JPH11121437A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH11121437A JPH11121437A JP28085997A JP28085997A JPH11121437A JP H11121437 A JPH11121437 A JP H11121437A JP 28085997 A JP28085997 A JP 28085997A JP 28085997 A JP28085997 A JP 28085997A JP H11121437 A JPH11121437 A JP H11121437A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】チャンバ内のパーティクルの量を低減すること
が可能な真空処理装置を提供する。 【解決手段】チャンバ２にチャンバ２内の気体を排気す
る排気装置２１が設けられた真空チャンバ装置であっ
て、チャンバ２の排気部にクーロン力によってチャンバ
内に存在するパーティクルを集塵する集塵手段を有し、
この集塵手段は電極板６とこの電極板６に高電圧を印加
する電圧印加手段としてのＤＣ電源５１からなるものと
した。
が可能な真空処理装置を提供する。 【解決手段】チャンバ２にチャンバ２内の気体を排気す
る排気装置２１が設けられた真空チャンバ装置であっ
て、チャンバ２の排気部にクーロン力によってチャンバ
内に存在するパーティクルを集塵する集塵手段を有し、
この集塵手段は電極板６とこの電極板６に高電圧を印加
する電圧印加手段としてのＤＣ電源５１からなるものと
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、半導体
装置、電子デバイス部品等の製造プロセスにおいて、エ
ッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置等の処理室が
減圧された状態を必要とする装置に適用される真空処理
装置に関する。
装置、電子デバイス部品等の製造プロセスにおいて、エ
ッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置等の処理室が
減圧された状態を必要とする装置に適用される真空処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置および電子デバイス部品に代
表される微細加工プロセスにおいては、微細加工パター
ンを形成するための手段として、現在エッチング法が広
く利用されている。この処理を行うための微細加工装置
であるエッチング装置においては、高アスペクト比・高
選択比・高エッチングレートの要請から、各被エッチン
グ材を最適な温度でエッチングすることが要求される。
被エッチング材の温度制御手段として、静電チャックが
広く知られている。また、近年の高密度・高集積化に伴
い、高真空状態で高密度プラズマが発生するプラズマソ
ースを搭載したチャンバが要求されており、それに伴い
チャンバ内壁も高密度プラズマによるイオンボンバード
によってダメージを受けにくいように、陽極酸化処理な
どが施される。
表される微細加工プロセスにおいては、微細加工パター
ンを形成するための手段として、現在エッチング法が広
く利用されている。この処理を行うための微細加工装置
であるエッチング装置においては、高アスペクト比・高
選択比・高エッチングレートの要請から、各被エッチン
グ材を最適な温度でエッチングすることが要求される。
被エッチング材の温度制御手段として、静電チャックが
広く知られている。また、近年の高密度・高集積化に伴
い、高真空状態で高密度プラズマが発生するプラズマソ
ースを搭載したチャンバが要求されており、それに伴い
チャンバ内壁も高密度プラズマによるイオンボンバード
によってダメージを受けにくいように、陽極酸化処理な
どが施される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図４に、一般
的に使用されている平行平板型のリアクティブイオンエ
ッチング装置の概略図を示す。図４に示すリアクティブ
イオンエッチング装置は、たとえばアルミニウム製のチ
ャンバ１０２と、チャンバ１０２に接続されエッチング
ガスＧを供給するガス供給装置１１１と、チャンバ１０
２の排気用配管１０４に接続されチャンバ１０２内を減
圧する排気装置１２１とを有している。さらに、チャン
バ１０２内には、ウェハＷを保持するための電極１１４
および誘電体１１２からなる静電チャック１１３と、静
電チャック１１３の下部に設けられた下部電極１１０と
が設けられている。上記のように構成されるリアクティ
ブイオンエッチング装置は、電極１１４に可変ＤＣ電源
１４１から直流電圧を印加することによって、電極１１
