JPH08172071A

JPH08172071A - 半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法

Info

Publication number: JPH08172071A
Application number: JP31283294A
Authority: JP
Inventors: 哲也 ▲高▼垣; Tetsuya Takagaki
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-12-16
Filing date: 1994-12-16
Publication date: 1996-07-02

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体ウエハの汚染低減を図ることのできる
半導体製造装置を提供することにある。【構成】チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発生さ
せて半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造装置
であって、チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分
離する平板電極１２が、たとえばＳｉのような非導電性
の高純度材を基材１２ａとし、この基材１２ａのウエハ
対向面と反対側の面にたとえばＡｌのような導電材１２
ｂを形成して構成されるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置および半
導体ウエハの処理方法に関し、特に、反応性ガスのプラ
ズマにより半導体ウエハに所定の処理を施すプラズマ処
理に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を製造する際における半導体
ウエハの処理には、この半導体ウエハの表面に所望の物
質の薄膜を形成するためのＣＶＤ処理、該半導体ウエハ
上に微細な回路パターンを形成するエッチング処理、エ
ッチング処理後の半導体ウエハ上に残ったレジストを除
去するアッシング処理等がある。そして、これらの処理
を行うためにプラズマを用いた種々の半導体製造装置が
用いられている。プラズマ処理は、反応ガスの減圧下に
おいてプラズマ放電することにより、常圧下では安定に
得られないイオンやラジカル等の反応種を発生させ、所
定の化学反応を促進させて半導体ウエハに処理を施すも
のである。

【０００３】このような半導体製造装置にあっては、汚
染などによるダメージの少ない状況下で半導体ウエハを
処理することが歩留まりの点からも重要となる。

【０００４】プラズマ処理における半導体ウエハの汚染
に関しては、たとえば、株式会社プレスジャーナル発
行、「月刊 Semiconductor World」1991年 3月号（平成
3年 2月20日発行）、P153〜P159に記載されているよう
に、平板電極を用いてチャンバ内をプラズマ発生室と処
理室とに分離してプラズマ放電領域をプラズマ発生室に
制限し、平板電極によってプラズマ発生室で発生したイ
オンを捕獲してラジカルのみを処理室に導入することに
よって半導体ウエハへの金属汚染を低減する半導体製造
装置が知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、当該刊
行物のP154にも記載されているように、ここで用いられ
る平板電極４２（図５）はアルミニウムによって構成さ
れているために、電荷を持つイオンの衝撃により平板電
極４２であるアルミニウムがスパッタリングされること
になる。その結果、チャンバ内がアルミニウムの原子に
より金属汚染され、このようなチャンバ内雰囲気により
半導体ウエハ４１もまた金属汚染されることになる。の
みならず、スパッタリングによる平板電極４２の荒れが
進行すると汚染および発塵が一層ひどくなるのでこれを
頻繁に交換する必要が生じ、結果として平板電極が短寿
命となってしまう。

【０００６】このような金属汚染を防止する方策とし
て、平板電極４２をシリコンなどのような半導体で構成
することも考えられるが、これによれば平板電極４２の
中央部と周辺部との間で電位差が生じて異常放電が発生
することになる。そして、異常放電によりスパッタリン
グされたチャンバ材（一般的にはアルミニウム）や平板
電極４２の粒子が半導体ウエハ４１に付着し、やはり半
導体ウエハ４１が汚染されることになる。

【０００７】また、汚染雰囲気によりチャンバ内には異
物が堆積することになるので、これを定期的に洗浄する
ことが必要となる。したがって、汚染度合いが激しくな
ればなるほど洗浄の頻度も増加することになり、スルー
プットを低下させる原因となっている。

【０００８】そこで、本発明の目的は、半導体ウエハに
対する汚染を低減させることのできるプラズマ処理技術
を提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、チャンバ内の洗浄頻
度を低減させることのできるプラズマ処理技術を提供す
ることにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。

