JPH0518459B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0518459B2 JPH0518459B2 JP59267910A JP26791084A JPH0518459B2 JP H0518459 B2 JPH0518459 B2 JP H0518459B2 JP 59267910 A JP59267910 A JP 59267910A JP 26791084 A JP26791084 A JP 26791084A JP H0518459 B2 JPH0518459 B2 JP H0518459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- etching
- ion
- processing
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、良好な
コンタクト特性を得るための基板（その上に被着
された第１の導電層を含む）のドライ前処理方法
に関する。
コンタクト特性を得るための基板（その上に被着
された第１の導電層を含む）のドライ前処理方法
に関する。
最近の半導体プロセスにおける多層電極の形成
では、１層目と２層目との良好なコンタクト特性
を得るための２層目被着のための前処理として基
板のドライ処理が主流である。
では、１層目と２層目との良好なコンタクト特性
を得るための２層目被着のための前処理として基
板のドライ処理が主流である。
この前処理はコンタクト前に基板、又は導電層
の表面を軽く100〜150Å程度エツチングし、表面
の結晶不整部、膜質変化部、酸化膜、汚染物質等
を除去するもので、従来はウエツトエツチにより
行う場合が多かつたが、薬品や水の残滓や、乾燥
時の塵埃の付着等のため、製造するデバイスの耐
圧を低下させる等信頼性上問題があつた。
の表面を軽く100〜150Å程度エツチングし、表面
の結晶不整部、膜質変化部、酸化膜、汚染物質等
を除去するもので、従来はウエツトエツチにより
行う場合が多かつたが、薬品や水の残滓や、乾燥
時の塵埃の付着等のため、製造するデバイスの耐
圧を低下させる等信頼性上問題があつた。
現在では、ドライ前処理の手段として高周波
（RF）によるプラズマ処理が多用されるが、ウエ
ツトエツチと同様に種々の問題を生じている。
（RF）によるプラズマ処理が多用されるが、ウエ
ツトエツチと同様に種々の問題を生じている。
第７図は従来例のRFによるコンタクト前処理
の方法を説明する模式的な断面図である。
の方法を説明する模式的な断面図である。
図において、前処理をしようとする基板１を処
理チヤンバ２内の基板電極３上に置き、チヤンバ
２にアルゴン（Ar）ガスを導入して、基板１と
対向電極４との間に周波数13.56MHzの電力を150
〜200W印加してエツチングを行う。
理チヤンバ２内の基板電極３上に置き、チヤンバ
２にアルゴン（Ar）ガスを導入して、基板１と
対向電極４との間に周波数13.56MHzの電力を150
〜200W印加してエツチングを行う。
以上により、軽く全面エツチングして前処理を
終え、基板を次のチヤンバに移し、あるいは同じ
チヤンバ内で第２の導電層を形成するためのスパ
ツタ、あるいは蒸着を行う。
終え、基板を次のチヤンバに移し、あるいは同じ
チヤンバ内で第２の導電層を形成するためのスパ
ツタ、あるいは蒸着を行う。
ドライ前処理の手段としてRFによるプラズマ
処理は、つぎのような問題がある。
処理は、つぎのような問題がある。
(1) 発生したプラズマが処理チヤンバ内全体に広
がり、内部治具やチヤンバの壁の物質がプラズ
マにさらされるため、これらの物質が叩き出さ
れてコンタクトホールに析出する。
がり、内部治具やチヤンバの壁の物質がプラズ
マにさらされるため、これらの物質が叩き出さ
れてコンタクトホールに析出する。
例えば、ステンレス鋼を用いるとニツケル、
クロム、鉄等が付着する。
クロム、鉄等が付着する。
(2) RFの異常放電、不安定性による処理条件の
バラツキが大きく、基板に損傷を与えることが
あつた。
バラツキが大きく、基板に損傷を与えることが
あつた。
(3) その他（(1)以外）の塵埃の発生、付着する機
会が大きい。
会が大きい。
以上のような欠点を有するため、ドライ前処理
の対策が要望されている。
の対策が要望されている。
(1) 従来のRFによる前処理は、コンタクト部に
不純物が付着したり、基板を損傷する場合があ
つた。
不純物が付着したり、基板を損傷する場合があ
つた。
(2) そのため本発明によるサドルフイールド型の
イオンガンより出る不活性ガスのイオンで叩い
て処理する場合は、その構造上イオンの被曝面
積を大きくできないため、基板上のエツチング
レートが不均一になり、かつ処理は最小エツチ
ングレートで規制されるため処理時間が長くな
り、スループツトが低下する。
イオンガンより出る不活性ガスのイオンで叩い
て処理する場合は、その構造上イオンの被曝面
積を大きくできないため、基板上のエツチング
