JP5439140B2 - カーボンナノチューブの製造装置及び製造方法 - Google Patents
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ところが、プラズマを発生させるアンテナがプラズマによって蒸発し、アンテナ材料の微粒子が成長させたカーボンナノチューブの不純物として混入する問題がある。
しかし、電気的に制御するために別途電源や装置が必要なため装置の製造コストが増加し、またバイアス電圧の条件がカーボンナノチュープの成長条件に加わるため条件がさらに複雑になるため、より安価で簡便な方法が求められている。
また、本発明は、プラズマの熱やスパッタリングの影響による基板のダメージ、変形を防ぐとともに、不純物の混入やカーボンナノチューブの成長阻害を抑えて、安価で簡便にカーボンナノチューブを成長させることが可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供することを第二の目的とする。
本発明の請求項2に記載のカーボンナノチューブの製造装置は、請求項1において、前記板材は移動手段に支持され、前記被処理体に対して相対的に移動可能とされていることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載のカーボンナノチューブの製造方法は、真空処理室の内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入し、該プロセスガスにマイクロ波を照射して生起させたプラズマから、支持体に載置された被処理体の表面にカーボンナノチューブを気相成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、前記プラズマと前記被処理体との間に、カーボンからなり通気性のある板材を配置し、前記支持体に内蔵された温度制御手段を用いて前記被処理体を所定の温度範囲に保ちながらカーボンナノチューブを形成すること、を特徴とする。
また、本発明のカーボンナノチューブの製造方法では、支持体に内蔵された温度制御手段により被処理体を所定の温度範囲に保つとともに、被処理体を覆うように、カーボンからなり通気性のある板材を配置しているので、プラズマの熱やスパッタリングの影響により被処理体に与えるダメージや変形を防ぐことができる。また、通気性のある板材を配置することで、不純物の混入やカーボンナノチューブの成長阻害を抑えることができる。これにより本発明では、安価で簡便にカーボンナノチューブを成長させることが可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供することができる。
このカーボンナノチューブの製造装置1は、マイクロ波の発生部11aとマイクロ波を進行させる誘導部11bから構成されるマイクロ波導入手段11を備え、内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入しながら所定の圧力状態を維持する真空処理室10と、この内部空間にあって、マイクロ波導入手段11に付設された平板状のマイクロ波導入窓16に対向配置されるように、平板状の被処理体(たとえば、基板)2を載置する支持体12と、支持体12に内蔵された温度制御手段13と、を少なくとも備える。
真空処理室10は、平板状のマイクロ波導入窓16を備え、内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入しながら所定の圧力状態を維持する。
真空処理室10には、プロセスガスを導入するガス導入手段14と、このプロセスガスを導入しながら所定の圧力状態を維持するための真空排気手段15がそれぞれ接続されている。ガス導入手段14は、ガス管を介して図示しないガス源に連通している。
ここで、カーボンナノチューブを気相成長させる基板2としては、特に限定されるものではないが、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)等からなり、厚さは例えば20〜100μmである。
また、カーボンナノチューブを成長させる触媒膜の材料としては、たとえば鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)を含むものが用いられる。
温度制御手段13によって基板2を加熱することで、カーボンナノチューブを気相成長させる際に、基板温度の制御が容易になり、また、低温でカーボンナノチューブを気相成長させることが可能になる。前記基板2が400〜800℃の範囲内の所定温度に保持されるように、温度制御手段13の作動を制御することが好ましい。
なお、支持体12は、電気的に接地された状態が好ましいが、必要に応じて電気的にフローティング状態としてもよい。
また、上記板材18における気孔率が70%以下の場合は、気体の透過性が低いので、カーボンナノチューブの成長に適さない。95%以上では、板材としての構造を保つことが難しい。
このような板材18としては、例えば、通気性炭素板、カーボンペーパー、炭素繊維不織布などが挙げられる。
また、板材18を配置することで、プラズマから発生したエネルギーの高いイオンが直接基板2に到達せず、カーボンナノチューブがスパッタリングされず効率よく成長させることもできる。
また、板材18を配置することで、プラズマを発生させるアンテナから蒸発したアンテナ材料が直接基板2に到達せず、不純物微粒子の混入を防ぐことも可能となる。
また、板材18を配置するだけなので、電位を制御するようなグリッド電極を設置するよりはるかに安価で簡便である。
本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、真空処理室10の内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入し、該プロセスガスにマイクロ波を照射して生起させたプラズマ20から、支持体12に載置された基板(被処理体)2の表面にカーボンナノチューブを気相成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、プラズマ20と基板2との間に、カーボンからなり通気性のある板材18を配置し、支持体12に内蔵された温度制御手段13を用いて基板2を所定の温度範囲に保ちながらカーボンナノチューブを形成すること、を特徴とする。
(実施例1)
基板として、事前にニッケル薄膜を形成したチタン基材(厚さ0.04〜0.1mm)をマイクロ波プラズマCVD装置の、ヒーターが内蔵されたステージ上に配置した。さらに、基板を構成するニッケル薄膜面上に、「可視光より長い波長をもつ光(電磁波)の透過率が5%未満で、気孔率が70%より大きく95%未満である板材」としてカーボンペーパー(東レ製:TGP−H−120)が載せられた状態として、出力300Wでカーボンペーパーの直上にプラズマを発生させ、CVD法により基板のニッケル薄膜上にカーボンナノチューブを成長させた。
その結果、肉厚の極めて薄い基板を用いても、基板が変形することなく基板の全面に亘ってカーボンナノチューブを成長させることができた。また、本例において作製したカーボンナノチューブの透過率は、200nm〜2500nmの波長領域において1%以下であることが確認された。
基板上にカーボンペーパーを載せなかったこと以外は、実施例1と同じ条件でCVDにより基板上にカーボンナノチューブを成長させた。
その結果、基板がプラズマの熱で変形し、カーボンナノチューブもプラズマから離れた基板端部にしか成長しなかった。プラズマ出力を200Wに下げたところ、基板変形は抑えられたが、基板中央部はスパッタリングによりカーボンナノチューブが成長しなかった。さらにプラズマ出力を100Wにさげたところ、プラズマが不安定になり、カーボンナノチューブは成長しなかった。
ニッケル薄膜を形成したチタン基板(厚さ0.04〜0.1mm)をマイクロ波プラズマCVD装置の、ヒーターが内蔵されたステージ上に置いた。さらにチタン基板の上にカーボンペーパー(東レ製)を載せ、出力300Wでカーボンペーパーの直上に設置したタングステン製アンテナの先端にプラズマを発生させ、CVDにより基板上にカーボンナノチューブを成長させた。
その結果、アンテナ材料のタングステン微粒子がカーボンナノチューブに混入することなく、また基板も変形することなく全面にカーボンナノチューブを成長させることができた。
基板上にカーボンペーパーを載せなかったこと以外は、実施例2と同じ条件でCVDにより基板上にカーボンナノチューブを成長させた。
その結果、カーボンナノチューブの上面に、アンテナ材料のタングステン微粒子がカーボンナノチューブに混入してしまった。
これに対し、板材を配置しなかった比較例1,2では、プラズマの熱やスパッタリングの影響により基板がダメージを受け変形してしまった。また、不純物が混入したりカーボンナノチューブの成長が阻害されてしまった。
したがって、本発明では、安価で簡便にカーボンナノチューブを成長させることができることがわかった。
Claims (3)
- マイクロ波導入手段を備え、内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入しながら所定の圧力状態を維持する真空処理室と、
前記内部空間にあって、前記マイクロ波導入手段に付設された平板状のマイクロ波導入窓に対向配置されるように、平板状の被処理体を載置する支持体と、
前記支持体に内蔵された温度制御手段と、を少なくとも備えたカーボンナノチューブの製造装置であって、
前記マイクロ波導入窓から導入したマイクロ波を前記プロセスガスに照射して生起させたプラズマから見て、前記被処理体を覆うように、可視光より長い波長をもつ光の透過率が5%未満で、気孔率が70%より大きく95%未満であるカーボンからなり通気性のある板材が配置されていることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置。 - 真空処理室の内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入し、該プロセスガスにマイクロ波を照射して生起させたプラズマから、支持体に載置された被処理体の表面にカーボンナノチューブを気相成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記プラズマと前記被処理体との間に、可視光より長い波長をもつ光の透過率が5%未満で、気孔率が70%より大きく95%未満であるカーボンからなり通気性のある板材を配置し、前記支持体に内蔵された温度制御手段を用いて前記被処理体を所定の温度範囲に保ちながらカーボンナノチューブを形成すること、を特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 前記被処理体の厚さが20〜100μmであることを特徴とする請求項2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
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