JP5748680B2 - エミッタチップ製造装置およびエミッタチップの製造方法 - Google Patents
エミッタチップ製造装置およびエミッタチップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5748680B2 JP5748680B2 JP2012014177A JP2012014177A JP5748680B2 JP 5748680 B2 JP5748680 B2 JP 5748680B2 JP 2012014177 A JP2012014177 A JP 2012014177A JP 2012014177 A JP2012014177 A JP 2012014177A JP 5748680 B2 JP5748680 B2 JP 5748680B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal needle
- voltage
- tip
- applying
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Description
先端に金属針が装着されるエミッタと、
前記金属針に対向配置される引出電極と、
前記金属針と前記引出電極との間に電圧を印加する電源部と、
前記金属針にイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部と、
前記金属針にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、
前記金属針から放出されるイオンビームを検出して、エミッションパターンを取得するパターン取得部と、
前記電源部および前記エッチングガス供給部を制御する制御部と、
前記エミッションパターンに基づいて、前記金属針の形状が所望の形状となっているか否かを判定する判定部と、
を含み、
前記制御部は、
前記金属針が先鋭化されるように、前記エッチングガス供給部にエッチングガスを供給させ、かつ前記電源部に第1電圧を印加させる第1電圧印加処理と、
前記電源部に、先鋭化された前記金属針の先端から原子層が剥離されるような第2電圧を印加させる第2電圧印加処理と、
前記電源部に、前記第2電圧よりも高い第3電圧を印加させる第3電圧印加処理と、
前記判定部の判定結果に基づいて、前記電源部に、前記第3電圧よりも低い第4電圧を印加させる第4電圧印加処理と、
を行い、
前記判定部は、
前記第3電圧印加処理の後に、前記エミッションパターンに基づいて、前記金属針の先端が4個の原子で構成されているか否かを判定する第1判定処理と、
前記第4電圧印加処理の後に、前記エミッションパターンに基づいて、前記金属針の先端が3個の原子で構成されているか否かを判定する第2判定処理と、
を行い、
前記第4電圧印加処理では、前記第1判定処理において、前記金属針の先端が4個の原子で構成されていると判定された場合に、前記電源部に、前記第4電圧を印加させる。
前記第2電圧は、前記金属針の先端からn番目(nは5以上12以下)までの原子層が剥離されるような電圧であってもよい。
前記金属針は、タングステン単結晶である。
前記第1判定処理において、前記金属針の先端が4個の原子で構成されていないと判定された場合に、前記制御部は、前記電源部に前記第3電圧を上昇させる処理を行い、再度、前記第3電圧印加処理を行ってもよい。
前記第2判定処理において、前記金属針の先端が3個の原子で構成されていないと判定された場合に、前記制御部は、前記電源部に前記第4電圧を上昇させる処理を行い、再度、前記第4電圧印加処理を行ってもよい。
エミッタの先端に装着された金属針と、前記金属針に対向配置された引出電極との間に第1電圧を印加しつつ、前記金属針にエッチングガスを供給することによって、前記金属針を先鋭化する先鋭化工程と、
前記金属針と前記引出電極との間に、前記第1電圧よりも高い第2電圧を印加して、前記金属針の先端から原子層を剥離する剥離工程と、
前記金属針と前記引出電極との間に、前記第2電圧よりも高い第3電圧を印加する第3電圧印加工程と、
前記第3電圧を印加する工程の後に、前記金属針の先端が4個の原子で構成されているか否かを判定する第1判定工程と、
前記金属針の先端が4個の原子で構成されていると判定された場合に、前記金属針と前記引出電極との間に、前記第3電圧よりも低い第4電圧を印加する第4電圧印加工程と、
前記第4電圧を印加する工程の後に、前記金属針の先端が3個の原子で構成されているか否かを判定する第2判定工程と、
を含む。
前記剥離工程では、前記金属針の先端からn番目(nは5以上12以下)までの原子層を剥離してもよい。
前記第1判定工程および前記第2判定工程は、前記金属針のエミッションパターンに基づいて行われてもよい。
前記第2判定工程において、前記金属針の先端が3個の原子で構成されていると判定された場合に、前記金属針を加熱する加熱工程を含んでいてもよい。
まず、本実施形態に係るエミッタチップ製造装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係るエミッタチップ製造装置100の構成を説明するための図である。
次に、本実施形態に係るエミッタチップ製造装置の処理について説明する。図2は、本実施形態に係るエミッタチップ製造装置100の処理部30による処理の一例を説明するためのフローチャートである。図3は、引出電圧が印加される過程を示すグラフである。図3では、横軸に時間、縦軸に金属針と引出電極との間に印加される電圧を示す。
4 引出電極、6 引出電圧電源、8 加速電圧電源、10 加熱電源、
12 冷却装置、14 イオン源ガス供給装置、15 バルブ、
16 エッチングガス供給装置、17 バルブ、18 マイクロチャンネルプレート、
20 蛍光板、21 窓部、22 CCDカメラ、24 四重極型質量分析計、
30 処理部、32 制御部、34 判定部、40 操作部、42 表示部、
44 記憶部、46 情報記憶媒体、100 エミッタチップ製造装置
Claims (9)
- 先端に金属針が装着されるエミッタと、
前記金属針に対向配置される引出電極と、
前記金属針と前記引出電極との間に電圧を印加する電源部と、
前記金属針にイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部と、
前記金属針にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、
前記金属針から放出されるイオンビームを検出して、エミッションパターンを取得するパターン取得部と、
前記電源部および前記エッチングガス供給部を制御する制御部と、
前記エミッションパターンに基づいて、前記金属針の形状が所望の形状となっているか否かを判定する判定部と、
を含み、
前記制御部は、
前記金属針が先鋭化されるように、前記エッチングガス供給部にエッチングガスを供給させ、かつ前記電源部に第1電圧を印加させる第1電圧印加処理と、
前記電源部に、先鋭化された前記金属針の先端から原子層が剥離されるような第2電圧を印加させる第2電圧印加処理と、
前記電源部に、前記第2電圧よりも高い第3電圧を印加させる第3電圧印加処理と、
前記判定部の判定結果に基づいて、前記電源部に、前記第3電圧よりも低い第4電圧を印加させる第4電圧印加処理と、
を行い、
前記判定部は、
前記第3電圧印加処理の後に、前記エミッションパターンに基づいて、前記金属針の先端が4個の原子で構成されているか否かを判定する第1判定処理と、
前記第4電圧印加処理の後に、前記エミッションパターンに基づいて、前記金属針の先端が3個の原子で構成されているか否かを判定する第2判定処理と、
を行い、
前記第4電圧印加処理では、前記第1判定処理において、前記金属針の先端が4個の原子で構成されていると判定された場合に、前記電源部に、前記第4電圧を印加させる、エミッタチップ製造装置。 - 請求項1において、
前記第2電圧は、前記金属針の先端からn番目(nは5以上12以下)までの原子層が剥離されるような電圧である、エミッタチップ製造装置。 - 請求項1または2において、
