JP2002347000A - ナノチューブの長さ制御方法 - Google Patents

ナノチューブの長さ制御方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ナノチューブ先端部を研削して先端部長さを
所望長さに調節することができるナノチューブの長さ制
御方法を実現する。 【解決手段】 本発明に係るナノチューブの長さ制御方
法は、先端部１２を突出させた状態で基端部１４をホル
ダーに固定したナノチューブ１０と、このナノチューブ
１０の先端１７に対向した状態で先端２８を配置された
放電用針２２からなり、ナノチューブ１０と放電用針２
２との間に電圧を印加して両先端１７、２８間に放電を
生起させ、放電によりナノチューブ１０の先端１７を研
削してナノチューブ１０の先端部長Ｌを自在に制御する
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ナノチューブの長
さを調節する方法に関し、更に詳細には、ナノチューブ
先端を突出させた状態にナノチューブを配置し、このナ
ノチューブ先端を放電により研削してナノチューブの長
さを制御できるナノチューブの長さ制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ナノチューブの典型例としてカーボンナ
ノチューブについて説明する。従来から、カーボンナノ
チューブはアーク放電法や気相成長法によって製造され
ている。しかし、これらの方法で製造されるカーボンナ
ノチューブは、直径や長さが種々様々に分布している。
【０００３】一方、本発明者等は、カーボンナノチュー
ブが高いアスペクト比（長さ／直径）や優れた柔軟性及
び高強度を有することに着眼し、カーボンナノチューブ
をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）用の探針として使用した
り、磁気装置の入出力用のプローブヘッドとして利用す
るなど、ナノスケール領域の操作手段として広く活用で
きることを着想し、多くの装置を提案している。
【０００４】このようにナノチューブは広い範囲でナノ
スケール操作手段として活用できるが、話を具体的に進
展するために、ナノチューブをＡＦＭ用の探針として利
用する場合を例にとって、以下に説明してゆく。
【０００５】一般に、ＡＦＭ用の探針として、尖鋭な突
出部を先端に形成した半導体製のカンチレバーが使用さ
れている。本発明者等は、このカンチレバーの突出部に
カーボンナノチューブの基端部をコーティング膜及び／
又は熱融着によって強固に固着させる技術を開発した。
近年では、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）によりカーボ
ンナノチューブをカンチレバーなどのホルダーに成長さ
せる技術も開発されている。
【０００６】このナノチューブプローブは、カーボンナ
ノチューブの優れた物性をそのまま特徴としている。つ
まり、カーボンナノチューブの先端部を探針として物質
表面を走査しても、カーボンナノチューブが折損するこ
とはほとんど無く、高耐久性を有する。また、直径が数
ｎｍ〜数十ｎｍで長さがｎｍ〜μｍという高アスペクト
比を有するから、分解能が極めて高いＡＦＭ用探針を実
現したのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このナノチュ
ーブプローブにも弱点がある。前述したように、アーク
放電法や気相成長法では、製造されるカーボンナノチュ
ーブの長さや直径は広く分布し、直径と長さが均一なカ
ーボンナノチューブを生成する製造法は未だに実現され
ていない。
【０００８】このように、カーボンナノチューブをカン
チレバー突出部に固定したり成長させるとき、カンチレ
バー突出部から前方に突出するカーボンナノチューブの
先端部長さがどうしても不均一になってしまう。このカ
ーボンナノチューブの先端部長さが不均一になると、ナ
ノチューブプローブの性能がばらつき、均一で安定した
探針性能を発揮できない欠点がある。
【０００９】例えば、ナノチューブの先端部長が長い場
合には、先端部が自励振動し易い。先端部が振動する
と、試料表面を走査するときに、先端が試料表面の各点
の情報を精度よく検出できず、分解能が急激に低下す
る。ナノチューブの自励振動を抑制するには、ナノチュ
ーブ先端部の長さを一定長さ以下に短縮することが必要
になる。
【００１０】カーボンナノチューブをカンチレバー突出
部に固定する場合を考えてみる。この作業は、電子顕微
鏡の中で対象物を拡大視しながら行われる。カーボンナ
ノチューブの長さにばらつきがあるなら、先端部長さを
一定にするように、基端部の長さを調整した後、コーテ
ィング膜又は融着で前記突出部に固着させればよいとの
考えもでてくる。
【００１１】しかし、このカーボンナノチューブの固着
作業は電子顕微鏡の中で行われるのであり、視野が狭い
上にカンチレバー突出部上のカーボンナノチューブ基端
部の観察は困難なことが多い。このため、従来のナノチ
ューブプローブの製造方法では、カーボンナノチューブ
先端部の長さのバラツキを無くすことは困難であった。
カンチレバー突出部にカーボンナノチューブを気相成長
させる場合には、成長を制御して長さを調節するのであ
るから、その長さ制御には更なる困難性が存していた。
【００１２】上述した欠点は、カーボンナノチューブ以
外のナノチューブ、例えばＢＮ系ナノチューブや（ホウ
素・窒素系）ＢＣＮ系ナノチューブ（ホウ素・炭素・窒
素系）でも同様である。また、ナノチューブをカンチレ
バー突出部に固着させるＡＦＭ用ナノチューブプローブ
に限らず、広くナノチューブを利用する装置のホルダー
にナノチューブを固着させる場合にも、同様の欠点があ
った。
【００１３】従って、本発明は、ホルダーから突出して
いるナノチューブ先端部を研削して先端部長さを所望長
さに調節することができるナノチューブの長さ制御方法
を提案することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、先端
部を突出させたナノチューブと、このナノチューブの先
端に対向した状態で先端を配置された放電用針からな
り、ナノチューブと放電用針の間に電圧を印加して両先
端間に放電を生起させ、放電によりナノチューブの先端
を研削してナノチューブの長さを制御することを特徴と
するナノチューブの長さ制御方法である。
【００１５】請求項２の発明は、前記電圧が直流電圧又
はパルス電圧である請求項１に記載のナノチューブの長
さ制御方法である。
【００１６】請求項３の発明は、前記放電用針はその先
端を突出させた状態で金属板に固着され、前記ナノチュ
ーブは基端部をホルダーに固定され、この金属板とホル
ダー間に電圧を印加する請求項１に記載のナノチューブ
の長さ制御方法である。
【００１７】請求項４の発明は、前記放電用針がナノチ
ューブから構成される請求項１、２又は３に記載のナノ
チューブの長さ制御方法である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプローブ用
ナノチューブの長さ制御方法の実施形態を図面に従って
詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明に係るナノチューブの長さ制
御方法の第１実施形態の概略構成図である。本発明はナ
ノチューブを利用する装置全般に適用できるが、ここで
はその一具体例としてナノチューブをカンチレバーに固
定して探針として使用する場合が説明される。
【００２０】真空に引かれた電子顕微鏡室２の中に、カ
ンチレバー部６と突出部８からなるナノチューブプロー
ブ４が配置されている。突出部８の主面８ａには、ナノ
チューブ１０の基端部１４がコーティング膜１６により
強固に固着されている。このとき、ナノチューブ１０の
先端部１２は前方に突出されており、その先端１７が物
質表面を操作する探針点となる。
【００２１】ナノチューブ１０の基端部１４の長さは
Ｍ、先端部１２の長さはＬに設定されている。ナノチュ
ーブプローブ４の性能を均一にするには、探針となる先
端部１２の長さＬを各プローブで同一にする必要があ
る。但し、ここではナノチューブ１０の断面直径につい
ては議論しない。
【００２２】しかし、種々の製法によって製造されるナ
ノチューブ１０の全長は様々である。ナノチューブ１０
の基端部１４をコーティング膜１６で固着する段階にお
いて、先端部長さＬをプローブ毎に同一に設定すること
は困難である。そこで、本発明では、基端部１４を突出
部８に膜固定した後に、先端部長さＬを研削して先端部
長さＬを同一に制御する方法を取る。膜固定以外に、融
着やＣＶＤ成長などにより固定する場合も含まれる。
【００２３】他方、金属板からなる電極２０にも放電用
針２２を固定する。放電用針２２の基端部２２ｂをコー
ティング膜２４により電極２０上に固着し、先端部２２
ａを前方に突出させる。放電用針２２としてはナノチュ
ーブ１０と放電する材料なら何でも良く、例えば金属の
先鋭な針やナノチューブなどが利用できる。
【００２４】カンチレバー部６は端子１８を介してアー
スＥＡに接続される。また、電極２０は端子２６を介し
て直流電源Ｅの負極に接続され、直流電源Ｅの陽極はス
イッチＳＷを介してアースＥＡに接続されている。従っ
て、放電用針２２は負極となり、ナノチューブ１０は陽
極に設定される。
【００２５】スイッチＳＷをオンすると、放電用針２２
の先端２８とナノチューブ１０の先端１７の間に直流電
圧が印加され、両先端間に放電が始まる。放電開始電圧
は先端２８と先端１７の間の距離（ギャップ）や先端２
８、１７の先鋭度に依存することは明らかである。
【００２６】この実施形態では、印加電圧を１５（Ｖ）
に固定した状態で、前記ギャップを小さくしてゆくと、
放電が始まった。印加電圧を更に大きくすると、放電が
始まるギャップは多少大きくなる。また、ギャップを同
じ大きさに設定しておくと、印加電圧が大きいほど放電
電流も大きくなる。このように、先端の先鋭度と印加電
圧が与えられた場合に、放電が開始するまでギャップを
小さくしてゆき、所望の放電を開始させる。従って、電
圧が１５Ｖで放電する場合もあれば、１５０Ｖで放電す
る場合も存在する。
【００２７】放電用針２２の先端２８からナノチューブ
１０の先端１７に向けて電子が連続的に飛び出し、電子
衝撃（放電）３０と熱により、先端１７が溶融して破片
１９が飛散する。この結果、ナノチューブ１０の先端部
長さＬは次第に短くなる。
【００２８】放電は電子顕微鏡で観察しながら行われ
る。先端部長さＬが所定の長さに達した段階で、スイッ
チＳＷをオフにすると、放電は停止する。この放電によ
り、各プローブの先端部長さＬが同じ長さに制御され、
ナノチューブプローブ４の性能の均一化が保証される。