４の表面は負に帯電し、誘電体１１２の表面は正に帯電
し、ウェハＷの表面は負に帯電する。このとき発生する
クーロン力によって、ウェハＷは誘電体１１２の表面に
吸着保持される。また、ガス供給装置１１１からエッチ
ングガスＧを供給し、高周波電源１３１によって下部電
極１１０に高周波電圧を印加し、排気装置１２１によっ
てチャンバ１０２内を減圧すると、プラズマＰＲが発生
する。このプラズマ中には、イオンとラジカルとが発生
する。このとき、イオンをウェハＷ上の被エッチング膜
に衝突させ、ラジカルによってウェハ表面上で化学反応
を起こさせて、エッチングを進行させる。
的に使用されている平行平板型のリアクティブイオンエ
ッチング装置の概略図を示す。図４に示すリアクティブ
イオンエッチング装置は、たとえばアルミニウム製のチ
ャンバ１０２と、チャンバ１０２に接続されエッチング
ガスＧを供給するガス供給装置１１１と、チャンバ１０
２の排気用配管１０４に接続されチャンバ１０２内を減
圧する排気装置１２１とを有している。さらに、チャン
バ１０２内には、ウェハＷを保持するための電極１１４
および誘電体１１２からなる静電チャック１１３と、静
電チャック１１３の下部に設けられた下部電極１１０と
が設けられている。上記のように構成されるリアクティ
ブイオンエッチング装置は、電極１１４に可変ＤＣ電源
１４１から直流電圧を印加することによって、電極１１
４の表面は負に帯電し、誘電体１１２の表面は正に帯電
し、ウェハＷの表面は負に帯電する。このとき発生する
クーロン力によって、ウェハＷは誘電体１１２の表面に
吸着保持される。また、ガス供給装置１１１からエッチ
ングガスＧを供給し、高周波電源１３１によって下部電
極１１０に高周波電圧を印加し、排気装置１２１によっ
てチャンバ１０２内を減圧すると、プラズマＰＲが発生
する。このプラズマ中には、イオンとラジカルとが発生
する。このとき、イオンをウェハＷ上の被エッチング膜
に衝突させ、ラジカルによってウェハ表面上で化学反応
を起こさせて、エッチングを進行させる。
【０００４】しかしながら、イオンのウェハへの衝突の
際に、同時に、イオンはチャンバ内壁にも衝突するた
め、チャンバ内のパーティクルの発生原因となってい
る。微細加工パターンが高密度、高集積化すると、例え
ばアルミニウムの配線パターンのエッチングを行う際に
は、配線間にパーティクルが存在すると、ショートの原
因となり、製品の歩留りを低下させてしまう一因とな
る。チャンバ内壁は、通常、イオン衝突から保護するた
めに、陽極酸化処理が施されているが、イオン衝突から
完全に保護することは非常に困難であった。例えば、タ
ングステンエッチバックの処理中に、ウェハ上に発生し
たパーティクルをＳＥＭ−ＥＤＸによって解析した結
果、アルミニウムが大量に発見された。この場合、被エ
ッチング材はタングステンであり、処理ガスは塩素系で
あり、陽極酸化されたアルミニウム製のチャンバ以外に
は、アルミニウムは存在していない。このことから、上
記のアルミニウムがＲＦ放電やチャンバ内に発生した異
常放電により、チャンバ内壁がスパッタされた結果発生
したものであることがわかる。
際に、同時に、イオンはチャンバ内壁にも衝突するた
め、チャンバ内のパーティクルの発生原因となってい
る。微細加工パターンが高密度、高集積化すると、例え
ばアルミニウムの配線パターンのエッチングを行う際に
は、配線間にパーティクルが存在すると、ショートの原
因となり、製品の歩留りを低下させてしまう一因とな
る。チャンバ内壁は、通常、イオン衝突から保護するた
めに、陽極酸化処理が施されているが、イオン衝突から
完全に保護することは非常に困難であった。例えば、タ
ングステンエッチバックの処理中に、ウェハ上に発生し
たパーティクルをＳＥＭ−ＥＤＸによって解析した結
果、アルミニウムが大量に発見された。この場合、被エ
ッチング材はタングステンであり、処理ガスは塩素系で
あり、陽極酸化されたアルミニウム製のチャンバ以外に
は、アルミニウムは存在していない。このことから、上
記のアルミニウムがＲＦ放電やチャンバ内に発生した異
常放電により、チャンバ内壁がスパッタされた結果発生
したものであることがわかる。
【０００５】一方、ドライエッチング装置では、処理中
のウェハ温度を精密に制御する必要から、静電チャック
が搭載されている。静電チャックは、ウェハの下に誘電
体を介した電極に直流の高電圧を印加することによっ
て、温度コントロールされた下部電極にウェハをクーロ
ン力によって吸着させる機構である。このような静電チ
ャックが搭載されたドライエッチング装置は、静電チャ
ックがクーロン力の発生源となり、静電チャックを動作
させるとウェハにパーティクルが吸着してしまう。たと
えば、エッチング装置によってシリコン酸化膜ＳｉＯ上
