JP3749951B2 - カーボンナノチューブの作製方法、及びカーボンナノチューブの作製装置 - Google Patents
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Description
に関する。
所定の成膜容器内に設けられたカソード電極に基板を配置する工程と、
前記カソード電極の上方にグリッド電極を配置する工程と、
前記成膜容器内に原料ガスを流すとともに、前記原料ガスをプラズマ化し、前記基板上にカーボンナノチューブを形成する工程と、
を具えることを特徴とする、カーボンナノチューブの作製方法に関する。
所定の成膜容器と、
前記成膜容器内に設けられたカソード電極と、
前記カソード電極の上方に配置されたグリッド電極と、
前記成膜容器内に原料ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記原料ガスをプラズマ化するためのプラズマ化手段と、
を具えることを特徴とする、カーボンナノチューブの作製装置に関する。
11 成膜容器
12 カソード電極
13 アノード電極
14 マイクロ波生成装置
15 電源
17 グリッド電極
18 スロットアンテナ
Claims (24)
- 所定の成膜容器内に設けられたカソード電極に基板を配置する工程と、
前記カソード電極の上方に、前記カソード電極近傍におけるプラズマシースの生成を抑制するためのグリッド電極を配置する工程と、
前記成膜容器内に原料ガスを流すとともに、前記原料ガスをプラズマ化し、前記基板上にカーボンナノチューブを形成する工程と、
を具えることを特徴とする、カーボンナノチューブの作製方法。 - 前記カソード電極及び前記グリッド電極間の距離を、前記原料ガスの平均自由工程以上とすることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記カソード電極及び前記グリッド電極間の距離は、2mm〜10mmとすることを特徴とする、請求項2に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記グリッド電極は格子状に配列された複数の円形状の開口部を有し、その格子間隔が0.1mm〜10mmであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記グリッド電極は格子状に配列された複数の矩形状の開口部を有し、その格子間隔が0.1mm〜10mmであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記グリッド電極に対してバイアス電圧を印加する工程を具えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記カソード電極及び前記グリッド電極間の電圧を1V〜50Vとすることを特徴とする、請求項6に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記グリッド電極を電気的に浮いた状態にすることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記原料ガスはマイクロ波を用いてプラズマ化することを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記成膜容器内において、前記カソード電極と対向するようにしてアノード電極を設ける工程を具えることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記成膜容器内において、前記カソード電極と対向するようにして、前記マイクロ波を導入するための、給電機能を有するアンテナを設ける工程を具えることを特徴とする、請求項9に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記原料ガスは高周波を用いてプラズマ化することを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 所定の成膜容器と、
前記成膜容器内に設けられたカソード電極と、
前記カソード電極の上方に配置された、前記カソード電極近傍におけるプラズマシースの生成を抑制するためのグリッド電極と、
前記成膜容器内に原料ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記原料ガスをプラズマ化するためのプラズマ化手段と、
を具えることを特徴とする、カーボンナノチューブの作製装置。 - 前記カソード電極及び前記グリッド電極間の距離は、前記原料ガスの平均自由工程以上とすることを特徴とする、請求項13に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記カソード電極及び前記グリッド電極間の距離は、2mm〜10mmとすることを特徴とする、請求項14に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記グリッド電極は格子状に配列された複数の円形状の開口部を有し、その格子間隔が0.1mm〜10mmであることを特徴とする、請求項13〜15のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記グリッド電極は格子状に配列された複数の矩形状の開口部を有し、その格子間隔が0.1mm〜10mmであることを特徴とする、請求項13〜15のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記グリッド電極に対してバイアス電圧を印加するための、バイアス電圧印加手段を具えることを特徴とする、請求項13〜17のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記バイアス電圧印加手段により、前記カソード電極及び前記グリッド電極間の電圧は1V〜50Vとすることを特徴とする、請求項18に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記グリッド電極を電気的に浮いた状態にすることを特徴とする、請求項13〜17のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記プラズマ化手段はマイクロ波生成手段であることを特徴とする、請求項13〜20のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記成膜容器内において、前記カソード電極と対向するようにして設けたアノード電極を具えることを特徴とする、請求項13〜21のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記成膜容器内において、前記カソード電極と対向するようにして、前記マイクロ波生成手段からのマイクロ波を導入するための、給電機能を有するアンテナを具えることを特徴とする、請求項21に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
- 前記プラズマ化手段は高周波生成手段であることを特徴とする、請求項13〜20のいずれか一に記載のカーボンナノチューブの作製装置。
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