JP2008075122A - プラズマcvd装置及びプラズマcvd方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空チャンバー内11に、基板ステージ14と、プラズマ発生手段と、メッシュ状の遮蔽部材15であって、基板ステージと同一形状かつ同一面積、又は基板ステージと同一形状かつ基板ステージより小面積の遮蔽部材15とを設けたプラズマCVD装置1を用いて、プラズマ発生領域と被処理基板との間に、真空チャンバー11内に発生したプラズマを遮蔽部材15で遮蔽しながら、プラズマにより解離された原料ガスを基板ステージ14上の被処理基板Sに接触させて被処理基板Sの全表面にカーボンナノチューブを気相成長させる。
【選択図】 図1
Description
また、真空チャンバー11内壁とステージガイド142との間は、10〜50mm空けることが好ましい。10mmよりも距離が短いと、電子がステージガイドの下へ移動しにくいために、金属リング周辺に局在し、異常放電の原因となる。
遮蔽部材15を上記構成とすると、ステージガイド142と真空チャンバー11内壁との間隔が十分に空くので、プラズマによって解離された電子は、矢印Xで示すように、この間を移動して、ステージガイドの下方へ移動しやすくなる。これにより、解離した電子が局在することを防止できるので、異常放電を抑制し、被処理基板Sの全表面にカーボンナノチューブを均一に成長せしめることが可能となる。
(比較例1)
11 真空チャンバー
12 ガス導入手段
13 マイクロ波キャビティ
14 基板ステージ
15 遮蔽部材
16 基板用電圧印加手段
17 遮蔽部材用電圧印加手段
111 真空排気手段
121 原料ガス源
122 希釈ガス源
123 バルブ
124 マスフローコントローラ
131 石英窓
141 加熱手段
142 ステージガイド
143 碍子
161 カンチレバー
162 基板用電圧源
163 錘
171 遮蔽部材用電源
S 被処理基板
Claims (5)
- 真空チャンバー内に、基板ステージと、プラズマ発生手段とを設け、プラズマにより解離された原料ガスを基板ステージ上の被処理基板に接触させてカーボンナノチューブを成長させるプラズマCVD装置において、プラズマ発生領域と基板ステージとの間に、メッシュ状の遮蔽部材であって、基板ステージと同一形状かつ同一面積、又は基板ステージと同一形状かつ基板ステージより小面積の遮蔽部材を設け、真空チャンバー内に発生したプラズマが被処理基板に接触しないようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。
- 前記遮蔽部材と前記被処理基板とが、それぞれ電圧印加手段を有し、被処理基板用の電圧印加手段と遮蔽部材用の電圧印加手段とは、互いに正負逆の電圧を印加できるように構成されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD装置。
- 前記被処理基板用の電圧印加手段が、被処理基板に接触して電圧を印加するためのカンチレバーを有し、このカンチレバーに錘が取り付けられていることを特徴とする請求項2記載のプラズマCVD装置。
- 真空チャンバーに原料ガスを導入し、プラズマCVD方法によって、カーボンナノチューブを被処理基板表面に気相成長させる際に、プラズマで解離された原料ガスを、プラズマを発生させる領域と基板ステージとの間に設けたメッシュ状の遮蔽部材であって、基板ステージと同一形状かつ同一面積、又は基板ステージと同一形状でかつ基板ステージより小面積の遮蔽部材の網目を通過させ、被処理基板表面に接触させて、被処理基板の全表面にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするプラズマCVD方法。
- 前記被処理基板及び遮蔽部材に、互いに正負逆の電圧を印加することを特徴とする請求項4記載のプラズマCVD方法。
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