JP2007247014A - プラズマcvd装置および成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板5が配置されるチャンバ10と、チャンバ10に接続され、基板5と対向するようにチャンバ10内に開口する開口部18を備えた管状部材20と、管状部材20の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置24と、管状部材20に原料ガスを供給する原料ガス供給装置22とを有し、管状部材20の開口部18の内径dは、基板5の外径Dより小さく形成されている。
【選択図】図1
Description
このプラズマCVD装置では、管状部材の内径以下のサイズのプラズマを発生させ、そのプラズマによって生成された活性種を開口部からチャンバの内部に吹き出すことができる。これにより、開口部の周囲にも活性種が放射されるので、被処理基板の周縁部にも活性種を入射させることが可能になる。したがって、プラズマサイズより広い範囲に均一な成膜を行うことができる。
この構成によれば、プラズマ発生位置からチャンバに向かうガスの流れが生じる。これにより、プラズマ発生位置で生成された活性種を、開口部からチャンバの内部に吹き出すことができる。
この構成によれば、管状部材の内部をチャンバの内部より高圧にすることができる。これにより、管状部材の内部で生成された活性種を、多孔板からチャンバの内部に吹き出すことができる。
この構成によれば、マイクロ波で発生させたプラズマサイズが小さい場合でも、それより広い範囲に均一な成膜を行うことができる。しかも、マイクロ波で発生させたプラズマによって生成される活性種は、RFで発生させたプラズマよりもラジカルの量が多くなる。したがって、イオンの入射によるエッチング効果を抑制しつつ、ラジカルを用いて基板表面に成膜を行うことができる。
この構成によれば、開口部から吹き出した活性種のうち、イオンが金属メッシュ板に捕捉されるので、主にラジカルを被処理基板に入射させることができる。したがって、イオンの被処理基板への入射によるエッチング効果を抑制しつつ、基板表面に対して垂直方向に成膜を行うことができる。
この構成によれば、開口部の周囲にも活性種が放射されるので、被処理基板の周縁部にも活性種を入射させることが可能になる。したがって、プラズマサイズより広い範囲に均一な成膜を行うことができる。
図1は、第1実施形態に係るプラズマCVD装置の概略構成図である。第1実施形態に係るプラズマCVD装置1は、被処理基板5が配置されるチャンバ10と、チャンバ10に接続され、被処理基板5と対向するようにチャンバ10内に開口する開口部18を備えた管状部材20と、管状部材20の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置24と、管状部材20に原料ガスを供給する原料ガス供給装置22とを有し、管状部材20の開口部18の内径が、被処理基板5の外径より小さく形成されているものである。
プラズマCVD装置1は、密閉されたチャンバ10を備えている。そのチャンバ10の内部には、被処理基板(以下、単に「基板」という。)5が載置されるステージ12が設けられている。ステージ12の内部には、基板5の温度を制御するヒータ(不図示)が設けられている。またチャンバ10の内部を減圧するため、ロータリーポンプやターボ分子ポンプ等の真空排気装置14がチャンバ10に接続されている。
次に、第1実施形態に係るプラズマCVD装置1を用いた成膜方法について説明する。ここでは、基板5の表面にCNTを成長させる場合を例にして説明する。CNTは、NiやFe、Co等の遷移金属、またはこれらの遷移金属を含む合金の上に成長する。そこで基板5として、上記金属からなる基板、またはガラスや石英、Si等の基板上に上記金属からなる被膜を形成した基板を採用する。なお、上記金属からなる被膜を基板上の一部領域のみに形成しておけば、その一部領域のみに選択的にCNTを成長させることも可能である。
図2は、第2実施形態に係るプラズマCVD装置の概略構成図である。第2実施形態に係るプラズマCVD装置2は、管状部材20の内圧を、チャンバ10の内圧より高く設定しうるようになっている点で、第1実施形態と相違している。なお第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
第2実施形態では、管状部材20の開口部18に多孔板17が配置されている。多孔板17は、ステンレス等の金属板に、複数の小口径の孔が形成されたものである。この多孔板17は、第1実施形態の金属メッシュ板と同様の電気的状態に保持されていればよい。
また第2実施形態では、プラズマの発生位置とチャンバ10との間における管状部材20に、原料ガス供給装置22が接続されている。すなわち、管状部材20におけるプラズマの発生位置より下流側に原料ガス供給装置22が接続されている。なお原料ガス供給装置22は、第1実施形態と同様にプラズマ発生位置より上流側に接続されていてもよい。
次に、第2実施形態に係るプラズマCVD装置2を用いた成膜方法について説明する。まず、真空排気装置14を運転してチャンバ10の内部を減圧する。次に、原料ガス供給装置22から管状部材20の内部に原料ガスを供給する。ここで、管状部材20の開口部18には多孔板17が配置されているので、管状部材20の内部をチャンバ10の内部より高圧にすることができる。この圧力差により、管状部材20からチャンバ10に向かうガスの流れが生じる。
その結果、基板の全面に均一なCNTを成長させることができた。なおプラズマ発生位置の上流側に原料ガスを供給した場合でも、プラズマ発生位置の下流側に原料ガスを供給した場合と同様に、基板の全面に均一なCNTを成長させることができた。
(比較例1)
図3は比較例1に係るプラズマCVD装置の概略構成図である。このプラズマCVD装置101は、チャンバ110の上面に石英窓120を備えている。この石英窓120の外径は、基板105の外径と同等の約200mmに形成されている。その石英窓120の外側から、石英窓120の全面に対してマイクロ波を導入しうるようになっている。またチャンバ110の側面上方に、原料ガス供給装置122が接続されている。さらに、プラズマ発生位置となるチャンバ110の上部と、基板105を載置するステージ112が配置されたチャンバ110の下部との間には、金属メッシュ板116が配置されている。なお金属メッシュ板116と基板105との距離は20mmに設定され、金属メッシュ板116およびステージ112はいずれも接地電位とされている。
その結果、基板5の中央位置では、CNTを高さ6μm程度に成長させることができたが、基板端から10mmの位置では、CNTを高さ2μm程度にしか成長させることができなかった。
例えば、本実施形態では基板表面にCNTを成長させる場合を例にして説明したが、基板表面にCNT以外の被膜を形成する場合に本発明を適用することも可能である。また、図1および図2ではプラズマの下方に基板が配置される装置構成としたが、プラズマの上方または側方に基板が配置される装置構成としてもよい。
Claims (6)
- 被処理基板が配置されるチャンバと、
前記チャンバに接続され、前記被処理基板と対向するように前記チャンバ内に開口する開口部を備えた管状部材と、
前記管状部材の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、
前記管状部材に原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、を有し、
前記管状部材の開口部の内径は、前記被処理基板の外径より小さく形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 前記原料ガス供給装置は、前記プラズマの発生位置を挟んで前記チャンバの反対側における前記管状部材に前記原料ガスを供給することを特徴とする請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 前記開口部には、多孔板が配置されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記プラズマ発生装置は、石英材料からなる前記管状部材の内部にマイクロ波を導入してプラズマを発生させることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
- 前記開口部と前記被処理基板との間に、金属メッシュ板が配置されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のプラズマCVD装置。
- 被処理基板が配置されるチャンバと、
前記チャンバに接続され、前記被処理基板と対向するように前記チャンバ内に開口する開口部を備えた管状部材と、を有し、
前記管状部材の開口部の内径が、前記被処理基板の外径より小さく形成されているプラズマCVD装置を用いた成膜方法であって、
前記管状部材に原料ガスを供給し、前記管状部材の内部にプラズマを発生させ、前記プラズマによって生成された活性種を前記開口部から前記チャンバの内部に吹き出すことにより、前記被処理基板に成膜処理を行うことを特徴とする成膜方法。
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