に積層されたタンングステンＷをエッチバックする際
に、図５に示すように、タンングステンＷ上にＡｌＦ
（フッ化アルミニウム）からなるパーティクルが吸着し
ていると、これがマスクとなって、たとえば６００ｎｍ
程度のタンングステンＷが残存してしまうといった不具
合が発生してしまう。
のウェハ温度を精密に制御する必要から、静電チャック
が搭載されている。静電チャックは、ウェハの下に誘電
体を介した電極に直流の高電圧を印加することによっ
て、温度コントロールされた下部電極にウェハをクーロ
ン力によって吸着させる機構である。このような静電チ
ャックが搭載されたドライエッチング装置は、静電チャ
ックがクーロン力の発生源となり、静電チャックを動作
させるとウェハにパーティクルが吸着してしまう。たと
えば、エッチング装置によってシリコン酸化膜ＳｉＯ上
に積層されたタンングステンＷをエッチバックする際
に、図５に示すように、タンングステンＷ上にＡｌＦ
（フッ化アルミニウム）からなるパーティクルが吸着し
ていると、これがマスクとなって、たとえば６００ｎｍ
程度のタンングステンＷが残存してしまうといった不具
合が発生してしまう。
【０００６】本発明は、上述のような問題に鑑みてなさ
れたものであって、チャンバ内のパーティクルの量を低
減することが可能な真空処理装置を提供することを目的
とする。
れたものであって、チャンバ内のパーティクルの量を低
減することが可能な真空処理装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、チャンバにチ
ャンバ内の気体を排気する排気手段が設けられた真空処
理装置であって、前記チャンバの排気部にクーロン力に
よってチャンバ内に存在するパーティクルを集塵する集
塵手段を有する。
ャンバ内の気体を排気する排気手段が設けられた真空処
理装置であって、前記チャンバの排気部にクーロン力に
よってチャンバ内に存在するパーティクルを集塵する集
塵手段を有する。
【０００８】本発明では、排気手段によるチャンバ内の
排気の際に、集塵手段によってチャンバ内に存在するパ
ーティクルが集塵されるため、チャンバ内のパーティク
ルの汚染を防ぐことができる。
排気の際に、集塵手段によってチャンバ内に存在するパ
ーティクルが集塵されるため、チャンバ内のパーティク
ルの汚染を防ぐことができる。
【０００９】前記集塵手段は、前記チャンバの排気部に
設けられた電極板と、前記電極板に高電圧を印加する電
圧印加手段とを有する。電極板に電圧を印加すると、電
極板が帯電し、クーロン力を発生することになり、パー
ティクルが電極板に吸着または吸引されることになる。
設けられた電極板と、前記電極板に高電圧を印加する電
圧印加手段とを有する。電極板に電圧を印加すると、電
極板が帯電し、クーロン力を発生することになり、パー
ティクルが電極板に吸着または吸引されることになる。
【００１０】前記電極板は、メッシュ状に形成されてい
る。電極板がメッシュ状に形成されていることから、チ
ャンバからの排気を妨げずに効率良く電極板にパーティ
クルを吸着させることができる。
る。電極板がメッシュ状に形成されていることから、チ
ャンバからの排気を妨げずに効率良く電極板にパーティ
クルを吸着させることができる。
【００１１】前記電圧印加手段は、前記電極板に負の電
圧を印加する。電極板に負の電圧を印加することによ
り、電極板は負に帯電する。これにより、正、負および
中性の電荷を帯びて空間を浮遊するパーティクルを吸
着、もしくは吸引して排気することができる。
圧を印加する。電極板に負の電圧を印加することによ
り、電極板は負に帯電する。これにより、正、負および
中性の電荷を帯びて空間を浮遊するパーティクルを吸
着、もしくは吸引して排気することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。第１実施形態 図１は、本発明の真空処理装置の一実施形態を示す構成
図である。なお、図１に示す真空処理装置１は、エッチ
ング装置に適用された場合を示している。ここで、エッ
チング装置とは、ウェハまたはウェハ表面上に形成され
た薄膜の全面または特定した場所を必要な厚さだけ食刻
する装置をいう。図１において、真空処理装置１は、チ
ャンバ２と、チャンバ２に接続されたガス供給装置１１
と、チャンバ２の排気用配管４に接続された排気装置２
１とを有している。
を参照して詳細に説明する。第１実施形態 図１は、本発明の真空処理装置の一実施形態を示す構成
図である。なお、図１に示す真空処理装置１は、エッチ
ング装置に適用された場合を示している。ここで、エッ
チング装置とは、ウェハまたはウェハ表面上に形成され
た薄膜の全面または特定した場所を必要な厚さだけ食刻
する装置をいう。図１において、真空処理装置１は、チ
ャンバ２と、チャンバ２に接続されたガス供給装置１１
と、チャンバ２の排気用配管４に接続された排気装置２
１とを有している。
【００１３】チャンバ２は、例えばアルミニウムから形
成されている。チャンバ２の排気部には、気密性を保っ
て排気用配管４が設けられ、この排気用配管４の管路に
は、金属製のメッシュ状（網状）の電極板６がインシュ
レータ（絶縁材）を介して設けられている。メッシュ状
電極板６のメッシュの大きさは、排気装置２１による排
気のコンダクタンスを妨げない程度のものとなってい
る。
成されている。チャンバ２の排気部には、気密性を保っ
て排気用配管４が設けられ、この排気用配管４の管路に
は、金属製のメッシュ状（網状）の電極板６がインシュ
レータ（絶縁材）を介して設けられている。メッシュ状
電極板６のメッシュの大きさは、排気装置２１による排
気のコンダクタンスを妨げない程度のものとなってい
る。
【００１４】排気用配管４の出口には、気密性を保って
排気装置２１が設けられている。排気装置２１には、例
えば、クライオポンプが使用され、チャンバ２内の気体
を外部へ排出して、チャンバ２内を減圧する。
排気装置２１が設けられている。排気装置２１には、例
えば、クライオポンプが使用され、チャンバ２内の気体
を外部へ排出して、チャンバ２内を減圧する。
【００１５】チャンバ２内には、下部電極１０が設けら
れ、下部電極１０上に誘電体１２と電極１４とからなる
静電チャック１３が設けられている。静電チャック１３
上には、ウェハＷが載置される。
れ、下部電極１０上に誘電体１２と電極１４とからなる
静電チャック１３が設けられている。静電チャック１３
上には、ウェハＷが載置される。
【００１６】ガス供給装置１１は、チャンバ２内にエッ
チングガスを導入する。エッチングガスは、エッチング
する対象膜に応じて種々異なる。
チングガスを導入する。エッチングガスは、エッチング
する対象膜に応じて種々異なる。
【００１７】下部電極１０には、高周波電源３１がスイ
ッチＳＷ１を介して接続されている。電極１４には、可
変ＤＣ電源４１がスイッチＳＷ２を介して接続されてい
る。メッシュ状電極板６には、スイッチＳＷ３を介して
ＤＣ電源５１が接続されている。
ッチＳＷ１を介して接続されている。電極１４には、可
変ＤＣ電源４１がスイッチＳＷ２を介して接続されてい
る。メッシュ状電極板６には、スイッチＳＷ３を介して
ＤＣ電源５１が接続されている。
【００１８】高周波電源３１は、プラズマ放電の励起用
として用いられる電源である。発振周波数としては、た
とえば１３．５６ＭＨｚである。可変ＤＣ電源４１は、
静電チャック１３の電極１４に任意の直流電圧を印加可
能な電源である。ＤＣ電源５１は、メッシュ状電極板６
に、比較的高い直流電圧を印加可能な電源であり、メッ
シュ状電極板６に負の電圧を印加する。
として用いられる電源である。発振周波数としては、た
とえば１３．５６ＭＨｚである。可変ＤＣ電源４１は、
静電チャック１３の電極１４に任意の直流電圧を印加可
能な電源である。ＤＣ電源５１は、メッシュ状電極板６
に、比較的高い直流電圧を印加可能な電源であり、メッ
シュ状電極板６に負の電圧を印加する。
【００１９】上記のスイッチＳＷ１〜ＳＷ３のオンオフ
制御は、制御装置２５によって行われる。すなわち、制
御装置２５は、制御信号Ｓ２５ａによって、スイッチＳ
Ｗ１を制御して下部電極１０に高周波電源３１の高周波
電圧を印加さえる。また、制御信号Ｓ２５ｂによってＳ
Ｗ２を制御して、静電チャック１３を動作させる。さら
に、制御信号Ｓ２５ｃによってスイッチＳＷ３を制御し
て、メッシュ状電極板６に高電圧を印加させる。
制御は、制御装置２５によって行われる。すなわち、制
御装置２５は、制御信号Ｓ２５ａによって、スイッチＳ
Ｗ１を制御して下部電極１０に高周波電源３１の高周波
電圧を印加さえる。また、制御信号Ｓ２５ｂによってＳ
Ｗ２を制御して、静電チャック１３を動作させる。さら
に、制御信号Ｓ２５ｃによってスイッチＳＷ３を制御し
て、メッシュ状電極板６に高電圧を印加させる。
【００２０】上記のように構成される真空処理装置１で
は、スイッチＳＷ２をオンすることにより、電極１４に
可変ＤＣ電源４１から直流電圧が印加され、電極１４の
表面は負に帯電し、誘電体１２の表面は正に帯電し、ウ
ェハＷの表面は負に帯電する。このとき発生するクーロ
ン力によって、ウェハＷは誘電体１２の表面に吸着保持
される。
は、スイッチＳＷ２をオンすることにより、電極１４に
可変ＤＣ電源４１から直流電圧が印加され、電極１４の
表面は負に帯電し、誘電体１２の表面は正に帯電し、ウ
ェハＷの表面は負に帯電する。このとき発生するクーロ
ン力によって、ウェハＷは誘電体１２の表面に吸着保持
される。
【００２１】そして、ガス供給装置１１から所定の種類
のエッチングガスＧをチャンバ２内に導入し、スイッチ
