CN114843166A - 处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。本发明的处理容器用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜，在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触。

Description

处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法

技术领域

本发明涉及处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。

背景技术

专利文献1中公开了一种能够在内部收纳被处理体并对该被处理体进行等离子体处理的处理容器。该处理容器包括：具有开口部分的容器主体；和用于保护容器主体不受由等离子体和/或腐蚀性气体造成的损伤的保护部件。保护部件包括：沿着容器主体的内壁面设置的第一保护部件；和在开口部分的周围与第一保护部件分离并且可拆装地设置的第二保护部件。采用专利文献1中公开的处理容器，能够容易地进行用于保护处理容器的内表面的保护部件的更换操作，能够抑制部件成本。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-140939号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式提供一种处理容器，其用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜，在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触。

发明效果

采用本发明，能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化。

附图说明

图1是表示实施方式的处理容器的一个例子和实施方式的等离子体处理装置的一个例子的纵截面图。

图2是将图1的II部放大的纵截面图。

附图标记说明

18、18a、18b：第一内侧面，20：处理容器，40、40A、40B：保护面材，40b：背面，41：第二绝缘膜，43、43A、43B：第一绝缘膜，100：等离子体处理装置，G：基片。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上相同的构成要素，有时通过标注相同的附图标记来省略重复的说明。

[实施方式的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法]

参照图1和图2，对本发明的实施方式的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法的一个例子进行说明。在此，图1是表示实施方式的处理容器的一个例子和实施方式的等离子体处理装置的一个例子的纵截面图，图2是将图1的II部放大的纵截面图。

图1所示的等离子体处理装置100是用于对平板显示器(Flat Panel Display，下面称为“FPD”)用的俯视时为矩形的基片G(下面仅称为“基片”)执行各种基片处理方法的感应耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基片的材料，主要使用玻璃，根据用途的不同，有时也使用透明的合成树脂等。在此，基片处理包括蚀刻处理、使用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，可以例示液晶显示器(Liquid Crystal Display：LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示面板(Plasma Display Panel；PDP)等。基片除了在其表面形成电路图案的方式以外，还包括支承基片。另外，FPD用基片的平面尺寸随着世代的推移而大规模化，由等离子体处理装置100处理的基片G的平面尺寸例如至少包含从第6代的1500mm×1800mm左右的尺寸到第10.5代的3000mm×3400mm左右的尺寸。另外，基片G的厚度为0.2mm至几mm左右。

图1所示的等离子体处理装置100具有：长方体状的箱型的处理容器20；设置在处理容器20内的用于载置基片G的俯视时为矩形的外形的基片载置台70；和控制部90。此外，处理容器也可以是圆筒状的箱型或椭圆筒状的箱型等形状，在该方式中，基片载置台也成为圆形或椭圆形，被载置在基片载置台上的基片也成为圆形等。

处理容器20由金属窗30划分为上下2个空间，作为上方空间的天线室A由上腔室13形成，作为下方空间的处理室S由下腔室17形成。在处理容器20中，在成为上腔室13与下腔室17的边界的位置，以向处理容器20的内侧突出设置的方式设置有矩形环状的支承框14，金属窗30安装在支承框14上。

形成天线室A的上腔室13由侧壁11和顶板12形成，作为整体由铝或铝合金等金属形成。

在内部具有处理室S的下腔室17由侧壁15和底板16形成，作为整体由铝或铝合金等金属形成。另外，侧壁15通过接地线21被接地。

侧壁15和底板16中的、各自面向处理室S的第一内侧面18a、18b是被暴露于等离子体的侧面。在下腔室17中，在侧壁15和底板16的第一内侧面18a、18b的整个区域、或者是特别要求耐等离子体侵蚀性的区域，安装有图2所示的保护面材40。关于第一内侧面18由保护面材40保护的结构，将在下面进行详细说明。

支承框14由导电性的铝或铝合金等金属形成，也可以称为金属框。

在下腔室17的侧壁15的上端形成有矩形环状(无端状)的密封槽22，在密封槽22中嵌入有O形环等密封部件23，支承框14的抵接面保持密封部件23，由此形成下腔室17与支承框14的密封构造。

在下腔室17的侧壁15上开设有用于相对于下腔室17送入送出基片G的送入送出口15a，送入送出口15a可由闸阀24开闭。内部包含输送机构的输送室(均未图示)与下腔室17相邻，对闸阀24进行开闭控制，利用输送机构经由送入送出口15a进行基片G的送入送出。

另外，在下腔室17所具有的底板16上开设有多个排气口16a，气体排气管25与各排气口16a连接，气体排气管25经由开闭阀26与排气装置27连接。由气体排气管25、开闭阀26和排气装置27形成气体排气部28。排气装置27具有涡轮分子泵等真空泵，在处理中能够将下腔室17内抽真空至规定的真空度。此外，在下腔室17的适当部位设置有压力计(未图示)，由压力计得到的监视信息被发送至控制部90。

基片载置台70具有基材71和形成在基材71的上表面71a上的静电卡盘76。

基材71的俯视时的形状为矩形，具有与被载置在基片载置台70上的基片G相同程度的平面尺寸。基材71的长边的长度可以设定为1800mm至3400mm左右，短边的长度可以设定为1500mm至3000mm左右。相对于该平面尺寸，基材71的厚度例如可以为50mm至100mm左右。

在基材71中设置有以覆盖矩形平面的整个区域的方式弯曲行进的温度调节介质流路72a，该温度调节介质流路72a由不锈钢、铝或铝合金等形成。此外，温度调节介质流路72a也可以是设置在静电卡盘76中。另外，基材71可以是如图示例的那样不是一个部件，而是由铝或铝合金等构成的两个部件的层叠体形成。

在下腔室17的底板16上，固定有由绝缘材料形成的在内侧具有台阶部的箱型的台座78，基片载置台70被载置在台座78的台阶部上。

在基材71的上表面71a上形成有能够直接载置基片G的静电卡盘76。静电卡盘76具有：通过喷镀氧化铝等陶瓷而形成的作为电介质膜的陶瓷层74；和被埋设在陶瓷层74的内部的具有静电吸附功能的导电层75(电极)。

导电层75经由供电线84与直流电源85连接。当利用控制部90将设置在供电线84上的开关(未图示)接通时，能够从直流电源85向导电层75施加直流电压从而产生库仑力。能够利用该库仑力将基片G静电吸附在静电卡盘76的上表面上，基片G以被载置在基材71的上表面71a上的状态被保持。

在构成基片载置台70的基材71中，设置有以覆盖矩形平面的整个区域的方式弯曲行进的温度调节介质流路72a。在温度调节介质流路72a的两端连通有：用于对温度调节介质流路72a供给温度调节介质的输送配管72b；和用于将在温度调节介质流路72a中流通而升温的温度调节介质排出的返回配管72c。

如图1所示，输送流路87和返回流路88分别与输送配管72b和返回配管72c连通，输送流路87和返回流路88与冷却装置86连通。冷却装置86具有用于对温度调节介质的温度和排出流量进行控制的主体部、和用于对温度调节介质进行加压输送的泵(均未图示)。作为温度调节介质，可以使用制冷剂，该制冷剂可以使用Galden(注册商标)、Fluorinert(注册商标)等。图示例的温度调节方式是使温度调节介质在基材71中流通的方式，但也可以是基材71内置加热器等，利用加热器进行温度调节的方式，还可以是利用温度调节介质和加热器这两者进行温度调节的方式。另外，也可以是代替加热器而使高温的温度调节介质流通来进行伴随加热的温度调节。作为电阻体的加热器可由钨、钼、或者这些金属中的任一种与氧化铝、钛等的化合物形成。另外，在图示例中，在基材71中形成有温度调节介质流路72a，但也可以是例如静电卡盘76具有温度调节介质流路。

在基材71上设置有热电偶等温度传感器(未图示)，由温度传感器得到的监视信息被随时发送至控制部90。然后，基于被发送的监视信息，由控制部90执行基材71和基片G的温度调节控制。更具体而言，由控制部90对从冷却装置86向输送流路87供给的温度调节介质的温度和/或流量进行调节。然后，通过使进行了温度调节和/或流量调节的温度调节介质在温度调节介质流路72a中循环，来执行基片载置台70的温度调节控制。此外，热电偶等温度传感器也可以是设置在例如静电卡盘76上。

由静电卡盘76和基材71的外周与台座78的上表面形成台阶部，在该台阶部上载置有矩形框状的聚焦环79。在台阶部上设置有聚焦环79的状态下，设定成聚焦环79的上表面比静电卡盘76的上表面低。聚焦环79由氧化铝等陶瓷或石英等形成。

供电部件80与基材71的下表面连接。供电线81与供电部件80的下端连接，供电线81经由进行阻抗匹配的匹配器82与作为偏置电源的高频电源83连接。通过从高频电源83对基片载置台70施加例如3.2MHz的高频电功率，能够产生RF偏置，将由下面说明的作为等离子体产生用的电源的高频电源56生成的离子吸引到基片G。因此，在等离子体蚀刻处理中，能够同时提高蚀刻速率和蚀刻选择比。这样，基片载置台70能够载置基片G并形成用于产生RF偏置的偏置电极。此时，腔室内部的成为接地电位的部位作为偏置电极的对置电极发挥作用，构成高频电功率的返回电路。此外，也可以是将金属窗30构成为高频电功率的返回电路的一部分。金属窗30由多个分割金属窗31形成。形成金属窗30的分割金属窗31的数量可以设定为12个、24个等多种个数。

分割金属窗31具有导体板32和喷淋板34。导体板32和喷淋板34均由作为非磁性且具有导电性、并且具有耐腐蚀性的金属或者实施了耐腐蚀性的表面加工的金属的铝、铝合金或不锈钢等形成。耐腐蚀性的表面加工例如为阳极氧化处理、陶瓷喷镀等。另外，也可以是对喷淋板34的面向处理室S的露出面34a实施了通过阳极氧化处理或陶瓷喷镀进行的耐等离子体涂敷。导体板32经由接地线(未图示)被接地，喷淋板34也经由彼此接合的导体板32被接地。

构成金属窗30的各分割金属窗31由多根吊索(suspender)(未图示)从上腔室13的顶板12吊下。在各个分割金属窗31的上方设置有由绝缘部件形成的间隔件(未图示)，利用该间隔件与导体板32隔开间隔地设置有高频天线51。高频天线51有助于等离子体的生成，可通过将由铜等良导电性的金属形成的天线导线呈环状或螺旋状卷绕安装而形成。例如，可以是将环状的天线导线设置成多层。高频天线51设置在分割金属窗31的上表面，因此，经由分割金属窗31从顶板12吊下。

在导体板32的下表面形成有气体扩散槽33，设置有用于将气体扩散槽33与上端面32a连通的贯通孔32b。在该贯通孔32b中埋设有气体导入管52。在喷淋板34中开设有与导体板32的气体扩散槽33和处理室S连通的多个气体释放孔35。喷淋板34通过金属制的螺钉(未图示)被连结在导体板32的气体扩散槽33的外侧的区域的下表面。此外，气体扩散槽也可以是开设在喷淋板的上表面。

各个分割金属窗31通过绝缘部件37与支承框14和相邻的分割金属窗31彼此电绝缘。在此，绝缘部件37由PTFE(Polytetrafluoroethylene：聚四氟乙烯)等氟树脂形成。绝缘部件37的面向处理室S的端面37a与喷淋板34的面向处理室S的露出面34a成为同一面(共面)，具有绝缘性的覆盖部件38覆盖绝缘部件37的端面37a，并且以跨相邻的喷淋板34的露出面34a的方式设置。该覆盖部件38由氧化铝等陶瓷形成。

绝缘部件37由绝缘性能高、轻量的PTFE等树脂形成，但是与氧化铝等陶瓷相比，树脂的耐等离子体性不高。而且，难以通过阳极氧化处理或陶瓷喷镀对树脂的表面进行耐等离子体涂敷。因此，在等离子体处理装置100中，通过利用例如陶瓷制的覆盖部件38覆盖绝缘部件37的处理室S侧的端面37a，来保护绝缘部件37不受等离子体影响。将支承框14与分割金属窗31、以及相邻的分割金属窗31彼此相互绝缘的各绝缘部件37，由覆盖部件38覆盖。

延伸至上腔室13的上方的供电部件53与高频天线51连接，供电线54与供电部件53的上端连接，供电线54经由用于进行阻抗匹配的匹配器55与高频电源56连接。

通过从高频电源56对高频天线51施加例如13.56MHz的高频电功率，能够在下腔室17内形成感应电场。利用该感应电场，能够使从喷淋板34供给到处理室S的处理气体等离子体化而生成感应耦合型等离子体，能够将等离子体中的离子提供给基片G。

高频电源56是等离子体产生用的电源，与基片载置台70连接的高频电源83成为吸引所产生的离子并对其赋予动能的偏置电源。通过这样利用感应耦合生成等离子体作为离子源，并将作为另一电源的偏置电源与基片载置台70连接来进行离子能量的控制，能够独立地进行等离子体的生成和离子能量的控制，提高处理的自由度。

如图1所示，各个分割金属窗31所具有的气体导入管52在天线室A内汇集于一处，向上方延伸的气体导入管52气密地贯穿在上腔室13的顶板12中开设的供给口12a。并且，气体导入管52经由气密地结合的气体供给管61与处理气体供给源64连接。

在气体供给管61的中途位置设置有开闭阀62和质量流量控制器那样的流量控制器63。由气体供给管61、开闭阀62、流量控制器63和处理气体供给源64形成处理气体供给部60。此外，气体供给管61在中途分支，在各分支管连通有开闭阀和流量控制器、以及与处理气体种类相应的处理气体供给源(未图示)。

在等离子体处理中，从处理气体供给部60供给的处理气体，经由气体供给管61和气体导入管52，向各分割金属窗31所具有的导体板32的气体扩散槽33供给。然后，从各气体扩散槽33经由各喷淋板34的气体释放孔35向处理室S释放。

此外，也可以是各分割金属窗31所具有的气体导入管52不是汇集于一处，而是各自单独地与处理气体供给部60连通，按每个分割金属窗31进行处理气体的供给控制。另外，也可以是位于金属窗30的外侧的多个分割金属窗31所具有的气体导入管52汇集于一处，位于金属窗30的内侧的多个分割金属窗31所具有的气体导入管52汇集于另外一处，各自的气体导入管52分别与处理气体供给部60连通来进行处理气体的供给控制。即，前者的方式是按每个分割金属窗31执行处理气体的供给控制的方式，后者的方式是分为金属窗30的外部区域和内部区域来执行处理气体的供给控制的方式。另外，也可以是各分割金属窗31具有固有的高频天线，执行对各高频天线分别施加高频电功率的控制。

控制部90用于控制等离子体处理装置100的各构成部、例如冷却装置86、高频电源56、83、处理气体供给部60、基于从压力计发送的监视信息的气体排气部28等的动作。控制部90具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)和RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)。CPU能够按照存储在RAM或ROM的存储区域中的方案(处理方案)，执行规定的处理。在方案中设定有针对处理条件的等离子体处理装置100的控制信息。控制信息例如包括气体流量、处理容器20内的压力、处理容器20内的温度、基材71的温度、处理时间等。

方案和控制部90所使用的程序也可以是存储在例如硬盘、光盘、光磁盘等中。另外，方案等也可以是以被收纳在CD-ROM、DVD、存储卡等可移动的计算机可读取的存储介质中的状态被设置在控制部90并被读出的方式。控制部90除此以外还具有用于进行命令的输入操作等的键盘和鼠标等输入装置、用于将等离子体处理装置100的运行状况可视化地显示的显示器等显示装置、和打印机等输出装置这样的用户接口。

接下来，参照图2，对从构成处理容器20的下腔室17的侧壁15到底板16的第一内侧面18中的、安装有保护面材40的区域的结构进行说明。

在由铝或铝合金形成的侧壁15和底板16的第一内侧面18a、18b上，为了防止由氯类气体等引起的第一内侧面18a、18b的腐蚀和消耗，形成有第一绝缘膜43。

作为第一绝缘膜43，可以使用耐酸铝膜、钇喷镀膜、氟化钇喷镀膜、包含氧化铝喷镀膜的陶瓷喷镀膜、喷涂树脂膜和特氟隆(注册商标)片等定形树脂膜中的任一种。其中，从施工性和成本等的观点出发，第一绝缘膜43优选耐酸铝膜。

在图示例的下腔室17中，在第一绝缘膜43的表面43a上安装有保护面材40。

保护面材40与侧壁15和底板16同样地由铝或铝合金形成。保护面材40中的被暴露于等离子体的正面40a(面向处理室S的表面)成为铝等露出的纯净面。另一方面，在保护面材40中的与第一绝缘膜43相对的背面40b上形成有第二绝缘膜41。

第二绝缘膜41与第一绝缘膜43同样地由耐酸铝等形成，第二绝缘膜41的表面41a与第一绝缘膜43的表面43a面接触。

在图示例中，设置在保护面材40A的背面40b上的第二绝缘膜41A与设置在侧壁15的第一内侧面18a上的第一绝缘膜43A面接触。另外，设置在保护面材40B的背面40b上的第二绝缘膜41B与设置在底板16的第一内侧面18b上的第一绝缘膜43B面接触。

另外，保护面材40A、40B相邻地安装，在保护面材40A、40B两者所具有的彼此相对的端面40c上也分别形成有第二绝缘膜42A、42B。而且，第二绝缘膜42A、42B的表面42a彼此面接触。

在保护面材40A上开设有贯通孔40d，在侧壁15中的安装保护面材40A时与贯通孔40d对应的位置，设置有螺纹槽18c。通过将金属制的连结部件45插通在贯通孔40d中，并将连结部件45的前端与螺纹槽18c进行螺纹结合，能够将保护面材40A固定在侧壁15的第一内侧面18a上。

另一方面，在保护面材40B上也开设有贯通孔40d，在底板16中的安装保护面材40B时与贯通孔40d对应的位置，设置有螺纹槽18d。通过将金属制的连结部件45插通在贯通孔40d中，并将连结部件45的前端与螺纹槽18d进行螺纹结合，能够将保护面材40B固定在底板16的第一内侧面18b上。

作为金属制的连结部件45，除了图示例的带头螺栓以外，还可以使用螺钉等。侧壁15和底板16经由接地线21被接地，因此，第一内侧面18a、18b具有接地电位。于是，通过将保护面材40A、40B经由金属制的连结部件45固定在具有接地电位的第一内侧面18a、18b，保护面材40A、40B也具有接地电位。由此，保护面材40A、40B在由偏置用高频电源83对载置台70施加偏置用高频电压时，能够形成相对于载置台70的对置电极的一部分。

通过在下腔室17的第一内侧面18上形成第一绝缘膜43，如上所述，能够形成能够防止由氯类气体等引起的第一内侧面18的腐蚀和消耗的保护构造。在图示例的下腔室17中，在第一绝缘膜43的表面安装有保护面材40，因此，形成了能够防止由氟类气体引起的第一绝缘膜43的消耗的保护构造。

即，图示例的下腔室17的第一内侧面18具有耐氟类气体规格的保护构造，在将来切换(转用)为耐氯类气体规格的处理容器的情况下，只要在保护面材40的正面40a也安装由第二绝缘膜覆盖的保护面材40即可。

然而，在以使保护面材40的金属面与第一绝缘膜43抵接的状态安装的情况下，保护面材40的平坦的金属面会与第一绝缘膜43的表面43a抵接，因此，在每个部位绝缘和导通变得不确定，可能成为电不稳定的状态。更具体而言，在第一绝缘膜43的表面43a的微小孔、表面43a因热滑动被摩擦而导致表面43a的一部分剥离的部位，可能在侧壁15或底板16与保护面材40之间形成电流路径。而且，由于所形成的电流路径断续地连接，可能成为绝缘和导通不确定的状态。这一点在彼此相邻的保护面材40的端面的界面也是同样的。

但是，在图示例的下腔室17中，形成在保护面材40的背面40b上的第二绝缘膜41的表面41a与形成在第一内侧面18上的第一绝缘膜43的表面43a面接触。而且，在彼此相邻的保护面材40A、40B的端面40c上也分别形成有第二绝缘膜42A、42B，第二绝缘膜42A、42B的表面42a彼此面接触。由此，能够实现表面41a、43a的界面和表面42a彼此的界面处的稳定的绝缘，不会产生在界面的每个部位绝缘和导通变得不确定的问题。因此，能够形成具有电稳定性和放电稳定性的下腔室17。

另外，通过在下腔室17的第一内侧面18上安装保护面材40，保护面材40中的面向处理室S的表面成为金属露出的纯净面，也不会产生因氟类气体使第一绝缘膜43消耗而产生颗粒、或因消耗导致的局部的纯净面露出引起的放电不稳定的问题。

这样，采用图示的处理容器20和包括该处理容器20的等离子体处理装置100，能够抑制或抑止由氟类气体引起的颗粒的产生，并且得到高的电稳定性和放电稳定性。

接下来，对实施方式的处理容器20的制造方法的一个例子进行简要说明。

该制造方法包括在处理容器20中的被暴露于等离子体的第一内侧面18的至少一部分上形成第一绝缘膜43的步骤。

另外，上述制造方法包括在至少保护第一内侧面18不受等离子体影响的保护面材40中的与第一绝缘膜43相对的背面40b上形成第二绝缘膜41的步骤。

而且，上述制造方法包括以使第一绝缘膜43与第二绝缘膜41面接触的方式，在第一内侧面18上安装保护面材40的步骤。

在形成第二绝缘膜41的步骤中，在保护面材40中的与相邻的另一个保护面材40相对的端面40c上也形成第二绝缘膜42。而且，在安装保护面材40的步骤中，使相邻的保护面材40所具有的第二绝缘膜42彼此面接触。

采用该处理容器20的制造方法，能够抑制或抑止由氟类气体引起的颗粒的产生，能够制造具有高的电稳定性和放电稳定性的处理容器20。

也可以是对上述实施方式中列举的技术方案等，组合其它的构成要素等而得到的其它的实施方式，而且，本发明完全不受在此所示的技术方案限定。关于这一点，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行变更，可以与其应用方式相应地适当地决定。

例如，对于图示例的等离子体处理装置100，以具有金属窗的感应耦合型的等离子体处理装置为例进行了说明，但也可以是代替金属窗而具有电介质窗的感应耦合型的等离子体处理装置，也可以是其它方式的等离子体处理装置。具体而言，可以列举电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron resonance Plasma：ECP)、螺旋波激发等离子体(HeliconWave Plasma：HWP)、平行平板等离子体(Capacitively Coupled Plasma：CCP)。另外，还可以列举微波激发表面波等离子体(Surface Wave Plasma：SWP)。这些等离子体处理装置，包含ICP在内，均能够独立地控制离子通量和离子能量，能够自由地控制蚀刻形状和选择性，并且能够得到高达10¹¹～10¹³cm^-3左右的电子密度。

Claims (11)

1.一种处理容器，其用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：

在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜，

在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜，

所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触。

2.如权利要求1所述的处理容器，其特征在于：

在所述第一内侧面上，相邻地安装有多个所述保护面材，

在一个所述保护面材中的与相邻的另一个所述保护面材相对的端面上也形成有所述第二绝缘膜，

相对的所述第二绝缘膜彼此面接触。

3.如权利要求1或2所述的处理容器，其特征在于：

所述处理容器和所述保护面材均由包含铝或铝合金的金属形成，

所述保护面材中的被暴露于所述等离子体的第二内侧面是所述金属露出的面。

4.如权利要求1～3中任一项所述的处理容器，其特征在于：

所述第一内侧面具有接地电位，

所述处理容器和所述保护面材经由金属制的连结部件彼此连接，从而所述保护面材具有接地电位。

5.如权利要求1～4中任一项所述的处理容器，其特征在于：

所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜为耐酸铝膜、钇喷镀膜、氟化钇喷镀膜、包含氧化铝喷镀膜的陶瓷喷镀膜、喷涂树脂膜和定形树脂膜中的任一种。

6.一种等离子体处理装置，其特征在于：

具有权利要求1～5中任一项所述的处理容器。

7.一种处理容器的制造方法，所述处理容器用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的制造方法的特征在于，包括：

在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成第一绝缘膜的步骤；

在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成第二绝缘膜的步骤；和

以使所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触的方式，在所述第一内侧面上安装所述保护面材的步骤。

8.如权利要求7所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

在所述形成第二绝缘膜的步骤中，在所述保护面材中的与相邻的另一个所述保护面材相对的端面上也形成所述第二绝缘膜，

在所述安装保护面材的步骤中，使相邻的所述保护面材所具有的所述第二绝缘膜彼此面接触。

9.如权利要求7或8所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

所述处理容器和所述保护面材均由包含铝或铝合金的金属形成，

所述保护面材中的被暴露于所述等离子体的第二内侧面是所述金属露出的面。

10.如权利要求7～9中任一项所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

还包括将所述第一内侧面接地的步骤，

在所述安装保护面材的步骤中，将所述处理容器和所述保护面材经由金属制的连结部件彼此连接，从而将所述保护面材接地。

11.如权利要求7～10中任一项所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜为耐酸铝膜、钇喷镀膜、氟化钇喷镀膜、包含氧化铝喷镀膜的陶瓷喷镀膜、喷涂树脂膜和定形树脂膜中的任一种。

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