レートが不均一になり、かつ処理は最小エツチ
ングレートで規制されるため処理時間が長くな
り、スループツトが低下する。
上記問題点の解決は、半導体基板、もしくは該
半導体基板上に被着された第１の導電層にサドル
フイールド型のイオンガンより出る不活性ガスの
イオンビームを照射して清浄化処理を行う工程
と、該半導体基板、もしくは該第１の導電層の上
に第２の導電層を被着する工程とを有し、該清浄
化処理に際し、該基板を回転させ、該イオンビー
ムと該基板のなす角度および該イオンガンと該基
板間の距離をともに変えて、前記回転する基板に
該イオンビームを複数回照射する半導体装置の製
造方法により達成される。
半導体基板上に被着された第１の導電層にサドル
フイールド型のイオンガンより出る不活性ガスの
イオンビームを照射して清浄化処理を行う工程
と、該半導体基板、もしくは該第１の導電層の上
に第２の導電層を被着する工程とを有し、該清浄
化処理に際し、該基板を回転させ、該イオンビー
ムと該基板のなす角度および該イオンガンと該基
板間の距離をともに変えて、前記回転する基板に
該イオンビームを複数回照射する半導体装置の製
造方法により達成される。
さらに前記不活性ガスのイオンビームと処理さ
れる基板との角度を変え、複数回に分けて処理を
行うことにより、基板上のエツチングレートを均
一にすることができる。
れる基板との角度を変え、複数回に分けて処理を
行うことにより、基板上のエツチングレートを均
一にすることができる。
周知のようにイオンガンには、
(1) カウフマン型
(2) マグネトロン型
(3) サドルフイールド型
等がある。
前２者はイオン発生源にフイラメントやマグネ
ツトを使うため、発生するイオンビームは強力で
エツチングレートが大きいためミリング（エツチ
ング）用に広く利用されるが、イオンビーム中に
不純物の飛来が多い。
ツトを使うため、発生するイオンビームは強力で
エツチングレートが大きいためミリング（エツチ
ング）用に広く利用されるが、イオンビーム中に
不純物の飛来が多い。
(3)はIMA（Ion Mico−Analyser）等の小規模
で高純度の分析用イオン源として用いられてき
た。
で高純度の分析用イオン源として用いられてき
た。
本発明は構造的に高純度のイオン源であるサド
ルフイールド型を用い、高純度のイオンビームに
より前処理を行い、かつビームの容量不足を補う
ため、ビームの入射角と同時にイオンガンと基板
との距離を変えて複数回の照射を行うことによ
り、基板内のエツチングレートの均一化を図つた
ものである。
ルフイールド型を用い、高純度のイオンビームに
より前処理を行い、かつビームの容量不足を補う
ため、ビームの入射角と同時にイオンガンと基板
との距離を変えて複数回の照射を行うことによ
り、基板内のエツチングレートの均一化を図つた
ものである。
第１図は本発明によるサドルフイールド型イオ
ンミリングを用いたコンタクト前処理の方法を説
明する模式的な断面図である。
ンミリングを用いたコンタクト前処理の方法を説
明する模式的な断面図である。
図において、前処理をしようとする基板１１を
処理チヤンバ１２内のホルダ１３に装着し、チヤ
ンバ１２を２×10-3〜１×10-4Torrに排気し、
イオンガン１４にアルゴン（Ar）ガスを導入し
て、イオンガン１４に直流電圧を印加し、アパー
チヤ１５よりイオンビームを基板１１に照射して
エツチングする。
処理チヤンバ１２内のホルダ１３に装着し、チヤ
ンバ１２を２×10-3〜１×10-4Torrに排気し、
イオンガン１４にアルゴン（Ar）ガスを導入し
て、イオンガン１４に直流電圧を印加し、アパー
チヤ１５よりイオンビームを基板１１に照射して
エツチングする。
この場合イオンビームと処理される基板との角
度θを変え、複数回に分けてエツチングができる
ようにする。
度θを変え、複数回に分けてエツチングができる
ようにする。
また基板１１は自転できる構造にする。
さらに、実施例では第１図に示されるように、
イオンビームと処理される基板との角度θを大き
くすると同時にイオンガンと基板との距離も大き
くなるように構成され、基板周辺部では距離小、
角度小となり、中心部では距離大、角度大となる
ようにして処理される。
イオンビームと処理される基板との角度θを大き
くすると同時にイオンガンと基板との距離も大き
くなるように構成され、基板周辺部では距離小、
角度小となり、中心部では距離大、角度大となる
ようにして処理される。
第２図は本発明による前処理のエツチングレー
トの基板上の分布図である。
トの基板上の分布図である。
図において、ステツプ１はθ＝45゜、ステツプ
２はθ＝65゜の場合のエツチングレートを示し、
全体として合成値Ｒが得られる。
２はθ＝65゜の場合のエツチングレートを示し、
全体として合成値Ｒが得られる。
この場合の条件はArの流量が50c.c.／min、イ
オンガンの電力は2.5KV、360ｍＡである。
オンガンの電力は2.5KV、360ｍＡである。
この場合、ステツプ１では基板をイオンガンに
