TWI796656B - 電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭露了一種電漿處理裝置，其包含：真空反應腔，其內具有上電極和可移動下電極，兩者相對設置且兩者之間為電漿環境；電漿約束裝置，其環繞設置於可移動下電極的外側；中接地環，設置於電漿約束裝置的下方；上接地環，位於可移動下電極與電漿約束裝置之間；外絕緣環，位於電漿約束裝置上包圍上接地環的內側壁、外側壁和頂部表面；內絕緣環，包圍可移動下電極的頂部表面和外側壁，內絕緣環與外絕緣環之間形成縫隙。其優點是：其採用外絕緣環、內絕緣環等部件相結合，避免了真空反應腔內上接地環等遭受電漿侵蝕，減少了其損壞的可能性，延長了電漿處理裝置的使用壽命，也為工作人員的日常維護工作提供了便利。

Description

電漿處理裝置

本發明涉及半導體設備領域，具體涉及一種電漿處理裝置。

目前通常採用等離子蝕刻、物理氣相沉積、化學氣相沉積等方式對半導體工件或半導體基板進行微加工，例如製造平板顯示器、發光二極體、可撓性器件等。微加工製造的過程中往往伴隨著電漿輔助製程，這些製程一般都在真空反應腔內進行。真空反應腔的工作原理一般是在真空反應腔內通入適當的蝕刻劑或澱積源氣體的反應氣體，然後再對該真空反應腔進行射頻能量的輸入，以激發反應氣體來點燃或維持電漿，以便對半導體基板進行加工。

電漿具有擴散性，雖然大部分電漿會停留在上電極和下電極之間的反應區域，但部分電漿可能會飄散到其他區域，直至充滿整個真空反應腔腔室。但是真空反應腔內部構件結構複雜，用料多樣，在電漿環境中很多構件很容易被侵蝕，即使某些部件的外部包裹一層陽極氧化保護層以保護表面，但是若長期暴露在電漿環境中，也會發生電漿侵蝕從而使陽極氧化保護層發生破損，導致構件內部的金屬材料或其他材料露出，若金屬材料露出，在電場環境下很容易發生燒融、點火或電弧損傷等問題，這對於電漿處理裝置的維護與使用帶來了諸多不便。

本發明的目的在於提供一種電漿處理裝置，可移動下電極和上接地環能夠免受電漿的腐蝕，且不易發生電漿洩漏。

為了達到上述目的，本發明透過以下技術方案實現：

一種電漿處理裝置，包含：

真空反應腔，該真空反應腔內具有上電極和可移動下電極，該上電極和可移動下電極相對設置，該上電極和可移動下電極之間為電漿環境；

電漿約束裝置，其環繞設置於該可移動下電極的外側；

中接地環，設置於該電漿約束裝置的下方；

上接地環，位於該可移動下電極與電漿約束裝置之間，且其端部的側壁與中接地環的第一端部連接，該上接地環與可移動下電極之間具有間隙；

外絕緣環，位於該電漿約束裝置上包圍該上接地環的內側壁、外側壁和頂部表面；

內絕緣環，包圍該可移動下電極的部分頂部表面和外側壁，在該間隙內的該內絕緣環與外絕緣環之間形成縫隙。

較佳地，該可移動下電極在高位和低位之間移動，在移動的過程中，在該間隙內的該內絕緣環與外絕緣環之間始終有重疊區域。

較佳地，該外絕緣環包含一倒立溝槽結構，該倒立溝槽結構套在該上接地環上，該外絕緣環的第三端部與該電漿約束裝置接觸，其第四端部在該上接地環和該可移動下電極之間的間隙內，該外絕緣環的第四端部的高度低於該第三端部的高度。

