JPH08261897A - 透過型電子顕微鏡の試料作製方法及び試料作製装置 - Google Patents
透過型電子顕微鏡の試料作製方法及び試料作製装置Info
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- JPH08261897A JPH08261897A JP6465495A JP6465495A JPH08261897A JP H08261897 A JPH08261897 A JP H08261897A JP 6465495 A JP6465495 A JP 6465495A JP 6465495 A JP6465495 A JP 6465495A JP H08261897 A JPH08261897 A JP H08261897A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集束イオンビーム加工装置を用いた透過電子
顕微鏡用試料作製の簡略化と加工時間短縮ができる試料
作成方法を提供することを目的とする。 【構成】 集束イオンビーム加工装置で観察箇所３の極
周辺部を囲む溝６を形成し、前記溝６と観察箇所３の表
面に金属膜を成膜し、前記金属膜をマスクとしてドライ
エッチング処理することによりマスク部分以外の試料表
面を除去した後、Ｇａ+ イオンビームにより観察箇所極
周辺部のデバイスパターンを除去する試料作製方法とす
る。
顕微鏡用試料作製の簡略化と加工時間短縮ができる試料
作成方法を提供することを目的とする。 【構成】 集束イオンビーム加工装置で観察箇所３の極
周辺部を囲む溝６を形成し、前記溝６と観察箇所３の表
面に金属膜を成膜し、前記金属膜をマスクとしてドライ
エッチング処理することによりマスク部分以外の試料表
面を除去した後、Ｇａ+ イオンビームにより観察箇所極
周辺部のデバイスパターンを除去する試料作製方法とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集束イオンビーム加工装
置を用いた透過電子顕微鏡の試料作製方法、および試料
作製装置に関する。
置を用いた透過電子顕微鏡の試料作製方法、および試料
作製装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体プロセスの微細化に伴い、
特定微小箇所の透過電子顕微鏡（以下ＴＥＭと略す）観
察が必要とされている。しかし、特定部分をＴＥＭ観察
可能な０．１μｍの厚さまで薄片化することが非常に困
難である。そこで、特定微小箇所を観察するために、集
束イオンビーム加工装置（以下ＦＩＢと略す）を用いた
ＴＥＭ試料作製方法が報告されている（畑 他，「透過
電子顕微鏡によるアルミニウム配線の解析」，信学技報
SDM90-154 （1990））。
特定微小箇所の透過電子顕微鏡（以下ＴＥＭと略す）観
察が必要とされている。しかし、特定部分をＴＥＭ観察
可能な０．１μｍの厚さまで薄片化することが非常に困
難である。そこで、特定微小箇所を観察するために、集
束イオンビーム加工装置（以下ＦＩＢと略す）を用いた
ＴＥＭ試料作製方法が報告されている（畑 他，「透過
電子顕微鏡によるアルミニウム配線の解析」，信学技報
SDM90-154 （1990））。
【０００３】以下図面を参照しながら、このＴＥＭ試料
作製方法について説明する。図８〜図１１はＦＩＢを用
いた従来のＴＥＭ試料作製方法を示すものである。図中
の１はシリコン（以下Ｓｉと略す）基板、２はＳｉ基板
１上に形成されたデバイスパターン、３は断面形状をＴ
ＥＭ観察を行う箇所で、この部分を透過電子線（加速電
圧３００ｋＶ）が透過可能な厚さ０．１μｍまで加工す
る。４はレーザー光でＴＥＭ観察箇所周辺のデバイスパ
ターン２を除去した領域を示し、５はＦＩＢのＧａ+ イ
オンビームでＴＥＭ観察箇所極周辺のデバイスパターン
２を除去した領域である。
作製方法について説明する。図８〜図１１はＦＩＢを用
いた従来のＴＥＭ試料作製方法を示すものである。図中
の１はシリコン（以下Ｓｉと略す）基板、２はＳｉ基板
１上に形成されたデバイスパターン、３は断面形状をＴ
ＥＭ観察を行う箇所で、この部分を透過電子線（加速電
圧３００ｋＶ）が透過可能な厚さ０．１μｍまで加工す
る。４はレーザー光でＴＥＭ観察箇所周辺のデバイスパ
ターン２を除去した領域を示し、５はＦＩＢのＧａ+ イ
オンビームでＴＥＭ観察箇所極周辺のデバイスパターン
２を除去した領域である。
【０００４】そしてその加工は、まず切断と機械研磨に
よりＳｉ基板１を０．２×３ｍｍの大きさに加工する
（図９）。ＦＩＢ前の粗加工として、Ｓｉ基板１上に形
成されたデバイスパターン２上で、観察箇所３の周辺の
試料表面のデバイスパターン４をレーザー光で除去する
（図１０）。ＦＩＢによりＴＥＭ観察箇所３の極周辺部
のデバイスパターン５を除去する（図１１）。ここでＦ
ＩＢ前の粗加工して、試料表面除去にレーザー光を用い
ているのは、ＦＩＢですべて加工すると多大な時間を要
するためである。
よりＳｉ基板１を０．２×３ｍｍの大きさに加工する
（図９）。ＦＩＢ前の粗加工として、Ｓｉ基板１上に形
成されたデバイスパターン２上で、観察箇所３の周辺の
試料表面のデバイスパターン４をレーザー光で除去する
（図１０）。ＦＩＢによりＴＥＭ観察箇所３の極周辺部
のデバイスパターン５を除去する（図１１）。ここでＦ
ＩＢ前の粗加工して、試料表面除去にレーザー光を用い
ているのは、ＦＩＢですべて加工すると多大な時間を要
するためである。
【０００５】以上の方法で作製された試料は図１２に示
す配置で、ＴＥＭによる断面観察が可能である。図１２
は、Ｓｉ基板１上にＴＥＭ観察できるようにＦＩＢ加工
を行ったＴＥＭ観察箇所３を透過電子線２０が透過する
様子を示す。
す配置で、ＴＥＭによる断面観察が可能である。図１２
は、Ｓｉ基板１上にＴＥＭ観察できるようにＦＩＢ加工
を行ったＴＥＭ観察箇所３を透過電子線２０が透過する
様子を示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のＴ
ＥＭ試料作製方法では、観察部周辺の試料表面のデバイ
スパターンをレーザー光により除去するため多大な時間
を要し、また、レーザー光によって観察部分を破壊する
危険性を有していた。
ＥＭ試料作製方法では、観察部周辺の試料表面のデバイ
スパターンをレーザー光により除去するため多大な時間
を要し、また、レーザー光によって観察部分を破壊する
危険性を有していた。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、ＦＩＢによる
加工前の粗加工を短時間で容易に行える試料作製方法お
よびその試料作製装置を提供することを目的とするもの
である。
加工前の粗加工を短時間で容易に行える試料作製方法お
よびその試料作製装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の透過型電子顕微鏡の試料作製方法では、Ｓｉ
基板を切断および研磨によって所要の大きさに加工した
後、観察箇所極周辺部を囲む溝をＦＩＢで形成し、前記
溝とその内側の観察箇所表面にタングステン（以下Ｗと
略す）膜を成膜し、このＷ膜をマスクとしたドライエッ
チング処理によりマスク部分以外の試料表面のデバイス
パターンを除去した後、ＦＩＢ加工により観察箇所極周
辺部のデバイスパターンを除去、最終試料厚さを、通常
のＴＥＭ観察が行える厚さに薄化する。
に本発明の透過型電子顕微鏡の試料作製方法では、Ｓｉ
基板を切断および研磨によって所要の大きさに加工した
後、観察箇所極周辺部を囲む溝をＦＩＢで形成し、前記
溝とその内側の観察箇所表面にタングステン（以下Ｗと
略す）膜を成膜し、このＷ膜をマスクとしたドライエッ
チング処理によりマスク部分以外の試料表面のデバイス
パターンを除去した後、ＦＩＢ加工により観察箇所極周
辺部のデバイスパターンを除去、最終試料厚さを、通常
のＴＥＭ観察が行える厚さに薄化する。
【０００９】また、本発明の試料作製装置は、スパッタ
エッチングとＷ膜をＣＶＤ成膜する従来のＦＩＢの機能
に加えて、同一容器内に対抗高周波電極を設けてＦＩＢ
試料ステージをアース電極とした平行平板型プラズマエ
ッチング装置を構成し、ドライエッチング処理ができる
機能を備えた構成とする。
エッチングとＷ膜をＣＶＤ成膜する従来のＦＩＢの機能
に加えて、同一容器内に対抗高周波電極を設けてＦＩＢ
試料ステージをアース電極とした平行平板型プラズマエ
ッチング装置を構成し、ドライエッチング処理ができる
機能を備えた構成とする。
【００１０】
【作用】本発明は上記した透過型電子顕微鏡の試料作製
方法によって、ＦＩＢによる加工の前段階である粗加工
がＦＩＢで形成したＷ膜をマスクとするドライエッチン
グ処理であることから、高速かつ高精度で行えるため、
粗加工とＦＩＢ加工が時間短縮できる他、レーザー光で
の粗加工のように観察部分が破壊される可能性が少な
い。
方法によって、ＦＩＢによる加工の前段階である粗加工
がＦＩＢで形成したＷ膜をマスクとするドライエッチン
グ処理であることから、高速かつ高精度で行えるため、
粗加工とＦＩＢ加工が時間短縮できる他、レーザー光で
の粗加工のように観察部分が破壊される可能性が少な
い。
【００１１】また、本発明の試料作成装置によって、Ｆ
ＩＢ試料ステージをアース電極として併用することによ
り、同一容器内での試料移動も少なくできる他、スパッ
タエッチングとＷ成膜およびドライエッチング等の処理
が高速かつ高精度に行える。
ＩＢ試料ステージをアース電極として併用することによ
り、同一容器内での試料移動も少なくできる他、スパッ
タエッチングとＷ成膜およびドライエッチング等の処理
が高速かつ高精度に行える。
【００１２】
【実施例】以下本発明の第１実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図１〜図６は本発明のＴＥＭ試料作成方法
の実施例を示すものである。なお、先に説明した従来例
の構成部と同じ構成部には同じ符号を用いる。図におい
て、１はＳｉ基板、２はＳｉ基板１上に形成されたデバ
イスパターン、３はＴＥＭ観察箇所、６はＦＩＢ加工に
より形成したＴＥＭ観察箇所３の極周辺部を囲む溝、７
はＦＩＢで成膜したＷ膜、８はＦＩＢ加工によるＴＥＭ
観察箇所極周辺部のデバイスパターン除去領域である。
ら説明する。図１〜図６は本発明のＴＥＭ試料作成方法
の実施例を示すものである。なお、先に説明した従来例
の構成部と同じ構成部には同じ符号を用いる。図におい
て、１はＳｉ基板、２はＳｉ基板１上に形成されたデバ
イスパターン、３はＴＥＭ観察箇所、６はＦＩＢ加工に
より形成したＴＥＭ観察箇所３の極周辺部を囲む溝、７
はＦＩＢで成膜したＷ膜、８はＦＩＢ加工によるＴＥＭ
観察箇所極周辺部のデバイスパターン除去領域である。
【００１３】つぎにその試料の作製方法を説明する。ま
ず、切断および機械研磨で、Ｓｉ基板１をＴＥＭ観察箇
所３を中心とする１×３ｍｍの大きさに加工する（図
２）。なお、従来方法ではレーザー光による加工領域を
狭める必要があるため、Ｓｉ基板１の大きさを０．２×
３ｍｍ程度にしていたが、本実施例ではその必要がな
く、ＴＥＭ試料ホルダーに固定できる大きさ１×３ｍｍ
程度で充分である。
ず、切断および機械研磨で、Ｓｉ基板１をＴＥＭ観察箇
所３を中心とする１×３ｍｍの大きさに加工する（図
２）。なお、従来方法ではレーザー光による加工領域を
狭める必要があるため、Ｓｉ基板１の大きさを０．２×
３ｍｍ程度にしていたが、本実施例ではその必要がな
く、ＴＥＭ試料ホルダーに固定できる大きさ１×３ｍｍ
程度で充分である。
【００１４】つぎにデバイスパターン２のＴＥＭ観察箇
所３を中心とした極周辺部を囲む溝６をＦＩＢで形成し
（図３）、この溝６と観察部分３を含む試料表面にＷ膜
７を堆積する（図４）。このＷ膜７をマスクとして、Ｃ
Ｆ4 をエッチングガスとしてドライエッチング処理（圧
力１×１０-2Ｐａ，電力２００ｗ，１３．５６ＭＨｚ）
により、Ｗ膜７とその下の観察箇所３を含むデバイスパ
ターン以外のＳｉ基板１表面のデバイスパターン２を試
料表面から５μｍ程度除去する（図５）。最後にＦＩＢ
のＧａ+ イオンビームでＷ膜７の上から加工することに
より、ＴＥＭ観察箇所３の極周辺部分のデバイスパター
ンを除去する（図６）。
所３を中心とした極周辺部を囲む溝６をＦＩＢで形成し
（図３）、この溝６と観察部分３を含む試料表面にＷ膜
７を堆積する（図４）。このＷ膜７をマスクとして、Ｃ
Ｆ4 をエッチングガスとしてドライエッチング処理（圧
力１×１０-2Ｐａ，電力２００ｗ，１３．５６ＭＨｚ）
により、Ｗ膜７とその下の観察箇所３を含むデバイスパ
ターン以外のＳｉ基板１表面のデバイスパターン２を試
料表面から５μｍ程度除去する（図５）。最後にＦＩＢ
のＧａ+ イオンビームでＷ膜７の上から加工することに
より、ＴＥＭ観察箇所３の極周辺部分のデバイスパター
ンを除去する（図６）。
【００１５】本発明での試料作製時間は、観察箇所の大
きさを横６μｍ×縦３μｍとしたとき、溝の形成とＷ膜
の成膜で約３０分、ドライエッチング処理に約３０分要
するため、従来方法の試料作製時間の２時間に比べ半分
の作製時間となった。
きさを横６μｍ×縦３μｍとしたとき、溝の形成とＷ膜
の成膜で約３０分、ドライエッチング処理に約３０分要
するため、従来方法の試料作製時間の２時間に比べ半分
の作製時間となった。
【００１６】本発明ではＴＥＭ観察箇所の周辺のデバイ
スパターンをレーザー光により除去する従来法と比較し
て、試料作製者の熟練度に依存することがなく短時間で
容易にＴＥＭ試料作製ができる。なお、図中の８は観察
箇所３の極周辺部のデバイスパターンの除去領域を示
す。
スパターンをレーザー光により除去する従来法と比較し
て、試料作製者の熟練度に依存することがなく短時間で
容易にＴＥＭ試料作製ができる。なお、図中の８は観察
箇所３の極周辺部のデバイスパターンの除去領域を示
す。
【００１７】以下、本発明の第２の実施例について図面
を参照しながら説明する。図７（ａ）は本発明の第２の
実施例を示すドライエッチング機能を備えたＦＩＢ装置
で、図７（ｂ）はＦＩＢ容器内に設けた対抗高周波電極
の構造図である。
を参照しながら説明する。図７（ａ）は本発明の第２の
実施例を示すドライエッチング機能を備えたＦＩＢ装置
で、図７（ｂ）はＦＩＢ容器内に設けた対抗高周波電極
の構造図である。
【００１８】同図において、構成要素として９はアース
電極と併用の試料ステージ、１０はＴＥＭ試料、１１は
Ｇａ+ イオンビーム、１２はガス噴出口、１３はイオン
ガン、１４は２次電子検出器、１５はドライエッチング
のための対抗高周波電極、１６は真空ポンプ、１７はエ
ッチングガス導入口、１８はエッチングガスの主容器内
への拡散を防ぐ遮蔽板、１９は遮蔽板１８を絶縁するた
めのパッキングである。
電極と併用の試料ステージ、１０はＴＥＭ試料、１１は
Ｇａ+ イオンビーム、１２はガス噴出口、１３はイオン
ガン、１４は２次電子検出器、１５はドライエッチング
のための対抗高周波電極、１６は真空ポンプ、１７はエ
ッチングガス導入口、１８はエッチングガスの主容器内
への拡散を防ぐ遮蔽板、１９は遮蔽板１８を絶縁するた
めのパッキングである。
【００１９】従来のＦＩＢと異なるのは、イオンガン等
と同一容器内に対抗高周波電極１５を設け、ＦＩＢ試料
ステージ９をアース電極として併用することにより平行
平板プラズマエッチング機能を加えた点である。
と同一容器内に対抗高周波電極１５を設け、ＦＩＢ試料
ステージ９をアース電極として併用することにより平行
平板プラズマエッチング機能を加えた点である。
【００２０】以上の各構成要素よりなる試料作製装置に
ついて。図７を用いてその各構成要素の関係と動作を説
明する。試料ステージ９上にセットしたＴＥＭ試料１０
をイオンガン１３から照射されたＧａ+ イオンビーム１
１で溝を形成し、ガス噴出口１２とイオンガン１３を用
いてＴＥＭ試料１０面にＷ膜を成膜し、ＴＥＭ試料１０
を対抗高周波電極１５の対抗位置に移動する。対抗高周
波電極１５は従来の平行平板プラズマエッチング装置で
使用されるものと構造的には同じで、対抗高周波電極１
５とアース電極である試料ステージ９間に高周波電力
（２００ｗ，１３．５６ＭＨｚ）を印加して、ガス導入
口１７から除去する膜に応じて導入されたエッチングガ
スを励起してプラズマを発生し、被加工層をエッチング
する。遮蔽版１８は電極間のガス圧を一定にし、安定な
放電にするために設けた。また、遮蔽板１８はパッキン
グ１９により絶縁されている。
ついて。図７を用いてその各構成要素の関係と動作を説
明する。試料ステージ９上にセットしたＴＥＭ試料１０
をイオンガン１３から照射されたＧａ+ イオンビーム１
１で溝を形成し、ガス噴出口１２とイオンガン１３を用
いてＴＥＭ試料１０面にＷ膜を成膜し、ＴＥＭ試料１０
を対抗高周波電極１５の対抗位置に移動する。対抗高周
波電極１５は従来の平行平板プラズマエッチング装置で
使用されるものと構造的には同じで、対抗高周波電極１
５とアース電極である試料ステージ９間に高周波電力
（２００ｗ，１３．５６ＭＨｚ）を印加して、ガス導入
口１７から除去する膜に応じて導入されたエッチングガ
スを励起してプラズマを発生し、被加工層をエッチング
