JPH0687170B2 - パターン欠陥の修正方法 - Google Patents
パターン欠陥の修正方法Info
- Publication number
- JPH0687170B2 JPH0687170B2 JP24978088A JP24978088A JPH0687170B2 JP H0687170 B2 JPH0687170 B2 JP H0687170B2 JP 24978088 A JP24978088 A JP 24978088A JP 24978088 A JP24978088 A JP 24978088A JP H0687170 B2 JPH0687170 B2 JP H0687170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- vacuum container
- pattern
- defect
- black
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はプリント回路基板、半導体装置等の微細パタ
ーン形成に使用するフォトマスク、サーマルヘッドなど
の基板上に形成されたパターンの欠陥を修正する方法に
関するものである。
ーン形成に使用するフォトマスク、サーマルヘッドなど
の基板上に形成されたパターンの欠陥を修正する方法に
関するものである。
第７図、第８図はそれぞれフォトマスクの表面の一部を
示す図である。図において、１は基板上に形成されたCr
薄膜、２はCr薄膜１内に生じた白欠陥部すなわちあるべ
きパターンが欠落している部分、３はCr薄膜１間に生じ
た黒欠陥部すなわち正規のパターン以外の部分に膜が存
在する部分である。
示す図である。図において、１は基板上に形成されたCr
薄膜、２はCr薄膜１内に生じた白欠陥部すなわちあるべ
きパターンが欠落している部分、３はCr薄膜１間に生じ
た黒欠陥部すなわち正規のパターン以外の部分に膜が存
在する部分である。
第９図はサーマルヘッドの表面の一部を示す図、第10図
は第９図のＢ−Ｂ断面図である。図において、４はAl2O
3からなる基板、５は基板４上に形成されたTaNからなる
発熱抵抗体、６、７は発熱抵抗体５に接続されたCuから
なる電極で、電極７の幅は0.105mm、電極７間の間隔は
0.02mmである。８は電極７内に生じた白欠陥部、９は電
極７間に生じた黒欠陥部である。
は第９図のＢ−Ｂ断面図である。図において、４はAl2O
3からなる基板、５は基板４上に形成されたTaNからなる
発熱抵抗体、６、７は発熱抵抗体５に接続されたCuから
なる電極で、電極７の幅は0.105mm、電極７間の間隔は
0.02mmである。８は電極７内に生じた白欠陥部、９は電
極７間に生じた黒欠陥部である。
従来のフォトマスク、サーマルヘッド等の被修正体に生
じたパターンの白欠陥を修正する方法としては、被修正
体の全面にレジストを塗布し、レジストの白欠陥部２、
８等に相当する部分を露光、現像により除去したのち、
Cr、Cu等を蒸着して、白欠陥部２、８等に膜を形成する
蒸着法、有機金属錯体、有機金属ガスを媒体としてイオ
ンビーム、レーザーを白欠陥部２、８等に照射すること
により、白欠陥部２、８等に膜を形成するイオンビーム
法、レーザー法（特公昭58−46055号公報、特開昭60−1
82726号公報、特公昭59−22372号公報など）がある。
じたパターンの白欠陥を修正する方法としては、被修正
体の全面にレジストを塗布し、レジストの白欠陥部２、
８等に相当する部分を露光、現像により除去したのち、
Cr、Cu等を蒸着して、白欠陥部２、８等に膜を形成する
蒸着法、有機金属錯体、有機金属ガスを媒体としてイオ
ンビーム、レーザーを白欠陥部２、８等に照射すること
により、白欠陥部２、８等に膜を形成するイオンビーム
法、レーザー法（特公昭58−46055号公報、特開昭60−1
82726号公報、特公昭59−22372号公報など）がある。
また、従来の被修正体に生じたパターンの黒欠陥を修正
する方法としては、被修正体の全面にレジストを塗布
し、レジストの黒欠陥部３、９等に相当する部分を露
光、現像により除去したのち、エッチングすることによ
り、黒欠陥部３、９等を除去するエッチング法、イオン
ビーム、レーザーを黒欠陥部３、９等に照射することに
より、黒欠陥部３、９等を除去するイオンビーム法、レ
ーザー法がある。
する方法としては、被修正体の全面にレジストを塗布
し、レジストの黒欠陥部３、９等に相当する部分を露
光、現像により除去したのち、エッチングすることによ
り、黒欠陥部３、９等を除去するエッチング法、イオン
ビーム、レーザーを黒欠陥部３、９等に照射することに
より、黒欠陥部３、９等を除去するイオンビーム法、レ
ーザー法がある。
しかし、蒸着法、エッチング法においては、レジスト塗
布、露光、現像等の工程を行なう必要があるから、多く
の時間を要するとともに、新たなパターン欠陥が生ずる
おそれがある。また、イオンビーム法においては、被修
正体を真空中に保持する必要があるとともに、イオンビ
ームはビーム径が小さいので、欠陥大きさが数十μｍ以
上のときには、パターン欠陥の修正に多大の時間を要
し、しかも実施に使用する装置が高価である。さらに、
白欠陥を修正する方法としてのレーザー法においては、
形成した膜の密着性が十分ではなく、有機金属ガスの取
扱に注意を要するので、作業が面倒であり、実施に使用
する装置が高価である。また、黒欠陥を修正する方法と
してのレーザー法においては、実施に使用する装置が高
価である。
布、露光、現像等の工程を行なう必要があるから、多く
の時間を要するとともに、新たなパターン欠陥が生ずる
おそれがある。また、イオンビーム法においては、被修
正体を真空中に保持する必要があるとともに、イオンビ
ームはビーム径が小さいので、欠陥大きさが数十μｍ以
上のときには、パターン欠陥の修正に多大の時間を要
し、しかも実施に使用する装置が高価である。さらに、
白欠陥を修正する方法としてのレーザー法においては、
形成した膜の密着性が十分ではなく、有機金属ガスの取
扱に注意を要するので、作業が面倒であり、実施に使用
する装置が高価である。また、黒欠陥を修正する方法と
してのレーザー法においては、実施に使用する装置が高
価である。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもの
で、短時間に修正することができ、新たなパターン欠陥
が生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する必
要がなく、実施に使用する装置が安価であり、形成した
膜の密着性が十分であり、作業が容易であるパターン白
欠陥の修正方法を提供することを目的とする。
で、短時間に修正することができ、新たなパターン欠陥
が生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する必
要がなく、実施に使用する装置が安価であり、形成した
膜の密着性が十分であり、作業が容易であるパターン白
欠陥の修正方法を提供することを目的とする。
また、短時間に修正することができ、新たなパターン欠
陥が生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する
必要がなく、実施に使用する装置が安価であるパターン
黒欠陥の修正方法を提供することを目的とする。
陥が生ずるおそれがなく、被修正体を真空中に保持する
必要がなく、実施に使用する装置が安価であるパターン
黒欠陥の修正方法を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、真空容
器の外にある被修正体上に形成したパターンの白欠陥部
を上記真空容器の開口部に対応した所に位置させたの
ち、上記真空容器内に筒状の陽極が設けられ、上記陽極
の上下に対向陰極が設けられ、磁力線の方向が上記陽極
の中心線と平行である磁石が設けられた装置で発生した
冷陰極放電により生じた粒子を上記白欠陥部に付着させ
る。
器の外にある被修正体上に形成したパターンの白欠陥部
を上記真空容器の開口部に対応した所に位置させたの
ち、上記真空容器内に筒状の陽極が設けられ、上記陽極
の上下に対向陰極が設けられ、磁力線の方向が上記陽極
の中心線と平行である磁石が設けられた装置で発生した
冷陰極放電により生じた粒子を上記白欠陥部に付着させ
る。
また、この発明においては、真空容器の外にある被修正
体上に形成したパターンの黒欠陥部を上記真空容器の開
口部に対応した所に位置させたのち、上記真空容器内に
筒状の陽極が設けられ、上記陽極の上下に対向陰極が設
けられ、磁力線の方向が上記陽極の中心線と平行である
磁石が設けられた装置で発生した冷陰極放電により生じ
た粒子、ガスイオンで上記黒欠陥部を衝撃して、上記黒
欠陥部を除去する。
体上に形成したパターンの黒欠陥部を上記真空容器の開
口部に対応した所に位置させたのち、上記真空容器内に
筒状の陽極が設けられ、上記陽極の上下に対向陰極が設
けられ、磁力線の方向が上記陽極の中心線と平行である
磁石が設けられた装置で発生した冷陰極放電により生じ
た粒子、ガスイオンで上記黒欠陥部を衝撃して、上記黒
欠陥部を除去する。
上記のパターン白欠陥の修正方法においては、レジスト
塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、また開
口部の大きさの膜を一度に形成することができ、さらに
有機金属ガスを用いる必要がない。
塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、また開
口部の大きさの膜を一度に形成することができ、さらに
有機金属ガスを用いる必要がない。
また、上記のパターン黒欠陥の修正方法においては、レ
ジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、
また開口部の大きさの黒欠陥を一度に除去することがで
きる。
ジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要がなく、
また開口部の大きさの黒欠陥を一度に除去することがで
きる。
第１図はこの発明に係るパターン白欠陥の修正方法を実
施するための装置を示す概略断面図である。図におい
て、11は真空容器、12は真空容器11に設けられた真空排
気管で、真空排気管12は真空排気装置（図示せず）に接
続されている。13は真空容器11に設けられたガス導入管
で、ガス導入管13は不活性ガス供給装置（図示せず）に
接続されている。14は真空容器11内に設けられた円筒状
の陽極で、陽極14はSUSからなる。16は陽極14に取り付
けられた陽極リードで、陽極リード16は直流高電圧電源
（図示せず）に接続されている。17は陽極リード16を真
空容器11に固定する絶縁体、18、19は真空容器11に取り
付けられた一対の平板状対向陰極で、対向陰極18、19は
陽極14の両側に位置しており、対向陰極18、19は陽極14
の中心線と直角であり、また対向陰極18、19はアース電
位であり、さらに対向陰極18、19はCrからなる。20は対
向陰極18に設けられた透過孔で、透過孔20の中心線は陽
極14の外側を通る。23は真空容器11に設けられた開口、
24は開口23部に設けられた穴明板、26は穴明板24の開口
部で、この開口部26の断面形状に対応して、ほぼ同形状
で基板上に粒子が照射されるのであり、開口部26の径は
数μｍ〜数mmに選択され、開口23、開口部26の中心線は
透過孔20の中心線とほぼ一致している。また、開口部26
の断面形状は必要に応じて円形、矩形等が選択される。
22は真空容器11の外側に設けられた磁石で、磁石22の磁
力線の方向は陽極14の中心線と平行であり、磁石12の磁
束密度は0.1Tである。21は真空容器11の外にある被修正
体であるフォトマスク、25は開口23の周囲の真空容器11
外壁部に設けられたパッキンで、パッキン25を被修正体
であるフォトマスク21に押圧したときに、パッキン25は
真空容器11を密閉する。
施するための装置を示す概略断面図である。図におい
て、11は真空容器、12は真空容器11に設けられた真空排
気管で、真空排気管12は真空排気装置（図示せず）に接
続されている。13は真空容器11に設けられたガス導入管
で、ガス導入管13は不活性ガス供給装置（図示せず）に
接続されている。14は真空容器11内に設けられた円筒状
の陽極で、陽極14はSUSからなる。16は陽極14に取り付
けられた陽極リードで、陽極リード16は直流高電圧電源
（図示せず）に接続されている。17は陽極リード16を真
空容器11に固定する絶縁体、18、19は真空容器11に取り
付けられた一対の平板状対向陰極で、対向陰極18、19は
陽極14の両側に位置しており、対向陰極18、19は陽極14
の中心線と直角であり、また対向陰極18、19はアース電
位であり、さらに対向陰極18、19はCrからなる。20は対
向陰極18に設けられた透過孔で、透過孔20の中心線は陽
極14の外側を通る。23は真空容器11に設けられた開口、
24は開口23部に設けられた穴明板、26は穴明板24の開口
部で、この開口部26の断面形状に対応して、ほぼ同形状
で基板上に粒子が照射されるのであり、開口部26の径は
数μｍ〜数mmに選択され、開口23、開口部26の中心線は
透過孔20の中心線とほぼ一致している。また、開口部26
の断面形状は必要に応じて円形、矩形等が選択される。
22は真空容器11の外側に設けられた磁石で、磁石22の磁
力線の方向は陽極14の中心線と平行であり、磁石12の磁
束密度は0.1Tである。21は真空容器11の外にある被修正
体であるフォトマスク、25は開口23の周囲の真空容器11
外壁部に設けられたパッキンで、パッキン25を被修正体
であるフォトマスク21に押圧したときに、パッキン25は
真空容器11を密閉する。
そして、この発明に係るパターン白欠陥の修正方法にお
いては、フォトマスク21に形成したパターンの白欠陥部
２を開口部26に対応した所に位置させたのち、真空排気
装置により真空容器11内を１×10-4Paの真空に排気した
うえで、真空容器11内に不活性ガス供給装置からガス導
入管13を介してArガスを導入することにより、真空容器
11内を２×10-2PaのArガス雰囲気とし、直流高電圧電源
により陽極14に1.5kVの正電位を与えると、陽極14と対
向陰極18、19との間に冷陰極放電が生じ、これによって
生成されるArガスの正イオンが対向陰極18、19の表面を
衝撃し、対向陰極18、19からCr原子がスパッタリングさ
れ、スパッタリングされたCr原子の一部が透過孔20、開
口23、開口部26を透過し、白欠陥部２に付着して、白欠
陥部２にCr膜が形成されるから、白欠陥を修正すること
ができる。
いては、フォトマスク21に形成したパターンの白欠陥部
２を開口部26に対応した所に位置させたのち、真空排気
装置により真空容器11内を１×10-4Paの真空に排気した
うえで、真空容器11内に不活性ガス供給装置からガス導
入管13を介してArガスを導入することにより、真空容器
11内を２×10-2PaのArガス雰囲気とし、直流高電圧電源
により陽極14に1.5kVの正電位を与えると、陽極14と対
向陰極18、19との間に冷陰極放電が生じ、これによって
生成されるArガスの正イオンが対向陰極18、19の表面を
衝撃し、対向陰極18、19からCr原子がスパッタリングさ
れ、スパッタリングされたCr原子の一部が透過孔20、開
口23、開口部26を透過し、白欠陥部２に付着して、白欠
陥部２にCr膜が形成されるから、白欠陥を修正すること
ができる。
このように、この発明に係るパターン白欠陥の修正方法
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない。ま
た、フォトマスク21を真空中に保持する必要がなく、開
口部26の大きさの膜を一度に形成することができるの
で、白欠陥部２が大きいときにも、白欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。また、開口部26の形状を選択することに
より、欠陥形状に応じて、必要な形状に修正することも
容易にできる。さらに、形成した膜の密着性が十分であ
り、しかも有機金属ガスを用いる必要がないため、作業
が容易である。そして、陽極14に３分間正電位を与えた
ところ、白欠陥部２に0.1μｍの膜が形成され、OD値測
定装置（コニカ製マイクロデンシトメータModel PDM−
５）によりこの膜のOD値、すなわち入射光の強さをI0と
し、膜を透過した光の強さをＩとしたとき、log10（I0/
I）で表わされる値が3.5であり、市販のフォトマスクの
Cr薄膜のOD値は通常3.0であるから、白欠陥部２に形成
された膜の密度は大きい。また、白欠陥部２に形成され
た膜をアルコールを湿らせた綿棒で50回以上強くこすっ
たところ、白欠陥部２に形成された膜の剥離等は生じな
かった。さらに、フォトマスク21を純水中に浸漬して、
超音波を３分間作用させたところ、白欠陥部２に形成さ
れた膜の剥離、ピンホールの発生等は生じなかった。
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない。ま
た、フォトマスク21を真空中に保持する必要がなく、開
口部26の大きさの膜を一度に形成することができるの
で、白欠陥部２が大きいときにも、白欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。また、開口部26の形状を選択することに
より、欠陥形状に応じて、必要な形状に修正することも
容易にできる。さらに、形成した膜の密着性が十分であ
り、しかも有機金属ガスを用いる必要がないため、作業
が容易である。そして、陽極14に３分間正電位を与えた
ところ、白欠陥部２に0.1μｍの膜が形成され、OD値測
定装置（コニカ製マイクロデンシトメータModel PDM−
５）によりこの膜のOD値、すなわち入射光の強さをI0と
し、膜を透過した光の強さをＩとしたとき、log10（I0/
I）で表わされる値が3.5であり、市販のフォトマスクの
Cr薄膜のOD値は通常3.0であるから、白欠陥部２に形成
された膜の密度は大きい。また、白欠陥部２に形成され
た膜をアルコールを湿らせた綿棒で50回以上強くこすっ
たところ、白欠陥部２に形成された膜の剥離等は生じな
かった。さらに、フォトマスク21を純水中に浸漬して、
超音波を３分間作用させたところ、白欠陥部２に形成さ
れた膜の剥離、ピンホールの発生等は生じなかった。
第２図はこの発明に係るパターン黒欠陥の修正方法を実
施するための装置を示す概略断面図である。図におい
て、15は陽極リード16に取り付けられた円筒状の陽極
で、陽極15はSUSからなり、透過孔20の中心線は陽極15
の内側を通る。そして、他の構成は第１図に示した装置
の構成と同様である。
施するための装置を示す概略断面図である。図におい
て、15は陽極リード16に取り付けられた円筒状の陽極
で、陽極15はSUSからなり、透過孔20の中心線は陽極15
の内側を通る。そして、他の構成は第１図に示した装置
の構成と同様である。
そして、この発明に係るパターン黒欠陥の修正方法にお
いては、フォトマスク21に形成したパターンの黒欠陥部
３を開口部26に対応した所に位置させたのち、真空排気
装置により真空容器11内を１×10-4Paの真空に排気した
うえで、真空容器11内に不活性ガス供給装置からArガス
を導入することにより、真空容器11内を２×10-2PaのAr
ガス雰囲気とし、直流高電圧電源により陽極15に、1.5k
Vの正電位を与えると、陽極15と対向陰極18、19との間
に冷陰極放電が生じ、これによって生成されるArガスの
正イオンが対向陰極18、19の表面を衝撃し、対向陰極1
8、19からCr原子がスパッタリングされ、スパッタリン
グされたCr原子の一部、Arガスの正イオンが透過孔20、
開口23、開口部26を透過し、黒欠陥部３を衝撃して、黒
欠陥部３が除去されるから、黒欠陥を修正することがで
きる。
いては、フォトマスク21に形成したパターンの黒欠陥部
３を開口部26に対応した所に位置させたのち、真空排気
装置により真空容器11内を１×10-4Paの真空に排気した
うえで、真空容器11内に不活性ガス供給装置からArガス
を導入することにより、真空容器11内を２×10-2PaのAr
ガス雰囲気とし、直流高電圧電源により陽極15に、1.5k
Vの正電位を与えると、陽極15と対向陰極18、19との間
に冷陰極放電が生じ、これによって生成されるArガスの
正イオンが対向陰極18、19の表面を衝撃し、対向陰極1
8、19からCr原子がスパッタリングされ、スパッタリン
グされたCr原子の一部、Arガスの正イオンが透過孔20、
開口23、開口部26を透過し、黒欠陥部３を衝撃して、黒
欠陥部３が除去されるから、黒欠陥を修正することがで
きる。
このように、この発明に係るパターン黒欠陥の修正方法
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない。ま
た、フォトマスク21を真空中に保持する必要がなく、開
口部26の大きさの膜を一度に除去することができるの
で、黒欠陥部３が大きいときにも、黒欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。そして、陽極15に約20秒間正電位を与え
たところ、黒欠陥部３が除去され、この部分のOD値を測
定したところ、OD値は０であり、黒欠陥部３は完全に除
去された。
においては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行な
う必要がないから、短時間に修正することができるとと
もに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがない。ま
た、フォトマスク21を真空中に保持する必要がなく、開
口部26の大きさの膜を一度に除去することができるの
で、黒欠陥部３が大きいときにも、黒欠陥の修正に多大
の時間を要することがなく、しかも実施に使用する装置
が安価である。そして、陽極15に約20秒間正電位を与え
たところ、黒欠陥部３が除去され、この部分のOD値を測
定したところ、OD値は０であり、黒欠陥部３は完全に除
去された。
第３図はこの発明に係るパターン欠陥の修正方法の作用
の実験装置の一部を示す断面図、第４図は第３図のＡ矢
視図である。図において、36は真空排気管、ガス導入管
を有する真空容器内に設けられた陽極リード、32は陽極
リード36に取り付けられた円筒状の陽極で、陽極32の外
径は15mm、内径は14mmである。38、39は陽極32の両側に
設けられた一対の対向陰極で、対向陰極38、39は金から
なり、対向陰極38、39は陽極32の中心線とほぼ直角に設
けられており、対向陰極38、39はアース電位であり、対
向陰極38、39の寸法は25×25×0.2mmである。33は対向
陰極38に設けられたスリット、31は対向陰極38に当接し