較佳地，該外絕緣環還包含：

第一延伸件，其由該外絕緣環的第四端部向該可移動下電極方向延伸而成。

較佳地，該外絕緣環還包含：

第二延伸件，其由該第一延伸件端部向上彎折延伸而成。

較佳地，該可移動下電極處於低位時，該內絕緣環底端被該外絕緣環所包圍。

較佳地，該內絕緣環為一彎折結構，其包含：

第一防護件，其覆蓋在該可移動下電極外邊緣的頂部表面上；

第二防護件，其與該第一防護件連接，該第二防護件環繞包圍該可移動下電極的外側壁，位於該間隙內。

較佳地，該內絕緣環還包含：

第三延伸件，其由該第二防護件底部向該上接地環方向延伸而成，該可移動下電極處於低位時，該內絕緣環底部的高度高於該外絕緣環底部的高度。

較佳地，該內絕緣環還包含：

第四延伸件，其由該第三延伸件向上彎折延伸而成。

較佳地，第一防護件及/或第二防護件及/或第三延伸件及/或第四延伸件形成為一體。

較佳地，還包含：內襯，該內襯包含：

承載部分，其承載於真空反應腔的側壁上；

保護部分，環繞設置於該真空反應腔的內側壁，且該保護部分的端部與該中接地環的第二端部連接。

較佳地，該縫隙的寬度範圍為1mm至2mm；

及/或，該縫隙的深寬比大於或等於10:1。

較佳地，該外絕緣環和該內絕緣環均為石英環。

較佳地，該外絕緣環與該電漿約束裝置之間透過互補的階梯型結構進行接觸。

較佳地，該電漿處理裝置為電容耦合型電漿處理裝置。

本發明與現有技術相比具有以下優點：

本發明提供的電漿處理裝置中，由於該外絕緣環位於該電漿約束裝置上且包圍該上接地環的內側壁、外側壁和頂部表面，因此，該外絕緣環能夠對上接地環進行保護，防止上接地環被電漿腐蝕。儘管該可移動下電極在低位和高位之間移動，但是，由於該可移動下電極的頂部表面和外側壁被內絕緣環包圍，因此，在移動的過程中，該內絕緣環始終能夠對可移動下電極進行保護，防止可移動下電極被電漿腐蝕。並且，該上接地環與可移動下電極之間具有間隙，在該間隙內的該內絕緣環與外絕緣環之間形成縫隙，使得進入該縫隙內的電漿易發生熄滅，因此，不易發生電漿洩漏。

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域之具備通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬本發明保護的範圍。

需要說明的是，在本文中，術語「包含」、「包含」、「具有」或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包含一系列要素的過程、方法、物品或者終端設備不僅包含那些要素，而且還包含沒有明確列出的其他要素，或者是還包含為這種過程、方法、物品或者終端設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句「包含……」或「包含……」限定的要素，並不排除在包含該要素的過程、方法、物品或者終端設備中還存在另外的要素。

需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明一實施例的目的。

在電漿處理裝置中，內部構件結構複雜、用料多樣，某些部件的外部會包裹一層陽極氧化保護層以保護表面，如可移動下電極、接地環等部件。但是研究發現，若長期暴露在電漿環境中，可移動下電極、接地環等部件也會發生電漿侵蝕從而使其表面的陽極氧化保護層發生破損，導致該部件內部的金屬材料或其他材料露出，若金屬材料露出，在電場環境下很容易發生燒融、點火或電弧損傷等問題，這對於電漿處理裝置的維護與使用帶來了諸多不便。

另外，當可移動下電極處於高位時，可移動下電極和接地環之間縫隙較大，電漿很容易擴散至可移動下電極與固定製程組件的空隙中，進而導致電漿狀態不穩定，引發電漿洩露等問題，若發生電漿洩露，由於電漿的存在以及電場的影響，容易發生點火現象以及電弧損傷等問題，影響晶圓的蝕刻。

針對上述問題，本發明提供了一種電漿處理裝置，如圖1所示，為本發明的一種電漿處理裝置的結構示意圖，該電漿處理裝置包含：真空反應腔100，其由反應腔腔體101和腔體端蓋102包圍而成，該反應腔腔體101通常由金屬材料製成。該真空反應腔100的反應腔腔體101上設有傳片門103，該傳片門103為反應腔腔體101一側上的開口，用於將晶圓W在真空反應腔100內外之間傳輸。該真空反應腔100內具有上電極111和可移動下電極121，傳入真空反應腔100內的晶圓W放置在可移動下電極121上，該上電極111和可移動下電極121相對設置，該上電極111和可移動下電極121之間為電漿環境，電漿環境中包含大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理晶圓W的表面發生多種物理和化學反應，使得晶圓W表面的形貌發生改變，即完成蝕刻過程。

