CN112017938A - 燕尾槽加工方法以及基板处理装置 - Google Patents

燕尾槽加工方法以及基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112017938A
CN112017938A CN202010441138.0A CN202010441138A CN112017938A CN 112017938 A CN112017938 A CN 112017938A CN 202010441138 A CN202010441138 A CN 202010441138A CN 112017938 A CN112017938 A CN 112017938A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dovetail groove
processing apparatus
substrate processing
sealing surface
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010441138.0A
Other languages
English (en)
Inventor
增泽健二
大上胜行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN112017938A publication Critical patent/CN112017938A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
    • B23B27/02—Cutting tools with straight main part and cutting edge at an angle
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Milling Processes (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供对于以下情况有利的燕尾槽加工方法以及基板处理装置：在基板处理装置中，当使用切削工具加工收纳密封构件的燕尾槽时，抑制反应生成物在供切削工具插入的导入孔堆积。在利用设于形成基板处理装置的第一构件和第二构件之间的密封面的密封构件将基板处理装置的内部的处理区域和外部的外部区域之间屏蔽的密封面收纳密封构件的燕尾槽的加工方法具有以下工序：在密封面加工导入孔；将切削工具插入导入孔，该切削工具具备下方的顶端向外侧伸出的锥形状的切削刃，一边使切削工具向第一方向移动直到切削刃与导入孔的开口中的靠处理区域侧的端部抵接一边进行切削；使切削工具向与第一方向交叉的第二方向移动，沿密封面的长度方向加工燕尾槽。

Description

燕尾槽加工方法以及基板处理装置
技术领域
本公开涉及燕尾槽加工方法以及基板处理装置。
背景技术
在专利文献1中，涉及收纳密封构件的燕尾槽，并公开有如下燕尾槽：燕尾槽的开口部形成得比密封构件的宽度窄，并设有与开口部连通且宽度比密封构件的宽度宽的切除部。切除部向形成为环状的燕尾槽的内侧和外侧伸出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本实开平3-125952号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供对于以下情况有利的燕尾槽加工方法以及基板处理装置：在基板处理装置中，当使用切削工具加工收纳密封构件的燕尾槽时，抑制反应生成物在用于供切削工具插入的导入孔堆积。
用于解决问题的方案
本公开的一形态的燕尾槽加工方法是在利用设于形成基板处理装置的第一构件和第二构件之间的密封面的密封构件将所述基板处理装置的内部的处理区域和该基板处理装置的外部的外部区域之间屏蔽的所述密封面收纳所述密封构件的燕尾槽的加工方法，
该燕尾槽加工方法具有以下工序：
在所述密封面加工导入孔；
将切削工具插入所述导入孔，该切削工具具备下方的顶端向外侧伸出的锥形状的切削刃，一边使所述切削工具向第一方向移动直到所述切削刃与所述导入孔的开口中的靠所述处理区域侧的端部抵接一边进行切削；以及
使切削工具向与所述第一方向交叉的第二方向移动，沿所述密封面的长度方向加工所述燕尾槽。
发明的效果
根据本公开，在基板处理装置中，当使用切削工具加工收纳密封构件的燕尾槽时，能够抑制反应生成物在用于供切削工具插入的导入孔堆积。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理装置的一例的剖视图。
图2是在形成处理容器的上腔室和下腔室之间的密封构造处从上方观察下腔室的局部而得到的俯视图。
图3A是图2的IIIa－IIIa向视图。
图3B是图2的IIIb－IIIb向视图。
图4是表示燕尾槽的其他实施方式的剖视图。
图5是在处理容器的侧壁的开口周围和观察窗之间的密封构造处从侧方观察侧壁的开口周围而得到的侧视图。
图6A是图5的VIa－VIa向视图。
图6B是图5的VIb－VIb向视图。
图7是说明实施方式的燕尾槽加工方法的工序图，是说明在下腔室的密封面加工导入孔的工序的俯视图。
图8是图7的VIII－VIII向视图。
图9是继图7以及图8之后说明实施方式的燕尾槽加工方法的工序图。
图10是继图9之后说明实施方式的燕尾槽加工方法的的工序图。
图11是图10的XI－XI向视图。
图12是继图9以及图10之后说明实施方式的燕尾槽加工方法的工序图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式的基板处理装置和燕尾槽加工方法进行说明。另外，在本说明书以及附图中，有时对实质上相同的结构要素标注相同的附图标记而省略重复说明。
(实施方式的基板处理装置)
＜基板处理装置＞
首先，参照图1，对本公开的实施方式的基板处理装置的一例进行说明。在此，图1是表示实施方式的基板处理装置的一例的剖视图。
图1所示的基板处理装置100是对FPD用的俯视时呈矩形的基板(以下，简称为“基板”)G执行各种基板处理方法的电感耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基板的材料，主要使用玻璃，有时也根据用途而使用透明的合成树脂等。在此，基板处理包含蚀刻处理、使用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，例示有液晶显示器(Liquid Crystal Display：LCD)、电致发光(ElectroLuminescence：EL)、等离子显示面板(Plasma Display Panel：PDP)等。基板除了在其表面图案化电路的形态以外，还包含支承基板。另外，FPD用基板的平面尺寸随着世代的推移而大规模化，由基板处理装置100处理的基板G的平面尺寸至少包括例如从第6代的1500mm×1800mm左右的尺寸到第10.5代的3000mm×3400mm左右的尺寸。此外，基板G的厚度为0.2mm至数mm左右。
图1所示的基板处理装置100具有呈长方体状的箱型的处理容器10、配设在处理容器10内且供基板G载置的俯视时呈矩形的外形的基板载置台60以及控制部90。另外，处理容器也可以为圆筒状的箱型、椭圆筒状的箱型等形状，在该形态下，基板载置台也形成为圆形或椭圆形，载置于基板载置台的基板也形成为圆形等。
处理容器10被电介质板11划分为上下两个空间，作为上侧空间的天线室由上腔室12形成，作为下方空间的处理区域S由下腔室13形成。在此，相对于处理容器10的内部的处理区域S，将处理容器10的外部作为外部区域E。此外，在本说明书中，有时也将由上腔室12和下腔室13包围起来的处理容器10的内部的整个区域与基板载置台60之间的空间称为“处理区域”，除了处理容器10的外部以外，有时也将基板载置台60的下方空间称为“外部区域”。即，外部区域为从下腔室13的下部向下腔室13的内部突出的结构。在下腔室13的底板13d，与基板载置台60相连的供电线71所贯穿的部位可以与外部大气相通，在该情况下，基板载置台60的下方空间可以形成为外部区域。
在处理容器10，在成为下腔室13和上腔室12的分界的位置，矩形环状的支承框14以向处理容器10的内侧突出设置的方式配设，电介质板11载置于支承框14。处理容器10经由接地线13e接地。
处理容器10由铝等金属形成，电介质板11由氧化铝(Al2O3)等陶瓷、石英形成。
在下腔室13的侧壁13a开设有用于相对于下腔室13送入送出基板G的送入送出口13b，送入送出口13b形成为利用闸阀20开闭自如。包含输送机构的输送室(均未图示)与下腔室13相邻，对闸阀20进行开闭控制，利用输送机构经由送入送出口13b进行基板G的送入送出。
此外，在下腔室13的侧壁13a隔开间隔地开设有多个开口13c，在各个开口13c的靠外部区域E侧以堵塞开口13c的方式安装有石英制的观察窗25。
此外，在下腔室13所具有的底板13d开设有多个排气口13f，气体排气管51与排气口13f连接，气体排气管51经由开闭阀52与排气装置53连接。由气体排气管51、开闭阀52以及排气装置53形成气体排气部50。排气装置53具有涡轮分子泵等真空泵，在处理过程中，将腔室13内自如地真空抽吸至规定的真空度。另外，在腔室13的适当位置设置有压力计(未图示)，由压力计得到的监控信息被发送至控制部90。
在电介质板11的下表面，设有用于支承电介质板11的支承梁，支承梁兼用作喷淋头30。喷淋头30由铝等金属形成，可以实施由阳极氧化进行的表面处理。在喷淋头30内形成有沿水平方向延伸设置的气体流路31，向下方延伸设置而与位于喷淋头30的下方的处理区域S相面对的气体喷出孔32与气体流路31连通。
与气体流路31连通的气体导入管45同电介质板11的上表面连接，气体导入管45气密地贯穿在上腔室12的顶部12a开设的供给口12b，并经由与气体导入管45气密地结合的气体供给管41而与处理气体供给源44连接。在气体供给管41的中途位置设置有开闭阀42和质量流量控制器这样的流量控制器43。由气体导入管45、气体供给管41、开闭阀42、流量控制器43以及处理气体供给源44形成处理气体供给部40。另外，气体供给管41在中途分支，开闭阀、流量控制器以及与处理气体种类相对应的处理气体供给源与各分支管连通(未图示)。在等离子体处理中，从处理气体供给部40供给来的处理气体经由气体供给管41以及气体导入管45被向喷淋头30供给，经由气体喷出孔32向处理区域S喷出。
在形成天线室的上腔室12内配设有高频天线15。高频天线15是通过使由铜等导电性好的金属形成的天线用线15a卷绕为环状或旋涡状而形成的。例如，也可以多重地配设环状的天线用线15a。
向上腔室12的上方延伸设置的供电构件16与天线用线15a的端子连接，供电线17与供电构件16的上端连接，供电线17经由进行阻抗匹配的匹配器18与高频电源19连接。从高频电源19对高频天线15施加例如13.56MHz的高频电力，从而在下腔室13内形成感应电场。利用该感应电场，从喷淋头30向处理区域S供给的处理气体被等离子体化而生成电感耦合型等离子体，等离子体中的离子被向基板G提供。高频电源19为等离子体产生用的产生源，与基板载置台60连接的高频电源73成为吸引所产生的离子并赋予动能的偏置源。如此，在离子产生源利用电感耦合而生成等离子体，使作为另一电源的偏置源与基板载置台60连接而进行离子能量的控制，从而能够独立地进行等离子体的生成和离子能量的控制，提高处理的自由度。优选的是，从高频电源19输出的高频电力的频率设定在0.1MHz至500MHz的范围内。
基板载置台60具有基材63和在基材63的上表面63a形成的静电卡盘66。
基材63由具有上方基材61和下方基材62的层叠体形成。上方基材61的俯视形状为矩形，具有与载置于基板载置台60的FPD的平面尺寸相同程度的平面尺寸。例如，上方基材61具有与所载置的基板G的平面尺寸相同程度的平面尺寸，能够设定为长边的长度为1800mm至3400mm左右、短边的长度为1500mm至3000mm左右的尺寸。相对于该平面尺寸，上方基材61和下方基材62的厚度的合计可以为例如50mm至100mm左右。