て設けられた基板であり、永久磁石（図示せず）により
陽極32の中心線とほぼ平行な磁場が形成されている。
の実験装置の一部を示す断面図、第４図は第３図のＡ矢
視図である。図において、36は真空排気管、ガス導入管
を有する真空容器内に設けられた陽極リード、32は陽極
リード36に取り付けられた円筒状の陽極で、陽極32の外
径は15mm、内径は14mmである。38、39は陽極32の両側に
設けられた一対の対向陰極で、対向陰極38、39は金から
なり、対向陰極38、39は陽極32の中心線とほぼ直角に設
けられており、対向陰極38、39はアース電位であり、対
向陰極38、39の寸法は25×25×0.2mmである。33は対向
陰極38に設けられたスリット、31は対向陰極38に当接し
て設けられた基板であり、永久磁石（図示せず）により
陽極32の中心線とほぼ平行な磁場が形成されている。
第５図は第３図、第４図に示す実験装置において、ガラ
スからなる基板31を用い、真空容器内を１×10-4Paの真
空に排気したうえで、真空容器内にArガスを導入するこ
とにより、真空容器内を２×10-2PaのArガス雰囲気とし
たのち、直流高電圧電源により陽極32に2kVの正電位を
与えて、放電電流を5mAとして12分間スパッタリングを
続けたのち、高感度触針式表面解析器によって基板31の
表面の侵食状態等を調べた結果を示すグラフで、陽極32
の中心線からの距離と基板31の表面に堆積した金薄膜34
の膜厚、基板31に形成された凹所35aの侵食深さとの関
係を示すものである。このグラフから明らかなように、
陽極32のほぼ外側に対応する部分には膜厚が約2000Åの
金薄膜34が形成されており、また陽極32のほぼ内側に対
応する部分に凹所35aが形成されており、凹所35aは陽極
32の縁端部に対応する部分の近傍で最も深く、その深さ
は約4000Åである。このように、陽極32の縁端部に対応
する部分の近傍で最も深い凹所35aが形成されるのは、
基板31の表面はArガスの正イオンによって衝撃される
が、基板31がガラスのように非金属の場合には、基板31
の表面がArガスの正イオンによって衝撃されると、表面
に帯電するため、以後Arガスの正イオンによる衝撃が行
なわれなくなり、また基板31の表面の陽極32の縁端部に
対応する部分の近傍では、基板31の表面の陽極32の外側
に対応する部分に到達する中性金原子よりも高エネルギ
ーの中性金原子による衝撃が行なわれているためである
と考えられる。したがって、パターン黒欠陥の修正方法
において、黒欠陥部が非金属からなる場合には、透過孔
20の中心線が陽極15の縁端部の近傍を通るようにするの
が望ましい。なお、電界、磁界を変化させると、金薄膜
34と凹所35aとの境界の位置が変化するので、それに応
じて陽極15の位置を設定するのが望ましい。
スからなる基板31を用い、真空容器内を１×10-4Paの真
空に排気したうえで、真空容器内にArガスを導入するこ
とにより、真空容器内を２×10-2PaのArガス雰囲気とし
たのち、直流高電圧電源により陽極32に2kVの正電位を
与えて、放電電流を5mAとして12分間スパッタリングを
続けたのち、高感度触針式表面解析器によって基板31の
表面の侵食状態等を調べた結果を示すグラフで、陽極32
の中心線からの距離と基板31の表面に堆積した金薄膜34
の膜厚、基板31に形成された凹所35aの侵食深さとの関
係を示すものである。このグラフから明らかなように、
陽極32のほぼ外側に対応する部分には膜厚が約2000Åの
金薄膜34が形成されており、また陽極32のほぼ内側に対
応する部分に凹所35aが形成されており、凹所35aは陽極
32の縁端部に対応する部分の近傍で最も深く、その深さ
は約4000Åである。このように、陽極32の縁端部に対応
する部分の近傍で最も深い凹所35aが形成されるのは、
基板31の表面はArガスの正イオンによって衝撃される
が、基板31がガラスのように非金属の場合には、基板31
の表面がArガスの正イオンによって衝撃されると、表面
に帯電するため、以後Arガスの正イオンによる衝撃が行
なわれなくなり、また基板31の表面の陽極32の縁端部に
対応する部分の近傍では、基板31の表面の陽極32の外側
に対応する部分に到達する中性金原子よりも高エネルギ
ーの中性金原子による衝撃が行なわれているためである
と考えられる。したがって、パターン黒欠陥の修正方法
において、黒欠陥部が非金属からなる場合には、透過孔
20の中心線が陽極15の縁端部の近傍を通るようにするの
が望ましい。なお、電界、磁界を変化させると、金薄膜
34と凹所35aとの境界の位置が変化するので、それに応
じて陽極15の位置を設定するのが望ましい。
第６図は第３図、第４図に示す実験装置において、金属
からなる基板31を用い、上述と同様に基板31の表面を調
べた結果を示すグラフで、陽極32の中心線からの距離と
基板31の表面に堆積した金薄膜34の膜厚、基板31に形成
された凹所35bの侵食深さとの関係を示すものである。
このグラフから明らかなように、陽極32のほぼ外側に対
応する部分には金薄膜34が形成されており、また陽極32
のほぼ内側に対応する部分に凹所35bが形成されてい
て、凹所35bは陽極32の中央部に対応する部分が最も深
くなっている。このように、凹所35bが陽極32の中央部
に対応する部分で最も深くなるのは、基板31の表面はAr
ガスの正イオンによって衝撃され、基板31が金属からな
る場合には、Arガスの正イオンによって衝撃されても、
表面に帯電することがなく、しかもArガスの正イオンは
陽極32の中心線に対応する部分に向かって強くなってお
り、また基板31の表面の縁端部に対応する部分の近傍で
は、中性金原子による衝撃が行なわれているが、Arガス
