JP5530962B2 - 炭素膜の成膜装置及び炭素膜の成膜方法 - Google Patents
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Description
本発明の炭素膜の成膜装置は、プラズマCVD法によってワークの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置である。
本発明の炭素膜の成膜方法は、プラズマCVD法によってワークの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜方法である。そして、ワークを保持した第一の電極と、第一の電極と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ第一の電極の外周に立設してもうけられた原料ガスをイオン化する第二の電極と、のそれぞれの電極に電力を供給して、ワークの表面に炭素膜を成膜する成膜方法である。
本発明による炭素膜は、請求項4〜5のいずれかに記載の炭素膜の成膜方法を用いて、又は請求項1〜3のいずれかに記載の炭素膜の成膜装置を用いて成膜される。本発明による炭素膜は、上記の成膜方法又は成膜装置を用いて成膜したものであり、上記の各効果を発揮する。すなわち、本発明による炭素膜は、均一な炭素膜となっている。
本実施例の炭素膜の成膜装置1は、真空槽10、真空槽10内で軸方向に伸び、ワークWを保持する第一の電極2、ワークWを包囲するように立設部31がもうけられた第二の電極3、真空槽10内に原料ガスを供給するガス供給系4、真空槽10と連通して真空槽10内の真空排気を行う排気系5、を有する。
本比較例は、第二の電極3が立設部31を有していないこと以外は、実施例1の炭素膜の成膜装置と同様な構成の成膜装置である。本比較例の成膜装置の構成を、図3に示した。
実施例1及び比較例の評価として、それぞれの成膜装置で炭素膜を成膜し、炭素膜の膜厚を測定した。
まず、排気系5により真空槽10内を到達真空度が5×10−3Paまで排気し、真空槽10内を真空状態にした。
第一の電極2側の先端からの距離が、0,10,100,200,300,400mmのそれぞれの位置において、ワークWの表面に形成された炭素膜の膜厚を測定し、測定結果を図4,5に示した。図4は実施例1の炭素膜の測定結果を、図5は比較例の炭素膜の測定結果を、それぞれ示した。
本実施例では、ワークWに、炭素工具鋼(SK4)製のφ6mm×50mmの略棒状の部材を用い、実施例1の成膜装置で炭素膜の成膜を行った。成膜は、下記の成膜1〜3の各条件で行われた。
まず、排気系5により真空槽10内を到達真空度が5×10−3Paまで排気し、真空槽10内を真空状態にした。
まず、排気系5により真空槽10内を到達真空度が5×10−3Paまで排気し、真空槽10内を真空状態にした。
まず、排気系5により真空槽10内を到達真空度が5×10−3Paまで排気し、真空槽10内を真空状態にした。
実施例2の評価として、上記の成膜1〜3で炭素膜が成膜したワークWの硬度を測定した。なお、硬度(HRC)の測定は、JIS G 0202に規定の方法を用いた。
上記の実施例の成膜装置では、第一の電極2に接続したワークWの表面に炭素膜を形成していた(ワークWが第一の電極2と同様に機能していた)が、第一の電極2と第二の電極3との間にワークWを配する場合でも、ワークWの表面に炭素膜を形成することができる。
10:真空槽 100:防着板
2:第一の電極
20:ワーク保持部 21:固定部材
25:バイポーラ型パルス電源 26:フィルタ
3:第二の電極
30:基部 31:立設部
35:高周波電源 36:マッチングボックス
4:ガス供給系
40:マスフローコントローラ 41:ガス供給弁
42:ノズル
5:排気系
50:真空排気装置 51:排気調節弁
W:ワーク
Claims (5)
- プラズマCVD法によってワークの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置であって、
真空槽と、
該真空槽の内部に配置され、該ワークを保持する第一の電極と、
該第一の電極と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ該第一の電極の外周に立設してもうけられた原料ガスをイオン化する第二の電極と、
該第一の電極,該第二の電極のそれぞれに独立して電力を供給する電源装置と、
原料ガスを供給するノズルと、
を有し、
該第二の電極は、
該第一の電極の該ワークを保持するワーク保持部よりも大きな円盤状の基部と、
該基部の外縁部にもうけられた棒状の立設部と、
を有することを特徴とする炭素膜の成膜装置。 - 前記第二の電極の前記立設部は、前記ワーク及び/又は前記ワーク保持部を包囲するようにもうけられている請求項1記載の炭素膜の成膜装置。
- 前記第二の電極は、高周波電源に接続される請求項1〜2のいずれかに記載の炭素膜の成膜装置。
- プラズマCVD法によってワークの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜方法であって、
ワークを保持した第一の電極と、該第一の電極と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ該第一の電極の外周に立設してもうけられた原料ガスをイオン化する第二の電極と、のそれぞれの電極に電力を供給して、該ワークの表面に炭素膜を成膜するものであって、
該第二の電極は、
該第一の電極の該ワークを保持するワーク保持部よりも大きな円盤状の基部と、
該基部の外縁部にもうけられた棒状の立設部と、
を有することを特徴とする炭素膜の成膜方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の炭素膜の成膜装置を用いて成膜する請求項4記載の炭素膜の成膜方法。
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