JP2006089359A - ナノ構造材料製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 反応室と、該反応室内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、該反応室内を真空状態とする真空排気手段と、該反応室内を加熱する加熱手段と、該反応室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該反応室内に設けられた基板ホルダーと、該基板ホルダーにバイアス電圧を印加可能なバイアス印加手段とを具備し、加熱手段が電気炉であり、プラズマ生成手段が該電気炉外に配置されてなるナノ構造材料製造装置とする。
【選択図】 図1
Description
これらの方法のうち、大面積化に適しており、高品質なカーボンナノ構造を実現可能である方法としては、CVD法が挙げられる。
熱CVD法は、図3に示すように、反応室として機能する石英管(A)内の半導体、ガラス、金属等からなる基板(B)上に、例えば10〜50nm適度の触媒微粒子(Fe,Ni,Co等)を形成し、この基板(B)を電気炉で500〜900℃程度に加熱しながら、例えば600Paの減圧下でエチレン等の炭化水素からなる原料ガスとヘリウム等のキャリアガスとの混合ガスを供給することにより、基板表面にカーボンナノチューブ等を生成するものである。
また、プラズマCVD法では、通常、真空容器の中にシースヒータを内蔵した基板ホルダーを設置し、シースヒータに通電することによって基板を加熱しているが、このようにシースヒータを用いる方法では、大面積の基板を均一に500〜900℃に加熱することが困難であり、またヒータ近傍温度、基板ホルダー表面温度、基板表面温度を一致させることも容易ではなく、小面積の基板を用いた実験としてのレベルでは問題なく実施できても、工業的量産レベルでの実施には対応することができなかった。
請求項1に係る発明は、反応室と、該反応室内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、該反応室内を真空状態とする真空排気手段と、該反応室内を加熱する加熱手段と、該反応室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該反応室内に設けられた基板ホルダーと、該基板ホルダーにバイアス電圧を印加可能なバイアス印加手段とを具備してなり、前記加熱手段が電気炉であって、前記プラズマ生成手段が該電気炉外に配置されてなることを特徴とするナノ構造材料製造装置である。
請求項2に係る発明は、前記プラズマ生成手段が、誘導結合型プラズマ源(ICP)からなることを特徴とする請求項1記載のナノ構造材料製造装置である。
請求項3に係る発明は、前記プラズマ生成手段が、マイクロ波放電プラズマ源からなることを特徴とする請求項1記載のナノ構造材料製造装置である。
請求項4に係る発明は、前記プラズマ生成手段が、反応室周囲に巻回されたコイルと、該コイルにパルス電圧を印加するパルス電源からなることを特徴とする請求項1記載のナノ構造材料製造装置である。
請求項5に係る発明は、基板を設置した基板ホルダーを反応室内に設置する工程と、前記反応室内を真空状態とする工程と、前記反応室内を加熱する工程と、前記反応室内にプラズマを生成する工程と、前記反応室内に原料ガスを供給する工程と、前記基板ホルダーにバイアス電圧を印加することにより前記基板上にナノ構造材料を形成する工程からなり、反応室内の加熱を電気炉によって行うとともに、該電気炉外において前記プラズマの生成を行うことを特徴とするナノ構造材料製造方法である。
請求項6に係る発明は、前記原料ガスが炭素を含むガスであり、前記基板上にカーボンナノ構造体を合成することを特徴とする請求項5記載のナノ構造材料製造方法である。
請求項7に係る発明は、前記原料ガスが亜鉛を含む有機金属の気化ガスであり、該気化ガスを前記反応室内に酸素ガスを導入して生成される酸素ガスプラズマと反応させることにより、前記基板上に酸化亜鉛ナノ構造体を合成することを特徴とする請求項5記載のナノ構造材料製造方法である。
図1は本発明に係るナノ構造材料製造装置の第一実施形態を示す概略図であり、図2は本発明に係るナノ構造材料製造装置の第二実施形態を示す概略図である。
本発明に係る装置は、反応室と、この反応室内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、反応室内を真空状態とする真空排気手段と、反応室内を加熱する加熱手段と、反応室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、反応室内に設けられた基板ホルダーと、この基板ホルダーにバイアス電圧を印加可能なバイアス印加手段とを具備してなるものである。
原料ガス供給手段は、ナノ構造材料の原料となるガス或いは原料を含むガスを反応室(1)内に供給する手段であって、反応室(1)と連通連結されたバルブ付きのガス導入管等の従来のCVD装置で用いられている公知の手段からなる。
また、真空排気手段(2)は、反応室(1)内の気体をバルブ(8)を介して排気することにより、反応室(1)内を減圧するための手段であって、従来のCVD装置で用いられている真空ポンプ等の公知の手段からなる。尚、図においては、ターボ分子ポンプ(TMP)及びロータリーポンプ(RP)を直列に接続して用いた例が示されている。
カーボンナノチューブを生成する場合には、炭素を含むガス、具体的にはメタン、エタン、プロパン等の炭化水素、メタノール、エタノール等のアルコールの気化ガス、一酸化炭素又は二酸化炭素と水素との混合ガス等が好適に用いられる。
酸化亜鉛ナノ構造体を生成する場合には、亜鉛を含む有機金属の気化ガスが用いられる。尚、酸化亜鉛ナノ構造体の生成方法については後程詳述する。
基板ホルダー(5)にはバイアス印加手段(6)が接続されている。
バイアス印加手段(6)は、直流電源、高周波電源、パルス電源のうちの1つ又は複数からなり、図示例では、これら3つの電源を選択的に接続することで、基板ホルダー(5)に対して直流電圧、高周波電圧、パルス電圧のいずれかを選択的に印加できるように構成されている。
これらの電源のマイナス側の出力端子が基板ホルダー(5)と接続され、プラス側の端子が接地されることにより、基板ホルダー(5)には接地電位に対してマイナスの電圧が印加されるように構成されている。
電気炉(3)は、外部から反応室(1)内を加熱することにより、基板(7)全体を略均一に約500〜1000℃、好ましくは600〜700℃の範囲まで加熱するものである。
本発明では、上述したように、プラズマ生成手段は電気炉(3)の外部に配置される。
図1は、プラズマ生成手段として、電気炉(3)の外部に配置された誘導結合型プラズマ源(Inductively Coupled Plasma:ICP)を使用した例を示している。
ICPは、反応室(1)の周囲に巻回された誘導コイル(4)に高周波電流を流すことによって生じた高周波磁界により、反応室(1)内に高周波誘導電界を発生させるものであって、この誘導電界によって加速を受けた電子が他の粒子と衝突を繰り返すことによってエネルギーを失っていくことでプラズマがエネルギーを吸収していくものであり、低ガス圧領域においても高密度・高励起のプラズマを発生させることができる。
マイクロ波放電プラズマ源としては、磁場(875Gauss)内にマイクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance:ECR)を利用するECRプラズマ源や、無磁場型の表面波プラズマ源を利用することができる。
例えば、反応室(1)の周囲に巻回されたコイルと、該コイルにパルス電圧を印加するパルス電源から構成することも可能である。この場合、反応室を形成する石英管を電気炉(3)の外部位置において小径(例えば直径1〜2cm程度)とし、この小径部にコイルを巻回するとよい。
このようなプラズマ生成手段を用いた場合、高圧力下(例えば数100Pa程度)であっても安定な放電を得ることができるようになり、高圧力下にて基板ホルダー上の基板に原料ガスを供給しつつ、高圧力プラズマの活性粒子を供給して、高品質膜を形成することが可能となる。
尚、本発明では、プラズマ生成手段(例えば誘導コイル等)を、反応室(1)内に設けることも可能である。
また、プラズマ生成手段を電気炉外に設ける構成としたので、従来のプラズマCVD装置に対して、熱CVD装置が有する長所を弊害なくそのまま取り入れて、両者の長所を併せ持つ装置とすることが可能となる。
本発明に係る方法においては、上記構成からなる装置が用いられる。
先ず、反応室(1)内の基板ホルダー(5)上に、表面に金属触媒を付着させたガラスやシリコン等からなる基板(7)を設置する。
この基板(7)としては、例えば、1×1cmのシリコン基板上に、10〜50nm程度のFe,Ni,Co等の遷移金属をスパッタリング法や電子ビーム蒸着法等により製膜したものを用いることができる。
原料ガスの種類は上述した通りであって、例えば、カーボンナノチューブを生成する場合には、メタン、エタン、プロパン等の炭化水素、メタノール、エタノール等のアルコールの気化ガス、一酸化炭素又は二酸化炭素と水素との混合ガス等の炭素を含むガスを、酸化亜鉛ナノ構造体を生成する場合には亜鉛を含む有機金属の気化ガスである。
近年、酸化亜鉛(ZnO)の優れた材料物性、資源性、環境性等が注目され、薄膜トランジスタや紫外線発光ダイオード/レーザー等への応用を目指した研究開発が活発化しつつある。
ZnOの電子デバイスへの応用の為には、高品質のZnO薄膜、p型ZnO、n型ZnOの合成が重要である。中でも、p型ZnOは未だ実現しておらず、その実現が国内外の産業界から待望されている。
MOCVD法は、原料として有機金属材料を用いた熱CVD法であり、ZnソースとしてZn(C2H5)2等が、酸素供給源としてO2が夫々用いられ、これらが加熱された基板上に供給されてZnOが合成される。
このとき、基板は200〜800℃に加熱されてZnOが合成されるが、酸素空孔の制御が重要である。更に、p型ZnOの合成には窒素原子が有望である。窒素源としては、N2或いはNH3が用いられるが、格子点のO原子と置換する必要がある。
2 真空排気手段
3 加熱手段(電気炉)
4 誘導コイル(プラズマ生成手段)
5 基板ホルダー
6 バイアス印加手段
7 基板
Claims (7)
- 反応室と、該反応室内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、該反応室内を真空状態とする真空排気手段と、該反応室内を加熱する加熱手段と、該反応室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該反応室内に設けられた基板ホルダーと、該基板ホルダーにバイアス電圧を印加可能なバイアス印加手段とを具備してなり、前記加熱手段が電気炉であって、前記プラズマ生成手段が該電気炉外に配置されてなることを特徴とするナノ構造材料製造装置。
- 前記プラズマ生成手段が、誘導結合型プラズマ源(ICP)からなることを特徴とする請求項1記載のナノ構造材料製造装置。
- 前記プラズマ生成手段が、マイクロ波放電プラズマ源からなることを特徴とする請求項1記載のナノ構造材料製造装置。
- 前記プラズマ生成手段が、反応室周囲に巻回されたコイルと、該コイルにパルス電圧を印加するパルス電源からなることを特徴とする請求項1記載のナノ構造材料製造装置。
- 基板を設置した基板ホルダーを反応室内に設置する工程と、
前記反応室内を真空状態とする工程と、
前記反応室内を加熱する工程と、
前記反応室内にプラズマを生成する工程と、
前記反応室内に原料ガスを供給する工程と、
前記基板ホルダーにバイアス電圧を印加することにより前記基板上にナノ構造材料を形成する工程からなり、
反応室内の加熱を電気炉によって行うとともに、該電気炉外において前記プラズマの生成を行うことを特徴とするナノ構造材料製造方法。 - 前記原料ガスが炭素を含むガスであり、前記基板上にカーボンナノ構造体を合成することを特徴とする請求項5記載のナノ構造材料製造方法。
- 前記原料ガスが亜鉛を含む有機金属の気化ガスであり、該気化ガスを前記反応室内に酸素ガスを導入して生成される酸素ガスプラズマと反応させることにより、前記基板上に酸化亜鉛ナノ構造体を合成することを特徴とする請求項5記載のナノ構造材料製造方法。
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