CN101541140B - 等离子体处理装置及其屏蔽环 - Google Patents

Abstract

一种等离子体处理装置的屏蔽环，应用于等离子处理装置的下电极的外围，包括环状结构的导电环；在所述导电环的厚度方向具有第一通孔；还包括：覆盖所述导电环上表面的第一绝缘环；在所述第一绝缘环与所述第一通孔相应位置、沿厚度方向具有第二通孔，所述第一通孔和与其位置相对应的第二通孔连通，形成通道。本发明还提供一种具有所述屏蔽环的等离子体处理装置。本发明的屏蔽环不会造成反应腔室其它部件或加工件金属离子污染；本发明的一种等离子处理装置使用成本较低。

Description

等离子体处理装置及其屏蔽环

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种用于对等离子体进行约束的屏蔽环以及包含所述屏蔽环的等离子处理装置。

背景技术

在半导体集成电路的制造工艺中，常用等离子体处理装置对半导体衬底或晶片进行加工，例如，在干法刻蚀工艺中，用等离子体在半导体衬底或晶片上刻蚀出需要的图形；在化学气相沉积工艺中，用等离子体辅助沉积形成所需要的膜层；刻蚀或离子注入工艺后，用氧气等离子体剥除光刻胶层等。等离子体处理装置在半导体集成电路的制造工艺中有着广泛的应用。

图1为现有技术中一种常用的等离子体处理装置的剖面示意图。请参考图1，该等离子处理装置200包括侧壁202、上电极204和下电极210，其中，所述侧壁202为圆环形；所述上电极204和下电极分别位于侧壁202的顶部和底部；所述侧壁202、上电极204和下电极210之间的区域为反应腔室。

所述的等离子处理装置在工作时，首先将加工件214(例如，半导体晶片)置于所述反应腔室的下电极210上的静电卡盘(图未示)上，通过真空装置对所述反应腔室抽真空；然后，向所述反应腔室中注入反应气体，并将第一射频源耦合至上电极204，第二射频源耦合至下电极210，其中，所述第二射频源射频功率小于所述第一射频源射频功率；在第一射频源和第二射频源的作用下，反应腔室的气体被电离，形成等离子体；等离子体中的带电离子在上下极板之间的电场作用下，向下电极方向加速运动，并作用于加工件214，与加工件的物质发生物理和/或化学反应，对所述加工件214进行加工(例如，刻蚀、沉积等)。

反应腔室中的等离子体在对加工件进行加工的同时，也会向其它方向扩散，例如向反应腔室的侧壁202以及下电极210外围区域扩散。为防止等离子对反应腔室中的其它部件腐蚀以及向其它区域扩散，在所述侧壁202的内壁还具有绝缘层的内衬220；在所述下电极210的外围具有屏蔽环222，所述屏蔽环222具有通孔224。所述屏蔽环222为导电的金属材料，且与地线连接。在等离子体处理装置工作时，向反应腔室侧壁202扩散的带电离子被具有绝缘层的内衬220阻挡，避免了对侧壁202的腐蚀或污染；向屏蔽环222扩散的带电离子，被耦合至所述屏蔽环222中，无法通过所述屏蔽环222，可避免向其它区域扩散，同时，反应后的气体可以通过所述通孔224被真空装置抽出。

然而，由于所述屏蔽环222由金属材料制成，在等离子体处理装置中的等离子体不可避免的会对屏蔽环222进行腐蚀，产生金属粒子，该金属离子在反应腔室中进行扩散，会造成反应腔室其它部件或加工件金属离子污染。

此外，由于等离子体对屏蔽环222的腐蚀，使得屏蔽环的使用寿命也大大缩短，需要不断的更换，使得等离子体处理装置的使用成本增加。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种等离子体屏蔽环，以解决现有屏蔽环造成反应腔室其它部件或加工件金属离子污染的问题；本发明的另一目的是提供一种等离子处理装置，以解决现有的等离子体处理装置使用成本较大的问题。