在下方基材62设有以覆盖矩形平面的整个区域的方式蜿蜒曲折的调温介质流路62a，该调温介质流路62a由不锈钢、铝、铝合金等形成。另一方面，上方基材61由不锈钢、铝、铝合金等形成。另外，也可以是，调温介质流路62a设于例如上方基材61、静电卡盘66。此外，也可以是，基材63不是由图示例这样的两个构件的层叠体形成的，而是由铝或铝合金等的一个构件形成的。
在下腔室13的底板13d之上固定有由绝缘材料形成且在内侧具有台阶部的箱型的基座68，基板载置台60载置于基座68的台阶部之上。
在上方基材61的上表面，形成有供基板G直接载置的静电卡盘66。静电卡盘66具有喷镀氧化铝等陶瓷而形成的电介质覆膜即陶瓷层64和埋设于陶瓷层64的内部且具有静电吸附功能的导电层65(电极)。导电层65经由供电线74与直流电源75连接。利用控制部90，在设置于供电线74的开关(未图示)被接通时，从直流电源75向导电层65施加直流电压从而产生库仑力。利用该库仑力，基板G被静电吸附于静电卡盘66的上表面，并以载置于上方基材61的上表面的状态被保持。如此，基板载置台60形成载置基板G的下部电极。
在构成基板载置台60的下方基材62设有以覆盖矩形平面的整个区域的方式蜿蜒曲折的调温介质流路62a。调温介质流路62a的两端与输送配管62b和返回配管62c连通，该输送配管62b用于向调温介质流路62a供给调温介质，该返回配管62c用于排出在调温介质流路62a流通而升温了的调温介质。如图1所示，输送流路82与输送配管62b连通，返回流路83与返回配管62c连通，输送流路82和返回流路83与冷却器81连通。冷却器81具有控制调温介质的温度、喷出流量的主体部和加压输送调温介质的泵(均未图示)。另外，作为调温介质使用制冷剂，该制冷剂可以使用Galden(注册商标)或Fluorinert(注册商标)等。图示例的调温形态为使调温介质在下方基材62流通的形态，但也可以是，在下方基材62内置加热器等并利用加热器进行调温的形态，也可以是，利用调温介质和加热器这两者进行调温的形态。此外，也可以是，代替加热器，使高温的调温介质流通从而进行伴随着加热的调温。另外，作为电阻体的加热器由钨、钼，或者这些金属中的任意一种与氧化铝、钛等的化合物形成。此外，在图示例，调温介质流路62a形成于下方基材62，但例如也可以是，上方基材61、静电卡盘66具有调温介质流路。
在上方基材61配设有热电偶等温度传感器，来自于温度传感器的监控信息随时被发送至控制部90。而且，基于发送来的监控信息，利用控制部90执行上方基材61以及基板G的调温控制。更具体地说，利用控制部90，调整从冷却器81向输送流路82供给的调温介质的温度、流量。而且，进行了温度调整、流量调整的调温介质在调温介质流路62a循环，从而执行基板载置台60的调温控制。另外，也可以是，热电偶等温度传感器配设于例如下方基材62、静电卡盘66。
由静电卡盘66以及上方基材61的外周和矩形构件68的上表面形成台阶部，矩形框状的聚焦环69载置于该台阶部。在聚焦环69设置于台阶部的状态下，将聚焦环69的上表面设定得比静电卡盘66的上表面低。聚焦环69由氧化铝等陶瓷或石英等形成。
供电构件70与下方基材62的下表面连接。供电线71与供电构件70的下端连接，供电线71经由进行阻抗匹配的匹配器72与作为偏置电源的高频电源73连接。从高频电源73对基板载置台60施加例如3.2MHz的高频电力，从而能够将由作为等离子体产生用的产生源的高频电源19生成的离子吸引至基板G。因而，在等离子体蚀刻处理中，能够同时提高蚀刻率和蚀刻选择比。另外，也可以是，在下方基材62开设有贯通孔(未图示)，供电构件70贯穿贯通孔而与上方基材61的下表面连接。
控制部90控制基板处理装置100的各结构部、例如冷却器81、高频电源19、73、处理气体供给部40、基于从压力计发送来的监控信息的气体排气部50等的动作。控制部90具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)，ROM(Read Only Memory：只读存储器)以及RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)。CPU按照储存于RAM等存储区域的制程(处理制程)来执行规定的处理。在制程设定有基板处理装置100针对处理条件的控制信息。控制信息包含例如气体流量、处理容器10内的压力、处理容器10内的温度、下方基材62的温度、处理时间等。
应用于制程以及控制部90的程序例如也可以存储在硬盘、光盘、光磁盘等。此外，制程等也可以是如下形态：在收纳于CD-ROM、DVD、存储卡等便携式的可由计算机读取的存储介质的状态下设置于控制部90，并被读出。控制部90除此之外还具有进行命令的输入操作等的键盘、鼠标等输入装置、使基板处理装置100的运转状况可视化并进行显示的显示器等显示装置以及打印机等输出装置这样的用户接口。
＜密封构造＞
接着，参照图1至图6，对构成基板处理装置100的各种密封构造进行说明。如图1所示，基板处理装置100由各种各样的两个构件的密封构造形成，在两个构件的各自的密封面配设密封构件，从而形成处理区域S和外部区域E之间的密封构造。
在图1中，作为处理区域S和外部区域E之间的密封构造的一例，存在下腔室13(第一构件的一例)和上腔室12(第二构件的一例)之间的密封构造110。在该密封构造110，在矩形框状的下腔室13的密封面，形成有沿着该密封面的长度方向的矩形框状(闭合状)的燕尾槽112，O形环等密封构件118嵌入于燕尾槽112。利用上腔室12所具有的矩形框状的密封面保持密封构件118，从而形成密封构造110。另外，图示例为在下腔室13的密封面形成有燕尾槽112，但也可以是，在上腔室12的密封面形成有燕尾槽。以下对密封构造110进行详细说明。
此外，作为其他密封构造，存在开设于下腔室13的侧壁13a(第一构件的一例)的开口13c的周围和以堵塞该开口13c的方式安装的观察窗25(第二构件的一例)之间的密封构造120。在该密封构造120，侧壁13a的外侧面形成为密封面，在该外侧面的侧视时呈矩形形状的开口13c的周围形成有矩形框状(闭合状)的燕尾槽122，O形环等密封构件128嵌入于燕尾槽122。利用观察窗25的密封面保持密封构件128，从而形成密封构造120。以下对密封构造120进行详细说明。另外，开口13c以及燕尾槽122不限于矩形框状，也可以是圆环状等形状。
此外，作为另一其他密封构造，存在开设于下腔室13的底板13d(第一构件的一例)的排气口13f的周围和以堵塞该排气口13f的方式安装的气体排气管51(第二构件的一例)之间的密封构造130。在该密封构造130，底板13d的外侧面(下表面)形成为密封面，在该外侧面的圆形形状的排气口13f的周围形成有环状(闭合状)的燕尾槽132，O形环等密封构件138嵌入于燕尾槽132。利用气体排气管51的密封面保持密封构件138，从而形成密封构造130。
此外，作为另一其他密封构造，存在开设于上腔室12的顶部12a(第一构件的一例)的供给口12b的周围和以堵塞该供给口12b的方式安装的气体供给管41(第二构件的一例)之间的密封构造140。在该密封构造140，顶部12a的外侧面(上表面)形成为密封面，在该外侧面的圆形形状的供给口12b的周围形成有环状(闭合状)的燕尾槽142，O形环等密封构件148嵌入于燕尾槽142。利用气体供给管41的密封面保持密封构件148，从而形成密封构造140。
此外，作为另一其他密封构造，存在基座68(第一构件的一例)和载置于基座68的基板载置台60(第二构件的一例)之间的密封构造150。在该密封构造150，基座68所具有的俯视时呈矩形框状的台阶部的上表面(载置面)形成为密封面，在该矩形框状的上表面形成有矩形框状(闭合状)的燕尾槽152，O形环等密封构件158嵌入于燕尾槽152。利用形成基板载置台60的下方基材62的密封面保持密封构件158，从而形成密封构造150。
另外，密封构造150根据基座68的形状、基板载置台60的载置形态，除了图示例以外还可以存在各种密封构造。例如，在层叠多个框状构件而形成基座的情况下，在上下相邻的两个构件中的一个构件的密封面形成燕尾槽，嵌入密封构件而形成密封构造。
此外，虽省略图示，但在图1中，也可以在基座68的底面和下腔室13的底板13d的上表面之间形成密封构造。在该情况下，例如，在底板13d，在供电线71贯穿的部位的周围形成闭合状的燕尾槽，密封构件嵌入燕尾槽而形成密封构造。
此外，虽省略图示，但在升降销升降自如地贯穿下腔室的底板和基板载置台的形态中，例如在升降销和下腔室的底板之间或升降销和基板载置台之间形成密封构造。
在上述任一形态的密封构造110至150，作为应用于密封构件118至158的O形环的材质，例如，能够使用丁腈橡胶(NBR)、氟橡胶(FKM)、硅橡胶(Q)。而且，能够使用氟硅橡胶(FVMQ)、全氟聚醚类橡胶(FO)、丙烯酸橡胶(ACM)、乙烯丙烯橡胶(EPM)。
在上腔室12和下腔室13之间的密封面，优选的是，在矩形框状的密封构造110的处理区域S侧或外部区域E侧形成屏蔽构造(未图示)。该屏蔽构造与密封构造110同样地形成为矩形框状(闭合状)、或不是闭合状而是间断的框状。例如，在形成于下腔室13的密封面的燕尾槽112的侧方形成有屏蔽构造用的另外用途的燕尾槽。螺旋屏蔽件嵌入于该燕尾槽，并被上腔室12的密封面保持。螺旋屏蔽件例如为铝、不锈钢、铜、铁等金属制，确保上腔室12和下腔室13之间的导通，并具有使上腔室12保持为接地电位的功能。而且，螺旋屏蔽件具有防止高频、等离子体从上腔室12和下腔室13之间泄露的功能。
以下，对密封构造110、120进行详细地说明，但其他密封构造130至150的基本结构也与密封构造110、120同样。
(密封构造的一例)
首先，参照图2以及图3A、3B，对密封构造110进行说明。在此，图2是在形成处理容器的上腔室和下腔室之间的密封构造处从上方观察下腔室的局部而得到的俯视图。此外，图3A是图2的IIIa－IIIa向视图，图3B是图2的IIIb－IIIb向视图。
如图2所示，在下腔室13所具有的矩形框状的密封面111形成有燕尾槽112，该燕尾槽112具有沿着密封面111的闭合状的线形的线形。而且，在燕尾槽112的中途位置形成有圆柱状的导入孔113，燕尾槽112形成为与导入孔113的靠处理区域S侧的端部对齐。由于导入孔113为供在加工燕尾槽112时所使用的切削工具(参照图9以及图10)插入的孔，因此如图2所示，该导入孔113具有比燕尾槽112的开口的宽度t1大的直径t2。
如图2所示，燕尾槽112形成为与导入孔113的靠处理区域S侧的端部对齐，从而导入孔113没有相对于燕尾槽112向处理区域S侧伸出，导入孔113的一部分向外部区域E侧伸出。而且，由环状的O形环等形成的密封构件118嵌入于矩形框状(闭合状)的燕尾槽112。
在密封构造110中的、导入孔113和燕尾槽112相交叉的部位(在加工燕尾槽时，使切削工具插入的所谓的入口点)，如图3A所示，密封构件118以靠近燕尾槽112的靠处理区域侧S的状态嵌入于燕尾槽112。另外，也可以是，导入孔113在燕尾槽112的长度方向上设于多个部位。
另一方面，在密封构造110的普通部分(不存在导入孔113的部分)，如图3B所示，密封构件118嵌入于燕尾槽112。而且，在上腔室12的密封面115和下腔室13的密封面111相抵接时，密封构件118的一部分被压扁而变形，从而形成密封构造110。
如图2所示，在密封构造110，导入孔113没有相对于燕尾槽112向处理区域S侧伸出，从而可以消除在处理区域S内生成的反应生成物在导入孔113堆积的情况。另外，在以往的导入孔和燕尾槽的结构中，俯视时的圆形的导入孔的中心和燕尾槽的宽度的中心一致，与燕尾槽的开口的宽度相比直径较大的导入孔的一部分相比于燕尾槽向处理区域S侧伸出而形成间隙。因此，在处理区域S内生成的反应生成物在该间隙堆积，可能成为微粒、腐蚀的原因。
图4是表示燕尾槽的其他实施方式的剖视图，是以与图3B相对应的形态来表示的图。如图4所示，也可以是，在形成于密封面111的闭合状的燕尾槽的至少一部分，形成有仅在单侧具有锥形面的单燕尾槽(日文：片アリ溝)114。
(密封构造的其他例)
接着，参照图5以及图6A、6B，对密封构造120进行说明。在此，图5是在处理容器的侧壁的开口周围和观察窗之间的密封构造处从侧方观察侧壁的开口周围而得到的侧视图。此外，图6A是图5的VIa－VIa向视图，图6B是图5的VIb－VIb向视图。
如图5所示，在开设于下腔室13的侧壁13a的侧视时呈矩形形状的开口13c的周围的密封面121形成有沿着开口13c的轮廓的闭合状的燕尾槽122。而且，在燕尾槽122的中途位置形成有圆柱状的导入孔123，燕尾槽122形成为与导入孔123的靠处理区域S侧(开口13c侧)的端部对齐。导入孔123为供在加工燕尾槽122时所使用的切削工具(参照图9以及图10)插入的孔，如图5所示，该导入孔123具有比燕尾槽122的开口的宽度t3大的直径t4。
如图5所示，燕尾槽122形成为与导入孔123的靠处理区域S侧的端部对齐，从而导入孔123没有相对于燕尾槽122向处理区域S侧伸出，导入孔123的一部分向外部区域E侧伸出。而且，由闭合状的O形环等形成的密封构件128嵌入于矩形框状(闭合状)的燕尾槽122。
在密封构造120中的、导入孔123和燕尾槽122相交叉的部位(所谓的入口点)，如图6A所示，密封构件128以靠近燕尾槽122的靠处理区域S侧的状态嵌入于燕尾槽122。另外，也可以是，导入孔123在燕尾槽122的长度方向上设于多个部位。
另一方面，在密封构造120的普通部分，如图6B所示，密封构件128嵌入于燕尾槽122。而且，在下腔室13的密封面121和观察窗25的密封面125相抵接时，密封构件128的一部分被压扁而变形，从而形成密封构造120。
如图5所示，在密封构造120，导入孔123没有相对于燕尾槽122向处理区域S侧伸出，从而可以消除在处理区域S内生成的反应生成物在导入孔123堆积的情况。
(实施方式的燕尾槽加工方法)
接着，参照图7至图12，对实施方式的燕尾槽加工方法的一例进行说明。在此，图7、图9、图10以及图12依次为说明实施方式的燕尾槽加工方法的工序图，图8是图7的VIII－VIII向视图，图11是图10的XI－XI向视图。另外，在此，对形成密封构造110的燕尾槽112的加工方法进行说明。
首先，如图7以及图8所示，在下腔室13的密封面111，使用未图示的切削工具加工圆柱状的导入孔113。
接着，如图9所示，将切削工具T插入导入孔113，该切削工具T具备下方的顶端向外侧伸出的锥形状的切削刃B。然后，如图10以及图11所示，在使切削工具T沿着绕其轴心的X方向旋转的状态下，一边使切削工具T向第一方向即Y1方向(密封面111的宽度方向)移动直到切削刃B的上端Ba与导入孔113中的靠处理区域S侧的端部113a抵接一边进行切削。另外，在导入孔113的深度比切削刃B的长度浅的情况下，切削到切削刃B的比上端Ba靠下方且与导入孔113的开口的端部113a相对应的部位与端部113a抵接。
接着，如图12所示，一边使切削工具T旋转一边向与第一方向即Y1方向交叉的(图示例的交叉方向为正交方向)第二方向即Y2方向移动，从而沿密封面111的长度方加工燕尾槽112。
例如，在导入孔113为一个的情况下，以图12所示的导入孔113为起始点开始加工燕尾槽112，将燕尾槽112加工成矩形框状并使切削工具T返回至导入孔113，从而加工出图2的作为局部而表示的矩形框状的燕尾槽112。
例如，在具有两个导入孔113的情况下，能够以各个导入孔113为起始点利用两个切削工具T加工燕尾槽112，从而提高加工效率。此外，在其他具有两个导入孔113的情况(例如，在矩形框状的相对的短边的各自的中心具有导入孔113的情况)下，以一侧的导入孔113为起始点将燕尾槽112加工至矩形框状的一半。接着，例如使载置下腔室13的转台旋转，以另一侧的导入孔113为起始点同样地加工剩余一半的燕尾槽112，从而能够加工矩形框状的燕尾槽112。这是在加工对象物为大型的情况下特别有效的加工方法。
也可以是在上述实施方式中所列出的结构组合其他构成要素等而成的其他实施方式，此外，本公开并不限定于在此所示的结构。关于这一点，能够在不脱离本公开的宗旨的范围内进行变更，能够根据其应用形态适当地决定。
例如，虽然将图示例的基板处理装置100作为具有电介质窗的电感耦合型的等离子体处理装置进行了说明，但也可以是代替电介质窗而具备金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置，也可以是其他形态的等离子体处理装置。具体地说，可以列举电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron resonance Plasma；ECP)、螺旋波激发等离子体(HeliconWave Plasm；HWP)、平行平板等离子体(Capacitively coupled Plasm；CCP)。此外，可以列举微波激发表面波等离子体(Surface Wave Plasm；SWP)。这些等离子体处理装置包括ICP，都能够独立控制离子通量和离子能量，可以自由地控制蚀刻形状、选择性，并且可以获得1011cm-3乃至1013cm-3左右的较高的电子密度。

Claims (19)

1.一种燕尾槽加工方法，该燕尾槽在利用设于形成基板处理装置的第一构件和第二构件之间的密封面的密封构件将所述基板处理装置的内部的处理区域和该基板处理装置的外部的外部区域之间屏蔽的所述密封面收纳所述密封构件，其中，
该燕尾槽加工方法具有以下工序：
在所述密封面加工导入孔；
将切削工具插入所述导入孔，该切削工具具备下方的顶端向外侧伸出的锥形状的切削刃，一边使所述切削工具向第一方向移动直到所述切削刃与所述导入孔的开口中的靠所述处理区域侧的端部抵接一边进行切削；以及
使所述切削工具向与所述第一方向交叉的第二方向移动，沿所述密封面的长度方向加工所述燕尾槽。
2.根据权利要求1所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述导入孔没有相对于所述燕尾槽向所述处理区域侧伸出。
3.根据权利要求1或2所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述密封面呈框状或环状这样的闭合状，所述燕尾槽具有沿着所述密封面的闭合状的线形的线形。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述第一方向和所述第二方向之间的交叉方向是正交。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的燕尾槽加工方法，其中，
将所述燕尾槽的至少一部分加工为单燕尾槽。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述基板处理装置具有由下腔室和上腔室形成的处理容器，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述下腔室和所述上腔室，
在所述下腔室和所述上腔室中的任一者的所述密封面形成所述燕尾槽。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，以堵塞在所述处理容器的侧壁开设的开口的方式安装有观察窗，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述侧壁和所述观察窗，
在所述侧壁的所述开口的周围的所述密封面形成所述燕尾槽。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，经由在所述处理容器的顶部开设的供给口安装有气体供给管，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述顶部和所述气体供给管，
在所述顶部的所述供给口的周围的所述密封面形成所述燕尾槽。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，经由在所述处理容器的底板开设的排气口安装有气体排气管，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述底板和所述气体排气管，
在所述底板的所述排气口的周围的所述密封面形成所述燕尾槽。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的燕尾槽加工方法，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，基座固定在所述处理容器的底板之上，基板载置台载置于所述基座，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述基座和所述基板载置台，
在所述基座和所述基板载置台中的任一者的所述密封面形成所述燕尾槽。
11.一种基板处理装置，其具有燕尾槽，该燕尾槽在利用设于形成基板处理装置的第一构件和第二构件之间的密封面的密封构件将所述基板处理装置的内部的处理区域和该基板处理装置的外部的外部区域之间屏蔽的所述密封面收纳所述密封构件，其中，
所述密封面具备圆柱状的导入孔，
所述燕尾槽形成为与所述导入孔的靠所述处理区域侧的端部对齐，该燕尾槽沿所述密封面的长度方向延伸设置。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述导入孔没有相对于所述燕尾槽向所述处理区域侧伸出。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其中，
所述密封面呈框状或环状这样的闭合状，所述燕尾槽具有沿着所述密封面的闭合状的线形的线形。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述燕尾槽的至少一部分为单燕尾槽。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有由下腔室和上腔室形成的处理容器，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述下腔室和所述上腔室，
在所述下腔室和所述上腔室中的任一者的所述密封面形成所述燕尾槽。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，以堵塞在所述处理容器的侧壁开设的开口的方式安装有观察窗，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述侧壁和所述观察窗，
在所述侧壁的所述开口的周围的所述密封面形成所述燕尾槽。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，经由在所述处理容器的顶部开设的供给口安装有气体供给管，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述顶部和所述气体供给管，
在所述顶部的所述供给口的周围的所述密封面形成所述燕尾槽。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，经由在所述处理容器的底板开设的排气口安装有气体排气管，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述底板和所述气体排气管，
在所述底板的所述排气口的周围的所述密封面形成所述燕尾槽。
19.根据权利要求11至18中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有处理容器，基座固定在所述处理容器的底板之上，基板载置台载置于所述基座，
所述第一构件和所述第二构件分别为所述基座和所述基板载置台，
在所述基座和所述基板载置台中的任一者的所述密封面形成所述燕尾槽。
CN202010441138.0A 2019-05-30 2020-05-22 燕尾槽加工方法以及基板处理装置 Pending CN112017938A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-101691 2019-05-30
JP2019101691A JP7281968B2 (ja) 2019-05-30 2019-05-30 アリ溝加工方法及び基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112017938A true CN112017938A (zh) 2020-12-01

Family

ID=73506599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010441138.0A Pending CN112017938A (zh) 2019-05-30 2020-05-22 燕尾槽加工方法以及基板处理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7281968B2 (zh)
KR (1) KR102377280B1 (zh)
CN (1) CN112017938A (zh)
TW (1) TW202109654A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112908908A (zh) * 2021-01-29 2021-06-04 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种晶圆托盘的背面结构及其加工方法
JP2023014497A (ja) * 2021-07-19 2023-01-31 株式会社荏原製作所 研磨装置のトップリング及び研磨装置
CN114669788B (zh) * 2022-03-28 2024-04-26 芜湖通潮精密机械股份有限公司 一种cvd背板密封燕尾槽铣削加工方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5579718A (en) * 1995-03-31 1996-12-03 Applied Materials, Inc. Slit valve door
JP2002081555A (ja) * 2000-07-04 2002-03-22 Nok Corp ゲートバルブ装置及びその製造方法
JP2004176834A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Nok Corp 蟻溝用シールリング
JP2005282864A (ja) * 2005-06-27 2005-10-13 Mitsubishi Cable Ind Ltd 密封構造体
JP2008180293A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Koshin Chemical Co Ltd 蟻溝用シール材
CN101375090A (zh) * 2006-01-31 2009-02-25 日本华尔卡工业株式会社 燕尾槽密封材料以及装有燕尾槽密封材料的真空闸阀
US20150047786A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Sealing groove methods for semiconductor equipment
US20150129129A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2016031083A (ja) * 2014-07-25 2016-03-07 Smc株式会社 ゲートバルブ
CN207728869U (zh) * 2017-09-04 2018-08-14 江苏华苏工业炉制造有限公司 一种真空炉单边燕尾槽密封结构
US20190368610A1 (en) * 2016-12-08 2019-12-05 Harmonic Drive Systems Inc. Seal structure with o-ring

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611774U (ja) * 1984-06-12 1986-01-08 東芝機械株式会社 高温状態で使用する▲ο▼リングの溝構造
JPH0663998B2 (ja) 1989-10-11 1994-08-22 ティーディーケイ株式会社 湿度センサ
JP3174837B2 (ja) * 1993-01-20 2001-06-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4015833B2 (ja) * 2001-10-02 2007-11-28 株式会社日立産機システム エンドミル
JP4083512B2 (ja) * 2002-08-30 2008-04-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4617701B2 (ja) * 2004-04-12 2011-01-26 ソニー株式会社 Ｏリング取り外し用窪み構造を有する容器部材
US20080170917A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 David Hilker Dual cutter router bit
JP2009144211A (ja) * 2007-12-15 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 処理装置、その使用方法及び記憶媒体
JP5304062B2 (ja) * 2008-07-09 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN101936395A (zh) * 2010-09-08 2011-01-05 中山凯旋真空技术工程有限公司 双o形密封圈式密封装置
JP6063741B2 (ja) * 2012-12-28 2017-01-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理容器及びプラズマ処理装置
CN106319456A (zh) * 2015-06-15 2017-01-11 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件及其制作方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5579718A (en) * 1995-03-31 1996-12-03 Applied Materials, Inc. Slit valve door
JP2002081555A (ja) * 2000-07-04 2002-03-22 Nok Corp ゲートバルブ装置及びその製造方法
JP2004176834A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Nok Corp 蟻溝用シールリング
JP2005282864A (ja) * 2005-06-27 2005-10-13 Mitsubishi Cable Ind Ltd 密封構造体
CN101375090A (zh) * 2006-01-31 2009-02-25 日本华尔卡工业株式会社 燕尾槽密封材料以及装有燕尾槽密封材料的真空闸阀
JP2008180293A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Koshin Chemical Co Ltd 蟻溝用シール材
US20150047786A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Sealing groove methods for semiconductor equipment
US20150129129A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2016031083A (ja) * 2014-07-25 2016-03-07 Smc株式会社 ゲートバルブ
US20190368610A1 (en) * 2016-12-08 2019-12-05 Harmonic Drive Systems Inc. Seal structure with o-ring
CN207728869U (zh) * 2017-09-04 2018-08-14 江苏华苏工业炉制造有限公司 一种真空炉单边燕尾槽密封结构

Also Published As

Publication number Publication date
JP7281968B2 (ja) 2023-05-26
TW202109654A (zh) 2021-03-01
KR102377280B1 (ko) 2022-03-23
KR20200137999A (ko) 2020-12-09
JP2020196053A (ja) 2020-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112017938A (zh) 燕尾槽加工方法以及基板处理装置
KR101176745B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TW201513159A (zh) 感應耦合電漿處理裝置
JP2017027775A (ja) プラズマ処理装置
KR20170028849A (ko) 포커스 링 및 기판 처리 장치
CN111146134B (zh) 基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法
CN111183504B (zh) 制造过程中的超局部和等离子体均匀性控制
JP2019220555A (ja) 載置台及び基板処理装置
CN111276426B (zh) 基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法
CN112652514A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
US20220093407A1 (en) Method for Controlling Electrostatic Attractor and Plasma Processing Apparatus
KR20200103556A (ko) 거치대 및 기판 처리 장치
JP2007027086A (ja) 誘導結合型プラズマ処理装置
JP5638449B2 (ja) 誘導結合プラズマ処理装置
CN115497801A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR20220008223A (ko) 기판 이탈 방법 및 플라즈마 처리 장치
KR20210023700A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제조 방법 및 메인터넌스 방법
KR20200001493A (ko) 플라스마 처리 장치
US11721529B2 (en) Bonding structure and bonding method for bonding first conductive member and second conductive member, and substrate processing apparatus
KR102638030B1 (ko) 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법
KR102260238B1 (ko) 기판 적재대 및 기판 처리 장치
CN112242291B (zh) 第一与第二导电性构件的接合构造、方法及基板处理装置
CN114843166A (zh) 处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法
US11990316B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100855880B1 (ko) 기판 처리 장치 및 플라즈마 밀도의 제어 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination