JP2005350342A - カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマcvd装置 - Google Patents
カーボンナノチューブの作製方法及びその方法を実施するプラズマcvd装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 真空チャンバ11に炭素含有の原料ガスを導入し、プラズマCVD法によって、カーボンナノチューブを基板S表面に気相成長させる際に、基板がプラズマPに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、プラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させる。
【選択図】 図1
Description
2 ガス導入手段
3 基板ステージ
4 マイクロ波発生器
5 遮蔽手段
6 バイアス電源
P プラズマ発生領域
S 処理基板
Claims (11)
- 真空チャンバに炭素含有の原料ガスを導入し、プラズマCVD法によって、カーボンナノチューブを基板表面に気相成長させる際に、基板がプラズマに曝されないようにプラズマを発生させ、加熱手段によって基板を所定温度に加熱し、プラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記基板が300〜700℃の範囲内の所定温度に保持されるように、加熱手段の作動を制御することを特徴とする請求項1記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記プラズマを発生させた領域と基板との間に設けたメッシュ状の遮蔽手段の各網目を通してプラズマで分解された原料ガスを基板表面に接触させて基板表面にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする請求項1または請求項2記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記基板にバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記メッシュ状の遮蔽手段と基板との間でバイアス電圧を印加する場合、バイアス電圧を−400〜200Vの範囲で設定することを特徴とする請求項4記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記炭素含有の原料ガスを、炭化水素若しくはアルコールまたはこれらに水素、アンモニア、窒素若しくはアルゴンのうち少なくとも1つを混合したものとしたことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 前記基板は、少なくともその表面に、遷移金属又はこの遷移金属の少なくとも1種を含む合金を有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のカーボンナノチューブの作製方法。
- 真空チャンバを備え、この真空チャンバ内に基板の載置を可能とする基板ステージと、真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを設け、炭素含有の原料ガスを真空チャンバ内に導入して、カーボンナノチューブを基板ステージ上の基板表面に気相成長させるプラズマCVD装置であって、前記基板が真空チャンバ内に発生させたプラズマに曝されないように、プラズマを発生させる領域から離間して基板ステージを配置すると共に、基板を所定温度に加熱する加熱手段を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
- 真空チャンバを備え、この真空チャンバ内に、基板の載置を可能とする基板ステージと、真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを設け、炭素含有の原料ガスを真空チャンバ内に導入して、カーボンナノチューブを基板ステージ上の基板表面に気相成長させるプラズマCVD装置であって、前記基板が真空チャンバ内に発生させたプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域と基板ステージ上の処理基板との間にメッシュ状の遮蔽手段を設け、基板を所定温度に加熱する加熱手段を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
- 前記遮蔽手段と基板との間の距離を、20〜100mmの範囲に設定したことを特徴とする請求項9記載のプラズマCVD装置。
- 前記基板にバイアス電圧を印加するバイアス電源を設けたことを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれかに記載のプラズマCVD装置。
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