本发明提供的一种等离子体处理装置的屏蔽环，应用于等离子处理装置的下电极的外围，包括环状结构的导电环；在所述导电环的厚度方向具有第一通孔；还包括：覆盖所述导电环上表面的第一绝缘环；在所述第一绝缘环与所述第一通孔相应位置、沿厚度方向具有第二通孔，所述第一通孔和与其位置相对应的第二通孔连通，形成通道。

可选的，还包括覆盖所述导电环下表面的第二绝缘环，在所述第二绝缘环与所述第一通孔相应位置。沿厚度方向具有第三通孔；所述第一通孔和与其位置相对应的第三通孔连通，形成通道。

可选的，所述通道横截面为圆形或椭圆形或多边形；所述通道轴线为直线或曲线或折线。

可选的，所述通道轴线为直线，该直线与所述屏蔽环表面垂直或斜交。

可选的，所述通道的长度大于所述等离子体处理装置中等离子体的带电离子的平均自由程。

可选的，所述通道的横截面为圆形，其直径为0.5mm至10mm。

可选的，所述通道的横截面的直径为2mm至6mm。

可选的，所述通道为复数个，且于所述屏蔽环的占空比大于20％。

可选的，所述通道的横截面在所述屏蔽环相应的横截面的分布如下：

所述通道的横截面为圆形，复数个圆形的横截面直径相同，并沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述通道横截面的圆心沿垂直于轴向的连线形成不同半径的同心圆；或者

所述通道的横截面为椭圆形，复数个椭圆的长轴和短轴相同，并沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述通道横截面的中心沿垂直于轴向的连线形成不同半径的同心圆；或者

所述通道的横截面为椭圆形，复数个椭圆沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，并沿轴向远离所述屏蔽环的中心时，所述椭圆的长轴增大。

可选的，所述第一绝缘环为绝缘材料或半导体材料；所述第二绝缘环为绝缘材料或半导体材料。

可选的，所述第一绝缘环为石英、陶瓷、氧化钇、碳化硅、硅、或氮化硅中的一种或组合；所述第二绝缘环为石英、陶瓷、氧化钇、碳化硅、硅、或氮化硅中的一种或组合。

可选的，在所述导电环的内环侧壁还具有连接所述第一绝缘环和第二绝缘环的连接部；所述第一绝缘环、第二绝缘环和所述的连接部一体成型。

可选的，所述等离子体处理装置具有内衬，所述内衬与所述第一绝缘环一体成型，或所述内衬与所述导电环一体成型。

相应的，本发明还提供一种等离子处理装置，该等离子体处理装置包括上述的任一方案所述的屏蔽环。

与现有技术相比，上述技术方案的其中一个具有以下优点：

通过在导电环上表面覆盖具有第二通孔的第一绝缘环，既可以保护所述导电环不受等离子腐蚀，不会产生污染等离子处理装置反应腔室的金属粒子污染；还可以保证等离子体处理装置中的等离子体的带电离子能够被屏蔽、反应后的气体能够被抽出；该设计可延长导电环的使用寿命；

上述技术方案的另外一个具有以下优点：

通过覆盖所述第二绝缘环于导电环的下表面，可延长贯穿屏蔽环的通道的长度，增大等离子体处理装置中的等离子体的带电离子与通道侧壁碰撞的几率，更有利于屏蔽并限制等离子中的带电离子不会被排出等离子处理装置腔室之外，可减小等离子体处理装置其它区域被污染的几率；

上述技术方案的另外一个具有以下优点：

当所述的屏蔽环应用于等离子处理装置后，可降低等离子体处理装置的使用成本；而且，可避免频繁更换导电环，延长等离子体处理装置的使用时间，提高其利用率；此外，也可避免频繁开启等离子体处理装置的反应腔室，可减少外部环境对处理腔室的污染，有利于提高生产线上产品的良率的稳定性。

附图说明

图1为现有技术中一种常用的等离子体处理装置的剖面示意视图；

图2为本发明的等离子体处理装置的屏蔽环的第一实施例沿轴线剖开后的轴侧图；

图3a至图3d为图2所示的屏蔽环的不同通道形状和分布的俯视图；

图4a至图4e为所述的第一实施例的屏蔽环部分区域的通道的纵截面的几种不同形状的剖面示意图；

图5为本发明的屏蔽环的第二实施例沿轴线剖开后的轴侧图；

图6为本发明的屏蔽环的另一实施例沿轴线剖开后的轴侧图；

图7a至图7d为图5或图6所示屏蔽环部分区域的通道的纵截面的几种不同形状的剖面示意图；

图8至图11为本发明的不同实施例的屏蔽环与等离子体处理腔室的内衬一体成型的结构剖开后的轴侧图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在本发明的其中一个方面，提供一种等离子体处理装置的屏蔽环，包括具有环状结构的导电环，所述导电环在其厚度方向具有第一通孔；还包括覆盖于所述导电环上表面的第一绝缘环，在所述第一绝缘环与所述第一通孔相应位置、沿厚度方向具有第二通孔，所述第一通孔和与其位置相对应的第二通孔连通，形成通道。所述的等离子处理装置的屏蔽环可应用于等离子装置中的下电极外围，在等离子处理装置工作时，所述第一绝缘环能够保护所述导电环不受等离子体腐蚀，而且所述第一绝缘环上的第二通孔一方面可使得所述等离子体中的带电离子能够与所述导电环耦合，另一方面与所述第一通孔形成气体通道，保证等离子处理装置中的反应气体能够被抽出或排出到腔室之外。

下面结合附图和实施例对所述的屏蔽环进行详细的描述。

实施例一

图2为本发明的等离子体处理装置的屏蔽环的第一实施例沿轴线剖开后的轴侧图；图3a至图3d为图2所示的屏蔽环的不同通道形状和分布的俯视图。

请参考图2，本发明的第一实施例提供的屏蔽环1包括环状结构的导电环10，所述导电环10的内径尺寸与等离子处理装置的下电极相配合；若所述的下电极外围还设置有聚焦环，则所述导电环10的内径尺寸与所述聚焦环的外径相配合；若所述下电极的外围还设置有其它部件，所述导电环10的内径可与所述的其它部件相配合；所述配合为间隙配合或过渡配合。

所述导电环10的外径与等离子处理装置的侧壁相配合；若在所述等离子体处理装置侧壁的内壁还设置有内衬，则所述导电环10的外径与所述内衬相配合；若在所述等离子体处理装置侧壁的内壁还设置有其它部件，所述导电环10的外径可以与所述的其它部件相配合；所述的配合为间隙配合或过渡配合。

在所述导电环10的厚度方向具有第一通孔12，所述第一通孔12的横截面(沿所述导电环10垂直于厚度方向的截面)为圆形或椭圆形或多边形；当然，根据需要，也可以是其它形状。所述的第一通孔12的中轴线可以与所述的横截面垂直，也可以斜交。

所述第一通孔12为复数个，可以均匀或不均匀分布于所述导电环10中，图3a至图3d为所述的导电环10的第一通孔12其中的四种分布的俯视图，如图3a至图3d所示，所述通道的横截面可以为圆形，复数个圆形的横截面直径相同，并沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述通道横截面的圆心沿垂直于轴向的连线形成不同半径的同心圆；或者所述通道的横截面为椭圆形，复数个椭圆的长轴和短轴相同，并沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述通道横截面的中心沿垂直于轴向的连线形成不同半径的同心圆；或者所述通道的横截面为椭圆形，复数个椭圆沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述椭圆的长轴与所述屏蔽环的轴向垂直，沿轴向远离所述屏蔽环的中心时，所述椭圆的长轴增大。根据需要，所述的第一通孔12还可以具有其它的分布，或可以具有任意的分布。

所述导电环10由导电的金属材料制成，例如可以是铝、铜或其合金或其它金属材质。

请继续参考图2，在所述导电环10的上表面覆盖有第一绝缘环20，所述第一绝缘环20与所述导电环10的形状和尺寸向适应，能够覆盖所述导电环10上表面除第一通孔12以外的其它区域。

