CN113936986A - 基板脱离方法和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种基板脱离方法和等离子体处理装置，抑制对基板的静电吸附力的下降。是使通过对被埋设于处理容器的内部的静电吸盘的吸附电极施加直流电压而被静电吸附的基板从所述静电吸盘脱离的方法，所述基板脱离方法包括以下工序：在被实施等离子体处理后的所述基板被静电吸附于所述静电吸盘的状态下，向所述处理容器的内部供给除电用气体，来生成该除电用气体的等离子体；一边维持所述除电用气体的等离子体，一边利用升降销使所述基板上升，来将所述基板从所述静电吸盘脱离；以及对所述吸附电极施加负的直流电压。

Description

基板脱离方法和等离子体处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板脱离方法和等离子体处理装置。
背景技术
在对静电吸盘的电极施加正的直流电压来使基板吸附于静电吸盘并对基板进行处理之后，在使基板从静电吸盘脱离时，通过生成除电用的等离子体并利用升降销使基板上升，来进行去除残留电荷的除电处理。例如，专利文献1提出：在使基板从静电吸盘脱离时，利用等离子体的导电性来进行去除基板表面的电荷的除电处理。在专利文献1中，在等离子体的存在下使升降销上升，来将基板从静电吸盘抬起。
例如，专利文献2提出：一边通过具有第一压力的处理气体的等离子体对基板进行等离子体除电，一边向基板的背面供给具有第二压力的传热气体。在专利文献2中，在除电处理中，对静电吸盘的电极施加极性与在进行等离子体处理时施加于该电极以静电吸附基板的直流电压相反的直流电压。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-134489号公报
专利文献2：日本特开2015-95396号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制对基板的静电吸附力的下降的基板脱离方法和等离子体处理装置。
用于解决问题的方案
根据本公开的一个方式，提供一种基板脱离方法，使通过对被埋设于处理容器的内部的静电吸盘的吸附电极施加直流电压而被静电吸附的基板从所述静电吸盘脱离，所述基板脱离方法包括以下工序：在被实施等离子体处理后的所述基板被静电吸附于所述静电吸盘的状态下，向所述处理容器的内部供给除电用气体，来生成该除电用气体的等离子体；一边维持所述除电用气体的等离子体，一边利用升降销使所述基板上升，来将所述基板从所述静电吸盘脱离；以及对所述吸附电极施加负的直流电压。
发明的效果
根据一个方面，能够抑制对基板的静电吸附力的下降。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的截面示意图。
图2是表示以往的基板脱离方法的一例的图。
图3是用于说明剥离带电的图。
图4是用于说明剥离带电的图。
图5是用于说明一个实施方式所涉及的基板脱离方法的图。
图6是表示一个实施方式所涉及的基板脱离方法的流程图。
附图标记说明
10：处理容器；12：上腔室；12a：顶板；13：下腔室；13a：侧壁；13d：底板；13f：排气口；30：喷淋头；50：气体排气部；60：基板载置台；65：吸附电极；66：静电吸盘；74：供电线；75：直流电源；78：升降销；90：控制部；100：等离子体处理装置；G：基板；S：处理室。
具体实施方式
下面，参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中，对同一结构部分标注相同标记，有时省略重复的说明。
[等离子体处理装置]
首先，参照图1来说明本公开的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置100的一例。图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置100的一例的截面示意图。
