JP2010186891A - プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のメンテナンス方法及びプラズマ処理装置の組み立て方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エッチング処理装置10は、ガス供給源140から導入されたガスをプラズマ化し、内部にてウエハWをプラズマ処理する処理チャンバPCと、処理チャンバPCの内部と連通し、処理チャンバPCにてプラズマ化されたガスを排気する排気チャンバECと、排気チャンバECに設けられ、処理チャンバPCの内部と排気チャンバECの内部との連通を遮断する真空カバー200と、を有する。
【選択図】図1
Description
<第1実施形態>
(装置の全体構成)
(真空カバーの構成)
(真空カバーの動作)
(メンテナンス動作)
<第2実施形態>
(封じ切りカバーの動作)
(メンテナンス開始手順A)
(メンテナンス開始手順B)
(メンテナンス作業終了後の真空排気手順)
<第3実施形態>
(排気チャンバの温度制御)
<第4実施形態>
(製造及び検査工程の排気手順)
(装置の全体構成)
まず、本発明の一実施形態に係る電極を有するプラズマ処理装置の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るエッチング処理装置(平行平板型プラズマ処理装置)を模式的に示した縦断面図である。エッチング処理装置10は、電磁波のエネルギーによりプラズマを生成し、ウエハWをプラズマ処理するプラズマ処理装置の一例である。
バッフル板125の下方部分には、排気空間U2の真空を保持するための真空カバー200が設けられている。真空カバー200は、アルミニウム等の金属により形成され、アルマイト処理されている。ただし、真空カバー200は、誘電体により形成されていてもよい。真空カバー200は、処理チャンバPCの内部と排気チャンバECの内部との連通を遮断する遮断カバーの一例である。
通常、ウエハ処理を行う際、図2に示したように、真空カバー200は、排気チャンバECの下方底面付近に配置されている。処理チャンバPCをメンテナンスする際には、真空カバー200をバッフル板125の下方に移動させる。
次に、メンテナンス時の動作について説明する。まず、真空カバー200を図2に示した排気チャンバECの底面に配置した状態で、処理チャンバPCから排気チャンバECを経て圧力制御バルブ150までの範囲を所望の真空状態に排気し、その後ウエハ処理する。
次に、第2実施形態に係るエッチング処理装置10について、図6を参照しながら説明する。第2実施形態に係るエッチング処理装置10は、第1実施形態に係るエッチング処理装置10に対して、カバーの配置位置が異なっている。以下、この点を中心に本実施形態について説明し、第1実施形態と重複する部分の説明は省略する。
本実施形態に係るエッチング処理装置10では、図6に示したように、バッフル板125の下方であって、シールゲートリング230の下部にガス封じ切りカバー250を移動させ、配置する。ガス封じ切りカバー250は、処理チャンバPCの内部と排気チャンバECの内部との連通を遮断する遮断カバーの一例である。
最初に、メンテナンス時の処理チャンバPCの大気曝露の手順Aについて説明する。ウエハ処理を行う際、図7に示したように、ガス封じ切りカバー250は、排気チャンバECの下方底面付近に配置されている。処理容器100内は、粗引きバルブV2、V3、V4を開いて粗引き真空ポンプ160により粗引きされ、粗引きバルブV2、V3、V4を閉じた後、処理容器100内の圧力に応じて圧力制御バルブ150の開度を調整しながら高真空ポンプ155により真空引きされる。
次に、メンテナンス時の処理チャンバPCの大気曝露の手順Bについて説明する。図7に示したように、ガス封じ切りカバー250を排気チャンバECの下方底面付近に配置し、処理チャンバPCから排気チャンバECを経て、圧力制御バルブ150までの範囲(空間U1、U2)を真空状態に排気した状態から、圧力制御バルブ150を閉じる。
メンテナンス作業終了後は、次の手順で真空排気を行う。まず、図6の粗引きバルブV3を一旦閉じた後、粗引きバルブV2を開き、粗引き真空ポンプ160を用いて、ウエハ処理空間U1の真空排気を行う。
次に、第3実施形態に係るエッチング処理装置10について、図8を参照しながら説明する。第3実施形態に係るエッチング処理装置10は、排気チャンバEC部分に温度制御機構300が設けられている点において第1実施形態に係るエッチング処理装置10と異なる。以下、この点を中心に本実施形態について説明し、第1実施形態と重複する部分の説明は省略する。
図8のエッチング処理装置10では、図1の第1のエッチング処理装置10の各構成に加えて、排気チャンバECの外壁部に温度制御機構300が装着されている。温度制御機構300は、加熱機構と冷却機構とを有する。排気チャンバEC部分の温度制御は、温度制御機構300の加熱機構により、ウエハ処理チャンバPCに設けられた図示しない加熱機構によって設定された、例えば80℃の温度に上昇させる。これにより、処理チャンバPCの大気曝露の際、排気チャンバEC壁面への水分の吸着をより確実に抑制することができる。また、粗引き真空ポンプ160による真空排気開始後から高真空ポンプ155の排気に移行した後、数10分から1時間程度経過後に排気チャンバECの温度を例えば、80℃から40℃に低下させる。これにより、装置全体の到達圧力やリークレートを向上させることができる。
(製造及び検査工程(チャンバ組み立て及び検査時)の排気手順)
第4実施形態では、製造及び検査工程における効率的な排気手順について説明する。エッチング処理装置10の組み立ての際、全体の組み立てを完了する以前の段階、すなわち、排気チャンバECと圧力制御バルブ150、高真空ポンプ155等を合体させた時点で、真空カバー200を図1に示す遮断位置に移動させた状態で前もって真空排気を開始する。
100 処理容器
105 上部電極
110 下部電極
120 サセプタ
125 バッフル板
145 排気口
150 圧力制御バルブ
155 高真空ポンプ
160 粗引き真空ポンプ
200 真空カバー
205 支持棒
210 支持台
215 モータ
215a モータ軸
220、225 真空シール
230 シールゲートリング
250 ガス封じ切りカバー
300 温度制御機構
U1 処理空間
U2 排気空間
GU シールゲート空間
Claims (11)
- ガス供給源から導入された処理ガスをプラズマ化し、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部と連通し、前記処理チャンバにてプラズマ化されたガスを排気する排気チャンバと、
前記排気チャンバに設けられ、前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断する遮断カバーと、を備えるプラズマ処理装置。 - 前記遮断カバーを支持し、前記遮断カバーを移動させる駆動機構を備える請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記駆動機構は、メンテナンス前、前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断する位置に前記遮断カバーを移動させる請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記駆動機構は、メンテナンス後、前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断しない位置に前記遮断カバーを移動させる請求項2又は請求項3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮断カバーが前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断する位置に移動した際、前記遮断カバーの上部または下部にて真空シールするシール材を備える請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記遮断カバーが前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断する位置に移動した際、前記ガス供給源は、前記排気チャンバの内部圧力を前記処理チャンバの内部圧力より高くするように各チャンバにガスを供給する請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記排気チャンバに設けられ、前記排気チャンバの温度を制御する温度制御機構を備える請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- ガス供給源から導入された処理ガスをプラズマ化し、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理チャンバと、前記処理チャンバの内部と連通し、前記処理チャンバにてプラズマ化されたガスを排気する排気チャンバと、を備えるプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって、
メンテナンス前、遮断カバーを支持しながら移動させる駆動機構を駆動させて、前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断する位置に前記遮断カバーを移動させ、
メンテナンス後、前記駆動機構を駆動させて、前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断しない位置に前記遮断カバーを移動させるプラズマ処理装置のメンテナンス方法。 - 前記遮断カバーが前記処理チャンバの内部と前記排気チャンバの内部との連通を遮断する位置に設けられている場合、前記ガス供給源は、前記排気チャンバの内部圧力を前記処理チャンバの内部圧力より高くするように各チャンバにガスを供給する請求項8に記載のメンテナンス方法。
- 前記排気チャンバに設けられた温度制御機構を用いて、前記排気チャンバのメンテナンス中の温度を前記排気チャンバのプロセス中の温度より上げる請求項8又は請求項9のいずれかに記載のメンテナンス方法。
- ガス供給源から導入された処理ガスをプラズマ化し、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理チャンバと、前記処理チャンバの内部と連通し、前記処理チャンバにてプラズマ化されたガスを排気する排気チャンバと、を備えるプラズマ処理装置の組み立て方法であって、
前記排気チャンバに前記処理チャンバを合体させる前、遮断カバーを支持しながら移動させる駆動機構を駆動させて、前記排気チャンバの内部を外部から遮断する位置に前記遮断カバーを移動させ、
前記排気チャンバの真空排気を開始し、
前記排気チャンバに前記処理チャンバを合体させ、
前記処理チャンバの真空排気を開始するプラズマ処理装置の組み立て方法。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130924 |