CN100337313C - 等离子体处理装置及其隔板 - Google Patents

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Abstract

提供了一种可提高处理区域内的处理气体排气效率，和可以可靠抑制等离子体泄漏的等离子体处理装置。磁控管式平行平板等离子体处理装置(30)具有处理室容器(3)；处理室容器(3)包括：在其顶部有多个气体导入孔的上部电极(1)；在其下部有顶部带有载置作为被处理体的半导体晶片(W)的载置面的下部电极(2)；和在下部电极(2)的顶部位置上，将处理室容器(3)内部隔离成处理区域(8)和排气区域(9)的隔离板(50)。隔离板(50)具有应将处理区域(8)内的处理气体排出至排气区域(9)的、连通处理区域(8)和排气区域(9)的多个气体通路孔(5a)；同时由非导电性部(5b)构成。在与气体通路孔(5a)相对的气体通路侧面(20b)上配置导电性部件(5c)。在导电性部件(5c)上，由电源(21)加电压(V)，使气体通路侧面(20b)的电位比处理区域面(20a)的电位高。

Description

等离子体处理装置及其隔板
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置及其隔板，特别是涉及使用等离子体进行蚀刻、表面改性和薄膜形成的处理的等离子体处理装置及其隔板。
背景技术
近年来随着半导体器件的微小化，半导体晶片要求高精度的加工技术。为了对这种半导体晶片进行高精度的微细加工，例如进行等离子体蚀刻加工，一般使用如图13所示的磁控管式平行平板等离子体处理装置。
图13为表示现有的磁控管式平行平板等离子处理装置的大概结构的图。
在图13中，等离子体处理装置80具有处理室容器81；在其顶部上具有上部电极82，在下部具有下部电极83，在该下部电极的顶部具有载置作为被处理体的半导体晶片W的载置面。处理室容器81在其下部电极83的顶部的位置上，具有隔离板86，它将处理室容器81内部隔离成处理区域84和排气区域85。上部电极82具有多个将处理气体导入处理区域84中的图中没有示出的气体导入孔。隔离板86具有应把处理区域84内的处理气体排出至排气区域85的多个气体通路孔86a，它将处理区域84和排气区域85出连通起来。
在该等离子体处理装置80中，利用激励的高频电场和配置在处理室容器81上部周围的环形永久磁铁87产生的平行磁场，产生高密度的等离子体。该高频电场是在通过设置在上部电极82中的气体导入孔而导入处理气体的处理区域84中，利用经匹配回路与下部电极83连接的高频电源(图中没有示出)，而在上部电极82和下部电极83之间激励得到的。
图14-图16为说明在图13的隔离板86的气体通过孔86a附近的处理区域内的处理气体的流动的图。
在图14中，在处理区域84中形成有利用在上部电极82和下部电极83之间激励的高频电场和与它垂直的平行磁场产生的等离子体40；在隔离板86附近形成屏蔽壳层45，产生屏蔽电场44。等离子体40由中性气体粒子41、带正电粒子42和带负电粒子43构成。另外，在对与图14不同的带电粒子没有电气的或磁性的制约的通常条件下(图中没有示出)，由于带电粒子进行与中性气体粒子41相同的运动，因此，可与中性气体粒子41成为浑然一体，从气体通过孔86a中排出。结果，产生从隔离板86向着等离子体40的总管部(排气区域85)的泄漏。由于该等离子体40的向着总管部的泄漏蚀刻总管部内壁构成部件，因此等离子体处理装置80的寿命短；同时，由于难以保持总管部的压力一定，因此要用配置在总管部上的压力控制用CM控制处理区域84内的压力困难。
当带正电粒子42和带负电粒子43在同一个方向运动时，等离子体40由于两极性扩散而进行运动。因此，通过抑制任何一种带电粒子的运动，可以防止等离子体40泄漏。作为一种方法，提出了通过利用在隔离板86上形成的电场，减少气体通过孔86a，设置基于电场形成障壁的方法。
但是，处理区域84内的处理气体的排出效率与等离子体40向排气区域85的泄漏抑制程度，成反比例关系，因此，如图15所示，在气体通过孔86a的直径小的情况下，防止带电粒子的泄漏，结果可以防止等离子体40的泄漏。但由于不允许中性的气体粒子41通过，不能排出处理区域84内的处理气体。又如图16所示，在气体通过孔86a的直径大的情况下，由于要维持屏蔽电场44的等电位面与隔离板86的处理区域侧面20a平行较困难，因此不能抑制等离子体40向排气区域85的泄漏。
如图14所示，由于在允许中性气体粒子41通过的同时，维持屏蔽电场44的等电位面与隔离板86的处理区域侧面20a平行，因此必需将隔离板86的气体通过孔86a的直径，设定在适当的范围内。
然而，由于图14所示气体通过孔86a的直径的最优范围很窄，而且由等离子体40的状态而变化，因此不能适当地设定气体通过孔86a的直径，要可靠地抑制处理区域内的处理气体的排出和等离子体的泄漏很困难。
本发明的目的是要提供一种可提高一种可提高处理区域内的处理气体的排出效率，和可以可靠地进行等离子体泄漏的抑制的等离子体处理装置及其隔板。
发明内容
为了达到上述目的，根据本发明的实施方式1提供了一种等离子体处理装置，它具有处理室容器，将上述处理室容器内部隔离成处理区域和排气区域的隔离部件，和进行放电的放电部件；处理区域被供给处理气体并且在该处理区域中处理被处理体；排气体区域是则排出存在上术处理区域中的上述被供给的气体；放电部件应将上述被供给的处理气体电离，生成由带电粒子和中性气体粒子构成的等离子体，并在上述处理区域内进行放电；其特征为，上述隔离部件将在该隔离部件附近的上述中性气体粒子的平均运动方向与上述带电粒子的平均运动方向分离。
在该实施方式1中，优选上述隔离板装置由隔离板构成，该隔离板有上述中性气体粒子通过的开口，在与上述处理区域相对的处理区域相对面上具有非导电性部；而在与上述处理气体的从上述处理区域至上述排气区域的流动相对的气流流动相对面上具有导电性部；给上述导电性部加上给定的电压，使上述气体流动相对面的电位比与上述处理区域相对面的电位高。
在该实施方式1中，优选，设定上述给定电压，使上述气体流动相对面的电位比上述等离子体的电位高。
在该实施方式1中，优选，设定上述给定电压，以使由与上述气体流动相对的面上的电位和上述等离子体的电位的差所定义的电位差所产生的电能，不超过上述放电开始所必需的最低能量。
在该实施方式1中，上述隔离部件由向上述处理区域侧和上述排气区域侧交互地成为凸形地弯曲的波形隔板部件构成；上述隔板部件优选在各个法面上具有气体通路孔。
在该实施方式1中，优选，设定上述隔板部件的多个凸部彼此的距离，使在上述隔板部件附近产生的屏蔽电场的等电位面实质上不侵入由与上述处理区域侧相对的上述多个凸部彼此而在其间形成的空间中。
在该实施方式1中，优选，上述处理区域侧的多个弯曲部彼此的间隔大小是在上述隔板部件附近形成的屏蔽电场厚度的大约二倍或者其以下。
在该实施方式1中，优选，上述隔离部件由配置在上述处理区域侧的一隔板部件和配置在上述排气区域侧的另一隔板部件构成，当从上述处理区域看时，上述一隔板部件和上述另一隔板部件互相错开。
在该实施方式1中，优选，当从上术处理区域侧看时，上述一隔板部件和上述另一隔板部件遮蔽上述排气区域，并且互相离开配置，以形成上述中性气体粒子通过的空间。
在该实施方式1中，优选，上述一隔板部件和上述另一隔板部件为平板。
在该实施方式1中，优选，上述另一隔板部件的面积和由与上述另一隔板部件对应的多个上述一隔板部件彼此在其间形成的气体通过口的总面积大致相同或在其以上；由多个上述另一隔板部件彼此在其间形成的另一气体通过口的总面积，与上述气体通过口的总面积大致相同或在其以上。
在该实施方式1中，优选，上述一隔板部件和另一隔板部件为平板形。
在该实施方式1中，优选，上述一隔板部件和上述另一隔板部件的各个分别为具有多个通孔的环形部件。
在该实施方式1中，优选，上述多个通孔配置在上述环形部件的同心圆上。
在该实施方式1中，优选，从上述处理区域看，上述一隔板部件的通孔与上述另一隔板部件的通孔互相错开。
在该实施方式1中，优选，上述一隔板部件和上述另一隔板部件中的至少一方在与上述处理区域相对的处理区域相对面上具有非导电性部；而在与上述处理气体从上述处理区域至上述排气区域的流动相对的气体流动相对面上具有导电性部；给上述导电性部加上给定电压，使上述气体流动相对面的电位比上述处理区域相对面上的电位高。
在该实施方式1中，优选，设定上述给定电压，使上述气体流动相对面的电位比上述等离子体的电位高。
在该实施方式1中，优选，设定上述给定电压，使由上述气体流动相对面的电位和上述等离子体的电位差定义的电位差所产生的电能不超过上述放电开始所必需的最低能量。
为了达到上述目的，根据本发明的实施方式2提供了一种隔板，与由将供给到等离子体处理装置的处理室容器的处理气体电离而生成的中性气体粒子和带电粒子构成的等离子体处理被处理体的处理区域接触且具有排气时上述处理气体通过的流路；其特征为，可将在该隔板附近的上述中性气体粒子的平均运动方向和上述带电粒子的平均运动方向分离。
在该实施方式2中，优选，具有上述中性气体粒子通过的开口，在与上述处理区域接触的处理区域接触面有非导电性部，而在与上述排出的处理气体的流动相对的气体流动相对面具有导电性部；将上述导电性部加给定电压使上述气体流动相对面的电位比上述处理区域接触面的电位高。
在该实施方式2中，优选，设定上述给定电压，使上述气体流动相对面的电位比上述等离子体的电位高。
在该实施方式2中，优选，设定上述给定电压，使由上述气体流动相对面上的电位和上述等离子体的电位差所定义的电位差所产生的电能不超过上述放电所必需的最低能量。
在该实施方式2中，优选，它呈现由与上述处理区域相对的多个凸部构成的波形，在该波面的法面上具有气体通路孔。
在该实施方式2中，优选，设定上述多个凸部彼此的距离，使在上述隔板部件附近产生的屏蔽电场的等电位面实质上不侵入由上述多个凸部彼此在其间形成的空间。
在该实施方式2中，优选，上述多个凸部彼此的距离是在上述隔板部件附近形成的屏蔽电场厚度的二倍或者其以下。
在该实施方式2中，优选，由与上述处理区域接触的上述一隔板部件和经上述一隔板部件与上述处理区域相对的另一隔板部件构成，当从上述处理区域看时，上述一隔板部件和上述另一隔板部件互相错开。
在该实施方式2中，优选，上述一隔板部件和上述另一隔板部件遮蔽从上述处理区域侧的眺望，并且互相错开配置，以形成上述中性气体粒子可通过的空间。
在该实施方式2中，优选，上述一隔板部件和上述另一隔板部件为平板。
在该实施方式2中，优选，上述另一隔板部件的面积是由与上述另一隔板部件对应的多个上述一隔板部件彼此地其间形成的气体通过口的总面积大致相同或其以上；由多个上述另一隔板部件彼此而在其间形成的另一气体通过口的总面积，大致与上述气体通过口的总面积相同或在其以上。
在该实施方式2中，优选，上述一隔板部件和另一隔板部件为平板形。
在该实施方式2中，优选，上述一隔板部件和上述另一隔板部件的各个分别为具有多个通孔的环形部件。
在该实施方式2中，优选，上述多个通孔配置在上述环形部件的同心圆上。
在该实施方式2中，优选，从上述处理区域看，上述一隔板部件的通孔与上述另一隔板部件的通孔互相错开。
在该实施方式2中，优选，上述一隔板部件和上述另一隔板部件中的至少一方在与上述处理区域相对的处理区域接触面具有非导电性部；而在与上述排出的处理气体的流动相对的气体流动相对面具有导电性部，向上述导电性部加给定电压，使上述气体流动相对面的电位比上述处理区域接触面的电位高。
在该实施方式2中，优选，设定上述给定电压，使上述气体流动相对面的电位比上述等离子体的电位高。
在该实施方式2中，优选，设定上述给定电压，使由上述气体流动相对面的电位与上述等离子体的电位的差所定义的电位差所产生的电能不超过放电所必需的最低能量。
附图说明
图1为表示本发明的实施方式1的等离子体处理装置的大致结构的图。
图2为图1所示隔离板的截面图。
图3为表示本发明的实施方式2的等离子体处理装置的大致结构的图。
图4为图3所示的波形隔板部件的截面图。
图5为表示本发明的实施方式3的等离子体处理装置的大致结构的图。
图6为沿着图5的VI-VI线的截面图。
图7为沿着图6的VII-VII线的截面图。
图8为表示图5所示的等离子体处理装置的变形例子的大致结构的图。
图9为沿着图8的IX-IX线的截面图。
图10为表示本发明的实施方式4的等离子体处理装置的大致结构的图。
图11A为表示构成图10所示的多层隔板部件的第一隔板的大致结构的图。
图11B为表示构成图10所示的多层隔板部件的第二隔板的大致结构的图。
图11C为表示图10所示多层隔板部件的大致结构的图。
图12为沿着图11C的XVI-XVI线的截面图。
图13为表示现有的磁控管式平行平板等离子体处理装置的大致结构的图。
图14为说明在图13的隔离板的气体通过孔附近的处理区域内的处理气体的流动的图。
图15为说明在图13的隔离板的气体通过孔附近的处理区域内的处理气体的流动的图。
图16为说明在图13的隔离板的气体通过孔附近的处理区域内的处理气体的流动的图。
具体实施方式
以下详细说明本发明的实施方式的等离子体处理装置的结构和作用。
图1为表示本发明的实施方式1的等离子体处理装置的大致结构的图。
在图1中，磁控管式平行平板等离子体处理装置30具有圆筒形的处理室容器3，在处理室容器3的项部具有上部电极1，在其下部具有圆筒形的下部电极2。在该下部电极的顶部具有载置作为被处理体的半导体晶片W的载置面。下部电极2在与上部电极1之间形成用于等离子体处理半导体晶片W的适当的间隔，而且大致与上部电极1平行地配置。处理室容器3在下部电极2的付近且在比顶部靠下的位置上具有将处理室容器3的内部隔离成处理区域8和排气区域9的隔离板50(隔离部件，隔板)。上部电极1具有将处理气体导入处理区域8中的图中没有示出的气体导入孔。隔离板50具有应将处理区域8内的处理气体排出至排气区域9中的、连通处理区域8和排气区域9的多个气体通路孔5a。处理室容器3的下部有排气口4，它与通过排气区域9使处理区域8减压排气用的图中没有示出的真空泵连接。
相对于上部电极1接地，至少一个高频电源6通过匹配回路7与下部电极2连接，在处理室容器3的上部周围配置环形的永久磁铁10。
在该等离子体处理装置30中，通过设置在上部电极1的气体导入孔导入处理气体的处理区域8，利用真空泵，通过气体通路孔5a和排气区域9减压排气，控制至给定压力。另外，高频电源6在上部电极1和下部电极2之间，在处理区域8中，激励高频电场；永久磁铁10则产生与该高频电场垂直的平行磁场，利用这些相垂直的高频电场和平行电场产生高密度的等离子体。