【００１２】すなわち、本発明による半導体製造装置
は、チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発生させて半
導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造装置であっ
て、チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分離する
平板電極におけるウエハ対向面が非導電性の高純度材に
より、その反対側が導電材によりそれぞれ形成されてい
るものである。また、非導電性の高純度材を基材とし、
この基材のウエハ対向面と反対側の面に導電材を形成し
て構成されるものである。さらに、導電材を基材とし、
この基材のウエハ対向面に非導電性の高純度材を形成し
て構成されるものである。そして、導電材を基材とし、
この基材の両面に対して、ウエハ対向面側を厚くして非
導電性の高純度材を形成して構成されるものである。両
面に高純度材を形成した場合には、その高純度材の厚さ
はウエハ対向面側が３００μｍ以上、その反対側が２０
０μｍ以下とすることが望ましい。

【００１３】これらの場合において、導電材としては、
カーボン、アルミニウム、銅、タングステン、導電性を
有するシリコンまたは導電性を有する炭化ケイ素を、ま
た高純度材としては、シリコンまたは炭化ケイ素を、そ
れぞれ用いることができる。

【００１４】本発明による半導体ウエハの処理方法は、
ウエハ対向面が非導電性の高純度材により、その反対側
が導電材により形成された平板電極をチャンバ内のプラ
ズマ発生室と処理室との間に設置し、処理室に半導体ウ
エハをセットし、プラズマ発生室で反応性ガスのプラズ
マを発生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施すもの
である。

【００１５】また、本発明による半導体ウエハの処理方
法は、非導電性の高純度材を基材とし、この基材のウエ
ハ対向面と反対側の面に導電材が形成された平板電極を
チャンバ内のプラズマ発生室と処理室との間に設置し、
処理室に半導体ウエハをセットし、プラズマ発生室で反
応性ガスのプラズマを発生させて半導体ウエハにプラズ
マ処理を施すものである。

【００１６】さらに、本発明による半導体ウエハの処理
方法は、導電材を基材とし、この基材のウエハ対向面に
非導電性の高純度材が形成された平板電極をチャンバ内
のプラズマ発生室と処理室との間に設置し、処理室に半
導体ウエハをセットし、プラズマ発生室で反応性ガスの
プラズマを発生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施
すものである。

【００１７】そして、本発明による半導体ウエハの処理
方法は、導電材を基材とし、この基材の両面に対して、
ウエハ対向面側を厚くして非導電性の高純度材が形成さ
れた平板電極をチャンバ内のプラズマ発生室と処理室と
の間に設置し、処理室に半導体ウエハをセットし、プラ
ズマ発生室で反応性ガスのプラズマを発生させて半導体
ウエハにプラズマ処理を施すものである。

【００１８】

【作用】前記した手段によれば、異常放電が防止される
とともにプラズマのスパッタリングによるチャンバ内の
金属汚染が防止される。

【００１９】したがって、プラズマ処理における半導体
ウエハの異物汚染によるダメージが低減され、歩留まり
の向上を図ることが可能になる。また、汚染原因が低減
されてチャンバ内における異物の堆積速度が遅くなるの
で、チャンバ内の洗浄頻度が低減されてスループットの
向上を図ることができる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。

【００２１】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る半導体製造装置を示す断面図、図２は図１の半導体製
造装置に用いられた平板電極を示す断面図である。

【００２２】図示する本実施例の半導体製造装置は、露
光処理の終了した半導体ウエハ１の不要部分の窒化膜を
除去するためのエッチング処理を施すドライエッチング
装置であり、装置本体を構成するチャンバ２は、その上
部においてプラズマ発生室３が形成された放電管４を有
している。たとえば石英よりなる放電管４の頂部には処
理ガス供給口５が開設され、エッチングガスであるＣＦ
₄やＳＦ₆などの処理ガスがプラズマ発生室３内に導入
されるようになっている。なお、チャンバ２内の構成部
品にはセラミックやフッ素樹脂などのカバーがかけられ
て汚染が防止されている。

【００２３】放電管４の外周部には、プラズマ発生室３
内においてプラズマ放電を励起させるための放電コイル
６が螺旋状に巻き付けられている。この放電コイル６に
電力を供給するため、該放電コイル６には高周波電源
（以下「ＲＦ電源」という。）７の一端が接続されてい
る。したがって、放電コイル６にはＲＦ電源７により10
0kHz〜100MHzの、たとえば13.56MHz程度の高周波の電力
が供給される。なお、このＲＦ電源７の他端は接地され
てグランドレベルに落とされている。

【００２４】チャンバ２の下部、つまりプラズマ発生室
３の下方には処理室８が形成されている。この処理室８
には、被処理部材である半導体ウエハ１を保持するため
のウエハチャック９が設けられ、前記したプラズマ発生
室３から導入された中性活性種により半導体ウエハ１が
エッチング処理される。

【００２５】半導体ウエハ１の回路形成面を上方に向け
て保持するウエハチャック９には、この半導体ウエハ１
をたとえば 200℃程度に加熱してエッチングレートを向
上させるためのヒータ１０が組み込まれている。なお、
チャンバ２内の圧力を 0.1Torr程度の低い圧力に設定す
るために、処理室８の底壁に開口して排気口１１が設け
られ、該排気口１１は図示しない真空ポンプに接続され
ている。

【００２６】プラズマ発生室３と処理室８とは、プラズ
マ発生室３で発生したイオンを捕獲する平板電極１２に
よって分離され、イオン衝撃による半導体ウエハ１の結
晶欠陥の発生などが未然に防止されている。ここで、格
子状あるいは放射状に貫通孔１３が開設された平板電極
１２は、図２に示すように、Ｓｉ（シリコン）のような
非導電性を有する高純度材を基材１２ａとし、この基材
１２ａのウエハ対向面と反対側の面つまり反対面に、た
とえばスパッタ法によりＡｌ（アルミニウム）のような
導電材１２ｂが形成されている。ここで、本明細書にお
いて、「非導電性を有する」とは、半導体および不導体
のように電気抵抗値の大きなものつまり導体としての性
質を有しないものとの意味である。なお、導電材１２ｂ
は基材１２ａの両面にこれを堆積し、ウエハ対向面側を
除去することによって反対面にのみ形成するようにして
もよい。

【００２７】基材１２ａを構成する高純度材としてはた
とえばＳｉＣ（炭化ケイ素）やＳｉＮ（窒化ケイ素）な
どを用いてもよく、また、基材１２ａに形成される導電
材１２ｂとしてはたとえばＷ（タングステン）、Ｃ（カ
ーボン）、Ｃｕ（銅）、あるいは３価の不純物原子（た
とえばＢ（ホウ素）など）や５価の不純物原子（たとえ
ばＰ（リン）など）がドーピングされて抵抗率が下げら
れたＳｉやＳｉＣを用いてもよい。さらに、導電材１２
ｂはスパッタリングのような物理的方法によって基材１
２ａに堆積してもよい。

【００２８】このような構造の半導体製造装置を用い
て、半導体ウエハ１にエッチング処理を施すには、ウエ
ハチャック９の上に半導体ウエハ１を載置し、真空ポン
プによって真空引きしてチャンバ２内を所定の真空度に
保持するとともに処理ガス供給口５からエッチングガス
を供給した状態のもとで、ＲＦ電源７から放電コイル６
に所定の周波数の電力を供給する。これにより、プラズ
マ発生室３内において反応性ガスのプラズマが発生す
る。

【００２９】プラズマ発生室３内では、高周波放電によ
る高周波電界によって電子が高速に加速されてイオンや
中性活性種が生成され、これらは下方に位置する処理室
８に向かおうとする。前記したように、プラズマ発生室
３と処理室８との間には平板電極１２が設けられてお
り、イオンはこの平板電極１２によって捕獲され、中性
活性種は平板電極１２の貫通孔１３を通過して処理室８
に導入される。

【００３０】ここで、平板電極１２の反対面には導電材
１２ｂが位置しており、イオンの捕獲時において電位差
による異常放電を生じることがないので、汚染物質を発
生させることなくイオンが捕獲されることになる。一
方、平板電極１２のウエハ対向面には基材１２ａである
非導電性の高純度材が位置しているので、イオン衝撃に
よる金属原子のスパッタリングは殆どなく、チャンバ２
内の金属汚染が低減されることになる。

【００３１】したがって、半導体ウエハ１に対する汚染
原因が低減された状態で、処理室８内において半導体ウ
エハ１にエッチング処理が施される。

【００３２】このように、本実施例による半導体製造装
置によれば、プラズマ発生室３と処理室８とを分離する
平板電極１２を、Ｓｉのような非導電性の高純度材を基
材１２ａとし、この基材１２ａの反対面にＡｌのような
導電材１２ｂを形成したので、たとえばＳｉのみあるい
はＡｌのみのように何れか一方の部材のみを用いて平板
電極１２を構成した場合に発生する現象が相手方の部材
（つまり、Ｓｉに対してはＡｌ）によって打ち消され、
異常放電が防止されるとともにプラズマのスパッタリン
グによるチャンバ２内の金属汚染が防止される。したが
って、半導体ウエハ１は異物汚染によるダメージが低減
された状態でエッチング処理が施されるようになる。な
お、ウエハ対向面側は高純度材のため、これがスパッタ
リングされても半導体ウエハ１に対する汚染源とはなら
ない。

【００３３】また、汚染原因が低減されることによりチ
ャンバ２内における異物の堆積速度が遅くなるので、チ
ャンバ２内の洗浄頻度が低減されてスループットの向上
を図ることができる。

【００３４】（実施例２）図３は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置に用いられた平板電極を示す断面図
である。なお、以下において前記実施例と共通する部材
には同一の符号が付されている。

【００３５】図３に示す本実施例の平板電極２２では、
たとえばＡｌのような導電材を基材２２ａとし、この基
材２２ａのウエハ対向面に、たとえばＣＶＤ法によりＳ
ｉＣのような非導電性の高純度材２２ｂが形成されてい
る。基材２２ａの両面に高純度材２２ｂを堆積した場合
には、反対面側を除去することによってウエハ対向面に
のみこれを形成するようにしてもよく、反対面にさらに
導電材を形成するようにしてもよい。なお、以下の実施
例を含めて、基材２２ａを構成する導電材としては、た
とえばＷ、Ｃ、Ｃｕ、３価あるいは５価の不純物原子が
ドーピングされて抵抗率が下げられたＳｉやＳｉＣを用
いてもよい。また、高純度材２２ｂとしては、たとえば
Ｓｉなどでもよい。

【００３６】このように、基材２２ａに導電材を用い、
この基材２２ａのウエハ対向面に高純度材２２ｂを形成
するようにしても、前記した実施例１と同様に、何れか
一方の部材のみを用いて平板電極２２を構成した場合に
生じる現象が他方の部材によって打ち消される。したが
って、異常放電が防止されるとともにプラズマのスパッ
タリングによるチャンバ内の金属汚染が防止され、異物
汚染による半導体ウエハ１のダメージが低減され、ま
た、チャンバ内の洗浄頻度が低減される。

【００３７】（実施例３）図４は本発明のさらに他の実
施例である半導体製造装置に用いられた平板電極を示す
断面図である。本実施例においても、前記した実施例と
共通する部材には同一の符号が付されている。

【００３８】図４に示す本実施例の平板電極３２では、
たとえばＡｌのような導電材を基材３２ａとし、この基
材３２ａの両面に、たとえばＣＶＤ法によりＳｉＣのよ
うな非導電性の高純度材３２ｂが形成されている。図示
するように、形成された高純度材の厚さは、ウエハ対向
面側の厚さｔ_bが反対面側の厚さｔ_aよりも厚くなって
いる。具体的には、反対面側の厚さｔ_aはたとえば２０
０μｍ以下、望ましくは５０μｍ程度となっており、ウ
エハ対向面側の厚さｔ_bはたとえば３００μｍ以上とさ
れている。つまり、ウエハ対向面側においてはプラズマ
によるスパッタリングを考慮して厚い膜厚とされてお
り、一方、反対面側においてはピンホールが出来ずに下
地である基材３２ａのＡｌをカバーしてこれがスパッタ
リングされるのを防止する程度の薄い膜厚とされてい
る。

【００３９】導電材からなる基材３２ａの両面にこのよ
うな膜厚で高純度材３２ｂを形成すると、反対面での電
気抵抗値が高くならずに異常放電の発生が防止されるの
で、プラズマのスパッタリングによるチャンバ内の金属
汚染が防止されることと相俟って、異物汚染による半導
体ウエハ１のダメージが低減される。また、このような
汚染の低減によって、チャンバ内の洗浄サイクルが長く
なる。

【００４０】なお、前記のように、高純度材３２ｂとし
てはＳｉを用いてもよいが、ＳｉＣは抵抗率が0.02Ωcm
とＳｉの抵抗率（ 2.3×10⁵Ωcm）より低く、反対面に
おける異常放電がより有効に防止されるので、高純度材
３２ｂを基材３２ａの両面に形成する場合にはＳｉＣを
用いることが望ましい。

【００４１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。

【００４２】たとえば、実施例１においては非導電性の
高純度材を基材１２ａとして反対面に導電材１２ｂが形
成され、また、実施例２においては導電材を基材２２ａ
としてウエハ対向面に高純度材２２ｂが形成されたもの
で、いずれも２層構造とされているが、ウエハ対向面に
高純度材が位置し、反対面に導電材が位置している限り
何層であってもよい。

【００４３】また、プラズマの発生方式は、本実施例の
ような高周波方式に限定されるものではなく、たとえば
マイクロ波方式やＴＣＰ方式など種々の方式を採用する
ことができる。

【００４４】そして、以上の説明では主として本発明者
によってなされた発明をその利用分野であるエッチング
処理に適用した場合について説明したが、これに限定さ
れるものではなく、たとえば高密度プラズマを発生させ
る技術については、ＣＶＤ装置やアッシング処理などの
ようなプラズマの発生を伴う他の半導体製造装置にも適
用することが可能である。

【００４５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。

【００４６】(1).すなわち、本発明による半導体製造装
置および半導体ウエハの処理方法によれば、プラズマ発
生室と処理室とを分離する平板電極のウエハ対向面を非
導電性の高純度材とし、その反対側を導電材としたの
で、あるいは、基材である導電材の両面に非導電性の高
純度材を形成したので、異常放電が防止されるとともに
プラズマのスパッタリングによるチャンバ内の金属汚染
が防止される。

【００４７】(2).したがって、プラズマ処理における半
導体ウエハの異物汚染によるダメージが低減され、歩留
まりの向上を図ることが可能になる。

【００４８】(3).また、前記(1) により汚染原因が低減
されてチャンバ内における異物の堆積速度が遅くなるの
で、チャンバ内の洗浄頻度が低減されてスループットの
向上を図ることができる。

【００４９】(4).平板電極の耐プラズマ性が向上するこ
とになるので、電極寿命が長くなり、ランニングコスト
の低減を図ることができる。

【００５０】(5).そして、このような平板電極は、基材
に対して高純度材あるいは導電材を形成するだけで簡単
に製作できるので、装置としてのコストアップは最小限
に抑えることができ経済的である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１による半導体製造装置を示す
断面図である。

【図２】図１の半導体製造装置に用いられた平板電極を
示す断面図である。

【図３】本発明の実施例２による半導体製造装置に用い
られた平板電極を示す断面図である。

【図４】本発明の実施例３による半導体製造装置に用い
られた平板電極を示す断面図である。

【図５】従来の半導体製造装置に用いられた平板電極を
示す断面図である。

【符号の説明】

１半導体ウエハ２チャンバ３プラズマ発生室４放電管５処理ガス供給口６放電コイル７ＲＦ電源８処理室９ウエハチャック１０ヒータ１１排気口１２平板電極１２ａ基材１２ｂ導電材１３貫通孔２２平板電極２２ａ基材２２ｂ高純度材３２平板電極３２ａ基材３２ｂ高純度材４１半導体ウエハ４２平板電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発
生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造
装置であって、前記チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分離する
平板電極におけるウエハ対向面が非導電性の高純度材に
より、その反対側が導電材によりそれぞれ形成されてい
ることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発
生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造
装置であって、前記チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分離する
平板電極が、非導電性の高純度材を基材とし、この基材
のウエハ対向面と反対側の面に導電材を形成してなるこ
とを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発
生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造
装置であって、前記チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分離する
平板電極が、導電材を基材とし、この基材のウエハ対向
面に非導電性の高純度材を形成してなることを特徴とす
る半導体製造装置。
【請求項４】チャンバ内で反応性ガスのプラズマを発
生させて半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造
装置であって、前記チャンバ内のプラズマ発生室と処理室とを分離する
平板電極が、導電材を基材とし、この基材の両面に対し
て、ウエハ対向面側を厚くして非導電性の高純度材を形
成してなることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】請求項４記載の半導体製造装置におい
て、前記高純度材の厚さはウエハ対向面側が３００μｍ
以上、その反対側が２００μｍ以下であることを特徴と
する半導体製造装置。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか一項に記載の半
導体製造装置において、前記導電材は、カーボン、アル
ミニウム、銅、タングステン、導電性を有するシリコン
または導電性を有する炭化ケイ素であり、前記高純度材
は、シリコンまたは炭化ケイ素であることを特徴とする
半導体製造装置。
【請求項７】請求項６記載の半導体製造装置におい
て、前記基材に形成される前記導電材または前記高純度
材はＣＶＤ法により堆積されていることを特徴とする半
導体製造装置。
【請求項８】ウエハ対向面が非導電性の高純度材によ
り、その反対側が導電材により形成された平板電極をチ
ャンバ内のプラズマ発生室と処理室との間に設置し、前記処理室に半導体ウエハをセットし、前記プラズマ発生室で反応性ガスのプラズマを発生させ
て前記半導体ウエハにプラズマ処理を施すことを特徴と
する半導体ウエハの処理方法。
【請求項９】非導電性の高純度材を基材とし、この基
材のウエハ対向面と反対側の面に導電材が形成された平
板電極をチャンバ内のプラズマ発生室と処理室との間に
設置し、前記処理室に半導体ウエハをセットし、前記プラズマ発生室で反応性ガスのプラズマを発生させ
て前記半導体ウエハにプラズマ処理を施すことを特徴と
する半導体ウエハの処理方法。
【請求項１０】導電材を基材とし、この基材のウエハ
対向面に非導電性の高純度材が形成された平板電極をチ
ャンバ内のプラズマ発生室と処理室との間に設置し、前記処理室に半導体ウエハをセットし、前記プラズマ発生室で反応性ガスのプラズマを発生させ
て前記半導体ウエハにプラズマ処理を施すことを特徴と
する半導体ウエハの処理方法。
【請求項１１】導電材を基材とし、この基材の両面に
対して、ウエハ対向面側を厚くして非導電性の高純度材
が形成された平板電極をチャンバ内のプラズマ発生室と
処理室との間に設置し、前記処理室に半導体ウエハをセットし、前記プラズマ発生室で反応性ガスのプラズマを発生させ
て前記半導体ウエハにプラズマ処理を施すことを特徴と
する半導体ウエハの処理方法。