ＳＷ１をオンして下部電極１０に高周波電源３１によっ
て高周波電圧を印加し、排気装置２１によってチャンバ
２内を減圧すると、図１に示すように、プラズマＰＲが
発生する。このプラズマＰＲ中には、イオンとラジカル
とが発生する。このとき、イオンをウェハＷ上の被エッ
チング膜に衝突させ、ラジカルによってウェハ表面上で
化学反応を起こさせて、エッチングを進行させる。しか
しながら、高周波電源３１によるプラズマ放電によって
電離した反応ガスが、チャンバ２の内壁をスパッタし、
チャンバ２の内壁から解離したパーティクルは、図２に
示すように、正の電荷を帯びたパーティクルＰａ、負の
電荷を帯びたパーティクルＰｃまたは電気的に中性のパ
ーティクルＰｂとしてチャンバ２内を浮遊することにな
る。
のエッチングガスＧをチャンバ２内に導入し、スイッチ
ＳＷ１をオンして下部電極１０に高周波電源３１によっ
て高周波電圧を印加し、排気装置２１によってチャンバ
２内を減圧すると、図１に示すように、プラズマＰＲが
発生する。このプラズマＰＲ中には、イオンとラジカル
とが発生する。このとき、イオンをウェハＷ上の被エッ
チング膜に衝突させ、ラジカルによってウェハ表面上で
化学反応を起こさせて、エッチングを進行させる。しか
しながら、高周波電源３１によるプラズマ放電によって
電離した反応ガスが、チャンバ２の内壁をスパッタし、
チャンバ２の内壁から解離したパーティクルは、図２に
示すように、正の電荷を帯びたパーティクルＰａ、負の
電荷を帯びたパーティクルＰｃまたは電気的に中性のパ
ーティクルＰｂとしてチャンバ２内を浮遊することにな
る。
【００２２】この状態で、スイッチＳＷ３をオンして、
メッシュ状電極板６に負の高電圧を印加する。これによ
り、図２に示すように、メッシュ状電極板６は負に帯電
する。このため、チャンバ２内に存在する正の電荷を帯
びたパーティクルＰａは、クーロン力によってメッシュ
状電極板６に引き寄せられ、吸着される。また、負の電
荷を帯びたパーティクルＰｃおよび電気的に中性のパー
ティクルＰｂも負に帯電したメッシュ状電極板６に引き
寄せられ、排気装置２１による排気によってチャンバ２
の外部に排出される。
メッシュ状電極板６に負の高電圧を印加する。これによ
り、図２に示すように、メッシュ状電極板６は負に帯電
する。このため、チャンバ２内に存在する正の電荷を帯
びたパーティクルＰａは、クーロン力によってメッシュ
状電極板６に引き寄せられ、吸着される。また、負の電
荷を帯びたパーティクルＰｃおよび電気的に中性のパー
ティクルＰｂも負に帯電したメッシュ状電極板６に引き
寄せられ、排気装置２１による排気によってチャンバ２
の外部に排出される。
【００２３】したがって、本実施形態では、メッシュ状
電極板６を排気用配管４に設けたことにより、チャンバ
２内に存在するパーティクルを、クーロン力によって吸
着・吸引することができるため、チャンバ２内の汚染を
低減し、製品の歩留りを向上させることができる。
電極板６を排気用配管４に設けたことにより、チャンバ
２内に存在するパーティクルを、クーロン力によって吸
着・吸引することができるため、チャンバ２内の汚染を
低減し、製品の歩留りを向上させることができる。
【００２４】ここで、メッシュ状電極板６に印加するＤ
Ｃ電源５１による電圧の大きさについて説明する。上述
した静電チャック１３の電極１４に可変ＤＣ電源４１に
よって電圧を印加して動作させると、静電チャック１３
にもクーロン力が発生する。したがって、電荷をもった
パーティクルがウェハＷに吸着する。
Ｃ電源５１による電圧の大きさについて説明する。上述
した静電チャック１３の電極１４に可変ＤＣ電源４１に
よって電圧を印加して動作させると、静電チャック１３
にもクーロン力が発生する。したがって、電荷をもった
パーティクルがウェハＷに吸着する。
【００２５】これを防ぐために、メッシュ状電極板６に
印加するＤＣ電源５１による電圧を、静電チャック１３
の電極１４に印加する電圧よりも大きくする。これによ
って、メッシュ状電極板６には、静電チャック１３より
も大きなクーロン力が発生するため、電荷をもったパー
ティクルのウェハＷへの吸着を低減することができる。
印加するＤＣ電源５１による電圧を、静電チャック１３
の電極１４に印加する電圧よりも大きくする。これによ
って、メッシュ状電極板６には、静電チャック１３より
も大きなクーロン力が発生するため、電荷をもったパー
ティクルのウェハＷへの吸着を低減することができる。
【００２６】また、下部電極１０に高周波電源３１によ
って高周波電圧を印加すると、通常、ウェハＷの電位
は、−１００Ｖ以上の負の電位となる。このため、チャ
ンバ２内に浮遊する正の電荷を帯びたパーティクルは、
ウェハＷに引き寄せられてしまうことになる。これを防
ぐために、メッシュ状電極板６に印加するＤＣ電源５１
による電圧を、下部電極１０に高周波電源３１によって
高周波電圧を印加した際のウェハＷの電位よりも、負方
向に大きくなるような値とする。これによって、メッシ
ュ状電極板６には、より大きなクーロン力が発生するた
め、電荷をもったパーティクルのウェハＷへの吸着を低
減することができる。
って高周波電圧を印加すると、通常、ウェハＷの電位
は、−１００Ｖ以上の負の電位となる。このため、チャ
ンバ２内に浮遊する正の電荷を帯びたパーティクルは、
ウェハＷに引き寄せられてしまうことになる。これを防
ぐために、メッシュ状電極板６に印加するＤＣ電源５１
による電圧を、下部電極１０に高周波電源３１によって
高周波電圧を印加した際のウェハＷの電位よりも、負方
向に大きくなるような値とする。これによって、メッシ
ュ状電極板６には、より大きなクーロン力が発生するた
め、電荷をもったパーティクルのウェハＷへの吸着を低
減することができる。
【００２７】第２実施形態 スイッチＳＷ２をオンして、可変ＤＣ電源４１によって
電圧を電極１４に印加して静電チャック１３を作動させ
ると、静電チャック１３にもクーロン力が発生する。こ
のため、チャンバ２内に存在するパーティクルは静電チ
ャック１３に引き寄せられ、メッシュ状電極板６を排気
用配管４に設けたとしても外部に排出されない場合が考
えられる。
電圧を電極１４に印加して静電チャック１３を作動させ
ると、静電チャック１３にもクーロン力が発生する。こ
のため、チャンバ２内に存在するパーティクルは静電チ
ャック１３に引き寄せられ、メッシュ状電極板６を排気
用配管４に設けたとしても外部に排出されない場合が考
えられる。
【００２８】そこで、本実施形態では、図３に示すよう
なタイミングで、制御装置２５によるスイッチＳＷ１〜
ＳＷ３の操作を行う。具体的には、まず、制御装置２５
からの制御信号Ｓ２５ｃによってスイッチＳＷ３をオン
させる。これによって、メッシュ状電極板６は負に帯電
する。このとき、高周波電源３１および可変ＤＣ電源４
１は下部電極１０および電極１４に作用していないた
め、プラズマＰＲは発生しておらず、静電チャック１３
も作動していない。
なタイミングで、制御装置２５によるスイッチＳＷ１〜
ＳＷ３の操作を行う。具体的には、まず、制御装置２５
からの制御信号Ｓ２５ｃによってスイッチＳＷ３をオン
させる。これによって、メッシュ状電極板６は負に帯電
する。このとき、高周波電源３１および可変ＤＣ電源４
１は下部電極１０および電極１４に作用していないた
め、プラズマＰＲは発生しておらず、静電チャック１３
も作動していない。
【００２９】このため、この状態で既にチャンバ２内に
存在するパーティクルは、メッシュ状電極板６に吸着・
吸引され、チャンバ２内の汚染は低減される。
存在するパーティクルは、メッシュ状電極板６に吸着・
吸引され、チャンバ２内の汚染は低減される。
【００３０】そして、図３に示すように、所定時間経過
後に、制御装置２５からの制御信号Ｓ２５ｂによってス
イッチＳＷ２をオンさせ、電極１４に電圧を印加する。
これにより、静電チャック１３は作動し、ウエハＷが保
持された状態になる。このとき、静電チャック１３にク
ーロン力が働くが、チャンバ２内に存在したパーティク
ルは既にメッシュ状電極板６によって吸着・吸引されて
いるため、静電チャック１３にパーティクルが吸着され
ることは大幅に低減される。
後に、制御装置２５からの制御信号Ｓ２５ｂによってス
イッチＳＷ２をオンさせ、電極１４に電圧を印加する。
これにより、静電チャック１３は作動し、ウエハＷが保
持された状態になる。このとき、静電チャック１３にク
ーロン力が働くが、チャンバ２内に存在したパーティク
ルは既にメッシュ状電極板６によって吸着・吸引されて
いるため、静電チャック１３にパーティクルが吸着され
ることは大幅に低減される。
【００３１】次いで、制御装置２５からの制御信号Ｓ２
５ａによって、スイッチＳＷ１をオンさせ、下部電極１
０に高周波電圧を印加する。このとき、発生するプラズ
マＰＲ中のイオンがチャンバ２の内壁にスパッタして、
パーティクルが発生することが考えられる。しかしなが
ら、上述した第１実施形態のように、メッシュ状電極板
６に印加するＤＣ電源５１による電圧を、下部電極１０
に高周波電源３１によって高周波電圧を印加した際のウ
ェハＷの電位よりも、負方向に大きくなるような値とし
ておけば、ウェハＷへのパーティクルの吸着を抑制で
き、メッシュ状電極板６によって首尾よく吸着・吸引で
きる。
５ａによって、スイッチＳＷ１をオンさせ、下部電極１
０に高周波電圧を印加する。このとき、発生するプラズ
マＰＲ中のイオンがチャンバ２の内壁にスパッタして、
パーティクルが発生することが考えられる。しかしなが
ら、上述した第１実施形態のように、メッシュ状電極板
６に印加するＤＣ電源５１による電圧を、下部電極１０
に高周波電源３１によって高周波電圧を印加した際のウ
ェハＷの電位よりも、負方向に大きくなるような値とし
ておけば、ウェハＷへのパーティクルの吸着を抑制で
き、メッシュ状電極板６によって首尾よく吸着・吸引で
きる。
【００３２】なお、上述した実施形態では、本発明をエ
ッチング装置に適用した場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるわけではない。エッチング装置以
外にも、たとえば、半導体製造プロセスにおける、他の
薄膜形成装置にも広く適用可能である。
ッチング装置に適用した場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるわけではない。エッチング装置以
外にも、たとえば、半導体製造プロセスにおける、他の
薄膜形成装置にも広く適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明の真空処理装置によれば、チャン
バの排出部にクーロン力を発生する電極板を設けたこと
により、チャンバ内のパーティクルの量を大幅に低減す
ることが可能となる。
バの排出部にクーロン力を発生する電極板を設けたこと
により、チャンバ内のパーティクルの量を大幅に低減す
ることが可能となる。
【図１】本発明の真空処理装置の一実施形態を示す構成
図である。
図である。
【図２】図１に示す真空処理装置の排気部の様子を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】静電チャックとメッシュ状電極の動作タイミン
グを説明するための図である。
グを説明するための図である。
【図４】従来の真空処理装置の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図５】エッチング装置によりエッチバックする際に発
生する不具合を説明するための図である。
生する不具合を説明するための図である。
１…真空処理装置、２…チャンバ、４…排気用配管、６
…メッシュ状電極板、８…インシュレータ、１０…下部
電極、１２…誘電体、１３…静電チャック、１４…電
極、１１…ガス供給装置、２１…排気装置、３１…高周
波電源、４１…可変ＤＣ電源、５１…ＤＣ電源。
…メッシュ状電極板、８…インシュレータ、１０…下部
電極、１２…誘電体、１３…静電チャック、１４…電
極、１１…ガス供給装置、２１…排気装置、３１…高周
波電源、４１…可変ＤＣ電源、５１…ＤＣ電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (11)
- 【請求項１】チャンバにチャンバ内の気体を排気する排
気手段が設けられた真空処理装置であって、 前記チャンバの排気部にクーロン力によってチャンバ内
に存在するパーティクルを集塵する集塵手段を有する真
空処理装置。 - 【請求項２】前記集塵手段は、前記チャンバの排気部に
設けられた電極板と、 前記電極板に高電圧を印加する電圧印加手段とを有する
請求項１に記載の真空処理装置。 - 【請求項３】前記電極板は、メッシュ状に形成されてい
る請求項２に記載の真空処理装置。 - 【請求項４】前記電極板は、排気用の配管の内周に絶縁
体を介して設けられている請求項２に記載の真空処理装
置。 - 【請求項５】前記電圧印加手段は、前記電極板に負の電
圧を印加する請求項２に記載の真空処理装置。 - 【請求項６】前記チャンバ内には、ウェハを保持する静
電チャックが設けられている請求項１に記載の真空処理
装置。 - 【請求項７】前記静電チャックは、ウェハを載置する誘
電体と直流電圧が印加される電極とを有する請求項６に
記載の真空処理装置。 - 【請求項８】プラズマを発生させる高周波電極をさらに
有する請求項６に記載の真空処理装置。 - 【請求項９】前記電極板への印加電圧の大きさは、前記
静電チャックへの印加電圧より大きい請求項６に記載の
真空処理装置。 - 【請求項１０】前記電極板への印加電圧の大きさは、前
記高周波電極に高周波電圧が印加された際の前記ウェハ
の電位より大きい請求項８に記載の真空処理装置。 - 【請求項１１】前記電極板に電圧を印加したのち、所定
の時間経過後に静電チャックに電圧を印加する制御手段