所述第一绝缘环20为绝缘材质或半导体材质，具体的，可以为耐等离子体腐蚀的绝缘材质或半导体材质，例如，为石英、陶瓷、氧化钇、碳化硅、硅或氮化硅中的一种或组合，当然，所述第一绝缘环20并不限于所列举的材料，其可以是任意的绝缘材质或半导体材质。所述的第一绝缘环20用于保护所述导电环10在等离子处理装置工作时不会受到等离子腐蚀而消耗，产生金属粒子污染。

所述第一绝缘环20与所述的第一通孔12相应位置、沿厚度方向具有第二通孔22，其中，所述第二通孔22的横截面的形状可以是圆形或椭圆形或多边形；当然，根据需要，也可以是其它形状。所述的第二通孔22的中轴线可以与所述的横截面垂直，也可以斜交。

所述第一通孔12和与其位置相对应的第二通孔22连通，形成通道，在等离子处理装置工作时，将所述导电环10接地，在等离子处理装置中扩散至所述屏蔽环1的等离子体，能够通过所述第二通孔22与所述导电环10耦合，使得等离子体中的带电离子无法通过该屏蔽环1，起到屏蔽作用，避免带电离子扩散到等离子处理装置的其它区域，发生二次放电；此外，所述第一通孔12和第二通孔22形成通道，等离子处理装置中的反应后的气体可以通过该通道被抽出。

该通道的横截面形状尺寸由所述第一通孔12和第二通孔22决定，例如，可以是圆形或椭圆形或多边形，在其为圆形时，其直径范围可以是0.5mm至10mm，优选的，可以是2mm至6mm，在其为其它形状时，其开口尺寸可以参照所述的圆形的开口的尺寸。根据需要，所述通道也可是其它尺寸，但是无论如何，所述通道的开口的尺寸应当能够保证等离子处理装置工作时的反应气体能够被抽出，而等离子体的带电离子能够被屏蔽。

图4a至图4e为所述屏蔽环部分区域的通道的纵截面的几种不同形状的剖面示意图。请参考图4a至图4e，所述通道轴线可以是直线或曲线或折线或其组合。需要说明的是，所述通道的纵截面还可以根据需要设计成其它不同的形状。

所述通道的长度大于所述等离子体处理装置中等离子体的带电离子的平均自由程。但所述通道的最小长度为所述屏蔽环的厚度，通过设计所述通道为倾斜或弯曲状，可在不增大所述导电环10和第一绝缘环20厚度的情况下，增加通道长度，保证带电离子能够被屏蔽，且有利于节省制造屏蔽环的材料。

所述第二通孔22底部的尺寸小于或等于所述第一通孔12顶部的尺寸，以保证所述第一绝缘环20能够覆盖所述导电环10除第一通孔12以外的上表面区域，保护所述绝缘环10不受等离子腐蚀。

所述第二通孔22为复数个；由于所述第二通孔22位于与第一通孔相应的位置，因而，所述第二通孔22与所述第一通孔12具有相同的分布。

当然，所述第二通孔22也可以具有与所述第一通孔12不同的分布，本领域技术人员能够根据本发明的实施例的教导进行相应的改变或改进，得到其它分布，也应当包含在本发明的保护范围之内，例如，当所述第一通孔12和第二通孔22均为复数个时，在第一绝缘环20与个别第一通孔12相应的位置，可以没有第二通孔22，也即所述第二通孔22的数量小于所述第一通孔12的数量。

此外，所述第一通孔12和第二通孔22可以是具有不同横截面形状或尺寸的通孔，但是相应位置的第一通孔12和第二通孔22只要能够形成通道的情形均应包含在本发明的保护范围之内。

所述第一绝缘环20可以通过粘结剂粘结于所述导电环10的上表面，并使的所述第二通孔22和相应位置的第一通孔12对准，在加工或组装的误差范围内，所述第二通孔22和相应位置的第一通孔12也可以有一定的错位；当然，也可以根据需要，有意的使第二通孔22和相应位置的第一通孔12有错位，但是，无论如何，第二通孔22和相应位置的第一通孔12之间应当形成通道。