近づけることにより処理速度を上げ面積の広い基
板周辺部を先に処理し、ステツプ２で基板をイオ
ンガンより遠ざけて処理速度よりも処理分布の改
善を優先し、面積の狭い基板中心部を処理してい
る。
近づけることにより処理速度を上げ面積の広い基
板周辺部を先に処理し、ステツプ２で基板をイオ
ンガンより遠ざけて処理速度よりも処理分布の改
善を優先し、面積の狭い基板中心部を処理してい
る。
上記の理由により、単に角度を変えるだけで距
離を変えない場合に比し、実施例では処理分布の
均一性の向上が期待できる。
離を変えない場合に比し、実施例では処理分布の
均一性の向上が期待できる。
さらに、ステツプ２では、先に処理した基板周
辺部への飛散物質の再付着を防止するため、周辺
部へも少しイオンビームが当たるように基板の角
度を調節することが望ましい。
辺部への飛散物質の再付着を防止するため、周辺
部へも少しイオンビームが当たるように基板の角
度を調節することが望ましい。
θとエツチング回数を調節してエツチングレー
トが均一になる最適値を求めることができる。
トが均一になる最適値を求めることができる。
このように軽く全面エツチングして前処理を終
え、基板を次のチヤンバに移し、あるいは同じチ
ヤンバ内で第２の導電層を形成するためのスパツ
タ、あるいは蒸着を行う。
え、基板を次のチヤンバに移し、あるいは同じチ
ヤンバ内で第２の導電層を形成するためのスパツ
タ、あるいは蒸着を行う。
第３図は本発明による２回エツチングの最適値
と１回エツチングの場合についてのエツチングレ
ートの基板上の分布図である。
と１回エツチングの場合についてのエツチングレ
ートの基板上の分布図である。
図において、Ａは２回エツチングの場合、Ｂは
１回エツチングの場合を示す。
１回エツチングの場合を示す。
この場合前述のように処理は最小エツチングレ
ートで規制されるためＢの場合は処理時間が長く
なり、スループツトが低下するが、Ａの場合の処
理時間は1/2〜1/3でよいことが分かる。
ートで規制されるためＢの場合は処理時間が長く
なり、スループツトが低下するが、Ａの場合の処
理時間は1/2〜1/3でよいことが分かる。
第４図ａ，ｂはそれぞれサドルフイールド型イ
オンガンを説明する模式的な平面図、断面図であ
る。
オンガンを説明する模式的な平面図、断面図であ
る。
接地されたアルミニウムまたは銅製のガン本体
１４の中に、カーボン製の陽極１６と１７が配置
され、これらに約２〜3KVの正電位を与えると
サドル形の電界１８が生ずる。この電界により
Arは電離され、かつ加速されてアパーチヤ１５
の孔より処理チヤンバ１２内に射出される。この
場合アパーチヤ１５の孔のコンダクタンスと、処
理チヤンバ１２とガン本体１４の差圧を調整して
利用電力を最適化する。
１４の中に、カーボン製の陽極１６と１７が配置
され、これらに約２〜3KVの正電位を与えると
サドル形の電界１８が生ずる。この電界により
Arは電離され、かつ加速されてアパーチヤ１５
の孔より処理チヤンバ１２内に射出される。この
場合アパーチヤ１５の孔のコンダクタンスと、処
理チヤンバ１２とガン本体１４の差圧を調整して
利用電力を最適化する。
１９はガン本体１４の内部に設けられたカーボ
ン製の覆いである。
ン製の覆いである。
第５図は本発明の適用例を示す基板断面図であ
る。
る。
図において、基板５１の上に、絶縁層として二
酸化珪素（SiO2）層５２を被着し、これにコン
タクトホール５３を開口して基板５１を露出し、
コンタクトホール５３を覆つて厚さ400Åのｎ型
多結晶珪素（ｎ−ポリSi）層５４を基板全面に被
着する。
酸化珪素（SiO2）層５２を被着し、これにコン
タクトホール５３を開口して基板５１を露出し、
コンタクトホール５３を覆つて厚さ400Åのｎ型
多結晶珪素（ｎ−ポリSi）層５４を基板全面に被
着する。
つぎに本発明による前処理を適用してｎ−ポリ
Si層５４を約100Åエツチングした後、配線層と
してアルミニウム（Al）層５５を被着する。
Si層５４を約100Åエツチングした後、配線層と
してアルミニウム（Al）層５５を被着する。
第６図は本発明の他の適用例を示す基板断面図
である。
である。
図において、基板６１の上に、第１層目の配線
層としてAl層６２Ａと６２Ｂを形成し、その上
に層間絶縁膜としての燐珪酸ガラス（Ｉ−PSG）
層６３を被着し、これにコンタクトホール６４と
６５と６６を開口してAl層６２Ａと６２Ｂを露
出する。
層としてAl層６２Ａと６２Ｂを形成し、その上
に層間絶縁膜としての燐珪酸ガラス（Ｉ−PSG）
層６３を被着し、これにコンタクトホール６４と
６５と６６を開口してAl層６２Ａと６２Ｂを露
出する。
つぎに本発明による前処理を適用してAl層６
２Ａと６２Ｂをを約100Åエツチングした後、第
２層目の配線層としてAl層６７を被着する。
２Ａと６２Ｂをを約100Åエツチングした後、第
２層目の配線層としてAl層６７を被着する。
以上の２例においては、経時的にも極めて良好
なオーミツクコンタクト特性が得られた。
なオーミツクコンタクト特性が得られた。
