JPH02303371A - 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 - Google Patents
超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法Info
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- JPH02303371A JPH02303371A JP1125932A JP12593289A JPH02303371A JP H02303371 A JPH02303371 A JP H02303371A JP 1125932 A JP1125932 A JP 1125932A JP 12593289 A JP12593289 A JP 12593289A JP H02303371 A JPH02303371 A JP H02303371A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 7
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カメラや複写機等の駆動系で使用される超音
波モータの超音波発生源として用いられる超音波モータ
用圧電素子の電極用パターンの形成方法に関するもので
ある。
波モータの超音波発生源として用いられる超音波モータ
用圧電素子の電極用パターンの形成方法に関するもので
ある。
従来の超音波モータ用圧電素子の電極用パター４シ
ンの形成方法として真空蒸着又はスパッタリングにより
圧電素子全面に電極膜を施し、その後フォトエツチング
工程により電極面にパターン加工を行ない、電極用パタ
ーンを形成していた。
圧電素子全面に電極膜を施し、その後フォトエツチング
工程により電極面にパターン加工を行ない、電極用パタ
ーンを形成していた。
このように、従来の電極用パターンの形成はフォトエツ
チング工程を必要としていたため、電極パターンのパタ
ーン加工に多工程を要し、時間と手間がかかり、コスト
高の原因となっていた。
チング工程を必要としていたため、電極パターンのパタ
ーン加工に多工程を要し、時間と手間がかかり、コスト
高の原因となっていた。
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、イオンビーム
或いはイオンプレーティングなどの物理的アシスト装置
を備えた真空蒸着装置により電極パターンを形成するこ
とにより、フォトエツチング工程を除去して電極用パタ
ーン加工工程及び加工時間を大幅に短縮させた超音波モ
ータ用圧電素子の電極用パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
或いはイオンプレーティングなどの物理的アシスト装置
を備えた真空蒸着装置により電極パターンを形成するこ
とにより、フォトエツチング工程を除去して電極用パタ
ーン加工工程及び加工時間を大幅に短縮させた超音波モ
ータ用圧電素子の電極用パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
上記目的を達成するため、に、本発明は、超音波モータ
用の圧電素子表面に低膨張特性を有する金属パターンマ
スクを配し、イオンビーム或いはイオンプレーティング
などの物理的アシスト装置を備えた真空蒸着装置により
、上記金属パターンマスクを介して上記圧電素子表面に
電極用パターンを形成するようにしたものである。
用の圧電素子表面に低膨張特性を有する金属パターンマ
スクを配し、イオンビーム或いはイオンプレーティング
などの物理的アシスト装置を備えた真空蒸着装置により
、上記金属パターンマスクを介して上記圧電素子表面に
電極用パターンを形成するようにしたものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明するが、最初
に本発明の第１の実施例に係るイオンビームによるアシ
スト成膜での電極用パターンの作成について説明する。
に本発明の第１の実施例に係るイオンビームによるアシ
スト成膜での電極用パターンの作成について説明する。
第１図はイオンビーム装置を付属した真空蒸着装置を示
すもので、１は成膜室で、この成膜室１内にまれており
、パターンマスク４は圧電素子３の表面に第２図（ｂ）
の如く複数の形状の電極部３ａと絶縁部３ｂが形成でき
るようなパターンが形成されている。このパターンマス
ク４は低膨張特性を有する金属材料からなる。６は圧電
素子４をクリーニングするために、圧電素子３にパター
ンマスク４を介してイオンビーム５の照射を行うイオン
ガンである。
すもので、１は成膜室で、この成膜室１内にまれており
、パターンマスク４は圧電素子３の表面に第２図（ｂ）
の如く複数の形状の電極部３ａと絶縁部３ｂが形成でき
るようなパターンが形成されている。このパターンマス
ク４は低膨張特性を有する金属材料からなる。６は圧電
素子４をクリーニングするために、圧電素子３にパター
ンマスク４を介してイオンビーム５の照射を行うイオン
ガンである。
７はイオンガン電源であり、８はニュートラライザ−で
ある。９はイオンガン６よりイオンビーム５としてアル
ゴンイオン照射を行うためのアルゴンボンベである。ｌ