の正イオンによる衝撃の方が中性金原子による衝撃より
も強いためであると考えられる。したがって、パターン
黒欠陥の修正方法において、黒欠陥部が金属からなる場
合には、透過孔20の中心線が陽極15の中央部を通るよう
にするのが望ましい。
からなる基板31を用い、上述と同様に基板31の表面を調
べた結果を示すグラフで、陽極32の中心線からの距離と
基板31の表面に堆積した金薄膜34の膜厚、基板31に形成
された凹所35bの侵食深さとの関係を示すものである。
このグラフから明らかなように、陽極32のほぼ外側に対
応する部分には金薄膜34が形成されており、また陽極32
のほぼ内側に対応する部分に凹所35bが形成されてい
て、凹所35bは陽極32の中央部に対応する部分が最も深
くなっている。このように、凹所35bが陽極32の中央部
に対応する部分で最も深くなるのは、基板31の表面はAr
ガスの正イオンによって衝撃され、基板31が金属からな
る場合には、Arガスの正イオンによって衝撃されても、
表面に帯電することがなく、しかもArガスの正イオンは
陽極32の中心線に対応する部分に向かって強くなってお
り、また基板31の表面の縁端部に対応する部分の近傍で
は、中性金原子による衝撃が行なわれているが、Arガス
の正イオンによる衝撃の方が中性金原子による衝撃より
も強いためであると考えられる。したがって、パターン
黒欠陥の修正方法において、黒欠陥部が金属からなる場
合には、透過孔20の中心線が陽極15の中央部を通るよう
にするのが望ましい。
なお、上述実施例においては、被修正体がフォトマスク
21の場合について説明したが、対向陰極の材料を選択す
ることにより、被修正体がサーマルヘッド等の場合にも
この発明を適用できることは明らかである。また、上述
実施例においては、陽極として円筒状の陽極14、15を用
いたが、角筒状等の陽極、中心線と平行な切欠きを有す
る筒状の陽極、２つのリングを数本の棒体で連結した中
空状の陽極等を用いてもよい。さらに、上述実施例にお
いては、真空容器11内をArガス雰囲気としたが、真空容
器内を他の不活性ガス雰囲気としてもよく、対向陰極が
金のように不活性物質からなるときには、真空容器内を
活性ガス雰囲気としてもよい。また、陽極リード16をベ
ロー等を介して真空容器11に対して移動可能に取り付け
れば、陽極14、15の透過孔20に対する位置を任意に設定
することができるので、１台の装置で白欠陥および黒欠
陥を修正することができる。
21の場合について説明したが、対向陰極の材料を選択す
ることにより、被修正体がサーマルヘッド等の場合にも
この発明を適用できることは明らかである。また、上述
実施例においては、陽極として円筒状の陽極14、15を用
いたが、角筒状等の陽極、中心線と平行な切欠きを有す
る筒状の陽極、２つのリングを数本の棒体で連結した中
空状の陽極等を用いてもよい。さらに、上述実施例にお
いては、真空容器11内をArガス雰囲気としたが、真空容
器内を他の不活性ガス雰囲気としてもよく、対向陰極が
金のように不活性物質からなるときには、真空容器内を
活性ガス雰囲気としてもよい。また、陽極リード16をベ
ロー等を介して真空容器11に対して移動可能に取り付け
れば、陽極14、15の透過孔20に対する位置を任意に設定
することができるので、１台の装置で白欠陥および黒欠
陥を修正することができる。
以上説明したように、この発明に係るパターン白欠陥の
修正方法においては、レジスト塗布、露光、現像等の工
程を行なう必要がないから、短時間に修正することがで
きるとともに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがな
く、被修正体を真空中に保持する必要がなく、開口部の
大きさの膜を一度に形成することができるので、白欠陥
部が大きいときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間
を要することがなく、しかも実施に使用する装置が安価
であり、さらに形成した膜の密着性が十分であり、有機
金属ガスを用いる必要がないため作業が容易である。
修正方法においては、レジスト塗布、露光、現像等の工
程を行なう必要がないから、短時間に修正することがで
きるとともに、新たなパターン欠陥が生ずるおそれがな
く、被修正体を真空中に保持する必要がなく、開口部の
大きさの膜を一度に形成することができるので、白欠陥
部が大きいときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間
を要することがなく、しかも実施に使用する装置が安価
であり、さらに形成した膜の密着性が十分であり、有機
金属ガスを用いる必要がないため作業が容易である。
また、この発明に係るパターン黒欠陥の修正方法におい
ては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要
がないから、短時間に修正することができるとともに、
新たなパターン欠陥が生ずるおそれがなく、被修正体を
真空中に保持する必要がなく、開口部の大きさの黒欠陥
部を一度に除去することができるので、黒欠陥部が大き
いときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間を要する
ことがなく、しかも実施に使用する装置が安価である。
ては、レジスト塗布、露光、現像等の工程を行なう必要
がないから、短時間に修正することができるとともに、
新たなパターン欠陥が生ずるおそれがなく、被修正体を
真空中に保持する必要がなく、開口部の大きさの黒欠陥
部を一度に除去することができるので、黒欠陥部が大き
いときにも、パターン欠陥の修正に多大の時間を要する
ことがなく、しかも実施に使用する装置が安価である。
このように、この発明の効果は顕著である。