【００２９】図２は本発明に係るナノチューブの長さ制
御方法の第２実施形態の概略構成図である。第１実施形
態との違いは、放電用針２２の基端部２２ｂがコーティ
ング膜によって固定されていないこと、また電源として
パルス電源が使用されていることである。それ以外の部
材は図１と全く同様であるから、同符号の部材説明は省
略される。
【００３０】放電用針２２は電極２０に接触しているだ
けであるが、両者間にはファンデアワールス力が作用し
ているため、放電用針２２はコーティング膜が無くても
電極２０に固着していると考えられる。従って、コーテ
ィング膜が無くても放電には支障がない。
【００３１】また、本実施形態では、直流電源Ｅの代わ
りにパルス電源Ｐが使用されている。パルス電圧が印加
されている間は、放電用針２２が負極となるように設計
される。つまり、放電用針２２が電子ソースとなり、ナ
ノチューブ１０が電子衝撃を受けるように設定される。
【００３２】ナノチューブ１０の先端１７の短縮速度
は、ギャップの大きさやパルス電圧の大きさやパルス周
波数に依存する。ギャップを小さくし、パルス電圧・パ
ルス周波数が大きいほど先端１７の短縮速度も大きくな
る。
【００３３】本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における
種々の変形例、設計変更などをその技術的範囲内に包含
することは云うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ナノチューブ
と放電用針を対向させ、その先端間に電圧を印加するだ
けで、先端間に放電が生起し、ナノチューブの先端が放
電により研削されてその先端部長さを自在に短縮制御で
き、ナノチューブを使用する装置の性能の均一化を図る
ことができる。
【００３５】請求項２の発明によれば、印加電圧を直流
電圧にすると、放電電流が常に一定になり、プローブ用
ナノチューブの先端の短縮速度を一定に保持できるか
ら、所望の短縮化を行うのに放電時間を制御するだけで
よい。パルス電圧を利用したときには、パルス周波数を
調整することにより短縮速度を可変することができ、超
低速研削から高速研削まで自在に制御することができ
る。
【００３６】請求項３の発明によれば、放電用針は金属
板に固着され、ナノチューブはホルダーに固定されるか
ら、この金属板とホルダー間に電圧を印加するだけでよ
く、部材を真空装置内に配置設計するのも比較的簡単に
行うことができる。
【００３７】請求項４の発明によれば、放電用針として
ナノチューブを利用するから、放電用針の先端が極めて
先鋭となり、放電電流が大きくなって相手となるナノチ
ューブの短縮加工速度を増大できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るナノチューブの長さ制御方法の第
１実施形態の概略構成図である。
【図２】本発明に係るナノチューブの長さ制御方法の第
２実施形態の概略構成図である。
【符号の説明】
２は電子顕微鏡室、４はナノチューブプローブ、６はカ
ンチレバー部、８は突出部、８ａは主面、１０はナノチ
ューブ、１２は先端部、１４は基端部、１６はコーティ
ング膜、１７は先端、１８は端子、１９は破片、２０は
電極、２２は放電用針、２２ａは先端部、２２ｂは基端
部、２４はコーティング膜、２６は端子、２８は先端、
３０は電子衝撃、Ｅは直流電源、ＥＡはアース、Ｌは先
端部長さ、Ｍは基端部長さ、Ｐはパルス電源、ＳＷはス
イッチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋田 成司 大阪府和泉市池田下町1248番地の４ (72)発明者 原田 昭雄 大阪府大阪市城東区放出西２丁目７番19号 大研化学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G046 CB01 CC10

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 先端部を突出させたナノチューブと、こ
    のナノチューブの先端に対向した状態で先端を配置され
    た放電用針からなり、ナノチューブと放電用針の間に電
    圧を印加して両先端間に放電を生起させ、放電によりナ
    ノチューブの先端を研削してナノチューブの長さを制御
    することを特徴とするナノチューブの長さ制御方法。
  2. 【請求項２】 前記電圧が直流電圧又はパルス電圧であ
    る請求項１に記載のナノチューブの長さ制御方法。
  3. 【請求項３】 前記放電用針はその先端を突出させた状
    態で金属板に固着され、前記ナノチューブは基端部をホ
    ルダーに固定され、この金属板とホルダー間に電圧を印
    加する請求項１に記載のナノチューブの長さ制御方法。
  4. 【請求項４】 前記放電用針がナノチューブから構成さ
    れる請求項１、２又は３に記載のナノチューブの長さ制
    御方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008075122A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Ulvac Japan Ltd プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法