該可移動下電極121可上下移動，使得上電極111與可移動下電極121之間的間隙可調以滿足不同的製程的需求。

實施例一

在本實施例中，該電漿處理裝置為電容耦合型電漿處理裝置(CCP)。

如圖1和圖2結合所示，為本實施例的一種電容耦合型電漿處理裝置，其由射頻電源104向可移動下電極121施加射頻電源，透過電容耦合的方式在上電極111和可移動下電極121之間形成電漿環境以用於蝕刻。

該電漿處理裝置還包含電漿約束裝置131，該電漿約束裝置131環繞設置於該可移動下電極121的外側，其具體設置在可移動下電極121和反應腔腔體101之間。該電漿約束裝置131將電漿約束在上電極111和可移動下電極121之間的反應區域，避免電漿洩露到非反應區域，造成非反應區域的部件損傷。

該電漿約束裝置131的下方設置有中接地環132，該中接地環132用於為該電漿約束裝置131提供電場屏蔽。一上接地環135位於該可移動下電極121與電漿約束裝置131之間，且該上接地環135端部側壁與中接地環132的第一端部133連接，該上接地環135與可移動下電極121之間具有間隙。

如圖2所示，在本實施例中，電漿處理裝置還包含外絕緣環151和內絕緣環161，其可防止上接地環135和中接地環132以及可移動下電極121長期暴露於電漿環境中被侵蝕或發生電弧損傷問題。其中，外絕緣環151位於該電漿約束裝置131上，其包圍該上接地環135的內側壁、外側壁和頂部表面，以保護該上接地環135的內側壁、頂部表面和外側壁不被電漿侵蝕。內絕緣環161包圍該可移動下電極121的頂部表面邊緣區域和外側壁，在該上接地環135和可移動下電極121之間的間隙內，以保護該可移動下電極121的頂部表面邊緣區域和外側壁，避免被電漿侵蝕或發生電弧損傷問題。該內絕緣環161與外絕緣環151之間形成縫隙，該縫隙的寬度範圍為1至2mm，該縫隙的深寬比大於或等於10:1，使電漿在縫隙內猝滅，避免發生電漿洩露的問題，以免引起點火或電弧損傷。另外，在本實施例中，該外絕緣環151和該內絕緣環161均為石英環，石英材料可避免兩者受到電場的影響。

在本實施例中，該外絕緣環151包含倒立溝槽結構和第一延伸件154，該倒立溝槽結構套在該上接地環135上，該倒立溝槽結構覆蓋上接地環135的外側壁、頂部表面和內側壁，該外絕緣環151的第三端部152與該電漿約束裝置131接觸，其第四端部153在該上接地環135和該可移動下電極121之間的間隙內，該外絕緣環151的第四端部153的高度低於該第三端部152的高度。該第一延伸件154由該外絕緣環151的第四端部153向該可移動下電極121方向延伸而成，在本實施例中，該第一延伸件154由第四端部153向該可移動下電極121方向水平延伸而成，當然其也可不水平延伸，例如傾斜延伸。

其中，該外絕緣環151的倒立溝槽結構和第一延伸件154形成為一體。進一步的，該外絕緣環151的第三端部152與該電漿約束裝置131之間透過互補的階梯結構接觸，以防止電漿從縫隙中接觸侵蝕上接地環135和中接地環132。

該內絕緣環161為一彎折結構，其包含第一防護件162和第二防護件163。該第一防護件162覆蓋在該可移動下電極121頂部表面的外邊緣上，以保護該可移動下電極121的頂部表面外邊緣不受電漿侵蝕。該第二防護件163與該第一防護件162連接，該第二防護件163環繞包圍該可移動下電極121的外側壁，且位於該間隙內，以保護該可移動下電極121的外側壁不受電漿侵蝕或發生電弧損傷問題。較佳地，該第一防護件162和該第二防護件163形成為一體。

該可移動下電極121在高位和低位之間移動，其中，圖2是可移動下電極121處於低位的結構示意圖，圖3是可移動下電極121處於高位的結構示意圖，該可移動下電極121在移動的過程中，在該間隙內的該內絕緣環161與外絕緣環151之間始終有重疊區域，以防止電漿侵蝕上接地環135、中接地環132和可移動下電極121。由於外絕緣環151和內絕緣環161的交疊，即使可移動下電極121處於最高位，電漿也無法直接鑽入可移動下電極內的縫隙處，而是會在內絕緣環161與外絕緣環151的縫隙內猝滅掉；即使部分電漿未在縫隙內猝滅，外絕緣環151的第一延伸件154也更進一步阻止電漿接觸到中接地環132、上接地環135和可移動下電極121。

在本實施例中，該內絕緣環161和外絕緣環151的交疊區域設置在該可移動下電極121與上接地環135之間，不會影響可移動下電極121的上下移動，該結構不僅可以防止上接地環135、中接地環132和可移動下電極121被電漿侵蝕，還不會影響晶圓W傳遞等操作，在傳遞晶圓W時兩者的交疊區域不易被碰到，降低了內絕緣環161和外絕緣環151損壞的風險。

另外，通常情況下，反應腔腔體101由金屬材料所製備，因此，本實施例的電漿處理裝置還包含內襯171(請見圖1)，該內襯171可保護反應腔腔體101的內側壁不受電漿侵蝕。具體地，在本實施例中，該內襯171包含承載部分172和保護部分173，該承載部分172承載於真空反應腔100的側壁上，該保護部分173環繞設置於該真空反應腔100的內側壁，且該保護部分173的端部與該中接地環132的第二端部134連接。較佳地，該內襯171、中接地環132和上接地環135形成為一體，以便設備的安裝與維護。

實施例二

基於實施例一中的電漿處理裝置的結構特性，本實施例對外絕緣環251的結構做出了一些改變，主要針對該外絕緣環251處於上接地環235和可移動下電極221之間的間隙內的部分做出改變。

如圖4所示，在本實施例中，該外絕緣環251包含實施例一中的倒立溝槽結構，其套在該上接地環235上，該外絕緣環251的第三端部252與該電漿約束裝置231接觸，其第四端部253在該上接地環235和該可移動下電極221之間的間隙內，該外絕緣環251第四端部253的高度低於該第三端部252的高度。

該內絕緣環261的結構與實施例一相同，其包含第一防護件262和第二防護件263。該第一防護件262覆蓋在該可移動下電極221頂部表面的外邊緣上，該第二防護件263環繞包圍該可移動下電極221的外側壁，且位於該間隙內。

該外絕緣環251和內絕緣環261之間形成縫隙，該縫隙的寬度範圍為1至2mm，該縫隙的深寬比大於或等於10:1，足夠高的深寬比可保證電漿在縫隙內猝滅。中接地環232、上接地環235和可移動下電極221的外側壁始終被外絕緣環251和內絕緣環261所保護，以避免受到電漿侵蝕干擾。本實施例的其它結構部分及各組件作用方式都與實施例一中的相同，在此不再加以贅述。

實施例三

基於實施例一中的電漿處理裝置的結構特性，本實施例對外絕緣環351的結構做出了改變，主要針對該外絕緣環351的第一延伸件354部分作出改變。

如圖5所示，在本實施例中，該外絕緣環351包含實施例一中的倒立溝槽結構和第一延伸件354，其還包含第二延伸件355，該倒立溝槽結構套在該上接地環335上，該外絕緣環351的第三端部352與該電漿約束裝置331接觸，其第四端部353在該間隙內，該第四端部353的高度低於該第三端部352的高度，該第一延伸件354由該第四端部353朝向該可移動下電極321方向延伸而成，該第二延伸件355由該第一延伸件354端部向上彎折延伸而成。較佳地，該倒立溝槽結構、第一延伸件354和第二延伸件355形成為一體。

該內絕緣環361的結構與實施例一中的相同。較佳地，當該可移動下電極321處於低位時，該內絕緣環361底端被該外絕緣環351所包圍。該結構可有效地保證中接地環332、上接地環335和可移動下電極321不受電漿干擾。

相比於實施例一中的結構，本實施例中第二延伸件355的存在更能防止電漿對可移動下電極321的侵蝕。當可移動下電極321不處於低位時，即使有部分電漿擴散至縫隙底部，第二延伸件355可以使電漿無法接觸到可移動下電極321，進而避免了可移動下電極321的損傷。本實施例的其它結構部分及各組件作用方式都與實施例一中的相同，在此不再加以贅述。

實施例四

基於實施例一中的電漿處理裝置的結構特性，本實施例對內絕緣環461的結構做出了改變，主要針對該內絕緣環461處於上接地環435和可移動下電極421之間的間隙內的部分做出改變。

如圖6所示，在本實施例中，該外絕緣環451包含實施例一中的倒立溝槽結構和第一延伸件454。

該內絕緣環461包含實施例一中的第一防護件462和第二防護件463，其還包含第三延伸件464，該第三延伸件464由該第二防護件463向上接地環435方向延伸而成。該可移動下電極421處於低位時，該第三延伸件464的高度高於該第一延伸件454的高度，該結構既能保證可移動下電極421的上下移動，也可以保證電漿在外絕緣環451和內絕緣環461之間的縫隙中猝滅，以使中接地環432、上接地環435和可移動下電極421免受電漿干擾。本實施例的其它結構部分及各組件作用方式都與實施例一中的相同，在此不再加以贅述。

實施例五

基於實施例四中的電漿處理裝置的結構特性，本實施例對內絕緣環561的結構做出了改變，主要針對該內絕緣環561處於上接地環535和可移動下電極521之間的間隙內的部分做出改變。

如圖7所示，在本實施例中，該外絕緣環551為實施例二中的倒立溝槽結構。該內絕緣環561包含實施例四中的第一防護件562、第二防護件563和第三延伸件564，其還包含第四延伸件565，該第三延伸件564由該第二防護件563向該上接地環535方向延伸而成，該第四延伸件565由該第三延伸件564向上延伸而成。該可移動下電極521處於低位時，該第三延伸件564的高度高於該第一延伸件554的高度，該結構既能保證可移動下電極521的上下移動，也可以保證電漿在外絕緣環551和內絕緣環561之間的縫隙中猝滅，以使中接地環532、上接地環535和可移動下電極521免受電漿干擾。較佳地，該第一防護件562和第二防護件563和第三延伸件564和第四延伸件565形成為一體。本實施例的其它結構部分及各組件作用方式都與實施例四中的相同，在此不再加以贅述。

綜上所述，本發明的電漿處理裝置，設置有外絕緣環151和內絕緣環161等結構，該外絕緣環151位於該電漿約束裝置131上包圍該上接地環135的內側壁、外側壁和頂部表面，該內絕緣環161包圍該可移動下電極121的頂部表面和外側壁，在該間隙內的該內絕緣環161與外絕緣環151之間形成縫隙。在可移動下電極121移動範圍內，外絕緣環151和內絕緣環161始終有交疊區域，中接地環132、上接地環135和可移動下電極121始終被保護不被電漿侵蝕，可減少電漿處理裝置中的中接地環132、上接地環135和可移動下電極121等部件的損耗，增加了電漿處理裝置的使用壽命。

需要注意的是，本發明中的外絕緣環151和內絕緣環161既適用於電容耦合型電漿處理裝置，也適用於電感耦合型電漿處理裝置，即本發明的電漿處理裝置既可為電容耦合型電漿處理裝置，也可為電感耦合型電漿處理裝置。

儘管本發明的內容已經透過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域之具備通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。

100:真空反應腔 101:反應腔腔體 102:腔體端蓋 103:傳片門 104:射頻電源 111:上電極 121:可移動下電極 131:電漿約束裝置 132:中接地環 133:第一端部 134:第二端部 135:上接地環 151:外絕緣環 152:第三端部 153:第四端部 154:第一延伸件 161:內絕緣環 162:第一防護件 163:第二防護件 171:內襯 172:承載部分 173:保護部分 221:可移動下電極 231:電漿約束裝置231 232:中接地環 235:上接地環 251:外絕緣環 252:第三端部 253:第四端部 261:內絕緣環 262:第一防護件 263:第二防護件 321:可移動下電極 331:電漿約束裝置 332:中接地環 335:上接地環 351:外絕緣環 352:第三端部 353:第四端部 354:第一延伸件 355:第二延伸件 361:內絕緣環 421:可移動下電極 432:中接地環 435:上接地環 451:外絕緣環 454:第一延伸件 461:內絕緣環 462:第一防護件 463:第二防護件 464:第三延伸件 521:可移動下電極 532:中接地環 535:上接地環 551:外絕緣環 554:第一延伸件 561:內絕緣環 562:第一防護件 563:第二防護件 564:第三延伸件 565:第四延伸件 W:晶圓