する。遮蔽版１８は電極間のガス圧を一定にし、安定な
放電にするために設けた。また、遮蔽板１８はパッキン
グ１９により絶縁されている。
【００２１】エッチング終了後再び試料ステージ９を移
動し、Ｇａ+ イオンビーム１１で観察箇所極周辺部のデ
バイパターンを除去し、観察箇所の試料膜厚をＴＥＭ観
察が可能である０．１μｍにする。
動し、Ｇａ+ イオンビーム１１で観察箇所極周辺部のデ
バイパターンを除去し、観察箇所の試料膜厚をＴＥＭ観
察が可能である０．１μｍにする。
【００２２】上記のようにＦＩＢの主容器内にドライエ
ッチング処理用の対抗高周波電極１５を設けることによ
り、Ｗ成膜とドライエッチング処理、ＦＩＢ加工を同一
容器内で行えることから、従来の方法に比べ試料作製時
間の短縮が図れる。
ッチング処理用の対抗高周波電極１５を設けることによ
り、Ｗ成膜とドライエッチング処理、ＦＩＢ加工を同一
容器内で行えることから、従来の方法に比べ試料作製時
間の短縮が図れる。
【００２３】なお、第１の実施例で、Ｗ膜７をマスクと
したドライエッチング処理のエッチングガスＣＦ4 は、
被加工層に応じＣｌ2 を用いてもよい。前述した実施例
では理解を明瞭にするために図解および例示の方法によ
って詳細に説明されたけれども、Ｓｉ基板以外の対象物
の加工を場合も行なわれ得ることは明らかである。
したドライエッチング処理のエッチングガスＣＦ4 は、
被加工層に応じＣｌ2 を用いてもよい。前述した実施例
では理解を明瞭にするために図解および例示の方法によ
って詳細に説明されたけれども、Ｓｉ基板以外の対象物
の加工を場合も行なわれ得ることは明らかである。
【００２４】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明のＴＥＭ試料作製方法では、観察箇所極周辺
部を囲むように溝を形成してからＷ膜を成膜し、このＷ
膜をマスクとしてドライエッチング処理により、観察箇
所極周辺部以外の試料表面のデバイスパターンを広範囲
で高速かつ高精度で除去できる。
に、本発明のＴＥＭ試料作製方法では、観察箇所極周辺
部を囲むように溝を形成してからＷ膜を成膜し、このＷ
膜をマスクとしてドライエッチング処理により、観察箇
所極周辺部以外の試料表面のデバイスパターンを広範囲
で高速かつ高精度で除去できる。
【００２５】また、本発明の試料作製装置では、従来の
スパッタエッチングとＷ成膜機能に加えて、ＦＩＢ容器
内に設けられた対抗高周波電極とアース電極と併用の試
料ステージ間に高周波電力を印加してプラズマを発生
し、観察箇所周辺部のデバイスパターンをドライエッチ
ング処理で除去する機能を設けることにより試料作製の
簡略化と時間短縮を可能としている。
スパッタエッチングとＷ成膜機能に加えて、ＦＩＢ容器
内に設けられた対抗高周波電極とアース電極と併用の試
料ステージ間に高周波電力を印加してプラズマを発生
し、観察箇所周辺部のデバイスパターンをドライエッチ
ング処理で除去する機能を設けることにより試料作製の
簡略化と時間短縮を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＴＥＭ試料作製方法の一実施例を説明
する工程図
する工程図
【図２】同ＴＥＭ試料作製方法の一実施例を説明する工
程図
程図
【図３】同ＴＥＭ試料作製方法の一実施例を説明する工
程図
程図
【図４】同ＴＥＭ試料作製方法の一実施例を説明する工
程図
程図
【図５】同ＴＥＭ試料作製方法の一実施例を説明する工
程図
程図
【図６】同ＴＥＭ試料作製方法の一実施例を説明する工
程図
程図
【図７】（ａ）は本発明のＦＩＢ加工装置の実施例の断
面図 （ｂ）は同ＦＩＢ加工装置における対抗高周波電極部の
構成図
面図 （ｂ）は同ＦＩＢ加工装置における対抗高周波電極部の
構成図
【図８】従来のＴＥＭ試料作製方法を説明する工程図
【図９】同ＴＥＭ試料作製方法を説明する工程図
【図１０】同ＴＥＭ試料作製方法を説明する工程図
【図１１】同ＴＥＭ試料作製方法を説明する工程図
【図１２】ＦＩＢを用いて作製した試料のＴＥＭ観察に
おける配置図
おける配置図
１ Ｓｉ基板 ２ Ｓｉ基板１上に形成されたデバイスパターン ３ ＴＥＭ観察箇所 ６ ＦＩＢで形成した観察箇所の極周辺部を囲む溝 ７ ＦＩＢにより成膜されたＷ膜 ８ 観察箇所３の極周辺部のデバイスパターンの除去領
