JP2004047695A5 - - Google Patents

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  1. 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
  2. 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
  3. アンテナまたはコイルに、ｆ１とは異なる周波数ｆ２の高周波電力を供給することを特徴とする請求項１または２記載のプラズマドーピング方法。
  4. 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させるとともに、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することにより、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
  5. 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させるとともに、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することにより、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
  6. 真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することができる高周波電源とを備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
  7. 真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することができる高周波電源とを備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
  8. アンテナまたはコイルに、ｆ１とは異なる周波数ｆ２の高周波電力を供給することができる高周波電源を備えたことを特徴とする請求項６または７記載のプラズマドーピング装置。
  9. 真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することができる高周波電源と、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極と、バイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することができる高周波電源を備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
  10. 真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することができる高周波電源と、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極と、バイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することができる高周波電源を備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
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