等离子体处理装置100为对FPD用的俯视呈矩形的基板(下面简称为“基板”)G执行各种基板处理方法的电感耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基板的材料，主要使用玻璃，根据用途的不同，也有时使用透明的合成树脂等。在此，基板处理包括蚀刻处理、采用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，例示液晶显示器(Liquid Crystal Display：LCD)。也可以为电致发光(Electro Luminescence：EL)、等离子体显示器面板(Plasma Display Panel；PDP)等。基板G除了要在其表面图案形成电路的形态的基板以外，还包括支承基板。另外，FPD用基板的平面尺寸随着世代的推移而大规模化。由等离子体处理装置100处理的基板G的平面尺寸例如至少包括从第6代的约1500mm×1800mm左右的尺寸至第10.5代的3000mm×3400mm左右的尺寸的尺寸。另外，基板G的厚度为0.2mm至数mm左右。
等离子体处理装置100具有控制部90、长方体状的箱型的处理容器10以及配设于处理容器10内来用于载置基板G的具有俯视呈矩形的外形的基板载置台60。处理容器10也可以为圆筒状的箱型、椭圆筒状的箱型等形状，在该形状的情况下，基板载置台60也为圆形或椭圆形，载置于基板载置台60的基板G也为圆形等。
处理容器10被电介质板11划分为上下两个空间，作为上方空间的天线室由上腔室12形成，作为下方空间的处理室S由下腔室13形成。处理容器10由铝等金属形成，电介质板11由氧化铝(Al2O3)等陶瓷、石英形成。
在处理容器10中，在下腔室13与上腔室12的边界的位置，以向处理容器10的内侧突出设置的方式配设有矩形环状的支承框14，在支承框14上载置有电介质板11。处理容器10通过接地线13e接地。
在下腔室13的侧壁13a开设有用于向下腔室13搬入以及从下腔室13搬出基板G的搬入搬出口13b，通过闸阀20将搬入搬出口13b开闭自如。下腔室13与内部具有搬送机构的搬送室(均未图示)邻接，对闸阀20进行开闭控制，来由搬送机构经由搬入搬出口13b进行基板G的搬入搬出。
另外，在下腔室13具有的底板13d开设有多个排气口13f。在排气口13f连接有气体排气管51，气体排气管51经由压力控制阀52来与排气装置53连接。由气体排气管51、压力控制阀52以及排气装置53形成气体排气部50。排气装置53具有涡轮分子泵等真空泵，在工艺过程中，排气装置53对下腔室13内自由抽真空到成为规定的真空度为止。
在电介质板11的下表面设置有用于支承电介质板11的支承梁，支承梁兼作为喷淋头30。喷淋头30可以由铝等金属形成，被实施基于阳极氧化的表面处理。在喷淋头30内形成有沿水平方向延伸设置的气体流路31。气体流路31与气体喷出孔32连通，该气体喷出孔32向下方延伸设置来面向处于喷淋头30的下方的处理室S。
在电介质板11的上表面连接有与气体流路31连通的气体导入管45。气体导入管45气密地贯通在上腔室12的顶板12a开设出的供给口12b，来经由与气体导入管45气密地结合的气体供给管41与处理气体供给源44连接。在气体供给管41的中途位置设置有开闭阀42和如质量流量控制器这样的流量控制器43。由气体导入管45、气体供给管41、开闭阀42、流量控制器43以及处理气体供给源44形成处理气体供给部40。从处理气体供给部40供给的处理气体经由气体供给管41和气体导入管45被供给至喷淋头30，并经由气体流路31和气体喷出孔32被喷出至处理室S。
在形成天线室的上腔室12内配设有高频天线15。通过将由铜等导电性金属形成的天线用线15a卷绕成环状或涡旋状来形成高频天线15。例如，可以将环状的天线用线15a配设多层。
天线用线15a的端子与向上腔室12的上方延伸设置的供电构件16连接，供电构件16的上端与供电线17连接，供电线17经由用于进行阻抗匹配的匹配器18来与高频电源19连接。通过从高频电源19向高频天线15施加例如10MHz～15MHz的高频电力，来在下腔室13内形成感应电场。通过该感应电场来使从喷淋头30供给至处理室S的处理气体等离子体化，生成电感耦合型等离子体，向基板G提供等离子体中的离子、中性自由基等。高频电源19为等离子体产生用的离子源电源，与基板载置台60连接的高频电源73为用于吸引产生的离子来赋予离子动能的偏置电源。像这样，对于离子源电源，利用电感耦合来生成等离子体，将作为其它电源的偏置电源与基板载置台60连接来进行离子能量的控制。由此，能够独立地进行等离子体的生成和离子能量的控制，从而能够提高工艺的自由度。优选在0.1至500MHz的范围内设定从高频电源19输出的高频电力的频率。
基板载置台60具有基材63以及形成于基材63的上表面63a的静电吸盘66。基材63的俯视形状为矩形，基材63具有与载置于基板载置台60的基板G相同程度的平面尺寸，基材63的长边的长度能够设定为1800mm至3400mm左右的尺寸，短边的长度能够设定为1500mm至3000mm左右的尺寸。相对于该平面尺寸，基材63的厚度能够为例如50mm至100mm左右。基材63由不锈钢、铝、铝合金等形成。在基材63设置有以覆盖矩形平面的整个区域的方式蛇行的温度调整介质流路62a。此外，温度调整介质流路62a例如也可以设置于静电吸盘66。另外，基材63也可以不像图示例那样为由一个构件构成的单体，而形成为两个构件的层叠体。
温度调整介质流路62a的两端与送入配管62b及返回配管62c连通，该送入配管62b用于向温度调整介质流路62a供给温度调整介质，该返回配管62c用于使在温度调整介质流路62a中流通而升温了的温度调整介质排出。送入配管62b与送入流路82连通，返回配管62c与返回流路83连通，送入流路82及返回流路83与冷却器81连通。冷却器81具有用于控制温度调整介质的温度、喷出流量的主体部和用于加压输送温度调整介质的泵(均未图示)。此外，作为温度调整介质应用了制冷剂，该制冷剂应用Galden(注册商标)、Fluorinert(注册商标)等。图示例的温度调整方式为使基材63中流通有温度调整介质的方式，但是既可以为基材63内置加热器等来利用加热器进行温度调整的方式，也可以为利用温度调整介质和加热器双方进行温度调整的方式。另外，还可以通过流通有高温的温度调整介质来进行伴随加热的温度调整，来代替通过加热器进行伴随加热的温度调整。此外，电阻体加热器由钨、钼、或者这些金属中的任一种与氧化铝、钛等的化合物形成。另外，在图示例中，在基材63形成有温度调整介质流路62a，但是，也可以是，例如静电吸盘66具有温度调整介质流路。
在下腔室13的底板13d上固定有箱型的底座68，该底座68由绝缘材料形成，在该底座68的内侧具有台阶部，在底座68的台阶部上载置有基板载置台60。在基材63的上表面形成有用于直接载置基板G的静电吸盘66。静电吸盘66具有：陶瓷层64，其为喷镀氧化铝等陶瓷而形成的电介质覆膜；以及作为导电层的吸附电极65，其埋设在陶瓷层64的内部，所述吸附电极65具有静电吸附功能。吸附电极65经由供电线74和开关76来与直流电源75连接。当由控制部90使开关76接通时，从直流电源75向吸附电极65施加直流电压，由此产生库伦力。基板G通过该库伦力被静电吸附于静电吸盘66，从而以载置于基材63的上表面的状态被保持。另外，当将开关76断开并将设置于从供电线74分支出来的地线的开关77接通时，吸附电极65中滞留的电荷流向地。像这样,基板载置台60形成用于载置基板G的下部电极。
在基材63配设有热电偶等温度传感器，向控制部90随时发送温度传感器的监视信息。控制部90基于发送来的温度的监视信息，来执行基材63和基板G的温度调整控制。更具体地，由控制部90来调整从冷却器81向送入流路82供给的温度调整介质的温度、流量。而且，使被进行了温度调整、流量调整的温度调整介质循环到温度调整介质流路62a，由此执行基板载置台60的温度调整控制。此外，热电偶等温度传感器例如也可以配设于静电吸盘66。
在静电吸盘66的外周且底座68的上表面载置有矩形框状的聚焦环69，以聚焦环69的上表面比静电吸盘66的上表面低的方式设定。聚焦环69由氧化铝等陶瓷或石英等形成。
基材63的下表面与供电构件70连接。供电构件70的下端与供电线71连接，供电线71经由用于进行阻抗匹配的匹配器72来与作为偏置电源的高频电源73连接。能够通过从高频电源73对基板载置台60施加例如2MHz～6MHz的高频电力，来将利用作为等离子体产生用的离子源电源的高频电源19生成的离子吸引至基板G。因而，在等离子体蚀刻处理中，能够一同提高蚀刻速率和蚀刻选择比。
在基板载置台60的内部设置有多个、例如12个用于使基板G升降以与外部的未图示的搬送臂之间进行基板G的交接的升降销78。在图1中进行了简化，图示了2个升降销78。多个升降销78贯通基板载置台60，通过经由连结构件传递来的电动机的动力进行上下运动。在朝向处理容器的外部贯通的升降销78的贯通孔设置有底部波纹管(未图示)，用于保持处理容器内的真空侧与大气之间的气密性。
控制部90控制等离子体处理装置100的各结构部，例如控制冷却器81、高频电源19、73、直流电源75、处理气体供给部40、气体排气部50等的动作。控制部90具有ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等存储器以及CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)。CPU按照保存在存储器的存储区域中的制程(工艺制程)来执行规定的处理。在制程中设定有针对工艺条件的等离子体处理装置100的控制信息。控制信息例如包括气体流量、处理容器10内的压力、处理容器10内的温度、基材63的温度、工艺时间等。
制程和控制部90应用的程序例如也可以存储于硬盘、光盘、光磁盘等。另外，制程等也可以为如下形态：以收容在CD-ROM、DVD、存储卡等便携且可由计算机读取的存储介质的状态设置于控制部90并被控制部90读出。除此以外，控制部90还具有用于进行命令的输入操作等的键盘、鼠标等输入装置、可视化地显示等离子体处理装置100的运转状况的显示器等显示装置、以及打印机等输出装置之类的用户接口。
[以往的基板脱离方法和剥离带电]
接着，参照图2～图4来说明以往的基板脱离方法和剥离带电。图2是表示以往的基板脱离方法的一例的图。图3和图4是用于说明剥离带电的图。
在以往的基板脱离方法中，首先如图2的(a)所示，吸附电极65经由供电线74来与直流电源75连接。当由控制部90将开关76控制为接通时，从直流电源75向吸附电极65施加直流电压。由此产生库伦力，基板G被静电吸附于静电吸盘66的上表面并被保持。在图2的(a)的例子中，在通过等离子体P1进行基板G的蚀刻时，从直流电源75向吸附电极65施加正的直流电压，在吸附电极65上产生正电荷，在基板G上产生负电荷。然而，并不限于此，在从直流电源75向吸附电极65施加了负的直流电压的情况下，在吸附电极65上产生负电荷，在基板G上产生正电荷。
在蚀刻基板G时，产生反应生成物。反应生成物进入基板G与静电吸盘66之间，附着在静电吸盘66的基板载置面上。随着基板G的处理次数的增多，反应生成物沉积于基板载置面上。下面，将沉积的反应生成物设为沉积物R。
图3表示沉积物R沉积于基板载置面上的状态。图3的左图为从直流电源75向吸附电极65施加直流电压、来将基板G静电吸附于静电吸盘66的上表面的状态。在该状态下利用等离子体对基板G进行蚀刻。
图3的右图为在蚀刻结束后停止从直流电源75向吸附电极65施加直流电压、并使升降销78上升来使基板G从静电吸盘66脱离的状态。此时，供给除电用气体并生成除电用气体的等离子体P，利用等离子体P的导电性来进行去除基板G的表面的电荷的除电(下面也称作“等离子体除电”。)。在等离子体除电中，在等离子体的存在下使升降销78上升来将基板G从静电吸盘66抬起。
使用于基板G的蚀刻的蚀刻气体含有氟。另外，在基板G的蚀刻中，借助形成于基板G的有机材料的掩模来蚀刻作为掩模的基底的绝缘膜。作为绝缘膜，有SiO2膜、SiN膜等。在进行蚀刻时掩模的一部分被削除。其结果，沉积于静电吸盘66的基板载置面上的沉积物R含有蚀刻气体中的氟和掩模中含有的碳。
图4表示物质间的摩擦带电序列。箭头下记载的物质，越去向左侧的箭头表示越容易带正(+)电，越去向右侧的箭头表示越容易带负(-)电。例如，在“玻璃”与“聚四氟乙烯(四氟乙烯(CF2＝CF2))”的组合中，“玻璃”容易带正(+)电，“聚四氟乙烯”容易带负(-)电。另外，在任意的物质均处于摩擦带电序列所示的相同的极性侧、例如靠近左侧的正(+)的位置的情况下，相对地处于左侧的物质带正(+)电，相对地处于右侧的物质带负(-)电。例如在“玻璃”与“毛皮”的组合中，“玻璃”带正(+)电，“毛皮”带负(-)电。剥离带电是在将相接触的两个物质分离时引起各个物质带电而产生的，此时产生的带电的极性基于上述的摩擦带电序列所示的物质与极性之间的关系。
根据以上，在如图3所示、停止从直流电源75向吸附电极65施加的直流电压、并借助等离子体使基板G上的负电荷流向地面来除电、并使升降销78上升时，在基板G与沉积物R之间产生剥离带电。在图3的基板脱离时，是作为基板G的“玻璃”与基板载置面上的含有C和F的“沉积物R”之间的剥离带电，因此如图4所示，基板G带正电，沉积物R带负电。在此，“沉积物R”未必一定是聚四氟乙烯，但由于均是含有C和F的组成，因此认为具有同样的电气性质。
残留于静电吸盘66的残留电荷与由于剥离带电产生的沉积物R上的负电荷的产生原因不同。残留于静电吸盘66的残留电荷是由于从直流电源75施加于吸附电极65的直流电压产生的，残留电荷的正负根据施加于吸附电极65的直流电压的正负而改变。在进行等离子体除电时，例如对吸附电极65施加与在进行等离子体处理时从直流电源75施加于吸附电极65的直流电压极性相反且大小相同的直流电压，使基板G上的残留电荷借助等离子体流向地来进行除电。
另一方面，在基板脱离时产生的剥离带电取决于物质的电性特性，是基于剥离的物质的组合的带电。因此，无论从直流电源75施加于吸附电极65的直流电压的正负如何，均如图4的摩擦带电序列所示的那样，基板G总是带“正”电，沉积物R总是带“负”电。
因此，在本实施方式所涉及的基板脱离方法中，在利用升降销78将基板G剥离时或将基板G剥离后，从直流电源75向吸附电极65施加负的直流电压以去除沉积物R上的负电荷。由此，在静电吸盘66的表面产生与沉积物R上的负电荷中和的正电荷。其结果，能够使沉积物R上的负电荷中和来将其去除。由此，能够避免在吸附下一个基板G时基板G的吸附力因沉积物R上的负电荷而变低，从而抑制基板G剥离。
也就是说，在图2所示的以往的基板脱离方法中，在图2的(b)所示的停止从直流电源75施加于吸附电极65的直流电压后，如图2的(c)所示一边使升降销78上升一边利用除电用气体的等离子体(下面还称作“除电用等离子体P2”。)进行等离子体除电。在此，去除基板G上的残留电荷。但是，残留有因在利用升降销78将基板G剥离时产生的剥离带电而产生的沉积物R上的负电荷。当在沉积物R上残留有负电荷的状态下将下一个基板G载置于基板载置面上时，如图2的(d)所示，相对于在进行下一个基板G的处理时从直流电源75施加于吸附电极65的正的直流电压而产生的吸附电极65上的正电荷的一部分与沉积物R上的负电荷相吸引。由此，与吸附电极65上的正电荷相吸引的基板G上的负电荷不足，吸附力下降。其结果，基板G容易从静电吸盘66剥离。另外，为了提高基板G的温度调整效率，在基板G与静电吸盘66之间填充有传热气体，由于吸附电极65的吸附力下降，因此产生从基板G与静电吸盘66之间泄漏容许范围以上的传热气体的问题。
对此，考虑过通过在等离子体处理装置100内未载置有基板G的状态下供给氟系气体并生成氟系气体的等离子体，来通过清洁去除静电吸盘66上的沉积物R。但是，在该情况下，基板载置台60的基板载置面也因同时暴露在等离子体中而劣化，导致基板载置台60的寿命缩短。
因此，在下面说明的一个实施方式所涉及的基板脱离方法中，如图5所示，进行(a)蚀刻、(b)直流电压断开、(c)升降销提升除电、(d)下一个基板G的蚀刻。图5的(a)及(b)的处理与图2的(a)及(b)所示的以往的基板脱离方法相同。在图5的(b)的断开直流电压后，如图5的(c)所示，在等离子体除电过程中从直流电源75向吸附电极65施加负的直流电压。由此，能够去除沉积物R上的剥离带电的负电荷。其结果，如图5的(d)所示，能够避免在进行下一个基板G的处理时使基板G吸附于静电吸盘66时的吸附力下降，从而抑制基板G的剥离。
[基板脱离方法]
参照图6来说明本实施方式所涉及的基板脱离方法MT。图6是表示一个实施方式所涉及的基板脱离方法MT的流程图。通过控制部90的控制由等离子体处理装置100来执行本方法MT。
当开始本方法MT时，将层叠有有机材料的掩模及其基底的绝缘膜的基板G搬入下腔室13内，并载置于静电吸盘66的基板载置面上(步骤S1)。
接着，从直流电源75向吸附电极65施加正的直流电压，将基板G吸附于静电吸盘66(步骤S2)。接着，从处理气体供给源44供给含氟气体，并从高频电源19施加高频电力，来生成含氟气体的等离子体(步骤S3)，利用含氟气体的等离子体来蚀刻基板G上的绝缘膜(步骤S4)。在该时间点，如图5的(a)所示，将开关76接通来从直流电源75向吸附电极65施加正的直流电压。此时，开关77被控制为断开。利用含氟气体的等离子体P1，借助基板G上的有机材料的掩模来蚀刻绝缘膜。
接着，判定是否结束绝缘膜的蚀刻(步骤S5)。例如，能够通过EPD(终点检测)等方法来判定是否结束蚀刻。在判定为不结束绝缘膜的蚀刻的情况下，返回步骤S4，继续基板G的蚀刻。另一方面，在判定为结束绝缘膜的蚀刻的情况下，停止含氟气体的供给，停止高频电力的施加，并将开关76控制为断开来停止向吸附电极65施加正的直流电压，结束蚀刻(步骤S6)。在该时间点，如图5的(b)所示，将开关76控制为断开来停止向吸附电极65施加正的直流电压。将开关77控制为接通，来使吸附电极65上的正电荷流向地。
接着，从处理气体供给源44供给除电用气体，并从高频电源19施加高频电力，来生成除电用等离子体(步骤S7)。作为除电用气体的一例，能够举出O2气、氩气、氦气。此外，步骤7中的高频电力为从高频电源19施加的高频电力，不从高频电源73施加高频电力。
接着，使升降销78上升，来将基板G从静电吸盘66脱离(步骤S8)。在该时间点，如图5的(c)所示，一边利用除电用等离子体P2的导电性来进行去除基板G表面的残留电荷的等离子体除电，一边利用升降销78将基板G从静电吸盘66的基板载置面脱离。接着，从直流电源75向吸附电极65施加负的直流电压，来去除沉积物R上的负电荷(步骤S9)。其结果，沉积物R上的负电荷被去除，因此如图5的(d)所示，能够防止在搬入下一个基板G并对该基板G进行静电吸附时吸附力因沉积物R上的负电荷而下降，从而抑制基板G容易从静电吸盘66剥离。由此，能够防止从基板G与静电吸盘66之间泄漏的传热气体的泄漏量超过容许范围。
接着，停止除电用气体的供给，并停止高频电力的施加，来停止除电用等离子体的生成(步骤S10)。接着，停止从直流电源75向吸附电极65施加负的直流电压(步骤S11)。由此，结束本方法MT。
此外，在上述的说明中，在步骤S8的处理后执行了步骤S9的处理，但也可以并行地执行步骤S8的处理和步骤S9的处理。例如，可以在开始步骤S8的处理来将基板G从基板载置面剥离后执行步骤S9的处理。也可以同时开始步骤S8的处理和步骤S9的处理。也就是说，步骤S9的处理可以与步骤S8的处理同时开始，或者在开始步骤S8的处理后开始。
如以上说明的那样，根据本实施方式的基板脱离方法，能够避免对基板的静电吸附力的下降。由此，能够抑制基板的剥离。另外，能够使供给至基板与静电吸盘之间的传热气体的泄漏量在容许范围内。
此外，在将基板G从静电吸盘66脱离的工序中，控制部90可以进行控制，以使升降销78从静电吸盘66的基板载置面上升至30mm以上的高度。由此，除电用等离子体容易绕到基板G的背面。由此，能够更容易地去除基板G的背面的电荷和沉积物R上的负电荷。
应认为，本次公开的一个实施方式所涉及的基板脱离方法和等离子体处理装置的所有方面均是例示性的而非限制性的。能够不脱离所附的权利要求书及其主旨地对上述的实施方式以各种方式进行变形和改进。对于上述多个实施方式中记载的事项，能够在不矛盾的范围内还采取其它的结构，另外，能够在不矛盾的范围内进行组合。
本公开的等离子体处理装置还能够应用为原子层沉积(Atomic LayerDeposition(ALD))装置、电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma(CCP))、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma(ICP))、径向线缝隙天线(Radial Line SlotAntenna(RLSA))、电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR))、螺旋波等离子体(Helicon Wave Plasma(HWP))中的任一类型的等离子体处理装置。
另外，等离子体处理装置不限于是进行蚀刻的装置，只要是使用等离子体来对基板进行成膜处理等规定的等离子体处理的装置，均能够应用。

Claims (7)

1.一种基板脱离方法，使通过对被埋设于处理容器的内部的静电吸盘的吸附电极施加直流电压而被静电吸附的基板从所述静电吸盘脱离，所述基板脱离方法包括以下工序：
在被实施等离子体处理后的所述基板被静电吸附于所述静电吸盘的状态下，向所述处理容器的内部供给除电用气体，来生成该除电用气体的等离子体；
一边维持所述除电用气体的等离子体，一边利用升降销使所述基板上升，来将所述基板从所述静电吸盘脱离；以及
对所述吸附电极施加负的直流电压。
2.根据权利要求1所述的基板脱离方法，其特征在于，
在生成除电用气体的等离子体的所述工序之前，还包括停止在所述等离子体处理中对所述吸附电极施加的直流电压的工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板脱离方法，其特征在于，
所述等离子体处理为如下处理：供给含氟气体，利用该含氟气体的等离子体借助由有机材料形成的掩模来蚀刻所述基板上的给定的膜。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板脱离方法，其特征在于，
在执行对所述吸附电极施加负的直流电压的工序的期间，还具有停止所述除电用气体的等离子体的工序。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板脱离方法，其特征在于，
在执行将所述基板从所述静电吸盘脱离的工序的期间执行对所述吸附电极施加负的直流电压的工序。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板脱离方法，其特征在于，
在使所述基板从所述静电吸盘脱离的工序中，使所述升降销从所述静电吸盘的基板载置面上升至30mm以上的高度。
7.一种等离子体处理装置，具有处理容器、配置于所述处理容器的内部的静电吸盘、以及进行控制以通过对被埋设于所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压来静电吸附基板的控制部，
其中，所述控制部控制以下工序：
在被实施等离子体处理后的所述基板被静电吸附于所述静电吸盘的状态下，向所述处理容器的内部供给除电用气体，来生成该除电用气体的等离子体；
一边维持所述除电用气体的等离子体，一边利用升降销使所述基板上升，来将所述基板从所述静电吸盘脱离；以及
对所述吸附电极施加负的直流电压。
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