第１図はこの発明に係るパターン白欠陥の修正方法を実
施するための装置を示す概略断面図、第２図はこの発明
に係るパターン黒欠陥の修正方法を実施するための装置
を示す概略断面図、第３図はこの発明に係るパターン欠
陥の修正方法の作用の実験装置の一部を示す断面図、第
４図は第３図のＡ矢視図、第５図、第６図はそれぞれ第
３図、第４図に示す実験装置によって処理した基板の表
面を調べた結果を示すグラフ、第７図、第８図はそれぞ
れフォトマスクの表面の一部を示す図、第９図はサーマ
ルヘッドの表面の一部を示す図、第10図は第９図のＢ−
Ｂ断面図である。 ２……白欠陥部、３……黒欠陥部 ８……白欠陥部、９……黒欠陥部 11……真空容器、21……フォトマスク 26……開口部
施するための装置を示す概略断面図、第２図はこの発明
に係るパターン黒欠陥の修正方法を実施するための装置
を示す概略断面図、第３図はこの発明に係るパターン欠
陥の修正方法の作用の実験装置の一部を示す断面図、第
４図は第３図のＡ矢視図、第５図、第６図はそれぞれ第
３図、第４図に示す実験装置によって処理した基板の表
面を調べた結果を示すグラフ、第７図、第８図はそれぞ
れフォトマスクの表面の一部を示す図、第９図はサーマ
ルヘッドの表面の一部を示す図、第10図は第９図のＢ−
Ｂ断面図である。 ２……白欠陥部、３……黒欠陥部 ８……白欠陥部、９……黒欠陥部 11……真空容器、21……フォトマスク 26……開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小関 修 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−100414（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−56635（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−85253（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】真空容器の外にある被修正体上に形成した
パターンの白欠陥部を上記真空容器の開口部に対応した
所に位置させたのち、上記真空容器内に筒状の陽極が設
けられ、上記陽極の上下に対向陰極が設けられ、磁力線
の方向が上記陽極の中心線と平行である磁石が設けられ
た装置で発生した冷陰極放電により生じた粒子を上記白
欠陥部に付着させることを特徴とするパターン白欠陥の
修正方法。 - 【請求項２】真空容器の外にある被修正体上に形成した
パターンの黒欠陥部を上記真空容器の開口部に対応した
所に位置させたのち、上記真空容器内に筒状の陽極が設
けられ、上記陽極の上下に対向陰極が設けられ、磁力線
の方向が上記陽極の中心線と平行である磁石が設けられ
た装置で発生した冷陰極放電により生じた粒子、ガスイ
オンで上記黒欠陥部を衝撃して、上記黒欠陥部を除去す
ることを特徴とするパターン黒欠陥の修正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24978088A JPH0687170B2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | パターン欠陥の修正方法 |
| US07/416,879 US4931307A (en) | 1988-10-05 | 1989-10-04 | Method of correcting defect of patterned article |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24978088A JPH0687170B2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | パターン欠陥の修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297944A JPH0297944A (ja) | 1990-04-10 |
| JPH0687170B2 true JPH0687170B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=17198117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24978088A Expired - Fee Related JPH0687170B2 (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | パターン欠陥の修正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4931307A (ja) |
| JP (1) | JPH0687170B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302237A (en) * | 1992-02-13 | 1994-04-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Localized plasma processing |
| JPH05281752A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビームによる加工方法 |
| DE4218196A1 (de) * | 1992-06-03 | 1993-12-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Bauteilen mittels Niederdruckplasma |
| US6033277A (en) * | 1995-02-13 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Method for forming a field emission cold cathode |
| SE510772C2 (sv) * | 1995-06-12 | 1999-06-21 | Texo Ab | Anordning vid vävmaskin för anpassning av underskälets varp till resulterande kraftskillnader i under- och överskäl |
| JP2904263B2 (ja) * | 1995-12-04 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | スパッタ装置 |
| JP4691385B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-06-01 | アルバック九州株式会社 | 真空成膜装置 |
| EP1715504A3 (en) * | 2005-04-19 | 2011-05-04 | Horiba, Ltd. | Glow discharge drilling apparatus and glow discharge drilling method |
| US8290239B2 (en) * | 2005-10-21 | 2012-10-16 | Orbotech Ltd. | Automatic repair of electric circuits |
| CN108998757B (zh) * | 2018-08-09 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 张网位置精度测量调节装置以及张网检测调节系统 |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP24978088A patent/JPH0687170B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-04 US US07/416,879 patent/US4931307A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4931307A (en) | 1990-06-05 |
| JPH0297944A (ja) | 1990-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930007369B1 (ko) | 집속 이온빔 처리장치 및 그의 사용방법 | |
| JPH0687170B2 (ja) | パターン欠陥の修正方法 | |
| JP3263503B2 (ja) | 電荷制御を伴うフォーカス型イオンビーム処理 | |
| JPS6222527B2 (ja) | ||
| EP0237220B1 (en) | Method and apparatus for forming a film | |
| US8257887B2 (en) | Photomask defect correcting method and device | |
| US8815474B2 (en) | Photomask defect correcting method and device | |
| US6525317B1 (en) | Reduction of charging effect and carbon deposition caused by electron beam devices | |
| JPH02303371A (ja) | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 | |
| US20060151719A1 (en) | Electron beam duplication lithography method | |
| JPH10241618A (ja) | 荷電ビームによる観察，加工方法及びその装置 | |
| JP3152018B2 (ja) | 電界放出素子の製造方法 | |
| JPS6347769A (ja) | パタン欠陥修正方法 | |
| KR100303632B1 (ko) | 냉음극소자 | |
| JP2506389B2 (ja) | マスク基板のドライエッチング方法 | |
| US7108575B2 (en) | Method for fabricating mesh of tetraode field-emission display | |
| JPH0729884A (ja) | 基板表面のイオンエッチング処理および薄膜形成方法 | |
| JPS6136928A (ja) | 真空装置 | |
| JP2890431B2 (ja) | 超電導回路の製造方法 | |
| JPH027870Y2 (ja) | ||
| JPH04155339A (ja) | パターン修正方法およびフォトマスクの製造方法 | |
| JP3170134B2 (ja) | 金属薄膜表面の汚れ除去方法 | |
| JPS6177329A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2005109344A (ja) | 荷電粒子線露光装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0246459A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |