KR20200137999A - 도브테일 홈 가공 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

도브테일 홈 가공 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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겐지 마스자와
가츠유키 오가미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 처리 장치의 내부의 처리 영역과 외부의 외부 영역을, 기판 처리 장치를 형성하는 제1 부재와 제2 부재 사이의 시일면에 마련되어 있는 시일 부재에 의해 차폐하는 시일면에 있어서, 시일 부재를 수용하는 도브테일 홈의 가공 방법이며, 시일면에 도입 구멍을 가공하는 공정과, 하방의 선단이 외측으로 돌출되는 테이퍼상의 절삭날을 구비하는 절삭 공구를 도입 구멍에 삽입하고, 도입 구멍의 개구에 있어서의 처리 영역측의 단부에 절삭날이 맞닿을 때까지 절삭 공구를 제1 방향으로 이동시키면서 절삭하는 공정과, 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 절삭 공구를 이동시켜 시일면의 길이 방향을 따라서 도브테일 홈을 가공하는 공정을 갖고 있다.

Description

도브테일 홈 가공 방법 및 기판 처리 장치{DOVETAIL GROOVE MACHINING METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}
본 개시는, 도브테일 홈 가공 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 시일 부재를 수용하는 도브테일 홈에 관한 것으로, 도브테일 홈의 개구부는 시일 부재의 폭보다도 좁게 형성되고, 개구부에 연통함과 함께 시일 부재의 폭보다도 넓은 폭의 절결부가 마련되어 있는 도브테일 홈이 개시되어 있다. 절결부는, 환상으로 형성되어 있는 도브테일 홈의 내측과 외측으로 돌출되어 있다.
일본 실용신안 출원 공개 평3-125952호 공보
본 개시는, 기판 처리 장치에 있어서 시일 부재를 수용하는 도브테일 홈을 절삭 공구를 사용하여 가공하는 데 있어서, 절삭 공구를 삽입하기 위한 도입 구멍에 반응 생성물이 퇴적하는 것을 억제하는 데 유리한 도브테일 홈 가공 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 도브테일 홈 가공 방법은,
기판 처리 장치의 내부의 처리 영역과 외부의 외부 영역을, 상기 기판 처리 장치를 형성하는 제1 부재와 제2 부재 사이의 시일면에 마련되어 있는 시일 부재에 의해 차폐하는 상기 시일면에 있어서, 상기 시일 부재를 수용하는 도브테일 홈의 가공 방법이며,
상기 시일면에 도입 구멍을 가공하는 공정과,
하방의 선단이 외측으로 돌출되는 테이퍼상의 절삭날을 구비하는 절삭 공구를 상기 도입 구멍에 삽입하고, 상기 도입 구멍의 개구에 있어서의 상기 처리 영역측의 단부에 상기 절삭날이 맞닿을 때까지 상기 절삭 공구를 제1 방향으로 이동시키면서 절삭하는 공정과,
상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 절삭 공구를 이동시켜, 상기 시일면의 길이 방향을 따라서 상기 도브테일 홈을 가공하는 공정을 갖고 있다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치에 있어서 시일 부재를 수용하는 도브테일 홈을 절삭 공구를 사용하여 가공하는 데 있어서, 절삭 공구를 삽입하기 위한 도입 구멍에 반응 생성물이 퇴적하는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 처리 용기를 형성하는 상부 챔버와 하부 챔버 사이의 시일 구조에 있어서, 하부 챔버의 일부를 상방에서 본 평면도이다.
도 3a는 도 2의 Ⅲa-Ⅲa 화살표도이다.
도 3b는 도 2의 Ⅲb-Ⅲb 화살표도이다.
도 4는 도브테일 홈의 다른 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 5는 처리 용기의 측벽의 개구 주위와 검사 창 사이의 시일 구조에 있어서, 측벽의 개구 주위를 측방에서 본 측면도이다.
도 6a는 도 5의 Ⅵa-Ⅵa 화살표도이다.
도 6b는 도 5의 Ⅵb-Ⅵb 화살표도이다.
도 7은 실시 형태에 따른 도브테일 홈 가공 방법을 설명하는 공정도이며, 하부 챔버의 시일면에 도입 구멍을 가공하는 공정을 설명하는 평면도이다.
도 8은 도 7의 VⅢ-VⅢ 화살표도이다.
도 9는 도 7 및 도 8에 이어서 실시 형태에 따른 도브테일 홈 가공 방법을 설명하는 공정도이다.
도 10은 도 9에 이어서 실시 형태에 따른 도브테일 홈 가공 방법을 설명하는 공정도이다.
도 11은 도 10의 XI-XI 화살표도이다.
도 12는 도 9 및 도 10에 이어서 실시 형태에 따른 도브테일 홈 가공 방법을 설명하는 공정도이다.
이하, 본 개시의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치와 도브테일 홈 가공 방법에 대하여, 첨부의 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성 요소에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략하는 경우가 있다.
[실시 형태에 따른 기판 처리 장치]
<기판 처리 장치>
처음에, 도 1을 참조하여, 본 개시의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례에 대하여 설명한다. 여기서, 도 1은, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시한 기판 처리 장치(100)는, FPD용 평면에서 볼 때 직사각형의 기판(이하, 단순히 「기판」이라고 함) G에 대해서, 각종 기판 처리 방법을 실행하는 유도 결합형 플라스마(Inductive Coupled Plasma: ICP) 처리 장치이다. 기판의 재료로서는, 주로 유리가 사용되고, 용도에 따라서는 투명한 합성 수지 등이 사용되는 경우도 있다. 여기서, 기판 처리에는, 에칭 처리나, CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용한 성막 처리 등이 포함된다. FPD로서는, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD)나 일렉트로루미네센스(Electro Luminescence: EL), 플라스마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등이 예시된다. 기판은, 그 표면에 회로가 패터닝되는 형태 외에, 지지 기판도 포함된다. 또한, FPD용 기판의 평면 치수는 세대의 추이와 함께 대규모화하고 있으며, 기판 처리 장치(100)에 의해 처리되는 기판 G의 평면 치수는, 예를 들어 제6세대의 1500㎜×1800㎜ 정도의 치수로부터, 제10.5세대의 3000㎜×3400㎜ 정도의 치수까지를 적어도 포함한다. 또한, 기판 G의 두께는 0.2㎜ 내지 수㎜ 정도이다.