圖1為本發明的一種電漿處理裝置的結構示意圖； 圖2為圖1中區域A的一種放大圖，此時，可移動組件處於低位； 圖3為圖2中可移動下電極處於高位時的結構示意圖； 圖4為圖1中區域A的另一種放大圖，此時，可移動組件處於低位； 圖5為圖1中區域A的又一種放大圖，此時，可移動組件處於低位； 圖6為圖1中區域A的再一種放大圖，此時，可移動組件處於低位； 圖7為圖1中區域A的又另一種放大圖，此時，可移動組件處於低位。

100:真空反應腔

101:反應腔腔體

102:腔體端蓋

103:傳片門

104:射頻電源

111:上電極

121:可移動下電極

131:電漿約束裝置

132:中接地環

135:上接地環

171:內襯

172:承載部分

173:保護部分

Claims (15)

1. 一種電漿處理裝置，其中，包含： 一真空反應腔，該真空反應腔內具有一上電極和一可移動下電極，該上電極和該可移動下電極相對設置，該上電極和該可移動下電極之間為電漿環境； 一電漿約束裝置，其環繞設置於該可移動下電極的外側； 一中接地環，設置於該電漿約束裝置的下方； 一上接地環，位於該可移動下電極與該電漿約束裝置之間，且其端部的側壁與該中接地環的一第一端部連接，該上接地環與該可移動下電極之間具有間隙； 一外絕緣環，位於該電漿約束裝置上包圍該上接地環的內側壁、外側壁和頂部表面； 一內絕緣環，包圍該可移動下電極的部分頂部表面和外側壁，在該間隙內的該內絕緣環與該外絕緣環之間形成縫隙。
2. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， 該可移動下電極在高位和低位之間移動，在移動的過程中，在該間隙內的該內絕緣環與該外絕緣環之間始終有重疊區域。
3. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， 該外絕緣環包含一倒立溝槽結構，該倒立溝槽結構套在該上接地環上，該外絕緣環的一第三端部與該電漿約束裝置接觸，其一第四端部在該上接地環和該可移動下電極之間的間隙內，該外絕緣環的該第四端部的高度低於該第三端部的高度。
4. 如請求項3所述之電漿處理裝置，其中，該外絕緣環進一步包含： 一第一延伸件，其由該外絕緣環的該第四端部向該可移動下電極方向延伸而成。
5. 如請求項4所述之電漿處理裝置，其中，該外絕緣環進一步包含： 一第二延伸件，其由該第一延伸件端部向上彎折延伸而成。
6. 如請求項5所述之電漿處理裝置，其中， 該可移動下電極處於低位時，該內絕緣環底端被該外絕緣環所包圍。
7. 如請求項1至請求項4中的任意一項所述之電漿處理裝置，其中，該內絕緣環為一彎折結構，其包含： 一第一防護件，其覆蓋在該可移動下電極外邊緣的頂部表面上； 一第二防護件，其與該第一防護件連接，該第二防護件環繞包圍該可移動下電極的外側壁，位於該間隙內。
8. 如請求項7所述之電漿處理裝置，其中，該內絕緣環進一步包含： 一第三延伸件，其由該第二防護件底部向該上接地環方向延伸而成，該可移動下電極處於低位時，該內絕緣環底部的高度高於該外絕緣環底部的高度。
9. 如請求項8所述之電漿處理裝置，其中，該內絕緣環進一步包含： 一第四延伸件，其由該第三延伸件向上彎折延伸而成。
10. 如請求項9所述之電漿處理裝置，其中， 該第一防護件及/或該第二防護件及/或該第三延伸件及/或該第四延伸件形成為一體。
11. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中，進一步包含：內襯，該內襯包含： 一承載部分，其承載於該真空反應腔的側壁上； 一保護部分，環繞設置於該真空反應腔的內側壁，且該保護部分的端部與該中接地環的該第二端部連接。
12. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， 該縫隙的寬度範圍為1 mm 至2mm； 及/或，該縫隙的深寬比大於或等於10:1。
13. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， 該外絕緣環和該內絕緣環均為石英環。
14. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， 該外絕緣環與該電漿約束裝置之間透過互補的階梯型結構進行接觸。
15. 如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， 該電漿處理裝置為電容耦合型電漿處理裝置。

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