所述第一绝缘环20可以通过其它方式或手段固定于所述导电环10的上表面，也可以无任何固定方式的放置于所述到导电环10的表面。无论固定与否，均应考虑到所述第一绝缘环20作为消耗品在更换时的便利性。

所述第一通孔12和第二通孔22形成的通道于所述屏蔽环的占空比大于20％，也即所述的通道形成的开口区域占整个屏蔽环区域大于百分之二十，以保证等离子体处理装置中反应后的气体能够被及时的抽出。

上述的实施例中，通过在导电环10上表面覆盖具有第二通孔22的第一绝缘环20，既可以保护所述导电环不受等离子腐蚀，还可以保证等离子体处理装置中的等离子体的带电离子能够被屏蔽、反应后的气体能够被抽出。本实施例的设计能够延长导电环10的使用寿命。

当所述的屏蔽环1应用于等离子处理装置后，可降低等离子体处理装置的使用成本；而且，可避免频繁更换导电环10，延长等离子体处理装置的使用时间，提高其利用率；此外，也可避免频繁开启等离子体处理装置的反应腔室，可减少外部环境对反应腔室的污染，有利于提高生产线上产品的良率的稳定性。

实施例二

在本发明的等离子体处理装置的第二实施例中，在导电环的下表面还覆盖有第二绝缘环。图5为本发明的屏蔽环的第二实施例沿轴线剖开后的轴侧图。

如图5所示，在导电环10的下表面还覆盖有第二绝缘环30。其中，所述第二绝缘环30的形状和尺寸与所述导电环10相适应，能够覆盖所述导电环10下表面除第一通孔12以外的其它区域。

所述第二绝缘环30为绝缘材质或半导体材质，具体的，可以为耐等离子体腐蚀的绝缘材料或半导体材料，例如，可以是石英、陶瓷、氧化钇、碳化硅、硅或氮化硅中的一种或组合，当然，所述第二绝缘环30并不限于所列举的材料，其可以是任意的绝缘材料或半导体材料。所述第二绝缘环30的材质可以与第一绝缘环30相同，也可以与第一绝缘环30的材质不同。该第二绝缘环30保护所述导电环10的下表面不受污染或其它物质的腐蚀。

在所述第二绝缘环30与所述第一通孔12相应位置、沿厚度方向具有第三通孔32，其中所述第三通孔32的横截面的形状可以是圆形或椭圆形或多边形；根据需要，该横截面还可以是其它形状。

所述第三通孔32与其位置相对应的第一通孔12连通，形成通道，并与与第一通孔12连通的第二通孔22连通，形成贯穿屏蔽环2的通道。该通道为等离子处理装置的反应后气体的排气通道。通过覆盖所述第二绝缘环30，可延长所述的通道的长度，增大等离子体中的带电离子与通道侧壁碰撞的几率，更有利于屏蔽并限制等离子体中的带电离子不会被排出等离子处理装置腔室之外，减小等离子体处理装置其它区域被污染的几率。图7a至图7d为所述屏蔽环部分区域的通道的纵截面的几种不同形状的剖面示意图，请参考图7a至图7d，所述通道轴线可以是直线或曲线或折线或其组合。需要说明的是，所述通道的纵截面还可以根据需要设计成其它不同的形状。

该第二绝缘环的其它方面可以与所述第一绝缘环相同，这里不再赘述。

本实施例的屏蔽环2的其它方面与第一实施例的屏蔽环可以相同，这里不再赘述。

此外，所述第二绝缘环30与所述第一绝缘环10可以一体成型，请参考图6所示的屏蔽环3，在所述导电环30的内环侧壁，具有连接部31将所述第二绝缘环30和第一绝缘环10连为一体，所述连接部31可保护所述导电环10的内环侧壁。所述屏蔽环3的其它方面可以与所述第二实施例相同，这里不再赘述。

在其它的实施例中，等离子体处理装置具有保护侧壁内表面的内衬，本发明的上述实施例的屏蔽环中的导电环10可以与所述内衬40一体成型，在这种情况下，所述内衬的材质可以与所述导电环相同，在内衬的内表面(朝向反应腔室的表面)可以涂布有绝缘层，例如碳化硅或氧化钇，如图8、图9以及图10所示的沿轴线剖开后的轴侧图；此外，也可以是所述第一绝缘环20与所述内衬40一体成型，如图11所示的沿轴线剖开后的轴侧图；所述内衬40还可以具有上侧盖50，用于保护所述等离子体处理装置反应腔室上电极外围区域的部件；其它方面与上述实施例的屏蔽环相同，这里不再赘述。

上述任一实施例所描述的屏蔽环均可应用于等离子体处理装置，设置于等离子体处理装置的下电极的外围，用于约束等离子处理装置的反应腔室中的等离子体，并使得反应后的气体能够通过屏蔽环被抽出反应腔室之外，等离子体处理装置的结构其它方面可以为本领域技术人员所公知的任何结构，这里不再赘述。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种等离子体处理装置的屏蔽环，应用于等离子体处理装置的下电极的外围，包括环状结构的导电环；在所述导电环的厚度方向具有第一通孔；其特征在于，还包括：覆盖所述导电环上表面的第一绝缘环；在所述第一绝缘环与所述第一通孔相应位置、沿厚度方向具有第二通孔，所述第一通孔和与其位置相对应的第二通孔连通，形成通道；其中，所述第一绝缘环放置于所述导电环的上表面，并与所述导电环的上表面相接触，且所述第一绝缘环与所述导电环的上表面之间无任何固定方式。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：还包括覆盖所述导电环下表面的第二绝缘环，在所述第二绝缘环与所述第一通孔相应位置、沿厚度方向具有第三通孔；所述第一通孔和与其位置相对应的第三通孔连通，形成通道。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述通道横截面为圆形或椭圆形或多边形；所述通道轴线为直线或曲线或折线。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述通道轴线为直线，该直线与所述屏蔽环表面垂直或斜交。

5.如权利要求1或2或4所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述通道的长度大于所述等离子体处理装置中等离子体的带电离子的平均自由程。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述通道的横截面为圆形，其直径为0.5mm至10mm。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述通道的横截面的直径为2mm至6mm。

8.如权利要求1或2或4或6或7所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述通道为复数个，且于所述屏蔽环的占空比大于20%。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于，所述通道的横截面在所述屏蔽环相应的横截面的分布如下：

所述通道的横截面为圆形，复数个圆形的横截面直径相同，并沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述通道横截面的圆心沿垂直于所述屏蔽环相应的横截面的轴向的连线形成不同半径的同心圆；或者

所述通道的横截面为椭圆形，复数个椭圆的长轴和短轴相同，并沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述通道横截面的中心沿垂直于所述屏蔽环相应的横截面的轴向的连线形成不同半径的同心圆；或者

所述通道的横截面为椭圆形，复数个椭圆沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向排列，所述椭圆的长轴与所述屏蔽环相应的横截面的轴向垂直；沿所述屏蔽环相应的横截面的轴向远离所述屏蔽环相应的横截面的中心时，所述椭圆的长轴增大。

10.如权利要求2所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述第一绝缘环为绝缘材料或半导体材料；所述第二绝缘环为绝缘材料或半导体材料。

11.如权利要求2所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述第一绝缘环为石英、陶瓷、氧化钇、碳化硅、硅、或氮化硅中的一种或组合；所述第二绝缘环为石英、陶瓷、氧化钇、碳化硅、硅、或氮化硅中的一种或组合。

12.如权利要求2或9或10或11所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：在所述导电环的内环侧壁还具有连接所述第一绝缘环和第二绝缘环的连接部；所述第一绝缘环、第二绝缘环和所述的连接部一体成型。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置的屏蔽环，其特征在于：所述等离子体处理装置具有内衬，所述内衬与所述第一绝缘环一体成型，或所述内衬与所述导电环一体成型。

14.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括权利要求1至13任一权利要求所述的屏蔽环。

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