JP2009109411A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd プローブとその製造方法および走査型プローブ顕微鏡

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030233871A1 (en) * 2002-05-17 2003-12-25 Eloret Corporation Multi-walled carbon nanotube scanning probe apparatus having a sharpened tip and method of sharpening for high resolution, high aspect ratio imaging
TW580562B (en) * 2002-12-30 2004-03-21 Ind Tech Res Inst Apparatus and method for controlling the length of a carbon nanotube
KR100745764B1 (ko) * 2006-03-09 2007-08-02 삼성전자주식회사 나노 와이어 메모리 소자의 제조 방법 및 이 방법에사용되는 나노 와이어 형성 제어 시스템
US8358267B2 (en) * 2007-09-13 2013-01-22 Research In Motion Limited Conjoined input keys adjacent a navigation tool on a handheld electronic device
CN101499389B (zh) * 2008-02-01 2011-03-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电子发射器件
US9494615B2 (en) * 2008-11-24 2016-11-15 Massachusetts Institute Of Technology Method of making and assembling capsulated nanostructures
US20150076118A1 (en) * 2013-09-17 2015-03-19 Kangmin Hsia System and Method of Polishing a Surface

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2759088A (en) * 1951-07-07 1956-08-14 Baker & Co Inc Method of rounding wire end
DE4007292C1 (ja) * 1990-03-08 1991-06-27 Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De
US6159742A (en) * 1998-06-05 2000-12-12 President And Fellows Of Harvard College Nanometer-scale microscopy probes
EP1054249B1 (en) * 1998-12-03 2007-03-07 Daiken Chemical Co. Ltd. Electronic device surface signal control probe and method of manufacturing the probe
JP3032823B1 (ja) * 1998-12-25 2000-04-17 工業技術院長 錐体状突起を表面に有する炭素構造体及びその製造方法
US6283812B1 (en) * 1999-01-25 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating article comprising aligned truncated carbon nanotubes
US6452171B1 (en) * 1999-07-23 2002-09-17 Piezomax Technologies, Inc. Method for sharpening nanotube bundles
US6519221B1 (en) * 1999-11-12 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology High-density data storage using atomic force microscope

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008075122A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Ulvac Japan Ltd プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法
JP2009109411A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd プローブとその製造方法および走査型プローブ顕微鏡

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