JP6028277B2 - 金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法 - Google Patents
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ここで、前記ナノチップが前記先端に形成された後、熱処理を行ってよい。
また、前記熱処理の温度は1200Kから1400Kの範囲内であってよい。
また、前記電界の印加を行う間の温度は室温から1400Kの範囲内であってよい。
また、前記電界の印加を行う間の温度は500Kから1000Kの範囲内であってよい。
また、前記基材の先端部に印加される前記電界の強度は1V/nmから10V/nmの範囲であってよい。
また、前記電界は前記基材に対向する電極に対して負の電圧を前記基材に印加することによって与えてよい。
また、前記金属ホウ化物は希土類元素の六ホウ化物であってよい。
また、前記希土類元素の六ホウ化物はLaB6であってよい。
また、前記基材の先端はLaB6の(100)面であってよい。
本発明の他の側面によれば、先細の金属ホウ化物の先端にナノチップが形成された、金属ホウ化物フィールドエミッターが与えられる。
ここで、前記金属ホウ化物は希土類元素の六ホウ化物であってよい。
また、前記希土類元素の六ホウ化物はLaB6であってよい。
また、前記ナノチップが形成された先端はLaB6の(100)面であってよい。
E=U/(5r)
Claims (12)
- 先端が(100)面である先細形状の金属六ホウ化物ナノワイヤーである基材に電界を印加することにより前記基材上のナノチップ粒子を前記基材の先端に集積させてナノチップを前記先端に形成する、金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記ナノチップが前記先端に形成された後、熱処理を行う、請求項1に記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記熱処理の温度は1200Kから1400Kの範囲内である、請求項2に記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記電界の印加を行う間の温度は室温から1400Kの範囲内である、請求項1から3の何れかに記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記電界の印加を行う間の温度は500Kから1000Kの範囲内である、請求項4に記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記基材の先端部に印加される前記電界の強度は1V/nmから10V/nmの範囲である、請求項1から5のいずれかに記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記電界は前記基材に対向する電極に対して負の電圧を前記基材に印加することによって与える、請求項1から6のいずれかに記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記金属六ホウ化物は希土類元素の六ホウ化物である、請求項1から7のいずれかに記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 前記希土類元素の六ホウ化物はLaB6である、請求項8に記載の金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。
- 先細の金属六ホウ化物ナノワイヤーの(100)面である先端にナノチップが形成された、金属ホウ化物フィールドエミッター。
- 前記金属六ホウ化物は希土類元素の六ホウ化物である、請求項10に記載の金属ホウ化物フィールドエミッター。
- 前記希土類元素の六ホウ化物はLaB6である、請求項11に記載の金属ホウ化物フィールドエミッター。
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