空容器１１に取り付けられた一
対の平板状対向陰極で、対向陰極１８．１９は陽極１４
の両側に位置しており、対向陰極１８．１９はＨｈ極１
４の中心線と直角であり、また対向陰極１８゜１９はア
ース電位であり、さらに対向陰極１８．１９はＣｒから
なる。２０は対向陰極１８に設けられた透過孔で、透過
孔２０の中心線は陽極１４の外側を通る。２３は真空容
器１１に設けられた開口、２４は開口２３部に設けられ
た穴明板、２６は穴明板２４の開口部で、この開口部２
６の断面形状に対応して、はぼ同形状で基板上に粒子が
照射されるのであり、開口部２６の径は数−〜数１に選
択され、開口２３．開口部２６の中心線は透過孔２０の
中心線とほぼ一致している。また、開口部２６の断面形
状は必要に応じて円形、矩形等が選択される。２２は真
空容器１１の外側に設けられた磁石で、磁石２２の磁力
線の方向は陽極１４の中心線と平行であり、磁石１２の
磁束密度は０．１Ｔである。２１は真空容器１１の外に
ある被修正体であるフォトマスク、２５は開口２３の周
囲の真空容器１１外壁部に設けられたパツキンで、パツ
キン２５を被修正体であるフォトマスク２１に押圧した
ときに、パツキン２５は真空容器１１を密閉する。
そして、この発明に係るパターン白欠陥の修正方法にお
いては、フォトマスク２１に形成したパターンの白欠陥
部２を開口部２６に対応した所に位置させたのち、真空
排気装置により真空容器１１内をＩ Ｘ １０−’Ｐａ
の真空に排気したうえで、真空容器１１内に不活性ガス
供給装置からガス導入管１３を介してＡｒガスを導入す
ることにより。
いては、フォトマスク２１に形成したパターンの白欠陥
部２を開口部２６に対応した所に位置させたのち、真空
排気装置により真空容器１１内をＩ Ｘ １０−’Ｐａ
の真空に排気したうえで、真空容器１１内に不活性ガス
供給装置からガス導入管１３を介してＡｒガスを導入す
ることにより。
真空容器１１内を２ Ｘ １０−”ＰａのＡｒガス雰囲
気とし、直流高電圧電源により陽極１４に１．５ｋＶの
正電位を与えると、陽ｖｉ１４と対向陰極１８．１９と
の間に冷陰極放電が生じ、これによって生成されるＡｒ
ガスの正イオンが対向陰極１８．１９の表面を衝撃し、
対向陰極１８．１９からＣｒＪＪＫ子がスパッタリング
され、スパッタリングされたＣｒ［子の一部が透過孔２
０、開口２３．開口部２６を透過し、白欠陥部２に付着
して、白欠陥部２にＣｒ膜が形成されるから、白欠陥を
修正することができる。
気とし、直流高電圧電源により陽極１４に１．５ｋＶの
正電位を与えると、陽ｖｉ１４と対向陰極１８．１９と
の間に冷陰極放電が生じ、これによって生成されるＡｒ
ガスの正イオンが対向陰極１８．１９の表面を衝撃し、
対向陰極１８．１９からＣｒＪＪＫ子がスパッタリング
され、スパッタリングされたＣｒ［子の一部が透過孔２
０、開口２３．開口部２６を透過し、白欠陥部２に付着
して、白欠陥部２にＣｒ膜が形成されるから、白欠陥を
修正することができる。
このように、この発明に係るパターン白欠陥の修正方法
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない。また
、フォトマスク２１を真空中に保持する必要がなく、開
口部２６の大きさの膜を一度に形成することができるの
で、白欠陥部２が大きいときにも、白欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。また、開口部２６の形状を選択すること
により、欠陥形状に応じて、必要な形状に修正すること
も容易にできる。さらに、形成した膜の密着性が十分で
あり、しかも有機金属ガスを用いる必要がないため、作
業が容易である。
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない。また
、フォトマスク２１を真空中に保持する必要がなく、開
口部２６の大きさの膜を一度に形成することができるの
で、白欠陥部２が大きいときにも、白欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。また、開口部２６の形状を選択すること
により、欠陥形状に応じて、必要な形状に修正すること
も容易にできる。さらに、形成した膜の密着性が十分で
あり、しかも有機金属ガスを用いる必要がないため、作
業が容易である。
そして、陽極１４に３分間正電位を与えたところ、白欠