图2为图1所示的隔离板50的截面图。
在图2中，隔离板50由非导电性部件5b制成，而在与气体通路孔5a相对的气体通路侧面20b上配置有导电性部件5c。这样，与处理区域8相对的处理区域面20a呈现非导电性，而与气体通路孔5a相对的气体通路侧面20b呈现导电性。
利用电源21将给定电压V加在导电性部件5c上，使气体通路侧面20b的电位成为比处理区域面20a的高。优选，设定该给定电压。使气体通路侧面20b的电位比等离子体40的电位高；另外优选使由气体通路侧面20b的电位和等离子体40的电位的差定义的电位差所产生的电能不超过处理区域内的处理气体的放电开始所必需的最低能量。
处理区域内的处理气体开始放电所必需的最低能量，在处理气体为由C4F8、O2、Ar构成的情况下，为Ar的准稳定电位即11.53eV，另外，在处理气体由HBr、O2构成的情况下，由于HBr离子化的能11.71eV比O2的离子化能12.07eV小，因此该最低能量为HBr的离子化能11.71eV。
由于上述结构使在隔离板50附近产生的屏蔽电场44在A方向具有正的斜度，在B的方向具有负的斜度，在C方向具有正的斜度，在D方向具有负的斜度，因此从处理区域8侧向着排气区域9运动的带正电粒子42被屏蔽电场44阻止，返回至处理区域8侧，轨道向隔离板50的处理区域面20a弯曲，另外，带负电的粒子43向气体通路侧面20b的方向弯曲。另一方面，中性气体粒子41由于不受屏蔽电场44的制约，可通过气体通路孔5a，向排气区域9移动。这样，隔离板50不抑制中性气体粒子41的运动，而抑制由带正电的粒子42和带负电的粒子43构成的带电粒子的运动，将中性气体粒子41和带电粒子分离。
采用上述实施方式1，由于隔离板50将中性气体粒子41和带电粒子分离，可以分离中性气体粒子41的平均运动方向和带电粒子的平均运动方向。还可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可以可靠地抑制等离子体40的泄漏，可以抑制总管部(排气区域9)的内壁的构成部件的蚀刻，延长等离子体处理装置30的寿命，同时容易控制处理区域8内的压力。
在上述实施方式1中，隔离板50由非导电性部件5b和导电性部件5c构成，但不是仅限于此。处理区域面20a为非导电性的，气体通路侧面20b为导电性的也可以，例如，利用作为导电性材料的铝等金属制造隔离板，利用氧化铝、作为与铝等金属不同成分的氧化钇或聚酰亚胺有机化合物等非导电性材料覆盖处理区域面20a也可以。
另外，在上述实施方式1中，以处理区域内的处理气体开始放电所必需的最低能量为基准，规定由以气体通路侧面20b的电位和等离子体40的电位的差而定义的电位差所产生的电能，也可以用处理区域内的处理气体离子化能量中最小的能量为基准。
图3为表示本发明的实施方式2的等离子体处理装置的大致结构的图。
实施方式2的结构与上述实施方式1的基本上相同，相同的结构部件用相同的符号表示，省略重复说明。以下只说明不同的部分。
在图3中，磁控管式平行平板等离子体处理装置30具有将处理室容器3内部隔离成处理区域8和排气区域9的波形隔板部件50′(隔离部件，隔板)。
图4为图3的波形隔板部件50′的截面图。
在图4中，波形隔板部件50′形成在处理区域8侧和排气区域9侧交互成为凸形地在弯曲部71、72弯曲的波形形状。该波形隔板部件50′在各个法面73上具有与排出的处理区域内的处理气体的流动方向垂直的气体通路孔53a。
为了将屏蔽电场44的等电位面维持为水平，优选弯曲部71的间隔A大致为屏蔽层45的厚度的2倍或以下。
波形隔板部件50′可起维持屏蔽电场44的等电位面大致与所排出的处理区域内的处理气体的流动方向的方向垂直的面74平行，同时抑制带正电粒子42的流动的物理障碍的作用，具有调整相对该流动的流导的作用。这样，带负电的粒子43被屏蔽电场44阻挡，回到等离子体40中；带正电的粒子42相对于波形隔板部件50′在垂直方向运动，被弯曲部72捕获。另一方面，不受屏蔽电场44制约的中性气体粒子41自由地改变运动方向，通过气体通路孔53a。这样，波形隔板部件50′不抑制中性气体粒子41的运动，而抑制由带正电的粒子42和带负电的粒子43构成的带电粒子的运动方向，将中性气体粒子41和带电粒子分离。
采用上述实施方式2，由于隔离板50′将中性气体粒子41和带电粒子分离，可以分离中性气体粒子41的平均运动方向和带电粒子的平均运动方向。还可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可以可靠地抑制等离子体40的泄漏，可以抑制总管部(排气区域9)的内壁的构成部件的蚀刻，延长等离子体处理装置30的寿命，同时容易控制处理区域8内的压力。
图5为表示本发明的实施方式3的等离子体处理装置的大致结构的图。
实施方式3的结构，基本上与上述实施方式1相同。相同的结构部件用相同的符号表示，省略重复说明。以下只说明不同的部分。
在图5中，磁控管式平行平板等离子体处理装置30具有将处理室容器3内部隔离成处理区域8和排气区域9的多层隔板部件50″(隔离部件，隔板)。如图6所示，该多层隔板50″具有以等角度间隔安装在下部电极2的外周侧面上的多个第一板状隔板51；和以等角度间隔安装在处理室容器3的内周壁上的多个第二板状隔板52。在图5中，第一隔板51设置在处理区域8侧，第二隔板52设置在排气区域9侧，但其配置也可以相反。
从处理室容器3的半径方向看，第一隔板51和第二隔板52成交互并排的锯齿形排列。当从处理区域8侧看时，第一隔板51和第二隔板52遮蔽排气区域9，并且离开配置，具有只可通过中性气体粒子41的间隔，该间隔与从处理区域8向着排气区域9的方向有关。
图7为沿着图6的VII-VII线的截面图。
在图7中，多层隔板部件50″具有由多个第一隔板51彼此在其之间形成的气体通路51a(气体通过口)和由多个第二隔板52彼此在其间形成的气体通路52a(气体通过口)，适当设定其间隔，使屏蔽电场44的等电位面大致与第一隔板51和第二隔板52维持平行。
另外，希望第二隔板52的面积是大致与和第二隔板对应的第一隔板51的气体通路51a的总开口面积相同或在其以上；第二隔板52间的气体通路52a的总开口面积大致与和第二隔板对应的第一隔板51的气体通路51a的总开口面积相同或在其以上。
利用上述结构，多层隔板部件50″具有维持屏蔽电场44的等电位面大致与第一隔板51和第二隔板52平行的同时，抑制带正电粒子42的流动的物理障碍的作用。这样，带负电的粒子43被屏蔽电场44阻挡，返回至等离子体40中，而带正电的粒子42则在与第一隔板51和第二隔板52垂直的方向上运动，被第一隔板51或第二隔板52弹回。另一方面，不受屏蔽电场44的制约的中心气体粒子41自由地改变运动方向，通过气体通路51a，52a。这样，多层隔板部件50″不抑制中性气体粒子41的运动，而使由带正电的粒子42和带负电的粒子43组成的带电粒子弹回，将中性气体粒子41与带电粒子分离。
另外，如上述实施方式1，第一隔板51和第二隔板52的饿各个也可以分别具有非导电性部件和导电性部件，使与处理区域8相对的处理区域面呈非导电性，使与气体通路51a、52a相对的气体通路侧面呈导电性。