Ｏは圧電素子表面に第２図（ｂ）に示すニッケル電極を
形成する電子銃である。
ある。９はイオンガン６よりイオンビーム５としてアル
ゴンイオン照射を行うためのアルゴンボンベである。ｌ
Ｏは圧電素子表面に第２図（ｂ）に示すニッケル電極を
形成する電子銃である。
次に上記装置を用いて電極パターンを作成する方法につ
いて述べる。
いて述べる。
圧電素子３を超音波洗浄機により予め充分に洗浄してお
く。次いで圧電素子３をあらかじめ蒸着傘２に組込んだ
パターンマスク４の上にセットする。このときの圧電素
子とパターンマスクとの平面度は０．０１＝≠嗜以下が
望ましい。電極形成条件として、まず成膜室ｌの真空度
を不図示の排気系によりｌＸｌ０−’ｔｏｒｒまで排気
する。次いでイオンビーム５の照射により電圧素子３の
クリーニングをアルゴンイオン照射により行う。このと
きのアルゴンガス量は３〜銃９により機械的膜厚で５に
人〜ＩＯＫ人のニッケル電極を形成させる。この時の物
理的アシスト条件として１．０〜１．２ＫｅＶのイオン
加速エネルギーが必要であり、これ以上のエネルギーを
あたえると圧電素子表面及びパターンマスク４面等に蒸
着された金属及びマスク材自身の金属がスパッタリング
され、そのスパッタ分子が圧電素子被覆マスク間に入り
込み、電極パターン間の絶縁不良の原因となり、好まし
くない。
く。次いで圧電素子３をあらかじめ蒸着傘２に組込んだ
パターンマスク４の上にセットする。このときの圧電素
子とパターンマスクとの平面度は０．０１＝≠嗜以下が
望ましい。電極形成条件として、まず成膜室ｌの真空度
を不図示の排気系によりｌＸｌ０−’ｔｏｒｒまで排気
する。次いでイオンビーム５の照射により電圧素子３の
クリーニングをアルゴンイオン照射により行う。このと
きのアルゴンガス量は３〜銃９により機械的膜厚で５に
人〜ＩＯＫ人のニッケル電極を形成させる。この時の物
理的アシスト条件として１．０〜１．２ＫｅＶのイオン
加速エネルギーが必要であり、これ以上のエネルギーを
あたえると圧電素子表面及びパターンマスク４面等に蒸
着された金属及びマスク材自身の金属がスパッタリング
され、そのスパッタ分子が圧電素子被覆マスク間に入り
込み、電極パターン間の絶縁不良の原因となり、好まし
くない。
この様にして得られた、電極パターンの品質を従来加工
品と比較したのが表−１である。
品と比較したのが表−１である。
なお、表−１中の電極の拡散時間とは電極膜表面で、ス
ズ、鉛合金を溶解させた後、温度を約３５０℃でキープ
し、電極膜が合金側に拡散した時の時間である（電極膜
厚１．０μｍ１面積５Ｘ５ｍｍ）。
ズ、鉛合金を溶解させた後、温度を約３５０℃でキープ
し、電極膜が合金側に拡散した時の時間である（電極膜
厚１．０μｍ１面積５Ｘ５ｍｍ）。
次に本発明の第２の実施例に係るイオンプレーティング
によるアシスト成膜での電極用パターンの作成について
説明する。
によるアシスト成膜での電極用パターンの作成について
説明する。
第３図はイオンプレーティング装置を付属した真空蒸着
装置を示すものであるが、第１図と同一部分には同一符
号を付し、その具体的説明は省略する。
装置を示すものであるが、第１図と同一部分には同一符
号を付し、その具体的説明は省略する。
１１は圧電素子３をクリーニングするために、高周波を
出力する高周波出力管であり、この高周波出力管１１は
高周波を出、力して成膜室ｌ内をプラズマ状態とする。
出力する高周波出力管であり、この高周波出力管１１は
高周波を出、力して成膜室ｌ内をプラズマ状態とする。
ｌｌａは高周波電源であり、９ａは成膜室ｌ内にアルゴ
ンガスを充填するためのアルゴンボンベである。
ンガスを充填するためのアルゴンボンベである。
次に上記装置を用いて電極パターンを作成する方法につ
いて述べる。
いて述べる。
圧電素子３を超音波洗浄機により予め充分に洗浄してお
く。次いで圧電素子３をあらかじめ蒸着傘２に組込んだ
パターンマスク４の上にセットする。このときの電圧素
子３とパターンマスク４との平面度、二ｍノ は０．０１４−伜以下が望ましい。電極形成条件として
、まず成膜室ｌの真空度をｌＸ１０４ｔｏｒｒまで排気
する。次いで高周波出力管１１により成膜室Ｉ内をプラ
ズマ状態とし圧電素子３のクリーニングをｌＯ分程度行
う。この時の条件として、アルゴンガス雰囲気中で１〜
５Ｘ１０−’ｔｏｒｒが望ましく、高周波出力（ｉ３．
５６ＭＨｚ）として０．５〜１．ＯＫＷがよい。
く。次いで圧電素子３をあらかじめ蒸着傘２に組込んだ
パターンマスク４の上にセットする。このときの電圧素
子３とパターンマスク４との平面度、二ｍノ は０．０１４−伜以下が望ましい。電極形成条件として
、まず成膜室ｌの真空度をｌＸ１０４ｔｏｒｒまで排気
する。次いで高周波出力管１１により成膜室Ｉ内をプラ
ズマ状態とし圧電素子３のクリーニングをｌＯ分程度行
う。この時の条件として、アルゴンガス雰囲気中で１〜
５Ｘ１０−’ｔｏｒｒが望ましく、高周波出力（ｉ３．
５６ＭＨｚ）として０．５〜１．ＯＫＷがよい。
クリーニング後、圧電素子の表面に電子銃９により機械
的膜厚で５に人〜ＩＯＫ人のニッケル電極膜を形成させ
る。この時の物理的アシスト条件での高周波出力設定と
して０．１−０．３ＫＷが必要であり、これ以上の高周
波出力条件では、電気抵抗の高い電極膜やスパッタリン
グなどの影響を受け、電極パターン間の絶縁不良の原因
となり、好ましくない。
的膜厚で５に人〜ＩＯＫ人のニッケル電極膜を形成させ
る。この時の物理的アシスト条件での高周波出力設定と
して０．１−０．３ＫＷが必要であり、これ以上の高周
波出力条件では、電気抵抗の高い電極膜やスパッタリン
グなどの影響を受け、電極パターン間の絶縁不良の原因
となり、好ましくない。
このようにして得られた電極パターンめ加工品を従来の
加工品と比較したのが表−２である。
加工品と比較したのが表−２である。
なお、表−１中の電極の拡散時間とは電極膜表面でスズ
、鉛合金を溶解させた後、温度を約３５０℃でキープし
、電極膜が合金側に拡散した時の時間である（電極膜厚
１．Ｏｎｍ、面積５ｘｓｍｍ）。
、鉛合金を溶解させた後、温度を約３５０℃でキープし
、電極膜が合金側に拡散した時の時間である（電極膜厚
１．Ｏｎｍ、面積５ｘｓｍｍ）。
以上詳記したように本発明によれば、イオンビーム或い
はイオンプレーティングなどの物理的アシスト装置を備
えた真空蒸着装置により圧電素子表面に電極パターンを
形成することにより、従来必要とされていたフォトエツ
チング工程を除去して電極用パターン加工工程及び加工
時間を大幅に短縮させ安価とした超音波モータ用圧電素
子の電極パターンの形成方法が提供できるものである。
はイオンプレーティングなどの物理的アシスト装置を備
えた真空蒸着装置により圧電素子表面に電極パターンを
形成することにより、従来必要とされていたフォトエツ
チング工程を除去して電極用パターン加工工程及び加工
時間を大幅に短縮させ安価とした超音波モータ用圧電素
子の電極パターンの形成方法が提供できるものである。
第１図は本発明の第１の実施例に係り、イオンビーム装
置を備えた真空蒸着装置の構成図、第２図（ａ）は第１
図の装置に使用されるパターンマスクの平面図、第２図
（ｂ）は第１図に示す圧電素子に形成される電極パター
ンの図、・第３図は本発明の第２の実施例に係り、イオ
ンプレーティング装置を備えた真空蒸着装置の構成図で
ある。 ｌ・・・成膜室 ２・・・蒸着傘 ３・・・圧電素子 ４・・・パターンマスク ６・・・イオンガン ９．９ａ・・・アルゴンボンベ １０・・・電子銃 １１・・・高周波出力管
置を備えた真空蒸着装置の構成図、第２図（ａ）は第１
図の装置に使用されるパターンマスクの平面図、第２図
（ｂ）は第１図に示す圧電素子に形成される電極パター
ンの図、・第３図は本発明の第２の実施例に係り、イオ
ンプレーティング装置を備えた真空蒸着装置の構成図で
ある。 ｌ・・・成膜室 ２・・・蒸着傘 ３・・・圧電素子 ４・・・パターンマスク ６・・・イオンガン ９．９ａ・・・アルゴンボンベ １０・・・電子銃 １１・・・高周波出力管
Claims (1)
- 超音波モータ用の圧電素子表面に低膨張特性を有する金
属パターンマスクを配し、イオンビーム或いはイオンプ
レーティングなどの物理的アシスト装置を備えた真空蒸
着装置により上記金属パターンマスクを介して上記圧電
素子表面に電極用パターンを形成することを特徴とする
超音波モータ用圧電素子の電極パターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125932A JP3005000B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 |
| US08/318,516 US6251472B1 (en) | 1989-05-18 | 1994-10-05 | Method of depositing electrode material onto a piezoelectric substrate whereby the substrate is masked and the unmasked portions are cleaned by a plasma or ion beam prior to deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125932A JP3005000B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303371A true JPH02303371A (ja) | 1990-12-17 |
| JP3005000B2 JP3005000B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=14922531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1125932A Expired - Fee Related JP3005000B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6251472B1 (ja) |
| JP (1) | JP3005000B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006131984A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Tokki Corp | 成膜装置 |
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| KR20030033270A (ko) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | 주식회사 피앤아이 | 이온빔을 이용한 압전 또는 초전체 고분자 재료의 표면개질 방법 |
| JP2003253434A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸着方法及び表示装置の製造方法 |
| WO2005086528A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Mirae Plasma Co., Ltd. | Method of manufacturing film-speaker using piezoelectric film and sound equipment with the same |
| US20080060832A1 (en) * | 2006-08-28 | 2008-03-13 | Ali Razavi | Multi-layer cable design and method of manufacture |
| CN104275324A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 上海和辉光电有限公司 | 一种去除遮罩上有机或脏污的装置 |
| CN117835790A (zh) * | 2024-03-06 | 2024-04-05 | 四川科尔威光电科技有限公司 | 半导体致冷器基板金属化方法及半导体致冷器金属化基板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3723920A (en) * | 1971-06-24 | 1973-03-27 | Gte Automatic Electric Lab Inc | Crystal filter assembly |
| US3864161A (en) * | 1973-08-10 | 1975-02-04 | Western Electric Co | Method and apparatus for adjusting resonators formed on a piezoelectric wafer |
| US4339683A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrical connection |
| US4450374A (en) * | 1982-05-27 | 1984-05-22 | Motorola Inc. | Oxygen-plasma passivated and low scatter acoustic wave devices |
| US4466874A (en) * | 1983-09-29 | 1984-08-21 | General Electric Company | Method of electroding a poly(vinylidene fluoride) solid |
| US4886587A (en) * | 1984-09-14 | 1989-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing thin film optical element by ion injection under electric field |
| US4627379A (en) * | 1984-11-29 | 1986-12-09 | General Electric Company | Shutter apparatus for fine-tuning a coupled-dual resonator crystal |
| KR900007413B1 (ko) * | 1986-08-26 | 1990-10-08 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 초음파 모우터구동 방법 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP1125932A patent/JP3005000B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-10-05 US US08/318,516 patent/US6251472B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006131984A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Tokki Corp | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6251472B1 (en) | 2001-06-26 |
| JP3005000B2 (ja) | 2000-01-31 |
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