陥部２に０．ＩＩ！ｍの膜が形成され、ＯＤ値測測定装
置コニカ製マイクロデンシトメータ 阿。ｄｅｌＰＤＭ
−５）によりこの膜のＯＤ値、すなわち入射光の強さを
Ｉ６ とし、膜を透過した光の強さを工としたとき、ｌ
ｏｇ、。（工。／Ｉ）で表わされる値が３．５であり、
市販のフォトマスクのＣｒ薄膜のＯＤ値は通常３．０で
あるから、白欠陥部２に形成された膜の密度は大きい。
陥部２に０．ＩＩ！ｍの膜が形成され、ＯＤ値測測定装
置コニカ製マイクロデンシトメータ 阿。ｄｅｌＰＤＭ
−５）によりこの膜のＯＤ値、すなわち入射光の強さを
Ｉ６ とし、膜を透過した光の強さを工としたとき、ｌ
ｏｇ、。（工。／Ｉ）で表わされる値が３．５であり、
市販のフォトマスクのＣｒ薄膜のＯＤ値は通常３．０で
あるから、白欠陥部２に形成された膜の密度は大きい。
また、白欠陥部２に形成された膜をアルコールを湿らせ
た綿棒で５０回以上強くこすったところ、白欠陥部２に
形成された膜の剥離等は生じなかった。さらに、フォト
マスク２１を純水中に浸漬して、超音波を３分間作用さ
せたところ、白欠陥部２に形成された膜の剥離、ピンホ
ールの発生等は生じなかった。
た綿棒で５０回以上強くこすったところ、白欠陥部２に
形成された膜の剥離等は生じなかった。さらに、フォト
マスク２１を純水中に浸漬して、超音波を３分間作用さ
せたところ、白欠陥部２に形成された膜の剥離、ピンホ
ールの発生等は生じなかった。
第２図はこの発明に係るパターン黒欠陥の修正方法を実
施するための装置を示す概略断面図である０図において
、１５は陽極リード１６に取り付けられた円筒状の陽極
で、陽極ＩＳはＳＵＳからなり、透過孔２０の中心線は
陽極１５の内側を通る、そして、他の構成は第１図に示
した装置の構成と同様である。
施するための装置を示す概略断面図である０図において
、１５は陽極リード１６に取り付けられた円筒状の陽極
で、陽極ＩＳはＳＵＳからなり、透過孔２０の中心線は
陽極１５の内側を通る、そして、他の構成は第１図に示
した装置の構成と同様である。
そして、この発明に係るパターン黒欠陥の修正方法にお
いては、フォトマスク２１に形成したパターンの黒欠陥
部３を開口部２６に対応した所に位置させたのち、真空
排気装置により真空容器１１内をＩ Ｘｌ０−’Ｐａの
真空に排気したうえで、真空容器１１内に不活性ガス供
給装置からＡｒガスを導入することにより、真空容器１
１内を２ＸＩＯ−”ＰａのＡｒガス雰囲気とし、直流高
電圧電源により陽極１５に１．５ｋＶの正電位を与える
と、陽極１５と対向陰極１８．１９との間に冷陰極放電
が生じ、これによって生成されるＡｒガスの正イオンが
対向陰極１８．１９の表面を衝撃し、対向陰極１８．１
９からＣｒ原子がスパッタリングされ、スパッタリング
されたＣｒ原子の一部、Ａｒガスの正イオンが透過孔２
０、開口２３、開口部２６を透過し、黒欠陥部３を衝撃
して、黒欠陥部３が除去されるから、黒欠陥を修正する
ことができる。
いては、フォトマスク２１に形成したパターンの黒欠陥
部３を開口部２６に対応した所に位置させたのち、真空
排気装置により真空容器１１内をＩ Ｘｌ０−’Ｐａの
真空に排気したうえで、真空容器１１内に不活性ガス供
給装置からＡｒガスを導入することにより、真空容器１
１内を２ＸＩＯ−”ＰａのＡｒガス雰囲気とし、直流高
電圧電源により陽極１５に１．５ｋＶの正電位を与える
と、陽極１５と対向陰極１８．１９との間に冷陰極放電
が生じ、これによって生成されるＡｒガスの正イオンが
対向陰極１８．１９の表面を衝撃し、対向陰極１８．１
９からＣｒ原子がスパッタリングされ、スパッタリング
されたＣｒ原子の一部、Ａｒガスの正イオンが透過孔２
０、開口２３、開口部２６を透過し、黒欠陥部３を衝撃
して、黒欠陥部３が除去されるから、黒欠陥を修正する
ことができる。
このように、この発明に係るパターン黒欠陥の修正方法
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない、また
、フォトマスク２１を真空中に保持する必要がなく、開
口部２６の大きさの膜を一度に除去することができるの
で、黒欠陥部３が大きいときにも、黒欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。そして、陽極１５に約２０秒間正電位を
与えたところ、黒欠陥部３が除去され。
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない、また
、フォトマスク２１を真空中に保持する必要がなく、開
口部２６の大きさの膜を一度に除去することができるの
で、黒欠陥部３が大きいときにも、黒欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。そして、陽極１５に約２０秒間正電位を
与えたところ、黒欠陥部３が除去され。
この部分のＯＤ値を測定したところ、ＯＤ値はＯであり
、黒欠陥部３は完全に除去された。
、黒欠陥部３は完全に除去された。
第３図はこの発明に係るパターン欠陥の修正方法の作用
の実験装置の一部を示す断面図、第４図は第３図のＡ矢
視図である０図において、３６は真空排気管、ガス導入
管を有する真空容器内に設けられた陽極リード、３２は
陽極リード３６に取り付けられた円筒状の陽極で、陽極
３２の外径は１５■、内径は１４■である。３８，３９
は陽極３２の両側に設けられた一対の対向陰極で、対向
陰極３８．３９は金からなり、対向陰極３８．３９は陽
極３２の中心線とほぼ直角に設けられており。
の実験装置の一部を示す断面図、第４図は第３図のＡ矢
視図である０図において、３６は真空排気管、ガス導入
管を有する真空容器内に設けられた陽極リード、３２は
陽極リード３６に取り付けられた円筒状の陽極で、陽極
３２の外径は１５■、内径は１４■である。３８，３９
は陽極３２の両側に設けられた一対の対向陰極で、対向
陰極３８．３９は金からなり、対向陰極３８．３９は陽
極３２の中心線とほぼ直角に設けられており。
対向陰極３８．３９はアース電位であり、対向陰極３８
．３９の寸法は２５Ｘ２５Ｘ０．２ｍｍである。
．３９の寸法は２５Ｘ２５Ｘ０．２ｍｍである。
３３は対向陰極３８に設けられたスリット、３１は対向
陰極３８に当接して設けられた基板であり、永久磁石（
図示せず）により陽極３２の中心線とほぼ平行な磁場が
形成されている。
陰極３８に当接して設けられた基板であり、永久磁石（
図示せず）により陽極３２の中心線とほぼ平行な磁場が
形成されている。
第５図は第３図、第４図に示す実験装置において、ガラ
スからなる基板３１を用い、真空容器内をＩ Ｘ １０
−’Ｐａの真空に排気したうえで、真空容器内にＡｒガ
スを導入することにより、真空容器内を２ Ｘ １０−
”ＰａのＡｒガス雰囲気としたのち、直流高電圧電源に
より陽極３２に２ｋＶの正電位を与えて、放電電流を５
１Ａとして１２分間スパッタリングを続けたのち、高感
度触針式表面解析器によって基板３１の表面の侵食状態
等を調べた結果を示すグラフで、陽極３２の中心線から
の距離と基板３１の表面に堆積した金薄膜３４の膜厚、
基板３１に形成された凹所３５ａの侵食深さとの関係を
示すものである。このグラフから明らかなように、陽極
３２のほぼ外側に対応する部分には膜厚が約２０００人
の金薄膜３４が形成されており、また陽極３２のほぼ内
側に対応する部分に凹所３５ａが形成されており、凹所
３５ａは陽極３２の縁端部に対応する部分の近傍で最も
深く、その深さは約４０００人である。このように、陽
極３２の縁端部に対応する部分の近傍で最も深い凹所３
５ａが形成されるのは、基板３１の表面はＡｒガスの正
イオンによって衝撃されるが、基板３１がガラスのよう
に非金属の場合には、基板３１の表面がＡｒガスの正イ
オンによって衝撃されると、表面に帯電するため、以後
Ａｒガスの正イオンによる衝撃が行なわれなくなり、ま
た基板３１の表面の陽極３２の縁端部に対応する部分の
近傍では、基板３１の表面の陽極３２の外側に対応する
部分に到達する中性金原子よりも高エネルギーの中性金
原子による衝撃が行なわれているためであると考えられ
る。したがって、パターン黒欠陥の修正方法において、
黒欠陥部が非金属からなる場合には、透過孔２ｏの中心
線が陽極１５の縁端部の近傍を通るようにするのが望ま
しい。なお、電界、磁界を変化させると、金薄膜３４と
凹所３５ａとの境界の位置が変化するので、それに応じ
て陽極１５の位置を設定するのが望ましい。
スからなる基板３１を用い、真空容器内をＩ Ｘ １０
−’Ｐａの真空に排気したうえで、真空容器内にＡｒガ
スを導入することにより、真空容器内を２ Ｘ １０−
”ＰａのＡｒガス雰囲気としたのち、直流高電圧電源に
より陽極３２に２ｋＶの正電位を与えて、放電電流を５
１Ａとして１２分間スパッタリングを続けたのち、高感
度触針式表面解析器によって基板３１の表面の侵食状態
等を調べた結果を示すグラフで、陽極３２の中心線から
の距離と基板３１の表面に堆積した金薄膜３４の膜厚、
基板３１に形成された凹所３５ａの侵食深さとの関係を
示すものである。このグラフから明らかなように、陽極
３２のほぼ外側に対応する部分には膜厚が約２０００人
の金薄膜３４が形成されており、また陽極３２のほぼ内
側に対応する部分に凹所３５ａが形成されており、凹所
３５ａは陽極３２の縁端部に対応する部分の近傍で最も
深く、その深さは約４０００人である。このように、陽
極３２の縁端部に対応する部分の近傍で最も深い凹所３
５ａが形成されるのは、基板３１の表面はＡｒガスの正
イオンによって衝撃されるが、基板３１がガラスのよう
に非金属の場合には、基板３１の表面がＡｒガスの正イ
オンによって衝撃されると、表面に帯電するため、以後
Ａｒガスの正イオンによる衝撃が行なわれなくなり、ま
た基板３１の表面の陽極３２の縁端部に対応する部分の
近傍では、基板３１の表面の陽極３２の外側に対応する
部分に到達する中性金原子よりも高エネルギーの中性金
原子による衝撃が行なわれているためであると考えられ
る。したがって、パターン黒欠陥の修正方法において、
黒欠陥部が非金属からなる場合には、透過孔２ｏの中心
線が陽極１５の縁端部の近傍を通るようにするのが望ま
しい。なお、電界、磁界を変化させると、金薄膜３４と
凹所３５ａとの境界の位置が変化するので、それに応じ
て陽極１５の位置を設定するのが望ましい。
第６図は第３図、第４図に示す実験装置において、金属
からなる基板３１を用い、上述と同様に基板３１の表面
を調べた結果を示すグラフで、陽極３２の中心線からの
距離と基板３１の表面に堆積した金薄膜３４の膜厚、基
板３１に形成された凹所３５ｂの侵食深さとの関係を示
すものである。
からなる基板３１を用い、上述と同様に基板３１の表面
を調べた結果を示すグラフで、陽極３２の中心線からの
距離と基板３１の表面に堆積した金薄膜３４の膜厚、基
板３１に形成された凹所３５ｂの侵食深さとの関係を示
すものである。
このグラフから明らかなように、陽極３２のほぼ外側に
対応する部分には金薄膜３４が形成されており、また陽
極３２のほぼ内側に対応する部分に凹所３５ｂが形成さ
れていて、凹所３５ｂは陽極３２の中央部に対応する部
分が最も深くなっている。このように、凹所３５ｂが陽
極３２の中央部に対応する部分で最も深くなるのは、基
板３１の表面はＡｒガスの正イオンによって衝撃され、
基板３１が金属からなる場合には、Ａｒガスの正イオン
によって衝撃されても、表面に帯電することがなく、シ
かもＡｒガスの正イオンは陽極３２の中心線に対応する
部分に向かって強くなっており、また基板３１の表面の
縁端部に対応する部分の近傍では、中性金原子による衝
撃が行なわれているが、Ａｒガスの正イオンによる衝撃
の方が中性金原子による衝撃よりも強いためであると考
えられる。したがって、パターン黒欠陥の修正方法にお
いて、黒欠陥部が金属からなる場合には、透過孔２０の
中心線が陽極１５の中央部を通るようにするのが望まし
い。
対応する部分には金薄膜３４が形成されており、また陽
極３２のほぼ内側に対応する部分に凹所３５ｂが形成さ
れていて、凹所３５ｂは陽極３２の中央部に対応する部
分が最も深くなっている。このように、凹所３５ｂが陽
極３２の中央部に対応する部分で最も深くなるのは、基
板３１の表面はＡｒガスの正イオンによって衝撃され、
基板３１が金属からなる場合には、Ａｒガスの正イオン
によって衝撃されても、表面に帯電することがなく、シ
かもＡｒガスの正イオンは陽極３２の中心線に対応する
部分に向かって強くなっており、また基板３１の表面の
縁端部に対応する部分の近傍では、中性金原子による衝
撃が行なわれているが、Ａｒガスの正イオンによる衝撃
の方が中性金原子による衝撃よりも強いためであると考
えられる。したがって、パターン黒欠陥の修正方法にお
いて、黒欠陥部が金属からなる場合には、透過孔２０の
中心線が陽極１５の中央部を通るようにするのが望まし
い。
なお、上述実施例においては、被修正体がフォトマスク
２１の場合について説明したが、対向陰極の材料を選択
することにより、被修正体がサーマルヘッド等の場合に
もこの発明を適用できることは明らかである。また、上
述実施例においては、陽極として円筒状の陽極１４．１
５を用いたが、角筒状等の陽極、中心線と平行な切欠き
を有する筒状の陽極、２つのリングを数本の棒体で連結
した中空状の陽極等を用いてもよい。さらに、上述実施
例においては、真空容器１１内をＡｒガス雰囲気とした
が、真空容器内を他の不活性ガス雰囲気としてもよく、
対向陰極が金のように不活性物質からなるときには、真
空容器内を活性ガス雰囲気としてもよい。また、陽極リ
ード１６をベロー等を介して真空容器１１に対して移動
可能に取り付ければ、陽極１４．１５の透過孔２ｏに対
する位置を任意に設定することができるので、１台の装
置で白欠陥および黒欠陥を修正することができる。
２１の場合について説明したが、対向陰極の材料を選択
することにより、被修正体がサーマルヘッド等の場合に
もこの発明を適用できることは明らかである。また、上
述実施例においては、陽極として円筒状の陽極１４．１
５を用いたが、角筒状等の陽極、中心線と平行な切欠き
を有する筒状の陽極、２つのリングを数本の棒体で連結
した中空状の陽極等を用いてもよい。さらに、上述実施
例においては、真空容器１１内をＡｒガス雰囲気とした
が、真空容器内を他の不活性ガス雰囲気としてもよく、
対向陰極が金のように不活性物質からなるときには、真
空容器内を活性ガス雰囲気としてもよい。また、陽極リ
ード１６をベロー等を介して真空容器１１に対して移動
可能に取り付ければ、陽極１４．１５の透過孔２ｏに対
する位置を任意に設定することができるので、１台の装
置で白欠陥および黒欠陥を修正することができる。
以上説明したように、この発明に係るパターン白欠陥の
修正方法においては、レジスト塗布、露光、現像等の工
程を行なう必要がないから、短時間に修正することがで
きるとともに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがな
く、被修正体を真空中に保持する必要がなく、開口部の
大きさの膜を一度に形成することができるので、白欠陥
部が大きいときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間
を要することがなく、シかも実施に使用する装置が安価
であり、さらに形成した膜の密着性が十分であり、有機
金属ガスを用いる必要がないため作業が容易である。
修正方法においては、レジスト塗布、露光、現像等の工
程を行なう必要がないから、短時間に修正することがで
きるとともに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがな
く、被修正体を真空中に保持する必要がなく、開口部の
大きさの膜を一度に形成することができるので、白欠陥
部が大きいときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間
を要することがなく、シかも実施に使用する装置が安価
であり、さらに形成した膜の密着性が十分であり、有機
金属ガスを用いる必要がないため作業が容易である。
また、この発明に係るパターン黒欠陥の修正方法におい
ては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要
がないから、短時間に修正することができるとともに、
新たなパターン欠陥が生ずるおそれがなく、被修正体を
真空中に保持する必要がなく、開口部の大きさの黒欠陥
部を一度に除去することができるので、黒欠陥部が大き
いときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間を要する
ことがなく、しかも実施に使用する装置が安価である。
ては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要
がないから、短時間に修正することができるとともに、
新たなパターン欠陥が生ずるおそれがなく、被修正体を
真空中に保持する必要がなく、開口部の大きさの黒欠陥
部を一度に除去することができるので、黒欠陥部が大き
いときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間を要する
ことがなく、しかも実施に使用する装置が安価である。
このように、この発明の効果は顕著である。
第１図はこの発明に係るパターン白欠陥の修正方法を実
施するための装置を示す概略断面図、第２図はこの発明
に係るパターン黒欠陥の修正方法を実施するための装置
を示す概略断面図、第３図はこの発明に係るパターン欠