前記金属針は、タングステン単結晶である、エミッタチップ製造装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1判定処理において、前記金属針の先端が4個の原子で構成されていないと判定された場合に、前記制御部は、前記電源部に前記第3電圧を上昇させる処理を行い、再度、前記第3電圧印加処理を行う、エミッタチップ製造装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記第2判定処理において、前記金属針の先端が3個の原子で構成されていないと判定された場合に、前記制御部は、前記電源部に前記第4電圧を上昇させる処理を行い、再度、前記第4電圧印加処理を行う、エミッタチップ製造装置。 - エミッタの先端に装着された金属針と、前記金属針に対向配置された引出電極との間に第1電圧を印加しつつ、前記金属針にエッチングガスを供給することによって、前記金属針を先鋭化する先鋭化工程と、
前記金属針と前記引出電極との間に、前記第1電圧よりも高い第2電圧を印加して、前記金属針の先端から原子層を剥離する剥離工程と、
前記金属針と前記引出電極との間に、前記第2電圧よりも高い第3電圧を印加する第3電圧印加工程と、
前記第3電圧を印加する工程の後に、前記金属針の先端が4個の原子で構成されているか否かを判定する第1判定工程と、
前記金属針の先端が4個の原子で構成されていると判定された場合に、前記金属針と前記引出電極との間に、前記第3電圧よりも低い第4電圧を印加する第4電圧印加工程と、
前記第4電圧を印加する工程の後に、前記金属針の先端が3個の原子で構成されているか否かを判定する第2判定工程と、
を含む、エミッタチップの製造方法。 - 請求項6において、
前記剥離工程では、前記金属針の先端からn番目(nは5以上12以下)までの原子層を剥離する、エミッタチップの製造方法。 - 請求項6または7において、
前記第1判定工程および前記第2判定工程は、前記金属針のエミッションパターンに基づいて行われる、エミッタチップの製造方法。 - 請求項6ないし8のいずれか1項において、
前記第2判定工程において、前記金属針の先端が3個の原子で構成されていると判定された場合に、前記金属針を加熱する加熱工程を含む、エミッタチップの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012014177A JP5748680B2 (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | エミッタチップ製造装置およびエミッタチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012014177A JP5748680B2 (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | エミッタチップ製造装置およびエミッタチップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013152912A JP2013152912A (ja) | 2013-08-08 |
JP5748680B2 true JP5748680B2 (ja) | 2015-07-15 |
Family
ID=49049099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012014177A Active JP5748680B2 (ja) | 2012-01-26 | 2012-01-26 | エミッタチップ製造装置およびエミッタチップの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5748680B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI794615B (zh) * | 2019-07-26 | 2023-03-01 | 德商卡爾蔡司Smt有限公司 | 微加工裝置的自動運作控制 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009301920A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Jeol Ltd | ナノチップエミッタ作製方法 |
JP5410786B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-02-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
JP2011124099A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置のエミッタ、その製造方法、および当該エミッタを備える荷電粒子線装置 |
-
2012
- 2012-01-26 JP JP2012014177A patent/JP5748680B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013152912A (ja) | 2013-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6001292B2 (ja) | エミッタの作製方法 | |
EP2629316B1 (en) | Particle source and manufacturing method thereof | |
EP2546862B1 (en) | Particle source and apparatus using particle source | |
EP2575158B1 (en) | Method for manufacturing a particle source | |
CN109804450B (zh) | 电子束装置 | |
JP2009301920A (ja) | ナノチップエミッタ作製方法 | |
JP5748680B2 (ja) | エミッタチップ製造装置およびエミッタチップの製造方法 | |
US9087675B2 (en) | Emitter, gas field ion source, and ion beam device | |
US10074506B2 (en) | Method for manufacturing electron source | |
EP2263248B1 (en) | Gas field ion source with coated tip | |
US8460049B2 (en) | Fabrication of super ion—electron source and nanoprobe by local electron bombardment | |
JPH08222163A (ja) | ショットキー電子源およびその安定化方法 | |
US11081312B2 (en) | Method of manufacturing emitter, emitter, and focused ion beam apparatus | |
Soykarcı et al. | Effect of sputtering with ions on field emission from different metallic surfaces | |
JP5830601B2 (ja) | ガス電界電離イオン源およびイオンビーム装置 | |
JP6236480B2 (ja) | エミッタの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140722 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150422 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5748680 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |