JP5675968B2 - 粒子源及びその粒子源を用いたデバイス - Google Patents
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Description
電界エッチング及び電界蒸発のそれぞれによって側面と上方から針金のヘッドを減少させ、粒子源の針先を形成することが好ましい。
βは、針先からスクリーンまでの距離dと、台座及び針先の曲率半径(RTip及びRBase)とによって決定され、以下のような関数として表すことができる。
製作の工程において、電界エッチング及び電界蒸発が発生した区域の大きさは、ミクロンレベルであり、電界イオン顕微鏡においてdの設置(センチメートルレベル)より遥かに小さいため、dが常数と見なすことができ、数式(2)の変数のうち、dを除くことができる。また、RTipがRBaseより遥かに小さいため、(2)式を下記のように書き換えることができる。
を制御することができる。また、EPは、材料の自身によって決定される。このため、
つまりRBaseは、Vの数値を調節することによって、精確的に制御することができる。
Claims (14)
- 緩やかな頂部を有する台座と、
台座の頂部上の微小な突起が形成される針先とを、備え、
台座と針先は、針金に対して正の高電圧Vを付与するとともに電界エッチングおよび電界蒸発を同時に与えることにより、針金から形成され、
電界エッチングおよび電界蒸発を停止させる際には、急速に針金の温度を、活性ガスの沸点より低く下げることで針金の表面の活性ガスの遷移速度を減少させ、
その後、針金に付与される正の高電圧Vを切って、電界エッチング及び電界蒸発を停止させることを特徴とする粒子源。 - 上記針先は、頂部の中心に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の粒子源。
- 上記台座及び上記針先は、中心の軸線に対して対称することを特徴とする請求項1また2に記載の粒子源。
- 台座の曲率半径は、数十ナノメートルからミクロンのレベルであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の粒子源。
- 針先の曲率半径は、サブナノメートルから数十ナノメートルのレベルであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の粒子源。
- 台座の曲率半径と針先の曲率半径の比は、3:1より大きいことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の粒子源。
- 針金に対して電界エッチングを行うことによって粒子源の台座を形成し、
電界エッチング及び電界蒸発のそれぞれによって側面と上方から針金のヘッドを減少させ、粒子源の針先を形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の粒子源。 - 針金の材料は、タングステン、タンタル、レニウム、モリブデン、ハフニウム、ニオビウムのうち何れか1種であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の粒子源。
- 針先は、最少には原子数が1つである、予め定められた最頂層の原子数を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の粒子源。
- 上記粒子源は、電子源あるいはイオン源であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の粒子源。
- 真空の環境内に針金を設置して活性ガスを導入し、針金の温度に対して調節を行うと共に、針金に対して正の高電圧Vを印加することによって、針金のヘッドの側面においてエッチング領域を形成し、このエッチング領域内で電界エッチングを行い、
電界エッチングにより、針金のヘッドの頂端における表面の電界を、針金の材料の電界蒸発の電界より大きくなるまで増強させ、上記針金のヘッドの頂端における金属原子を蒸発させ、
電界エッチングによって電界蒸発を触発した後、針金のヘッド形状が台座と台座上にある針先とから構成されることになるまで、電界エッチングと電界蒸発との二種のメカニズムを互いに調節し、針金の側面で電界エッチングを発生させ、台座を形成し、電界エッチング及び電界蒸発のそれぞれによって側面と上方から針金のヘッドを減少させ、粒子源の針先を形成し、
予め定められた形状を有する針金のヘッドが得られた時、電界エッチング及び電界蒸発を停止することを備える方法で形成されることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の粒子源。 - 電界エッチングが針金の側面で発生し、粒子源の台座を形成し、
電界エッチング及び電界蒸発のそれぞれによって側面と上方から針金のヘッドを減少させ、粒子源の針先を形成したことを特徴とする請求項11に記載の粒子源。 - 電圧を切った後に、針金の温度を上昇させて、その表面に吸着された活性ガスの分子を取り除くことを特徴とする請求項12に記載の粒子源。
- 請求項1〜13のいずれかに記載の粒子源を含むデバイス。
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