陥の修正方法の作用の実験装置の一部を示す断面図、第
４図は第３図のＡ矢視図、第５図、第６図はそれぞれ第
３図。 第４図に示す実験装置によって処理した基板の表面を調
べた結果を示すグラフ、第７図、第８図はそれぞれフォ
トマスクの表面の一部を示す図、第９図はサーマルヘッ
ドの表面の一部を示す図、第１０図は第９図のＢ−Ｂ断
面図である。 ２・・・白欠陥部 ３・・・黒欠陥部８・・・
白欠陥部 ９・・・黒欠陥部１１・・・真空容
器 ２１・・・フォトマスク２６・・・開口部 代理人 弁理士 中 村 純之助 １１・−真悠各葛 第 図 第 図 陽十セ中にｅ！Ｊｙうｄ巨膚會（＝−駕）第 図 ｐ易符中１じ一泉Ｖ゛うの距高倉（−ｎ −ｎ ）第６
図 第 図 コ８ 第 ９図 第８図
施するための装置を示す概略断面図、第２図はこの発明
に係るパターン黒欠陥の修正方法を実施するための装置
を示す概略断面図、第３図はこの発明に係るパターン欠
陥の修正方法の作用の実験装置の一部を示す断面図、第
４図は第３図のＡ矢視図、第５図、第６図はそれぞれ第
３図。 第４図に示す実験装置によって処理した基板の表面を調
べた結果を示すグラフ、第７図、第８図はそれぞれフォ
トマスクの表面の一部を示す図、第９図はサーマルヘッ
ドの表面の一部を示す図、第１０図は第９図のＢ−Ｂ断
面図である。 ２・・・白欠陥部 ３・・・黒欠陥部８・・・
白欠陥部 ９・・・黒欠陥部１１・・・真空容
器 ２１・・・フォトマスク２６・・・開口部 代理人 弁理士 中 村 純之助 １１・−真悠各葛 第 図 第 図 陽十セ中にｅ！Ｊｙうｄ巨膚會（＝−駕）第 図 ｐ易符中１じ一泉Ｖ゛うの距高倉（−ｎ −ｎ ）第６
図 第 図 コ８ 第 ９図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器の外にある被修正体上に形成したパターン
の白欠陥部を上記真空容器の開口部に対応した所に位置
させたのち、上記真空容器内で発生した冷陰極放電によ
り生じた粒子を上記白欠陥部に付着させることを特徴と
するパターン白欠陥の修正方法。 ２、真空容器の外にある被修正体上に形成したパターン
の黒欠陥部を上記真空容器の開口部に対応した所に位置
させたのち、上記真空容器内で発生した冷陰極放電によ
り生じた粒子、ガスイオンで上記黒欠陥部を衝突して、
黒欠陥部を除去することを特徴とするパターン黒欠陥の
修正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24978088A JPH0687170B2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | パターン欠陥の修正方法 |
| US07/416,879 US4931307A (en) | 1988-10-05 | 1989-10-04 | Method of correcting defect of patterned article |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24978088A JPH0687170B2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | パターン欠陥の修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297944A true JPH0297944A (ja) | 1990-04-10 |
| JPH0687170B2 JPH0687170B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=17198117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24978088A Expired - Fee Related JPH0687170B2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | パターン欠陥の修正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4931307A (ja) |