采用上述实施方式3，由于多层隔板部件50″将中性气体粒子41和带电粒子分离，可以分离中性气体粒子41的平均运动方向和带电粒子的平均运动方向，还可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可以可靠地抑制等离子体40的泄露，可以抑制总管部的内壁构成部件的蚀刻，延长等离子体处理装置30的寿命，同果容易控制处理区域8内的压力。
在上述实施方式3中，多层隔板部件50″由第一隔板51和第二隔板52的两列构成，但不是仅限于此。如图8和图9所示，利用4列以等角度间隔安装在下部电极2的外围侧面上的多个板状隔板61、62、63、64；或4列等角度间隔安装在处理室3的内周壁上的多个板状隔板61、62、63、64构成，也可以；只要至少用2列以上构成就可以。
在上述实施方式3中，利用板状隔板作为第一隔板51、第二隔板52，但不是仅限于此。
图10为表示本发明的实施方式4的等离子体处理装置的大致结构的图。
实施方式4的结构基本上与实施方式1相同，相同的结构部件用相同的符号表示，省略重复说明。以下只说明不同的部分。
在图10中，磁控管式平行平板等离子体处理装置30具有将处理室容器3内部隔离成处理区域8和排气区域9的多层隔板部件140(隔离部件，隔板)。多层隔板部件140具有设置出多个通孔150的环状第一隔板141(图11A)，和设置出多个通孔151的环状第二隔板142(图11B)。在第一隔板141上，通过将多个通孔150以等角度间隔配置在同一个圆周上，构成一排通孔列，在第二隔板142上，通过将多个通孔151以等角度间隔且两个地配置在同一圆周上，构成二排的通孔列。
通常，第一隔板141配置在处理区域8侧，第二隔板142配置在排气区域9侧，但其配置也可以相反。然而，在任何一种配置中，当从处理区域8看多层隔板部件140时，通孔150和通孔151不连通，可以调整第一隔板141和第二隔板142互相在圆周方向的相对位置(图11C)。另外，应确保第一隔板141和第二隔板142的从处理区域8向着排气区域9的方向的间隔在1mm以上，以确保中性气体粒子41可以通过。
图12为沿着图11C的XVI-XVI线的截面图。
在图12中，多层隔板部件140具有由通孔150、被第一隔板141和第二隔板142夹住的空间160和通孔151构成的气体通路。如上所述，从处理区域8看时，通孔150和通孔151互相错开，因此，该气体通路是曲折的。
另外，为了对屏蔽电场44的等电位面维持大致与第一隔板141平行，通孔150的孔径设置成φ30mm。为了将中性气体粒子41的排气效率保持在一定以上，通孔151的孔径设置成φ19mm。这样，多层隔板部件140可起抑制在与第一隔板141和第二隔板142垂直的方向上移动的带电粒子的流动的物理障碍的作用，同时可维持屏蔽电场44的等电位面大致与第一隔板141平行。
这时，由于对带负电的粒子43从屏蔽电场44作用返回等离子体40方向的负荷；而对带正电的粒子42从屏蔽电场44作用向着第一隔板141和第二隔板142而在垂直方向运动的负荷，因此，带正电的粒子42到达第一隔板141或第二隔板142，在该到达的地方向处理区域8弹回。另外，中性气体粒子41由于不受屏蔽电场44的制约，可以在多层隔板部件140附近自由地改变运动方向，通过上述曲折的气体通路。
这样，多层隔板部件140不抑制中性气体粒子41的运动，而使带正电的粒子42弹回，因此可将中性气体粒子41和带电粒子分离。
另外，作为第一隔板141和第二隔板142的材料，作为非导电性的Al2O3或Al较好，也可以如上述实施方式1那样，可以具有非导电性部件和导电性部件，使与处理区域8相对的处理区域面20a为非导电性，使与通孔150、151相对的气体通路侧面为导电性的。
采用上述实施方式4，多层隔板部件140将中性气体粒子41和带电粒子分离，可分离中性气体粒子41的平均运动方向和带电粒子的平均运动方向。还可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可以可靠地抑制等离子体40的泄漏，可以抑制总管部的内壁构成部件的蚀刻，延长等离子体处理装置30的寿命，同时容易控制处理区域8内的压力。
在上述实施方式4中，多层隔板部件140由第一隔板141和第二隔板142共两个构成，但不是仅限于此；也可以是采用串联配置的至少三个以上的隔板也可以。
在上述本发明的实施方式中，使用磁控管式的平行平板型等离子体处理装置30，但不是仅限于这种方式的等离子体处理装置30。如果是必需将等离子体40封闭在处理区域8内的等离子体装置，则也可以为其他方式的等离子体处理装置。
产业上利用的可能性
如以上详细说明的那样，采用本发明的等离子体处理装置，由于隔离部件将中性气体粒子的平均运动方向与带电粒子的平均运动方向分离，可以将中性气体粒子集团的运动方向与带电粒子集团的运动方向分离，而且，还可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可以可靠地抑制等离子体的泄漏，可以抑制总管部的内壁构成部件的蚀刻，延长等离子体处理装置的寿命，同时容易控制处理区域内的压力。
采用本发明的等离子体处理装置，由于在导电性部上加上给定电压，使气体流动相对面的电位比与处理区域相对面的其他电位高，因此可以不抑制中性气体粒子的运动，而抑制带电粒子的运动，将中性气体粒子和带电粒子的平均的运动方向分离，而且可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，及可靠的抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的等离子体处理装置，由于气体流动相对面的电位比等离子体的电位高，因此可以可靠地控制带电粒子的运动方向。
采用本发明的等离子体处理装置，由于由气体流动相对面的电位和等离子体的电位的差而定义的电位差所产生的电能不超过放电开始所必需的最低能量，因此可以预先防止处理区域内的处理气体的不需要的放电。
采用本发明的等离子体处理装置，由于隔离部件由在处理理区域侧和排气区域侧交互成为凸形地弯曲的波形隔板部件构成，隔板部件在各个法面上有气体通路孔，因此可以不抑制中性气体粒子的运动，而抑制带电粒子的运动，将中性气体粒子和带电粒子分离，而且可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，及可靠的抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的等离子体处理装置，由于隔板部件的多个凸部彼此的距离设定为实质上使在隔板部件附近产生的屏蔽电场的等电位面不侵入由与处理区域侧相对的多个凸部彼此在其间形成的空间，因此可使带正电的粒子在与隔板层垂直的方向运动。
采用本发明的等离子体处理装置，由于处理区域的多个弯曲部的间隔为在隔板部件附近形成的屏蔽电场厚度的大约2倍或其以下，因此可使屏蔽电场的等电位面维持大致与相对排出的处理区域内的处理气体的流动方向而垂直的面平行。