を有する請求項６に記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28085997A JP3613947B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 真空処理装置とこれを用いた真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28085997A JP3613947B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 真空処理装置とこれを用いた真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121437A true JPH11121437A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3613947B2 JP3613947B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=17630975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28085997A Expired - Fee Related JP3613947B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 真空処理装置とこれを用いた真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3613947B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151495A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびそれを用いて作製した半導体装置 |
| US6423176B1 (en) | 1998-04-13 | 2002-07-23 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| WO2003083923A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement par plasma et plaque deflectrice de celui-ci |
| US6893532B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-05-17 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
| JP2009246172A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP28085997A patent/JP3613947B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423176B1 (en) | 1998-04-13 | 2002-07-23 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| US7045465B2 (en) | 1998-04-13 | 2006-05-16 | Nec Electronics Corporation | Particle-removing method for a semiconductor device manufacturing apparatus |
| US6893532B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-05-17 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
| JP2002151495A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびそれを用いて作製した半導体装置 |
| WO2003083923A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement par plasma et plaque deflectrice de celui-ci |
| US7109660B2 (en) | 2002-03-29 | 2006-09-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device and baffle plate thereof |
| CN100337313C (zh) * | 2002-03-29 | 2007-09-12 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其隔板 |
| JP2009246172A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3613947B2 (ja) | 2005-01-26 |
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