以上詳細に説明したように本発明による前処理
は、コンタクト部に不純物が付着したり、基板を
損傷する虞がなく、経時変化の少ない良好なオー
ミツク特性が得られる。
は、コンタクト部に不純物が付着したり、基板を
損傷する虞がなく、経時変化の少ない良好なオー
ミツク特性が得られる。
さらにサドルフイールド型のイオンガンより出
る不活性ガスのイオンで叩いて処理する場合は、
その構造上イオンの被曝面積を大きくできない
が、イオンの入射角を変えて複数回にわけてエツ
チングすることにより、基板上のエツチングレー
トが均一になり、かつ処理時間が短くなり、スル
ープツトが向上する。
る不活性ガスのイオンで叩いて処理する場合は、
その構造上イオンの被曝面積を大きくできない
が、イオンの入射角を変えて複数回にわけてエツ
チングすることにより、基板上のエツチングレー
トが均一になり、かつ処理時間が短くなり、スル
ープツトが向上する。
第１図は本発明によるサドルフイールド型イオ
ンミリングを用いたコンタクト前処理の方法を説
明する模式的な断面図、第２図は本発明による前
処理のエツチングレートの基板上の分布図、第３
図は本発明による２回エツチングの最適値と１回
エツチングの場合についてのエツチングレートの
基板上の分布図、第４図ａ，ｂはそれぞれサドル
フイールド型イオンガンを説明する模式的な平面
図、断面図、第５図は本発明の適用例を示す基板
断面図、第６図は本発明の他の適用例を示す２層
構造の基板断面図、第７図は従来例のRFによる
コンタクト前処理の方法を説明する模式的な断面
図である。 図において、１は基板、２は処理チヤンバ、３
は基板電極、４は対向電極、１１は基板、１２は
処理チヤンバ、１３はホルダ、１４はイオンガ
ン、１５はアパーチヤ、１６，１７はカーボン製
の陽極、１８はサドル形の電界、１８はカーボン
製の覆い、５１は基板、５２はSiO2層、５３は
コンタクトホール、５４はｎ−ポリSi層、５５は
Al層、６１は基板、６２Ａ，６２ＢはAl層、６
３はＩ−PSG層、６４，６５，６６はコンタク
トホール、６７はAl層を示す。
ンミリングを用いたコンタクト前処理の方法を説
明する模式的な断面図、第２図は本発明による前
処理のエツチングレートの基板上の分布図、第３
図は本発明による２回エツチングの最適値と１回
エツチングの場合についてのエツチングレートの
基板上の分布図、第４図ａ，ｂはそれぞれサドル
フイールド型イオンガンを説明する模式的な平面
図、断面図、第５図は本発明の適用例を示す基板
断面図、第６図は本発明の他の適用例を示す２層
構造の基板断面図、第７図は従来例のRFによる
コンタクト前処理の方法を説明する模式的な断面
図である。 図において、１は基板、２は処理チヤンバ、３
は基板電極、４は対向電極、１１は基板、１２は
処理チヤンバ、１３はホルダ、１４はイオンガ
ン、１５はアパーチヤ、１６，１７はカーボン製
の陽極、１８はサドル形の電界、１８はカーボン
製の覆い、５１は基板、５２はSiO2層、５３は
コンタクトホール、５４はｎ−ポリSi層、５５は
Al層、６１は基板、６２Ａ，６２ＢはAl層、６
３はＩ−PSG層、６４，６５，６６はコンタク
トホール、６７はAl層を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板、もしくは該半導体基板上に被着
された第１の導電層にサドルフイールド型のイオ
ンガンより出る不活性ガスのイオンビームを照射
して清浄化処理を行う工程と、 該半導体基板、もしくは該第１の導電層の上に
第２の導電層を被着する工程とを有し、 該清浄化処理に際し、該基板を回転させ、該イ
オンビームと該基板のなす角度および該イオンガ
ンと該基板間の距離をともに変えて、前記回転す
る基板に該イオンビームを複数回照射することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26791084A JPS61166044A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26791084A JPS61166044A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166044A JPS61166044A (ja) | 1986-07-26 |
| JPH0518459B2 true JPH0518459B2 (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17451316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26791084A Granted JPS61166044A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166044A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328530A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-16 | Hitachi Ltd | Method of etching surfaces of solids |
| JPS59121747A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Fujitsu Ltd | イオンミリング方法 |
| JPS59130425A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | オ−ミツク電極の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP26791084A patent/JPS61166044A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328530A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-16 | Hitachi Ltd | Method of etching surfaces of solids |
| JPS59121747A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Fujitsu Ltd | イオンミリング方法 |
| JPS59130425A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | オ−ミツク電極の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61166044A (ja) | 1986-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3737363B2 (ja) | 不均一性補償を伴う表面の物理的気相処理 | |
| JPH10330938A (ja) | イオン化スッパタ装置及びイオン化スパッタ方法 | |
| JP3080843B2 (ja) | 薄膜形成方法及び装置 | |
| JPH0813143A (ja) | プラズマ処理方法及び処理装置 | |
| JPH10251849A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS627852A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0518459B2 (ja) | ||
| JPH09213634A (ja) | 薄膜成膜方法、半導体装置の製造方法及び薄膜成膜装置 | |
| JPH02303371A (ja) | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 | |
| JP2002115051A (ja) | バイアススパッタリング装置 | |
| JPS58102521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1041276A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06158331A (ja) | 被膜形成装置 | |
| JPH06120140A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| JPH0758083A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS60228675A (ja) | タングステンのデポジシヨン方法 | |
| JP2003234334A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH02164784A (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JP3208931B2 (ja) | プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法 | |
| JPH08172071A (ja) | 半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法 | |
| JPS6277477A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH03215664A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3116390B2 (ja) | 半導体処理装置及び半導体処理方法 | |
| JPS6085515A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08199355A (ja) | スパッタリング装置及び方法 |