| JP (1) | JPH0687170B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5740840A (en) * | 1995-06-12 | 1998-04-21 | Texo Ab | Control of heald frame movement for changing shuttle clearance through a weaving shed |
| JP2006299292A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| CN108998757A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张网位置精度测量调节装置以及张网检测调节系统 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302237A (en) * | 1992-02-13 | 1994-04-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Localized plasma processing |
| JPH05281752A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビームによる加工方法 |
| DE4218196A1 (de) * | 1992-06-03 | 1993-12-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Bauteilen mittels Niederdruckplasma |
| US6033277A (en) * | 1995-02-13 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Method for forming a field emission cold cathode |
| JP2904263B2 (ja) * | 1995-12-04 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | スパッタ装置 |
| EP1715504A3 (en) * | 2005-04-19 | 2011-05-04 | Horiba, Ltd. | Glow discharge drilling apparatus and glow discharge drilling method |
| US8290239B2 (en) * | 2005-10-21 | 2012-10-16 | Orbotech Ltd. | Automatic repair of electric circuits |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP24978088A patent/JPH0687170B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-04 US US07/416,879 patent/US4931307A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5740840A (en) * | 1995-06-12 | 1998-04-21 | Texo Ab | Control of heald frame movement for changing shuttle clearance through a weaving shed |
| JP2006299292A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP4691385B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-06-01 | アルバック九州株式会社 | 真空成膜装置 |
| CN108998757A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张网位置精度测量调节装置以及张网检测调节系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687170B2 (ja) | 1994-11-02 |
| US4931307A (en) | 1990-06-05 |
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