采用本发明的等离子体处理装置，由于由配置在处理区域侧的一隔板部件和配置在排气区域侧的另一隔板部件构成，从处理区域看一隔板部件和另一隔板部件互相错开，因此可以不抑制中性气体粒子的运动，而使带电粒子弹回，将中性气体粒子和带电粒子分离，而且可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，及可靠的抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的等离子体处理装置，由于从处理区域侧看时，一隔板部件和另一隔板部件遮蔽排气区域，并且互相分离配置以形成中性气体粒子可通过的空间，因此可提高处理区域内的处理气体排气效率和可靠地抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的等离子体处理装置，由于另一隔板部件的面积和由与另一隔板部件对应的多个隔板部件彼此在其间形成的气体通过口的总面积大致相等或其以上，而由多个另一隔板部件彼此在其间形成的另一气体通过口的总面积与上述气体通过口的总面积大致相等或其以上，因此可提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可靠地抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的等离子体处理装置，由于一隔板部件和另一隔板部件的各个，分别为具有多个通孔的环形部件，因此可以更可靠地提高处理区域内的处理气体的排气效率。
采用本发明的等离子体处理装置，由于从处理区域看，一隔板部件的通孔和另一隔板部件的通孔互相错开，因此可以更可靠地抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的隔板，由于将在该隔板附近的中性气体粒子的平均运动方向与带电粒子的平均运动方向分离，可以将中性气体粒子集团的运动方向与带电粒子集团的运动方向分离，而且，还可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可以可靠地抑制等离子体的泄漏，可以抑制总管部的内壁构成部件的蚀刻，延长等离子体处理装置的寿命，同时容易控制处理区域内的压力。
采用本发明的隔板，由于具有中性气体粒子通过的开口，在与处理区域接触的处理区域接触面上有非导电性部，在与排出的处理气体的流动相对的气体流动相对面上有导电性部，给导电性部加上给定电压，使气体流动相对面的电位比处理区域接触面的电位高，因此可以不抑制中性气体粒子的运动，而抑制带电粒子的运动，将中性气体粒子和带电粒子的平均运动方向分离，可提高处理区域内的处理气体的排气效率和可靠地抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的隔板，由于气体流动相对面的电位比等离子体的电位高，因此可以更可靠地控制带电粒子的运动方向。
采用本发明的隔板，规定电压是由气体流动相对面的电位和等离子体的电位的差而定义的电位差所产生的电能不超过放电所必需的最低能量，因此可以预先防止处理区域内的处理气体的不需要的放电。
采用本发明的隔板，由于呈现由与处理区域相对的多个凸部构成的波形，在该波面的法面上具有气体通路孔，因此不抑制中性气体粒子的运动，而抑制带电粒子的运动，可使中性气体粒子与带电粒子分离，而且可提高处理区域内的处理气体的排气效率，可靠地控制等离子体的泄漏。
采用本发明的隔板，由于多个凸部彼此的距离设定为实质上在隔板部件附近产生的屏蔽电场的等电位面实质上不侵入由多个凸部彼此在其间形成的空间，因此可使带正电的粒子在与隔板垂直的方向运动。
采用本发明的隔板，由于多个凸部彼此的距离为在隔板附近产生的屏蔽电场的厚度的大致二倍或其以下，因此可使屏蔽电场的等电位面维持与相对排出的处理气体流动方向而垂直的面大致平行。
采用本发明的隔板，由与处理区域接触的一隔板部件和经一隔板部件与处理区域相对的另一隔板部件构成，从处理区域看，一隔板部件和另一隔板部件互相错开，因此可以不抑制中性气体粒子的运动，而使带电粒子弹回，将中性气体粒子和带电粒子分离，而且可以提高处理区域内的处理气体的排气效率，并可靠的抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的隔板，由于一隔板部件和另一隔板部件遮蔽从处理区域侧的眺望，并且互相分离配置以形成中性气体粒子可通过的空间，因此可提高处理区域内的处理气体排气效率和可靠地抑制等离子体的泄漏。
采用本发明的隔板，由于另一隔板部件的面积是由与另一隔板部件对应的多个隔板部件彼此在其间形成的气体通过口的总面积大致相等或更大，而由多个另一隔板部件彼此在其间形成的另一气体通过口的总面积与上述气体通过口的总面积大致相等或更大，因此可提高处理区域内的处理气体的排气效率，和可靠地抑制离子体的泄漏。
采用本发明的隔板，由于一隔板部件和另一隔板部件，分别为具有多个通孔的环形部件，因此可以更可靠地提高处理区域内的处理气体的排气效率。
采用本发明的挡泥板，由于从处理区域看，一隔板部件的通孔和另一隔板部件的通孔互相错开，因此可以更可靠地抑制等离子体的泄漏。

Claims (36)

1、一种等离子体处理装置，其特征为，具有：
处理室容器；将所述处理室容器内部隔离成供给处理气体且处理被处理体的处理区域和排出存在于所述处理区域内的所述被供给的气体的排气区域的隔离部件；和应将所述供给的处理气体电离而生成由带电粒子和中性气体粒子构成的等离子体，并在所述处理区域内进行放电的放电部件，
所述隔离部件由隔离板形成，该隔离板具有所述中性气体粒子通过的开口(5a)、在与所述处理区域(8)相对的处理区域相对面(20a)具有非导电性部(5b)、在与所述处理气体的从所述处理区域(8)至所述排气区域的流动相对的气体流动相对面(20b)具有导电性部(5c)，
所述隔离部件将在该隔离部件附近的所述中性气体粒子的平均运动方向与所述带电粒子的平均运动方向分离。
2、如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征为，
给所述导电性部加上给定的电压，使所述气体流动相对面的电位比与所述处理区域相对面的电位高。
3、如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征为，
设定所述给定电压，使所述气体流动相对面的电位比所述等离子体的电位高。
4、如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征为，
设定所述给定电压，使由所述气体流动相对面的电位和所述等离子体的电位的差定义的电位差所产生的电能，不超过所述放电开始所必需的最低能量。
5、如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述隔离部件由在所述处理区域侧和所述排气区域侧交互成为凸形地弯曲的波形隔板部件构成；所述隔板部件在各个法面具有气体通路孔。
6、如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征为，
设定所述隔板部件的多个凸部彼此的距离，使在所述隔板部件附近产生的屏蔽电场的等电位面实质上不侵入由与所述处理区域侧相对的所述多个凸部彼此在其间形成的空间。
7、如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征为。
所述处理区域侧的多个弯曲部彼此的间隔为在所述隔板部件附近形成的屏蔽电场厚度的大约二倍或其以下。
8、如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述隔离部件由配置在所述处理区域侧的一隔板部件和配置在所述排气区域侧的另一隔板部件构成，当从所述处理区域看时，所述一隔板部件和所述另一隔板部件互相错开。
9、如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征为，
当从所述处理区域侧看时，所述一隔板部件和所述另一隔板部件遮蔽所述排气区域，并且互相离开配置以形成所述中性气体粒子可通过的空间。
10、如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述一隔板部件和所述另一隔板部件为平板。
11、如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述另一隔板部件的面积是和由与所述另一隔板部件对应的多个所述一隔板部件彼此在其间形成的气体通过口的总面积大致相同或其以上；由多个所述另一隔板部件彼此在其间形成的另一气体通过口的总面积大致与所述气体通过口的总面积相同或为其以上。
12、如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述一隔板部件和另一隔板部件为平板形。
13、如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述一隔板部件和所述另一隔板部件的各个分别为具有多个通孔的环形部件。
14、如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述多个通孔配置在所述环形部件的同心圆上。
15、如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征为，
从所述处理区域看，所述一隔板部件的通孔与所述另一隔板部件的通孔互相错开。
16、如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征为，
所述一隔板部件和所述另一隔板部件的至少一方是，在与所述处理区域相对的处理区域相对面具有非导电性部，而在与所述处理气体的从所述处理区域至所述排气区域的流动相对的气体流动相对面具有导电性部；给所述导电性部加上给定电压，使所述气体流动相对面的电位比与所述处理区域相对面的电位高。
17、如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征为，
设定所述给定电压，使所述气体流动相对面的电位比所述等离子体的电位高。
18、如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征为，
设定所述给定电压，使由所述气体流动相对面的电位和所述等离子体的电位的差定义的电位差所产生的电能，不超过所述放电开始所必需的最低能量。
19、一种隔板，其特征为，具有：
与由将供给到等离子体处理装置的处理室容器的处理气体加以电离而生成的中性气体粒子和带电粒子组成的等离子体处理被处理体的处理区域接触，并且排气时所述处理气体通过的流路，
具有所述中性气体粒子通过的开口，在与所述处理区域接触的处理区域接触面具有非导电性部，而在与所述排出的处理气体的流动相对的气体流动相对面具有导电性部；
可将在该隔板附近的所述中性气体粒子的平均运动方向和所述带电粒子的平均运动方向分离。
20、如权利要求19所述的隔板，其特征为，
给所述导电性部加给定电压，使所述气体流动相对面的电位比所述处理区域接触面的电位高。
21、如权利要求20所述的隔板，其特征为，
设定所述给定电压，使所述气体流动相对面的电位比所述等离子体的电位高。
22、如权利要求20所述的隔板，其特征为，
设定所述给定电压，使由所述气体流动相对而的电位和所述等离子体的电位的差定义的电位差所产生的电能，不超过所述放电所必需的最低能量。
23、如权利要求19所述的隔板，其特征为，
呈现由与所述处理区域相对的多个凸部构成的波形，在该波面的法面具有气体通路孔。
24、如权利要求23所述的隔板，其特征为，
设定所述多个凸部彼此的距离，使在所述隔板部件附近产生的屏蔽电场的等电位面实质上不侵入由所述多个凸部彼此在其间形成的空间中。
25、如权利要求23所述的隔板，其特征为，
所述多个凸部彼此的距离为在所述隔板部件附近形成的屏蔽电场的厚度的大约二倍或其以下。
26、如权利要求19所述的隔板，其特征为，
由与所述处理区域的一隔板部件和经所述一隔板部件而与所述处理区域相对的另一隔板部件构成，当从所述处理区域看时，所述一隔板部件和所述另一隔板部件互相错开。
27、如权利要求26所述的隔板，其特征为，
所述一隔板部件和所述另一隔板部件遮蔽从所述处理区域侧的眺望，并且互相离开配置，以形成所述中性气体粒子可通过的空间。
28、如权利要求26所述的隔板，其特征为，
所述一隔板部件和所述另一隔板部件为平板。
29、如权利要求28所述的隔板，其特征为，
所述另一隔板部件的面积是和由与所述另一隔板部件对应的多个所述一隔板部件彼此在其间形成的气体通过口的总面积大致相同或为其以上；由多个所述另一隔板部件彼此在其间形成的另一气体通过口的总面积与所述气体通过口的总面积大致相同或在其以上。
30、如权利要求26所述的隔板，其特征为，
所述一隔板部件和另一隔板部件为平板形。
31、如权利要求28所述的隔板，其特征为，
所述一隔板部件和所述另一隔板部件的各个分别为具有多个通孔的环形部件。
32、如权利要求31所述的隔板，其特征为，
所述多个通孔配置在所述环形部件的同心圆上。
33、如权利要求31所述的隔板，其特征为，
从所述处理区域看，所述一隔板部件的通孔与所述另一隔板部件的通孔互相错开。
34、如权利要求26所述的隔板，其特征为，
所述一隔板部件和所述另一隔板部件中的至少一方是，在与所述处理区域相对的处理区域接触面具有非导电性部；而在与所述排出的处理气体的流动相对的气体流动相对面具有导电性部，给所述导电性部加给定电压，使所述气体流动相对面的电位比所述处理区域接触面的电位高。
35、如权利要求34所述的隔板，其特征为，
设定所述给定电压，使所述气体流动相对面的电位比所述等离子体的电位高。
36、如权利要求34所述的隔板，其特征为，
设定所述给定电压，使由所述气体流动相对面的电位和所述等离子体的电位的差定义的电位差所产生的电能，不超过所述放电所必需的最低能量。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110100297A (zh) * 2016-12-27 2019-08-06 瑞士艾发科技 射频电容耦合蚀刻反应器