도 1에 도시한 기판 처리 장치(100)는, 직육면체형의 상자형 처리 용기(10)와, 처리 용기(10) 내에 배치되어 기판 G가 적재되는 평면에서 볼 때 직사각형의 외형 기판 적재대(60)와, 제어부(90)를 갖는다. 또한, 처리 용기는, 원통상의 상자형이나 타원통상의 상자형 등의 형상이어도 되며, 이 형태에서는, 기판 적재대도 원형 혹은 타원형이 되고, 기판 적재대에 적재되는 기판도 원형 등이 된다.
처리 용기(10)는 유전체판(11)에 의해 상하 2개의 공간으로 구획되어 있으며, 상측 공간인 안테나실은 상부 챔버(12)에 의해 형성되고, 하방 공간인 처리 영역 S는 하부 챔버(13)에 의해 형성된다. 여기서, 처리 용기(10)의 내부의 처리 영역 S에 대해서, 처리 용기(10)의 외부를 외부 영역 E로 한다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 상부 챔버(12)와 하부 챔버(13)에 의해 포위되는 처리 용기(10)의 내부 전체 영역과 기판 적재대(60) 사이의 공간을 「처리 영역」이라 칭하기도 하고, 처리 용기(10)의 외부에 추가하여 기판 적재대(60)의 하방 공간을 「외부 영역」이라 칭하기도 한다. 즉, 외부 영역이, 하부 챔버(13)의 하부로부터 하부 챔버(13)의 내부로 돌출되는 구성이다. 하부 챔버(13)의 저판(13d)에 있어서, 기판 적재대(60)에 연결되는 급전선(71)이 관통하는 개소는 외기로 통할 수 있게 되어, 이 경우에는 기판 적재대(60)의 하방 공간은 외부 영역이 될 수 있기 때문이다.
처리 용기(10)에 있어서, 하부 챔버(13)와 상부 챔버(12)의 경계로 되는 위치에는 직사각형 환상의 지지 프레임(14)이 처리 용기(10)의 내측으로 돌출 설치하도록 해서 배치되어 있으며, 지지 프레임(14)에 유전체판(11)이 적재되어 있다. 처리 용기(10)는, 접지선(13e)에 의해 접지되어 있다.
처리 용기(10)는 알루미늄 등의 금속으로 형성되어 있으며, 유전체판(11)은 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스나 석영으로 형성되어 있다.
하부 챔버(13)의 측벽(13a)에는, 하부 챔버(13)에 대해서 기판 G를 반출입하기 위한 반출입구(13b)가 개설되어 있으며, 반출입구(13b)는 게이트 밸브(20)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 하부 챔버(13)에는 반송 기구를 내포하는 반송실(모두 도시생략)이 인접하고 있으며, 게이트 밸브(20)를 개폐 제어하고, 반송 기구로 반출입구(13b)를 통해 기판 G의 반출입이 행해진다.
또한, 하부 챔버(13)의 측벽(13a)에는, 간격을 두고 복수의 개구(13c)가 개설되어 있으며, 각각의 개구(13c)의 외부 영역 E측에는, 개구(13c)를 막도록 해서 석영제의 검사 창(25)이 설치되어 있다.
또한, 하부 챔버(13)가 갖는 저판(13d)에는 복수의 배기구(13f)가 개설되어 있으며, 배기구(13f)에는 가스 배기관(51)이 접속되고, 가스 배기관(51)은 개폐 밸브(52)를 통해 배기 장치(53)에 접속되어 있다. 가스 배기관(51), 개폐 밸브(52) 및 배기 장치(53)에 의해, 가스 배기부(50)가 형성된다. 배기 장치(53)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고, 프로세스 중에 챔버(13) 내를 소정의 진공도까지 진공화 가능하게 되어 있다. 또한, 챔버(13)의 적소에 압력계(도시생략)가 설치되어 있으며, 압력계에 의한 모니터 정보가 제어부(90)에 송신되도록 되어 있다.
유전체판(11)의 하면에 있어서, 유전체판(11)을 지지하기 위한 지지 빔이 마련되어 있으며, 지지 빔은 샤워 헤드(30)를 겸하고 있다. 샤워 헤드(30)는, 알루미늄 등의 금속에 의해 형성되어 있으며, 양극 산화에 의한 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 샤워 헤드(30) 내에는, 수평 방향으로 연장되는 가스 유로(31)가 형성되어 있으며, 가스 유로(31)에는, 하방으로 연장 설치되어 샤워 헤드(30)의 하방에 있는 처리 영역 S에 면하는 가스 토출 구멍(32)이 연통하고 있다.
유전체판(11)의 상면에는 가스 유로(31)에 연통하는 가스 도입관(45)이 접속되어 있으며, 가스 도입관(45)은 상부 챔버(12)의 천장(12a)에 개설되어 있는 공급구(12b)를 기밀하게 관통하고, 가스 도입관(45)과 기밀하게 결합된 가스 공급관(41)을 통해 처리 가스 공급원(44)에 접속되어 있다. 가스 공급관(41)의 도중 위치에는 개폐 밸브(42)와 매스 플로 컨트롤러와 같은 유량 제어기(43)가 개재되어 있다. 가스 도입관(45), 가스 공급관(41), 개폐 밸브(42), 유량 제어기(43) 및 처리 가스 공급원(44)에 의해, 처리 가스 공급부(40)가 형성된다. 또한, 가스 공급관(41)은 도중에 분기하고 있으며, 각 분기관에는 개폐 밸브와 유량 제어기 및 처리 가스종에 따른 처리 가스 공급원이 연통하고 있다(도시생략). 플라스마 처리에 있어서는, 처리 가스 공급부(40)로부터 공급되는 처리 가스가 가스 공급관(41) 및 가스 도입관(45)을 통해 샤워 헤드(30)에 공급되고, 가스 토출 구멍(32)을 통해 처리 영역 S로 토출된다.
안테나실을 형성하는 상부 챔버(12) 내에는, 고주파 안테나(15)가 배치되어 있다. 고주파 안테나(15)는, 구리 등의 양도전성의 금속으로 형성되는 안테나선(15a)을, 환상 혹은 와권상으로 권취 장착함으로써 형성된다. 예를 들어, 환상의 안테나선(15a)을 다중으로 배치해도 된다.
안테나선(15a)의 단자에는 상부 챔버(12)의 상방으로 연장 설치되는 급전 부재(16)가 접속되어 있으며, 급전 부재(16)의 상단에는 급전선(17)이 접속되고, 급전선(17)은 임피던스 정합을 행하는 정합기(18)를 통해 고주파 전원(19)에 접속되어 있다. 고주파 안테나(15)에 대해서 고주파 전원(19)으로부터 예를 들어 13.56㎒의 고주파 전력이 인가됨으로써, 하부 챔버(13) 내에 유도 전계가 형성된다. 이 유도 전계에 의해, 샤워 헤드(30)로부터 처리 영역 S로 공급된 처리 가스가 플라스마화되어 유도 결합형 플라스마가 생성되고, 플라스마 중의 이온이 기판 G에 제공된다. 고주파 전원(19)은 플라스마 발생용 소스원이며, 기판 적재대(60)에 접속되어 있는 고주파 전원(73)은, 발생한 이온을 끌어 당겨 운동 에너지를 부여하는 바이어스원으로 된다. 이와 같이, 이온 소스원에는 유도 결합을 이용하여 플라스마를 생성하고, 다른 전원인 바이어스원을 기판 적재대(60)에 접속하여 이온 에너지의 제어를 행함으로써, 플라스마의 생성과 이온 에너지의 제어가 독립적으로 행해져서, 프로세스의 자유도를 높일 수 있다. 고주파 전원(19)으로부터 출력되는 고주파 전력의 주파수는, 0.1 내지 500㎒의 범위 내에서 설정되는 것이 바람직하다.
기판 적재대(60)는, 기재(63)와, 기재(63)의 상면(63a)에 형성되어 있는 정전 척(66)을 갖는다.
기재(63)는, 상방 기재(61)와 하방 기재(62)의 적층체에 의해 형성된다. 상방 기재(61)의 평면에서 볼 때 형상은 직사각형이며, 기판 적재대(60)에 적재되는 FPD와 동일 정도의 평면 치수를 갖는다. 예를 들어, 상방 기재(61)는, 적재되는 기판 G와 동일 정도의 평면 치수를 갖고, 긴 변의 길이는 1800㎜ 내지 3400㎜ 정도이고, 짧은 변의 길이는 1500㎜ 내지 3000㎜ 정도의 치수로 설정할 수 있다. 이 평면 치수에 대해서, 상방 기재(61)와 하방 기재(62)의 두께의 총계는, 예를 들어 50㎜ 내지 100㎜ 정도로 될 수 있다.
하방 기재(62)에는, 직사각형 평면의 전체 영역을 커버하도록 사행된 온도 조절 매체 유로(62a)가 마련되어 있으며, 스테인리스강이나 알루미늄, 알루미늄 합금 등으로 형성된다. 한편, 상방 기재(61)는, 스테인리스강이나 알루미늄, 알루미늄 합금 등에 의해 형성된다. 또한, 온도 조절 매체 유로(62a)는, 예를 들어 상방 기재(61)나 정전 척(66)에 마련되어도 된다. 또한, 기재(63)가, 도시예와 같이 2 부재의 적층체가 아니라, 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 등에 의한 1 부재로 형성되어도 된다.
하부 챔버(13)의 저판(13d)의 위에는, 절연 재료에 의해 형성되어 내측에 단차부를 갖는 상자형의 받침대(68)가 고정되어 있으며, 받침대(68)의 단차부 위에 기판 적재대(60)가 적재된다.
상방 기재(61)의 상면에는, 기판 G가 직접 적재되는 정전 척(66)이 형성되어 있다. 정전 척(66)은, 알루미나 등의 세라믹스를 용사해서 형성되는 유전체 피막인 세라믹스층(64)과, 세라믹스층(64)의 내부에 매설되어 있어 정전 흡착 기능을 갖는 도전층(65)(전극)을 갖는다. 도전층(65)은, 급전선(74)을 통해 직류 전원(75)에 접속되어 있다. 제어부(90)에 의해, 급전선(74)에 개재되는 스위치(도시생략)가 온되면, 직류 전원(75)으로부터 도전층(65)으로 직류 전압이 인가됨으로써 쿨롱력이 발생한다. 이 쿨롱력에 의해, 기판 G가 정전 척(66)의 상면에 정전 흡착되고, 상방 기재(61)의 상면에 적재된 상태에서 보유 지지된다. 이와 같이, 기판 적재대(60)는, 기판 G를 적재하는 하부 전극을 형성한다.
기판 적재대(60)를 구성하는 하방 기재(62)에는, 직사각형 평면의 전체 영역을 커버하도록 사행된 온도 조절 매체 유로(62a)가 마련되어 있다. 온도 조절 매체 유로(62a)의 양단에는, 온도 조절 매체 유로(62a)에 대해서 온도 조절 매체가 공급되는 이송 배관(62b)과, 온도 조절 매체 유로(62a)를 유통하여 승온된 온도 조절 매체가 배출되는 이송 배관(62c)이 연통하고 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 이송 배관(62b)과 이송 배관(62c)에는 각각, 이송 유로(82)와 이송 유로(83)가 연통하고 있으며, 이송 유로(82)와 이송 유로(83)는 칠러(81)에 연통하고 있다. 칠러(81)는, 온도 조절 매체의 온도나 토출 유량을 제어하는 본체부와, 온도 조절 매체를 압송하는 펌프를 갖는다(모두 도시생략). 또한, 온도 조절 매체로서는 냉매가 적용되고, 이 냉매에는, 갈덴(등록상표)이나 플루오리너트(등록상표) 등이 적용된다. 도시예의 온도 조절 형태는, 하방 기재(62)에 온도 조절 매체를 유통시키는 형태이지만, 하방 기재(62)가 히터 등을 내장하고, 히터에 의해 온도 조절하는 형태여도 되고, 온도 조절 매체와 히터의 양쪽에 의해 온도 조절하는 형태여도 된다. 또한, 히터 대신에 고온의 온도 조절 매체를 유통시킴으로써 가열을 수반하는 온도 조절을 행해도 된다. 또한, 저항체인 히터는, 텅스텐이나 몰리브덴, 혹은 이들 금속의 어느 일종과 알루미나나 티타늄 등의 화합물로 형성된다. 또한, 도시예는, 하방 기재(62)에 온도 조절 매체 유로(62a)가 형성되어 있지만, 예를 들어 상방 기재(61)나 정전 척(66)이 온도 조절 매체 유로를 갖고 있어도 된다.
상방 기재(61)에는 열전대 등의 온도 센서가 배치되어 있으며, 온도 센서에 의한 모니터 정보는, 제어부(90)에 수시 송신된다. 그리고, 송신된 모니터 정보 에 기초하여, 상방 기재(61) 및 기판 G의 온도 조절 제어가 제어부(90)에 의해 실행된다. 보다 구체적으로는, 제어부(90)에 의해, 칠러(81)로부터 이송 유로(82)로 공급되는 온도 조절 매체의 온도나 유량이 조정된다. 그리고, 온도 조정이나 유량 조정이 행해진 온도 조절 매체가 온도 조절 매체 유로(62a)로 순환됨으로써, 기판 적재대(60)의 온도 조절 제어가 실행된다. 또한, 열전대 등의 온도 센서는, 예를 들어 하방 기재(62)나 정전 척(66)에 배치되어도 된다.
정전 척(66) 및 상방 기재(61)의 외주와, 직사각형 부재(68)의 상면에 의해 단차부가 형성되고, 이 단차부에는, 직사각형 프레임상의 포커스 링(69)이 적재되어 있다. 단차부에 포커스 링(69)이 설치된 상태에 있어서, 포커스 링(69)의 상면쪽이 정전 척(66)의 상면보다도 낮아지도록 설정되어 있다. 포커스 링(69)은, 알루미나 등의 세라믹스 혹은 석영 등으로 형성된다.
하방 기재(62)의 하면에는, 급전 부재(70)가 접속되어 있다. 급전 부재(70)의 하단에는 급전선(71)이 접속되어 있으며, 급전선(71)은 임피던스 정합을 행하는 정합기(72)를 통해 바이어스 전원인 고주파 전원(73)에 접속되어 있다. 기판 적재대(60)에 대해서 고주파 전원(73)으로부터 예를 들어 3.2㎒의 고주파 전력이 인가됨으로써, 플라스마 발생용 소스원인 고주파 전원(19)에서 생성된 이온을 기판 G로 끌어 당길 수 있다. 따라서, 플라스마 에칭 처리에 있어서는, 에칭 레이트와 에칭 선택비를 모두 높이는 것이 가능해진다. 또한, 하방 기재(62)에 관통 구멍(도시생략)이 개설되고, 급전 부재(70)가 관통 구멍을 관통해서 상방 기재(61)의 하면에 접속되어 있어도 된다.
제어부(90)는, 기판 처리 장치(100)의 각 구성부, 예를 들어 칠러(81)나, 고주파 전원(19, 73), 처리 가스 공급부(40), 압력계로부터 송신되는 모니터 정보에 기초하는 가스 배기부(50) 등의 동작을 제어한다. 제어부(90)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory)을 갖는다. CPU는, RAM 등의 기억 영역에 저장된 레시피(프로세스 레시피)에 따라서, 소정의 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 기판 처리 장치(100)의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보에는, 예를 들어 가스 유량이나 처리 용기(10) 내의 압력, 처리 용기(10) 내의 온도나 하방 기재(62)의 온도, 프로세스 시간 등이 포함된다.
레시피 및 제어부(90)가 적용하는 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크나 콤팩트 디스크, 광자기 디스크 등에 기억되어도 된다. 또한, 레시피 등은, CD-ROM, DVD, 메모리 카드 등의 가반성의 컴퓨터에 의한 판독이 가능한 기억 매체에 수용된 상태에서 제어부(90)에 세트되고, 판독되는 형태여도 된다. 제어부(90)는 그 밖에, 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나 마우스 등의 입력 장치, 기판 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등의 표시 장치 및 프린터 등의 출력 장치와 같은 사용자 인터페이스를 갖고 있다.
<시일 구조>
다음으로, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각종 시일 구조에 대하여 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는 다양한 2 부재의 시일 구조에 의해 형성되고, 2 부재의 각각의 시일면에 시일 부재가 배치됨으로써, 처리 영역 S와 외부 영역 E 사이의 시일 구조가 형성되어 있다.
도 1에 있어서, 처리 영역 S와 외부 영역 E 사이의 시일 구조의 일례로서, 하부 챔버(13)(제1 부재의 일례)와 상부 챔버(12)(제2 부재의 일례) 사이의 시일 구조(110)가 있다. 이 시일 구조(110)에서는, 직사각형 프레임상 하부 챔버(13)의 시일면에 있어서, 이 시일면의 길이 방향을 따르는 직사각형 프레임상(무단상)의 도브테일 홈(112)이 형성되고, 도브테일 홈(112)에 O링 등의 시일 부재(118)가 끼워 넣어져 있다. 시일 부재(118)를 상부 챔버(12)가 갖는 직사각형 프레임상의 시일면에서 보유 지지함으로써, 시일 구조(110)가 형성된다. 또한, 도시예는, 하부 챔버(13)의 시일면에 도브테일 홈(112)이 형성되어 있지만, 상부 챔버(12)의 시일면에 도브테일 홈이 형성되어도 된다. 시일 구조(110)에 대해서는, 이하에서 상세히 설명한다.
또한, 다른 시일 구조로서, 하부 챔버(13)의 측벽(13a)(제1 부재의 일례)에 개설되어 있는 개구(13c)의 주위와, 이 개구(13c)를 막도록 해서 설치되어 있는 검사 창(25)(제2 부재의 일례) 사이의 시일 구조(120)가 있다. 이 시일 구조(120)에서는, 측벽(13a)의 외측면이 시일면으로 되고, 이 외측면에 있어서의 측면에서 볼 때 직사각 형상의 개구(13c)의 주위에 직사각형 프레임상(무단상)의 도브테일 홈(122)이 형성되고, 도브테일 홈(122)에 O링 등의 시일 부재(128)가 끼워 넣어져 있다. 시일 부재(128)를 검사 창(25)의 시일면에서 보유 지지함으로써, 시일 구조(120)가 형성된다. 시일 구조(120)에 대해서는, 이하에서 상세히 설명한다. 또한, 개구(13c) 및 도브테일 홈(122)은 직사각형 프레임상에 한정되지는 않고, 원환상 등의 형상이어도 된다.
또한, 또 다른 시일 구조로서, 하부 챔버(13)의 저판(13d)(제1 부재의 일례)에 개설되어 있는 배기구(13f)의 주위와, 이 배기구(13f)를 막도록 해서 설치되어 있는 가스 배기관(51)(제2 부재의 일례) 사이의 시일 구조(130)가 있다. 이 시일 구조(130)에서는, 저판(13d)의 외측면(하면)이 시일면으로 되고, 이 외측면에 있어서의 원 형상의 배기구(13f)의 주위에 환상(무단상)의 도브테일 홈(132))이 형성되고, 도브테일 홈(132))에 O링 등의 시일 부재(138)가 끼워 넣어져 있다. 시일 부재(138)를 가스 배기관(51)의 시일면에서 보유 지지함으로써, 시일 구조(130)가 형성된다.
또한, 또 다른 시일 구조로서, 상부 챔버(12)의 천장(12a)(제1 부재의 일례)에 개설되어 있는 공급구(12b)의 주위와, 이 공급구(12b)를 막도록 해서 설치되어 있는 가스 공급관(41)(제2 부재의 일례) 사이의 시일 구조(140)가 있다. 이 시일 구조(140)에서는, 천장(12a)의 외측면(상면)이 시일면으로 되고, 이 외측면에 있어서의 원 형상의 공급구(12b)의 주위에 환상(무단상)의 도브테일 홈(142)이 형성되고, 도브테일 홈(142)에 O링 등의 시일 부재(148)가 끼워 넣어져 있다. 시일 부재(148)를 가스 공급관(41)의 시일면에서 보유 지지함으로써, 시일 구조(140)가 형성된다.
또한, 또 다른 시일 구조로서, 받침대(68)(제1 부재의 일례)와, 받침대(68)에 적재되는 기판 적재대(60)(제2 부재의 일례) 사이의 시일 구조(150)가 있다. 이 시일 구조(150)에서는, 받침대(68)가 갖는 평면에서 볼 때 직사각형 프레임상의 단차부 상면(적재면)이 시일면으로 되고, 이 직사각형 프레임상의 상면에 직사각형 프레임상(무단상)의 도브테일 홈(152)이 형성되고, 도브테일 홈(152)에 O링 등의 시일 부재(158)가 끼워 넣어져 있다. 시일 부재(158)를, 기판 적재대(60)를 형성하는 하방 기재(62)의 시일면에서 보유 지지함으로써, 시일 구조(150)가 형성된다.
또한, 시일 구조(150)는, 받침대(68)의 형상이나 기판 적재대(60)의 적재 형태에 의해, 도시예 이 외에도 다양한 시일 구조가 존재할 수 있다. 예를 들어, 받침대가 복수의 프레임상 부재를 적층하여 형성되는 경우에는, 상하에 인접하는 제2 부재의 한쪽의 시일면에 도브테일 홈이 형성되고, 시일 부재가 끼워 넣어져 시일 구조가 형성된다.
또한, 도시를 생략하였지만, 도 1에 있어서, 받침대(68)의 저면과 하부 챔버(13)의 저판(13d)의 상면과의 사이에 시일 구조를 형성해도 된다. 이 경우, 예를 들어 저판(13d)에 있어서, 급전선(71)이 관통하는 개소의 주위에 무단상의 도브테일 홈이 형성되고, 도브테일 홈에 시일 부재가 끼워 넣어져 시일 구조가 형성된다.
또한, 도시를 생략하였지만, 하부 챔버의 저판과 기판 적재대를 리프터 핀이 승강 가능하게 관통하는 형태에서는, 예를 들어 리프터 핀과 하부 챔버의 저판의 사이, 혹은 리프터 핀과 기판 적재대의 사이에 있어서 시일 구조가 형성된다.
상기 어느 형태의 시일 구조(110 내지 150)에 있어서도, 시일 부재(118 내지 158)로서 적용되는 O링의 재질로서는, 예를 들어 니트릴 고무(NBR), 불소 고무(FKM), 실리콘 고무(Q)를 사용할 수 있다. 또한, 플루오로 실리콘 고무(FVMQ), 퍼플루오로 폴리에테르계 고무(FO), 아크릴 고무(ACM), 에틸렌프로필렌 고무(EPM)를 사용할 수 있다.
상부 챔버(12)와 하부 챔버(13) 사이의 시일면에 있어서는, 직사각형 프레임상의 시일 구조(110)의 처리 영역 S측 혹은 외부 영역 E측에 있어서, 실드 구조(도시생략)가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 실드 구조는, 시일 구조(110)와 마찬가지로 직사각형 프레임상(무단상)이나, 무단상이 아니라 간헐적인 프레임상으로 형성된다. 예를 들어, 하부 챔버(13)의 시일면에 형성되어 있는 도브테일 홈(112)의 측방에, 실드 구조용의 별도의 도브테일 홈이 형성된다. 이 도브테일 홈에 스파이럴 실드가 끼워 넣어지고, 상부 챔버(12)의 시일면에 의해 보유 지지된다. 스파이럴 실드는, 예를 들어 알루미늄이나 스테인리스, 구리, 철 등의 금속제이며, 상부 챔버(12)와 하부 챔버(13)의 도통을 확보하고, 상부 챔버(12)를 접지 전위에 유지하는 기능을 갖는다. 또한, 스파이럴 실드는, 상부 챔버(12)와 하부 챔버(13)의 사이에서 고주파나 플라스마가 누설되는 것을 방지하는 기능을 갖는다.
이하, 시일 구조(110, 120)에 대하여 상세히 설명하지만, 다른 시일 구조(130 내지 150)도, 그것들의 기본 구성은 시일 구조(110, 120)와 마찬가지이다.
(시일 구조의 일례)
우선, 도 2 및 도 3a, 3b를 참조하여, 시일 구조(110)에 대하여 설명한다. 여기서, 도 2는, 처리 용기를 형성하는 상부 챔버와 하부 챔버 사이의 시일 구조에 있어서, 하부 챔버의 일부를 상방에서 본 평면도이다. 또한, 도 3a는, 도 2의 Ⅲa-Ⅲa 화살표도이며, 도 3b는, 도 2의 Ⅲb-Ⅲb 화살표도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 하부 챔버(13)가 갖는 직사각형 프레임상의 시일면(111)에는, 시일면(111)의 무단상의 선형을 따르는 선형을 갖는 도브테일 홈(112)이 형성되어 있다. 그리고, 도브테일 홈(112)의 도중 위치에는 원기둥형의 도입 구멍(113)이 형성되어 있으며, 도브테일 홈(112)은, 도입 구멍(113)에 있어서의 처리 영역 S측의 단부와 동일 평면 상에 있게 형성되어 있다. 도입 구멍(113)은 도브테일 홈(112)을 가공할 때 사용되는 절삭 공구(도 9 및 도 10 참조)가 삽입되는 구멍이기 때문에, 도 2에 도시한 바와 같이, 도브테일 홈(112)의 개구 폭 t1보다도 큰 직경 t2를 갖고 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 도브테일 홈(112)이 도입 구멍(113)에 있어서의 처리 영역 S측의 단부와 동일 평면 상에 있게 형성되어 있음으로써, 도입 구멍(113)은, 도브테일 홈(112)보다도 처리 영역 S측으로 돌출되어 있지 않고, 도입 구멍(113)의 일부는 외부 영역 E측으로 돌출되어 있다. 그리고, 직사각형 프레임상(무단상)의 도브테일 홈(112)에, 무단상의 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(118)가 끼워 넣어진다.
시일 구조(110) 중, 도입 구멍(113)과 도브테일 홈(112)이 교차하는 개소(도브테일 홈의 가공 시에, 절삭 공구가 삽입되는, 소위 엔트리 포인트)에 있어서는, 도 3a에 도시한 바와 같이 시일 부재(118)가 도브테일 홈(112)의 처리 영역측 S에 치우친 상태에서 끼워 넣어져 있다. 또한, 도입 구멍(113)은, 도브테일 홈(112)의 길이 방향에 있어서 복수 개소에 마련되어도 된다.
한편, 시일 구조(110)의 일반부(도입 구멍(113)의 존재하지 않는 부분)에서는, 도 3b에 도시한 바와 같이 도브테일 홈(112)에 시일 부재(118)가 끼워 넣어져 있다. 그리고, 상부 챔버(12)의 시일면(115)과 하부 챔버(13)의 시일면(111)이 맞닿을 때, 시일 부재(118)는 그 일부가 찌부러져 변형됨으로써, 시일 구조(110)가 형성된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 시일 구조(110)에 있어서, 도입 구멍(113)이 도브테일 홈(112)보다도 처리 영역 S측으로 돌출되지 않음으로써, 도입 구멍(113)에 처리 영역 S 내에서 생성된 반응 생성물이 퇴적하는 것이 해소된다. 또한, 종래의 도입 구멍과 도브테일 홈의 구성에 있어서는, 평면에서 볼 때 원형의 도입 구멍의 중심과 도브테일 홈의 폭의 중심이 일치하고, 도브테일 홈의 개구 폭보다도 직경이 큰 도입 구멍의 일부가 도브테일 홈보다도 처리 영역 S측으로 돌출되어 간극을 형성하고 있다. 그 때문에, 처리 영역 S 내에서 생성된 반응 생성물이 이 간극에 퇴적하여, 파티클이나 부식의 원인으로 될 수 있다.
도 4는, 도브테일 홈의 다른 실시 형태를 나타내는 단면도이며, 도 3b에 대응하는 양태에서 나타내는 도면이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 시일면(111)에 형성되는 무단상의 도브테일 홈의 적어도 일부에 있어서, 편측에만 테이퍼면을 갖는 편측 도브테일 홈(114)이 형성되어 있어도 된다.
(시일 구조의 다른 예)
다음으로, 도 5 및 도 6a, 6b를 참조하여, 시일 구조(120)에 대하여 설명한다. 여기서, 도 5는, 처리 용기의 측벽의 개구 주위와 검사 창 사이의 시일 구조에 있어서, 측벽의 개구 주위를 측방에서 본 측면도이다. 또한, 도 6a는, 도 5의 Ⅵa-Ⅵa 화살표도이며, 도 6b는, 도 5의 Ⅵb-Ⅵb 화살표도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 하부 챔버(13)의 측벽(13a)에 개설되어 있는 측면에서 볼 때 직사각 형상의 개구(13c)의 주위의 시일면(121)에는, 개구(13c)의 윤곽을 따르는 무단상의 도브테일 홈(122)이 형성되어 있다. 그리고, 도브테일 홈(122)의 도중 위치에는 원기둥형의 도입 구멍(123)이 형성되어 있으며, 도브테일 홈(122)은, 도입 구멍(123)에 있어서의 처리 영역 S측(개구(13c)측)의 단부와 동일 평면 상에 있게 형성되어 있다. 도입 구멍(123)은 도브테일 홈(122)을 가공할 때 사용되는 절삭 공구(도 9 및 도 10 참조)가 삽입되는 구멍이기 때문에, 도 5에 도시한 바와 같이, 도브테일 홈(122)의 개구 폭 t3보다도 큰 직경 t4를 갖고 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 도브테일 홈(122)이 도입 구멍(123)에 있어서의 처리 영역 S측의 단부와 동일 평면 상에 있게 형성되어 있음으로써, 도입 구멍(123)은, 도브테일 홈(122)보다도 처리 영역 S측으로 돌출되지 않고, 도입 구멍(123)의 일부는 외부 영역 E측으로 돌출되어 있다. 그리고, 직사각형 프레임상(무단상)의 도브테일 홈(122)에, 무단상의 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(128)가 끼워 넣어진다.
시일 구조(120) 중, 도입 구멍(123)과 도브테일 홈(122)이 교차하는 개소(소위 엔트리 포인트)에 있어서는, 도 6a에 도시한 바와 같이 시일 부재(128)가 도브테일 홈(122)의 처리 영역측 S에 치우친 상태에서 끼워 넣어져 있다. 또한, 도입 구멍(123)은, 도브테일 홈(122)의 길이 방향에 있어서 복수 개소에 마련되어도 된다.
한편, 시일 구조(120)의 일반부에서는, 도 6b에 도시한 바와 같이 도브테일 홈(122)에 시일 부재(128)가 끼워 넣어져 있다. 그리고, 하부 챔버(13)의 시일면(121)과 검사 창(25)의 시일면(125)이 맞닿을 때, 시일 부재(128)는 그 일부가 찌부러져 변형됨으로써, 시일 구조(120)가 형성된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 시일 구조(120)에 있어서, 도입 구멍(123)이 도브테일 홈(122)보다도 처리 영역 S측으로 돌출되지 않음으로써, 도입 구멍(123)에 처리 영역 S 내에서 생성된 반응 생성물이 퇴적하는 것이 해소된다.
[실시 형태에 따른 도브테일 홈 가공 방법]
다음으로, 도 7 내지 도 12를 참조하여, 실시 형태에 따른 도브테일 홈 가공 방법의 일례에 대하여 설명한다. 여기서, 도 7, 도 9, 도 10 및 도 12는 순서대로, 실시 형태에 따른 도브테일 홈 가공 방법을 설명하는 공정도이며, 도 8은, 도 7의 VⅢ-VⅢ 화살표도이며, 도 11은, 도 10의 XI-XI 화살표도이다. 또한, 여기서는, 시일 구조(110)를 형성하는 도브테일 홈(112)의 가공 방법에 대하여 설명한다.
우선, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 하부 챔버(13)의 시일면(111)에 있어서, 도시하지 않은 절삭 공구를 사용하여 원기둥형의 도입 구멍(113)을 가공한다.
다음으로, 도 9에 도시한 바와 같이, 하방의 선단이 외측으로 돌출되는 테이퍼상의 절삭날 B를 구비하는 절삭 공구 T를 도입 구멍(113)에 삽입한다. 그리고, 도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 절삭 공구 T를 그 축심 주위의 X 방향으로 회전시키면서, 도입 구멍(113)에 있어서의 처리 영역 S측의 단부(113a)에 절삭날 B의 상단 Ba가 맞닿을 때까지 절삭 공구 T를 제1 방향인 Y1 방향(시일면(111)의 폭 방향)으로 이동시키면서 절삭한다. 또한, 도입 구멍(113)의 깊이가 절삭날 B의 길이보다도 얕은 경우에는, 상단 Ba보다도 하방에 있고, 도입 구멍(113)의 개구 단부(113a)에 대응하는 절삭날 B의 부위가, 단부(113a)에 맞닿을 때까지 절삭한다.
다음으로, 도 12에 도시한 바와 같이, 제1 방향인 Y1 방향에 교차하는(도시 예의 교차 방향은 직교 방향) 제2 방향인 Y2 방향으로 절삭 공구 T를 회전시키면서 이동시킴으로써, 시일면(111)의 길이 방향을 따라서 도브테일 홈(112)을 가공한다.
예를 들어, 도입 구멍(113)이 하나인 경우에는, 도 12에 도시한 도입 구멍(113)을 시점으로 하여 도브테일 홈(112)의 가공을 개시하고, 직사각형 프레임상으로 도브테일 홈(112)을 가공하여 절삭 공구 T를 도입 구멍(113)으로 되돌림으로써, 도 2의 일부로서 나타내는 직사각형 프레임상의 도브테일 홈(112)이 가공된다.
예를 들어 도입 구멍(113)을 2개 갖는 경우에는, 각각의 도입 구멍(113)을 시점으로 하여 2개의 절삭 공구 T로 도브테일 홈(112)을 가공함으로써, 가공 효율을 높일 수 있다. 또한, 그 밖에, 도입 구멍(113)을 2개 갖는 경우(예를 들어, 직사각형 프레임상이 대향하는 짧은 변의 각각 중심으로 도입 구멍(113)을 갖는 경우)에 있어서, 한쪽의 도입 구멍(113)을 시점으로 하여 도브테일 홈(112)을 직사각형 프레임상의 절반까지 가공한다. 이어서, 예를 들어 하부 챔버(13)가 적재된 턴테이블을 회전시켜, 다른 쪽의 도입 구멍(113)을 시점으로 하여 나머지 절반의 도브테일 홈(112)을 마찬가지로 가공함으로써, 직사각형 프레임상의 도브테일 홈(112)을 가공할 수 있다. 이것은, 가공 대상물이 대형인 경우에 있어서 특히 유효한 가공 방법이다.
상기 실시 형태에 예로 든 구성 등에 대해서, 그 밖의 구성 요소가 조합되는 등으로 한 다른 실시 형태여도 되며, 또한, 본 개시는 여기에서 나타낸 구성에 전혀 한정되는 것은 아니다. 이 점에 관해서는, 본 개시의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 변경하는 것이 가능하며, 그 응용 형태에 따라서 적절하게 정할 수 있다.
예를 들어, 도시예의 기판 처리 장치(100)는 유전체 창을 구비한 유도 결합형의 플라스마 처리 장치로서 설명하였지만, 유전체 창 대신에 금속 창을 구비한 유도 결합형의 플라스마 처리 장치여도 되며, 다른 형태의 플라스마 처리 장치여도 된다. 구체적으로는, 전자 사이클로트론 공명 플라스마(Electron Cyclotron resonance Plasma; ECP)나 헬리콘파 여기 플라스마(Helicon Wave Plasma; HWP), 평행 평판 플라스마(Capacitively coupled Plasma; CCP)를 들 수 있다. 또한, 마이크로파 여기 표면파 플라스마(Surface Wave Plasma; SWP)를 들 수 있다. 이들 플라스마 처리 장치는, ICP를 포함해, 모두 이온 플럭스와 이온 에너지를 독립적으로 제어할 수 있고, 에칭 형상이나 선택성을 자유롭게 제어할 수 있음과 함께, 1011 내지 1013㎝-3 정도로 높은 전자 밀도가 얻어진다.

Claims (19)

  1. 기판 처리 장치의 내부의 처리 영역과 외부의 외부 영역을, 상기 기판 처리 장치를 형성하는 제1 부재와 제2 부재 사이의 시일면에 마련되어 있는 시일 부재에 의해 차폐하는 상기 시일면에 있어서, 상기 시일 부재를 수용하는 도브테일 홈의 가공 방법이며,
    상기 시일면에 도입 구멍을 가공하는 공정과,
    하방의 선단이 외측으로 돌출되는 테이퍼상의 절삭날을 구비하는 절삭 공구를 상기 도입 구멍에 삽입하고, 상기 도입 구멍의 개구에 있어서의 상기 처리 영역측의 단부에 상기 절삭날이 맞닿을 때까지 상기 절삭 공구를 제1 방향으로 이동시키면서 절삭하는 공정과,
    상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 상기 절삭 공구를 이동시켜, 상기 시일면의 길이 방향을 따라서 상기 도브테일 홈을 가공하는 공정을 갖고 있는, 도브테일 홈 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도입 구멍이, 상기 도브테일 홈보다도 상기 처리 영역측으로 돌출되지 않은, 도브테일 홈 가공 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 시일면이 프레임상 혹은 환상의 무단상을 나타내고, 상기 도브테일 홈이 상기 시일면의 무단상의 선형을 따르는 선형을 갖고 있는, 도브테일 홈 가공 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 방향과 상기 제2 방향의 교차 방향이 직교하는, 도브테일 홈 가공 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도브테일 홈의 적어도 일부를 편측 도브테일 홈으로서 가공하는, 도브테일 홈 가공 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 하부 챔버와 상부 챔버에 의해 형성되는 처리 용기를 갖고 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버이며,
    상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버의 어느 한쪽의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈을 형성하는, 도브테일 홈 가공 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 측벽에 개설되어 있는 개구를 막도록 검사 창이 설치되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 측벽과 상기 검사 창이며,
    상기 측벽의 상기 개구의 주위의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈을 형성하는, 도브테일 홈 가공 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 천장에 개설되어 있는 공급구를 통해 가스 공급관이 설치되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 천장과 상기 가스 공급관이며,
    상기 천장의 상기 공급구의 주위의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈을 형성하는, 도브테일 홈 가공 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 저판에 개설되어 있는 배기구를 통해 가스 배기관이 설치되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 저판과 상기 가스 배기관이며,
    상기 저판의 상기 배기구의 주위의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈을 형성하는, 도브테일 홈 가공 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 저판 위에 받침대가 고정되고, 상기 받침대에 기판 적재대가 적재되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 받침대와 상기 기판 적재대이며,
    상기 받침대와 상기 기판 적재대의 어느 한쪽의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈을 형성하는, 도브테일 홈 가공 방법.
  11. 기판 처리 장치의 내부의 처리 영역과 외부의 외부 영역을, 상기 기판 처리 장치를 형성하는 제1 부재와 제2 부재 사이의 시일면에 마련되어 있는 시일 부재에 의해 차폐하는 상기 시일면에 있어서, 상기 시일 부재를 수용하는 도브테일 홈을 구비하고 있는 기판 처리 장치이며,
    상기 시일면은, 원기둥형의 도입 구멍을 구비하고,
    상기 도브테일 홈은, 상기 도입 구멍에 있어서의 상기 처리 영역측의 단부와 동일 평면 상에 있게 형성되고, 상기 시일면의 길이 방향으로 연장 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 도입 구멍이, 상기 도브테일 홈보다도 상기 처리 영역측으로 돌출되지 않은, 기판 처리 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 시일면이 프레임상 혹은 환상의 무단상을 나타내고, 상기 도브테일 홈이 상기 시일면의 무단상의 선형을 따르는 선형을 갖고 있는, 기판 처리 장치.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도브테일 홈의 적어도 일부가 편측 도브테일 홈인, 기판 처리 장치.
  15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 하부 챔버와 상부 챔버에 의해 형성되는 처리 용기를 갖고 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버이며,
    상기 하부 챔버와 상기 상부 챔버의 어느 한쪽의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈이 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  16. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 측벽에 개설되어 있는 개구를 막도록 검사 창이 설치되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 측벽과 상기 검사 창이며,
    상기 측벽의 상기 개구의 주위의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈이 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  17. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 천장에 개설되어 있는 공급구를 통해 가스 공급관이 설치되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 천장과 상기 가스 공급관이며,
    상기 천장의 상기 공급구의 주위의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈이 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  18. 제11항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 저판에 개설되어 있는 배기구를 통해 가스 배기관이 설치되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 저판과 상기 가스 배기관이며,
    상기 저판의 상기 배기구의 주위의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈이 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  19. 제11항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 처리 용기를 갖고, 상기 처리 용기의 저판 위에 받침대가 고정되고, 상기 받침대에 기판 적재대가 적재되어 있으며,
    상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 각각, 상기 받침대와 상기 기판 적재대이며,
    상기 받침대와 상기 기판 적재대의 어느 한쪽의 상기 시일면에 상기 도브테일 홈이 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
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