域 ９ アース電極と併用の試料ステージ １０ ＴＥＭ試料 １１ Ｇａ+ イオンビーム １２ Ｗ成膜用ガス噴出口 １３ イオンガン １４ ２次電子検出器 １５ ドライエッチングのための対抗高周波電極 １６ 真空ポンプ １７ エッチングガス噴出口 １８ ガス圧を一定にするための遮蔽板 １９ 遮蔽板を絶縁するためのパッキング
域 ９ アース電極と併用の試料ステージ １０ ＴＥＭ試料 １１ Ｇａ+ イオンビーム １２ Ｗ成膜用ガス噴出口 １３ イオンガン １４ ２次電子検出器 １５ ドライエッチングのための対抗高周波電極 １６ 真空ポンプ １７ エッチングガス噴出口 １８ ガス圧を一定にするための遮蔽板 １９ 遮蔽板を絶縁するためのパッキング
Claims (2)
- 【請求項１】 透過型電子顕微鏡で断面観察する試料に
おける前記断面観察箇所を囲む溝を集束イオンビーム加
工装置を用いて形成し、前記溝を含む観察箇所表面に金
属膜を選択的にＣＶＤ成膜した後に、前記金属膜をマス
クとして試料全面をドライエッチング処理し、断面観察
する箇所の極周辺部のみを選択的に残存させた後に、集
束イオンビーム加工装置で断面観察する箇所の極周辺部
を除去加工することを特徴とする透過型電子顕微鏡の試
料作製方法。 - 【請求項２】 集束イオンビーム加工装置で試料加工を
行う主容器内に対抗高周波電極を設け、試料ステージを
アース電極として併用して平行平板プラズマエッチング
装置を構成し、ドライエッチングできる機能を備えたこ
とを特徴とする透過型電子顕微鏡の試料作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6465495A JPH08261897A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 透過型電子顕微鏡の試料作製方法及び試料作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6465495A JPH08261897A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 透過型電子顕微鏡の試料作製方法及び試料作製装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08261897A true JPH08261897A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13264441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6465495A Pending JPH08261897A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 透過型電子顕微鏡の試料作製方法及び試料作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08261897A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292766A (ja) * | 2006-05-31 | 2006-10-26 | Hitachi Ltd | はり部材およびはり部材を用いた試料加工装置ならびに試料摘出方法 |
| JP2011133493A (ja) * | 2011-03-25 | 2011-07-07 | Hitachi Ltd | 試料加工装置 |
| CN103389236A (zh) * | 2013-07-30 | 2013-11-13 | 武汉钢铁(集团)公司 | 用于能谱仪分辨率测量的标准样品的制备方法 |
| CN106092709A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-11-09 | 武汉钢铁股份有限公司 | 热镀锌板界面抑制层特征检测试样的制备方法与装置 |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP6465495A patent/JPH08261897A/ja active Pending
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