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284267A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Canon Inc 排気処理方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR20030090305A (ko) * 2002-05-22 2003-11-28 동경엘렉트론코리아(주) 플라즈마 발생장치의 가스 배기용 배플 플레이트
JP4523352B2 (ja) * 2004-07-20 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20060037702A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR20060062944A (ko) * 2004-12-06 2006-06-12 삼성전자주식회사 진공압 발생 장치 및 이를 갖는 박막 가공 장치
KR100558922B1 (ko) * 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
JP2007067213A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置
US7416677B2 (en) * 2006-08-11 2008-08-26 Tokyo Electron Limited Exhaust assembly for plasma processing system and method
KR101349195B1 (ko) * 2007-01-15 2014-01-09 최대규 코어 커버를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기
US8281739B2 (en) * 2007-03-01 2012-10-09 Applied Materials, Inc. RF shutter
KR100927375B1 (ko) * 2007-09-04 2009-11-19 주식회사 유진테크 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치
CN101541140B (zh) * 2008-03-17 2012-08-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理装置及其屏蔽环
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
JP5086192B2 (ja) * 2008-07-01 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101460557B1 (ko) * 2008-12-29 2014-11-14 주식회사 케이씨텍 플라즈마 처리장치
JP2010186891A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のメンテナンス方法及びプラズマ処理装置の組み立て方法
JP5248370B2 (ja) * 2009-03-10 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及びプラズマ処理装置
JP5424744B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-26 株式会社フェローテック 分割環状リブ型プラズマ処理装置
SG10201405040PA (en) * 2009-08-31 2014-10-30 Lam Res Corp A local plasma confinement and pressure control arrangement and methods thereof
JP5597463B2 (ja) 2010-07-05 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN102758185A (zh) * 2011-04-29 2012-10-31 深圳富泰宏精密工业有限公司 分流器
US9418880B2 (en) * 2011-06-30 2016-08-16 Semes Co., Ltd. Apparatuses and methods for treating substrate
US9095038B2 (en) * 2011-10-19 2015-07-28 Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia ICP source design for plasma uniformity and efficiency enhancement
KR101312592B1 (ko) * 2012-04-10 2013-09-30 주식회사 유진테크 히터 승강형 기판 처리 장치
CN103377979B (zh) * 2012-04-30 2016-06-08 细美事有限公司 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置
US9490152B2 (en) * 2012-05-29 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Asymmetrical chamber configuration
US10103018B2 (en) * 2012-07-31 2018-10-16 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
US20140051253A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Lam Research Corporation Plasma baffle ring for a plasma processing apparatus and method of use
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
JP5798143B2 (ja) * 2013-03-12 2015-10-21 株式会社東芝 平行平板型ドライエッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US12065735B2 (en) 2013-07-25 2024-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Vapor deposition apparatus
KR20150012580A (ko) * 2013-07-25 2015-02-04 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
WO2015023435A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors
KR101535155B1 (ko) * 2014-01-09 2015-07-09 주식회사 유진테크 기판 처리장치
US9852905B2 (en) * 2014-01-16 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for uniform gas flow in a deposition chamber
JP6305825B2 (ja) * 2014-05-12 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造
JP6544902B2 (ja) * 2014-09-18 2019-07-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
JP6423706B2 (ja) * 2014-12-16 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
JP6548484B2 (ja) * 2015-07-01 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびそれに用いる排気構造
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9953829B2 (en) * 2015-08-27 2018-04-24 Toshiba Memory Corporation Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
KR101987577B1 (ko) * 2018-01-24 2019-06-10 주식회사 기가레인 승강하는 유도부와 연동하는 배기조절부를 포함하는 기판 처리 장치
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
JP6575641B1 (ja) * 2018-06-28 2019-09-18 株式会社明電舎 シャワーヘッドおよび処理装置
CN112673450B (zh) * 2018-07-30 2024-06-11 诺信公司 用于利用等离子体的工件加工的系统
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
TWI843856B (zh) * 2019-05-28 2024-06-01 美商應用材料股份有限公司 用於改善的流量均勻性的泵送襯墊
US11032945B2 (en) * 2019-07-12 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Heat shield assembly for an epitaxy chamber
CN112908821B (zh) * 2019-12-04 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种实现均匀排气的双工位处理器及其排气方法
JP2022076807A (ja) * 2020-11-10 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2022107392A (ja) * 2021-01-08 2022-07-21 東京エレクトロン株式会社 排気リングアセンブリ及びプラズマ処理装置
JP2022107873A (ja) * 2021-01-12 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びクリーニング方法
JP2023137352A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245295A (ja) * 1994-03-07 1995-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH11121437A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Sony Corp 真空処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5900103A (en) * 1994-04-20 1999-05-04 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
US5605637A (en) * 1994-12-15 1997-02-25 Applied Materials Inc. Adjustable dc bias control in a plasma reactor
TW303480B (en) * 1996-01-24 1997-04-21 Applied Materials Inc Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer
US20020038791A1 (en) * 2000-10-03 2002-04-04 Tomohiro Okumura Plasma processing method and apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245295A (ja) * 1994-03-07 1995-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH11121437A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Sony Corp 真空処理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110100297A (zh) * 2016-12-27 2019-08-06 瑞士艾发科技 射频电容耦合蚀刻反应器
CN110100298A (zh) * 2016-12-27 2019-08-06 瑞士艾发科技 射频电容耦合双频率蚀刻反应器
US11217434B2 (en) 2016-12-27 2022-01-04 Evatec Ag RF capacitive coupled dual frequency etch reactor
CN110100297B (zh) * 2016-12-27 2022-09-13 瑞士艾发科技 射频电容耦合蚀刻反应器
CN110100298B (zh) * 2016-12-27 2022-10-04 瑞士艾发科技 射频电容耦合双频率蚀刻反应器
US11742187B2 (en) 2016-12-27 2023-08-29 Evatec Ag RF capacitive coupled etch reactor

Also Published As

Publication number Publication date
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